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MBRA210LT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRA210LT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 10 V, 2 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 350 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 160A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 350mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MBRA2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 6596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MBRA210LT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRA210LT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 10 V, 2 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 350 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 160A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 350mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MBRA2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 6596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NE5532AD8R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NE5532AD8R2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 10 MHz, 9 V/µs, ± 3V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 9V/µs Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: 0°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 10MHz Eingangsoffsetspannung: 500µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 300nA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 70°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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1N5359BG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5359BG - Zener-Diode, 24 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: 017AA rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N53 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 24V SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 5996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FQD7P20TM | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD7P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5.7 A, 0.69 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 2.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.69ohm |
на замовлення 3828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTMFS5C450NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C450NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 102 A, 0.0027 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 102A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTMFS5C450NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C450NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 102 A, 0.0027 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 102A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV866710D250R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV866710D250R2G - NCV866710D250R2G, SHIFT REGISTERStariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 5102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP6131NS52MNR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP6131NS52MNR2G - CTLR MULTIPHASE VR12 52-QFNtariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| NCP512SQ27T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP512SQ27T2G - LDO, FIXED, 2.7V, 0.08A, SC-70-5tariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RGP10G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RGP10G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 AtariffCode: 85412900 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 150ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 4469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| MJW21192 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJW21192 - MJW21192 - TRANSISTOR NPN 150V 8A TO-247tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| Q32M210F08ALNA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - Q32M210F08ALNA - Q32M210F08ALNA, MICROCONTROLLERStariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NSVBC848CLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVBC848CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC846 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC74LVXC3245DTG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74LVXC3245DTG - Transceiver, nicht invertierend, 74LVXC3245, 2.3V bis 3.6V, TSSOP-24tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: 743245 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74LVX Bauform - Logikbaustein: TSSOP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.3V Logikfamilie / Sockelnummer: 74LVXC3245 euEccn: NLR Logikbaustein: Transceiver, nicht invertierend Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 24Pins productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC74LVXC3245DTRG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74LVXC3245DTRG - TRANSCEIVER, OCTAL, 3-STATE, TSSOP-24tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: 743245 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74LVXC Bauform - Logikbaustein: TSSOP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.3V Logikfamilie / Sockelnummer: 74LVXC3245 euEccn: NLR Logikbaustein: Transceiver Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FAN3278TMX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FAN3278TMX - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 8V-27V Versorgung, 1.5Aout Spitze, 70ns Verzögerung, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1.5A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 8V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 27V Eingabeverzögerung: 70ns Ausgabeverzögerung: 70ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP1377PG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1377PG - NCP1377PG, IC'StariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 33600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FNB34060T | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FNB34060T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 40 A, 2500 Vrms, SPM27-RA, SPM3tariffCode: 85415000 IPM-Leistungsbaustein: IGBT productTraceability: Yes-Date/Lot Code IPM-Baureihe: SPM3 rohsCompliant: Y-EX Isolationsspannung: 2500Vrms euEccn: NLR hazardous: false Nennstrom (Ic/Id): 40A rohsPhthalatesCompliant: YES Nennspannung (Vces / Vdss): 600V usEccn: EAR99 Bauform - IPM: SPM27-RA Produktpalette: Motion SPM 3 Series SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| KSB564AYTA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSB564AYTA - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 13903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| KSB564ACYBU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSB564ACYBU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 92534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| KSB564ACYTA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSB564ACYTA - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1624092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| MPS6651G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MPS6651G - MPS6651G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 5854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5854 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
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MMBZ27VCLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBZ27VCLT1G - TVS-Diode, MMBZ, Unidirektional, 22 V, 38 V, SOT-23, 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 25.65V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 28.35V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 22V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 40W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBZ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 38V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 31958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| DTA143TM3T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTA143TM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1011000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVMFS6H818NWFT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS6H818NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 3700 µohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 123A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVMFS6H818NWFT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS6H818NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 3700 µohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 123A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NC7S14M5X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7S14M5X - Inverter, Schmitt-Trigger, NC7S14, 1 Eingang, 2.6mA, 2V bis 6V, SOT-23-5tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 7S Anzahl der Elemente: Eins Bauform - Logikbaustein: SOT-23 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 2.6mA isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 7S14 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 6V Anzahl der Eingänge: 1Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 12827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FGPF45N45TTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGPF45N45TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 5374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FGPF30N30TDTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGPF30N30TDTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FGPF50N30TTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGPF50N30TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FGPF90N30 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGPF90N30 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FGPF120N30TU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGPF120N30TU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FGPF70N30TTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGPF70N30TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 11656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FGPF30N30 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGPF30N30 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FGPF70N30TDTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGPF70N30TDTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 4534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FGPF70N33BTTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGPF70N33BTTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FGPF7N60LSDTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGPF7N60LSDTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 4927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FGPF30N45TTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGPF30N45TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FGPF30N30TTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGPF30N30TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 5305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| SMT10002T3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SMT10002T3 - EACHtariffCode: 85413000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 262500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FLS2100A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FLS2100A - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| DTA114EM3T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTA114EM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV4264-2CST33T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV4264-2CST33T3G - LDO-Festspannungsregler, 4.5V bis 45V, 230mV Dropout, 3.3V/100mAout, SOT-223-3tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest euEccn: NLR rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223 Nennausgangsspannung: 3.3V MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 45V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Ausgangsstrom, max.: 100mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 4.5V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 3.3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 100mA usEccn: EAR99 Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
на замовлення 6334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV4264-2ST33T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV4264-2ST33T3G - LDO-Festspannungsregler, 1.8V bis 6Vin, 1.266V Dropout, 3.3Vout und 100mAout, SOT-223-4tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest euEccn: NLR rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223 Nennausgangsspannung: 3.3V MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 6V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Ausgangsstrom, max.: 100mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 1.8V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 3.3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 100mA usEccn: EAR99 Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.266V Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.266V Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
на замовлення 6842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV4264-2ST33T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV4264-2ST33T3G - LDO-Festspannungsregler, 1.8V bis 6Vin, 1.266V Dropout, 3.3Vout und 100mAout, SOT-223-4tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest euEