Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142402) > Сторінка 187 з 2374

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 237 474 711 948 1185 1422 1659 1896 2133 2370 2374  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N5461_D26Z 2N5461_D26Z onsemi 2N5460 Rev5.pdf Description: JFET P-CH 40V TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Power - Max: 350 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2 mA @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5461_D74Z 2N5461_D74Z onsemi 2N5460 Rev5.pdf Description: JFET P-CH 40V TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Power - Max: 350 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2 mA @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5461_L99Z 2N5461_L99Z onsemi 2N5460%20Rev5.pdf Description: JFET P-CH 40V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 135°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Power - Max: 350 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 9 mA @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5462_D27Z 2N5462_D27Z onsemi 2N5460%20Rev5.pdf Description: JFET P-CH 40V TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Power - Max: 350 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.8 V @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4 mA @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5639_D26Z 2N5639_D26Z onsemi 2N5639.pdf Description: JFET N-CH 30V TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 350 mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN6520AIM FAN6520AIM onsemi FAN6520A.pdf Description: IC REG CTRLR BUCK 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Transistor Driver
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz
Topology: Buck
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Synchronous Rectifier: Yes
Control Features: Enable
Output Phases: 1
Duty Cycle (Max): 100%
Clock Sync: No
Part Status: Obsolete
Number of Outputs: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5246_D74Z 2N5246_D74Z onsemi 2N5246.pdf Description: RF MOSFET JFET 30V TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Current Rating (Amps): 7mA
Mounting Type: Through Hole
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Supplier Device Package: TO-92-3
Voltage - Rated: 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5457_D27Z 2N5457_D27Z onsemi 2N5457-59%2C%20MMBF5457-59.pdf Description: JFET N-CH 25V TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Power - Max: 625 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1 mA @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5457_D75Z 2N5457_D75Z onsemi 2N5457-59%2C%20MMBF5457-59.pdf Description: JFET N-CH 25V TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Power - Max: 625 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1 mA @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5457_L99Z 2N5457_L99Z onsemi 2N5457-59%2C%20MMBF5457-59.pdf Description: JFET N-CH 25V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 135°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Power - Max: 310 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5458_D26Z 2N5458_D26Z onsemi 2N5457-59%2C%20MMBF5457-59.pdf Description: JFET N-CH 25V TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Power - Max: 625 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2 mA @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5458_D27Z 2N5458_D27Z onsemi 2N5457-59%2C%20MMBF5457-59.pdf Description: JFET N-CH 25V TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Power - Max: 625 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2 mA @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5555_D74Z 2N5555_D74Z onsemi 2N5555.pdf Description: RF MOSFET JFET 25V TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Current Rating (Amps): 15mA
Mounting Type: Through Hole
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5638_D26Z 2N5638_D26Z onsemi 2N5638.pdf Description: JFET N-CH 30V TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 350 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5639_D75Z 2N5639_D75Z onsemi 2N5639.pdf Description: JFET N-CH 30V TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 350 mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5950 2N5950 onsemi 2N5950.pdf Description: RF MOSFET JFET 30V TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Current Rating (Amps): 15mA
Mounting Type: Through Hole
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5950_J18Z 2N5950_J18Z onsemi 2N5950.pdf Description: RF MOSFET JFET 30V TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Current Rating (Amps): 15mA
Mounting Type: Through Hole
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5951_D27Z 2N5951_D27Z onsemi 2N5951.pdf Description: RF MOSFET JFET 15V TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Current Rating (Amps): 13mA
Mounting Type: Through Hole
Frequency: 1kHz
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Noise Figure: 2dB
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 30 V
Voltage - Test: 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5952_D74Z 2N5952_D74Z onsemi 2N5952.pdf Description: RF MOSFET JFET 15V TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Current Rating (Amps): 8mA
Mounting Type: Through Hole
Frequency: 1kHz
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Noise Figure: 2dB
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 30 V
Voltage - Test: 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74ALVCH245WMX 74ALVCH245WMX onsemi 74ALVCH245.pdf Description: IC TXRX NON-INVERT 3.6V 20SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Transceiver, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 20-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VCXH245WMX 74VCXH245WMX onsemi 74VCXH245.pdf Description: IC TXRX NON-INVERT 3.6V 20SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Transceiver, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.2V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 20-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BF244B BF244B onsemi BF244x.pdf Description: RF MOSFET JFET 15V TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Through Hole
Frequency: 100MHz
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Noise Figure: 1.5dB
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 30 V
Voltage - Test: 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BF247A BF247A onsemi BF247x.pdf Description: JFET N-CH 25V TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Power - Max: 350 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30 mA @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BF256B BF256B onsemi BF256B.pdf Description: RF MOSFET JFET 30V TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Current Rating (Amps): 13mA
Mounting Type: Through Hole
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Voltage - Rated: 30 V
на замовлення 6943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.48 грн
30+10.63 грн
34+9.36 грн
100+7.52 грн
250+6.91 грн
500+6.54 грн
1000+6.14 грн
2500+5.82 грн
5000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BF256C BF256C onsemi BF256x.pdf Description: RF MOSFET JFET 30V TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Current Rating (Amps): 18mA
Mounting Type: Through Hole
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933 FDS9933 onsemi FDS9933.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74ABT244CPC 74ABT244CPC onsemi 74ABT244.pdf Description: IC BUFF NON-INVERT 5.5V 20DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 20-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 32mA, 64mA
Supplier Device Package: 20-PDIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74ACT273PC 74ACT273PC onsemi 74ACT273%2C%2074ACT273%20Rev2008.pdf Description: IC FF D-TYPE SINGLE 8BIT 20PDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 20-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Function: Master Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 40 µA
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 189 MHz
Input Capacitance: 4.5 pF
Supplier Device Package: 20-PDIP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 8.5ns @ 5V, 50pF
Number of Bits per Element: 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 FDC2612 onsemi fdc2612-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 725mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 100 V
на замовлення 11640000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.28 грн
6000+18.05 грн
9000+17.29 грн
15000+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3512 FDC3512 onsemi fdc3512-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 40 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.04 грн
6000+22.01 грн
9000+21.13 грн
15000+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N onsemi fdc3601n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612 onsemi fdc3612-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.18 грн
6000+14.96 грн
9000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P FDC602P onsemi fdc602p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.08 грн
6000+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P onsemi fdc606p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1699 pF @ 6 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.75 грн
6000+17.84 грн
9000+17.00 грн
15000+15.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P onsemi fdc6310p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 337pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P FDC6312P onsemi fdc6312p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.87 грн
6000+18.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P onsemi fdc6318p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.26 грн
6000+18.20 грн
9000+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C onsemi fdc6321c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA, 460mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.30 грн
6000+13.55 грн
9000+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6323L FDC6323L onsemi fdc6323l-d.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CH 1:1 SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 3V ~ 8V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.5V ~ 8V
Current - Output (Max): 1.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6324L FDC6324L onsemi fdc6324l-d.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CH 1:1 SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 3V ~ 20V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.5V ~ 8V
Current - Output (Max): 1.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.59 грн
6000+16.49 грн
9000+16.27 грн
15000+15.04 грн
21000+14.90 грн
30000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6325L FDC6325L onsemi fdc6325l-d.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CH 1:1 SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 115mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.5V ~ 8V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.5V ~ 8V
Current - Output (Max): 1.8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6326L FDC6326L onsemi fdc6326l-d.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CH 1:1 SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 95mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 3V ~ 20V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.5V ~ 8V
Current - Output (Max): 1.8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.80 грн
6000+31.79 грн
9000+31.41 грн
15000+29.08 грн
21000+28.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C onsemi fdc6327c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.7A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.20 грн
6000+20.69 грн
9000+19.85 грн
15000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6329L FDC6329L onsemi fdc6329l-d.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CH 1:1 SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 47mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.5V ~ 8V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.5V ~ 8V
Current - Output (Max): 2.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.57 грн
6000+23.63 грн
9000+22.63 грн
15000+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6330L FDC6330L onsemi fdc6330l-d.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CH 1:1 SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 54mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 3V ~ 20V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.5V ~ 8V
Current - Output (Max): 2.3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 74800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.06 грн
6000+13.17 грн
9000+12.99 грн
15000+12.00 грн
21000+11.88 грн
30000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6331L FDC6331L onsemi fdc6331l-d.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CH 1:1 SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 34mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.5V ~ 8V
Current - Output (Max): 2.8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6332L FDC6332L onsemi FDC6332L.pdf Description: IC PWR DRVR P-CH 1:1 SUPERSOT-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 230mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Current - Output (Max): 1A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC636P FDC636P onsemi FDC636P.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN onsemi fdc637an-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N onsemi fdc6401n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.25 грн
6000+16.21 грн
9000+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P FDC640P onsemi fdc640p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C onsemi fdc6420c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P FDC642P onsemi fdc642p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.04 грн
6000+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N onsemi FDC645N-D.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN onsemi fdc655bn-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.20 грн
6000+10.44 грн
9000+9.41 грн
15000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675 FDS4675 onsemi fds4675-d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.88 грн
5000+28.53 грн
7500+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880 onsemi FAIRS24672-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.06 грн
5000+21.04 грн
12500+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74AC00SCX 74AC00SCX onsemi 74ACT00-D.PDF description Description: IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 2.1V ~ 3.85V
Input Logic Level - Low: 0.9V ~ 1.65V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 8ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 102500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.93 грн
5000+9.27 грн
7500+9.13 грн
12500+8.41 грн
17500+8.33 грн
25000+8.24 грн
62500+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74AC02SCX 74AC02SCX onsemi 74AC02%2C%2074ACT02.pdf Description: IC GATE NOR 4CH 2-INP 14SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 2.1V ~ 3.85V
Input Logic Level - Low: 0.9V ~ 1.65V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 6.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74AC04SCX 74AC04SCX onsemi 74ACT04-D.PDF Description: IC INVERTER 6CH 1IN 14SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 2.1V ~ 3.85V
Input Logic Level - Low: 0.9V ~ 1.65V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.07 грн
5000+9.41 грн
7500+9.26 грн
12500+8.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
2N5461_D26Z 2N5460 Rev5.pdf
2N5461_D26Z
Виробник: onsemi
Description: JFET P-CH 40V TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Power - Max: 350 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2 mA @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5461_D74Z 2N5460 Rev5.pdf
2N5461_D74Z
Виробник: onsemi
Description: JFET P-CH 40V TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Power - Max: 350 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2 mA @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5461_L99Z 2N5460%20Rev5.pdf
2N5461_L99Z
Виробник: onsemi
Description: JFET P-CH 40V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 135°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Power - Max: 350 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 9 mA @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5462_D27Z 2N5460%20Rev5.pdf
2N5462_D27Z
Виробник: onsemi
Description: JFET P-CH 40V TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Power - Max: 350 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.8 V @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4 mA @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5639_D26Z 2N5639.pdf
2N5639_D26Z
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 30V TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 350 mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN6520AIM FAN6520A.pdf
FAN6520AIM
Виробник: onsemi
Description: IC REG CTRLR BUCK 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Transistor Driver
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz
Topology: Buck
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Synchronous Rectifier: Yes
Control Features: Enable
Output Phases: 1
Duty Cycle (Max): 100%
Clock Sync: No
Part Status: Obsolete
Number of Outputs: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5246_D74Z 2N5246.pdf
2N5246_D74Z
Виробник: onsemi
Description: RF MOSFET JFET 30V TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Current Rating (Amps): 7mA
Mounting Type: Through Hole
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Supplier Device Package: TO-92-3
Voltage - Rated: 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5457_D27Z 2N5457-59%2C%20MMBF5457-59.pdf
2N5457_D27Z
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 25V TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Power - Max: 625 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1 mA @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5457_D75Z 2N5457-59%2C%20MMBF5457-59.pdf
2N5457_D75Z
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 25V TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Power - Max: 625 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1 mA @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5457_L99Z 2N5457-59%2C%20MMBF5457-59.pdf
2N5457_L99Z
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 25V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 135°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Power - Max: 310 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5458_D26Z 2N5457-59%2C%20MMBF5457-59.pdf
2N5458_D26Z
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 25V TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Power - Max: 625 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2 mA @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5458_D27Z 2N5457-59%2C%20MMBF5457-59.pdf
2N5458_D27Z
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 25V TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Power - Max: 625 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2 mA @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5555_D74Z 2N5555.pdf
2N5555_D74Z
Виробник: onsemi
Description: RF MOSFET JFET 25V TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Current Rating (Amps): 15mA
Mounting Type: Through Hole
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5638_D26Z 2N5638.pdf
2N5638_D26Z
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 30V TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 350 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5639_D75Z 2N5639.pdf
2N5639_D75Z
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 30V TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 350 mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5950 2N5950.pdf
2N5950
Виробник: onsemi
Description: RF MOSFET JFET 30V TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Current Rating (Amps): 15mA
Mounting Type: Through Hole
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5950_J18Z 2N5950.pdf
2N5950_J18Z
Виробник: onsemi
Description: RF MOSFET JFET 30V TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Current Rating (Amps): 15mA
Mounting Type: Through Hole
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5951_D27Z 2N5951.pdf
2N5951_D27Z
Виробник: onsemi
Description: RF MOSFET JFET 15V TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Current Rating (Amps): 13mA
Mounting Type: Through Hole
Frequency: 1kHz
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Noise Figure: 2dB
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 30 V
Voltage - Test: 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5952_D74Z 2N5952.pdf
2N5952_D74Z
Виробник: onsemi
Description: RF MOSFET JFET 15V TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Current Rating (Amps): 8mA
Mounting Type: Through Hole
Frequency: 1kHz
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Noise Figure: 2dB
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 30 V
Voltage - Test: 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74ALVCH245WMX 74ALVCH245.pdf
74ALVCH245WMX
Виробник: onsemi
Description: IC TXRX NON-INVERT 3.6V 20SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Transceiver, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 20-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VCXH245WMX 74VCXH245.pdf
74VCXH245WMX
Виробник: onsemi
Description: IC TXRX NON-INVERT 3.6V 20SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Transceiver, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.2V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 20-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BF244B BF244x.pdf
BF244B
Виробник: onsemi
Description: RF MOSFET JFET 15V TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Through Hole
Frequency: 100MHz
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Noise Figure: 1.5dB
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 30 V
Voltage - Test: 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BF247A BF247x.pdf
BF247A
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 25V TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Power - Max: 350 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30 mA @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BF256B BF256B.pdf
BF256B
Виробник: onsemi
Description: RF MOSFET JFET 30V TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Current Rating (Amps): 13mA
Mounting Type: Through Hole
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Voltage - Rated: 30 V
на замовлення 6943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.48 грн
30+10.63 грн
34+9.36 грн
100+7.52 грн
250+6.91 грн
500+6.54 грн
1000+6.14 грн
2500+5.82 грн
5000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BF256C BF256x.pdf
BF256C
Виробник: onsemi
Description: RF MOSFET JFET 30V TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Current Rating (Amps): 18mA
Mounting Type: Through Hole
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933 FDS9933.pdf
FDS9933
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74ABT244CPC 74ABT244.pdf
74ABT244CPC
Виробник: onsemi
Description: IC BUFF NON-INVERT 5.5V 20DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 20-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 32mA, 64mA
Supplier Device Package: 20-PDIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74ACT273PC 74ACT273%2C%2074ACT273%20Rev2008.pdf
74ACT273PC
Виробник: onsemi
Description: IC FF D-TYPE SINGLE 8BIT 20PDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 20-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Function: Master Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 40 µA
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 189 MHz
Input Capacitance: 4.5 pF
Supplier Device Package: 20-PDIP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 8.5ns @ 5V, 50pF
Number of Bits per Element: 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 fdc2612-d.pdf
FDC2612
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 725mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 100 V
на замовлення 11640000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.28 грн
6000+18.05 грн
9000+17.29 грн
15000+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3512 fdc3512-d.pdf
FDC3512
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 40 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+24.04 грн
6000+22.01 грн
9000+21.13 грн
15000+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N fdc3601n-d.pdf
FDC3601N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 fdc3612-d.pdf
FDC3612
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.18 грн
6000+14.96 грн
9000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P fdc602p-d.pdf
FDC602P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.08 грн
6000+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P fdc606p-d.pdf
FDC606P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1699 pF @ 6 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.75 грн
6000+17.84 грн
9000+17.00 грн
15000+15.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P fdc6310p-d.pdf
FDC6310P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 337pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P fdc6312p-d.pdf
FDC6312P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.87 грн
6000+18.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P fdc6318p-d.pdf
FDC6318P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.26 грн
6000+18.20 грн
9000+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C fdc6321c-d.pdf
FDC6321C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA, 460mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.30 грн
6000+13.55 грн
9000+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6323L fdc6323l-d.pdf
FDC6323L
Виробник: onsemi
Description: IC PWR SWITCH P-CH 1:1 SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 3V ~ 8V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.5V ~ 8V
Current - Output (Max): 1.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6324L fdc6324l-d.pdf
FDC6324L
Виробник: onsemi
Description: IC PWR SWITCH P-CH 1:1 SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 3V ~ 20V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.5V ~ 8V
Current - Output (Max): 1.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.59 грн
6000+16.49 грн
9000+16.27 грн
15000+15.04 грн
21000+14.90 грн
30000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6325L fdc6325l-d.pdf
FDC6325L
Виробник: onsemi
Description: IC PWR SWITCH P-CH 1:1 SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 115mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.5V ~ 8V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.5V ~ 8V
Current - Output (Max): 1.8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6326L fdc6326l-d.pdf
FDC6326L
Виробник: onsemi
Description: IC PWR SWITCH P-CH 1:1 SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 95mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 3V ~ 20V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.5V ~ 8V
Current - Output (Max): 1.8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+33.80 грн
6000+31.79 грн
9000+31.41 грн
15000+29.08 грн
21000+28.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C fdc6327c-d.pdf
FDC6327C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.7A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.20 грн
6000+20.69 грн
9000+19.85 грн
15000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6329L fdc6329l-d.pdf
FDC6329L
Виробник: onsemi
Description: IC PWR SWITCH P-CH 1:1 SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 47mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.5V ~ 8V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.5V ~ 8V
Current - Output (Max): 2.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+26.57 грн
6000+23.63 грн
9000+22.63 грн
15000+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6330L fdc6330l-d.pdf
FDC6330L
Виробник: onsemi
Description: IC PWR SWITCH P-CH 1:1 SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 54mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 3V ~ 20V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.5V ~ 8V
Current - Output (Max): 2.3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 74800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.06 грн
6000+13.17 грн
9000+12.99 грн
15000+12.00 грн
21000+11.88 грн
30000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6331L fdc6331l-d.pdf
FDC6331L
Виробник: onsemi
Description: IC PWR SWITCH P-CH 1:1 SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 34mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.5V ~ 8V
Current - Output (Max): 2.8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6332L FDC6332L.pdf
FDC6332L
Виробник: onsemi
Description: IC PWR DRVR P-CH 1:1 SUPERSOT-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 230mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Current - Output (Max): 1A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC636P FDC636P.pdf
FDC636P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN fdc637an-d.pdf
FDC637AN
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N fdc6401n-d.pdf
FDC6401N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.25 грн
6000+16.21 грн
9000+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P fdc640p-d.pdf
FDC640P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C fdc6420c-d.pdf
FDC6420C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P fdc642p-d.pdf
FDC642P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.04 грн
6000+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N-D.pdf
FDC645N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN fdc655bn-d.pdf
FDC655BN
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.20 грн
6000+10.44 грн
9000+9.41 грн
15000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675 fds4675-d.pdf
FDS4675
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+31.88 грн
5000+28.53 грн
7500+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FAIRS24672-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS8880
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.06 грн
5000+21.04 грн
12500+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74AC00SCX description 74ACT00-D.PDF
74AC00SCX
Виробник: onsemi
Description: IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 2.1V ~ 3.85V
Input Logic Level - Low: 0.9V ~ 1.65V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 8ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 102500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+9.93 грн
5000+9.27 грн
7500+9.13 грн
12500+8.41 грн
17500+8.33 грн
25000+8.24 грн
62500+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74AC02SCX 74AC02%2C%2074ACT02.pdf
74AC02SCX
Виробник: onsemi
Description: IC GATE NOR 4CH 2-INP 14SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 2.1V ~ 3.85V
Input Logic Level - Low: 0.9V ~ 1.65V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 6.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74AC04SCX 74ACT04-D.PDF
74AC04SCX
Виробник: onsemi
Description: IC INVERTER 6CH 1IN 14SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 2.1V ~ 3.85V
Input Logic Level - Low: 0.9V ~ 1.65V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+10.07 грн
5000+9.41 грн
7500+9.26 грн
12500+8.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 237 474 711 948 1185 1422 1659 1896 2133 2370 2374  [ Наступна Сторінка >> ]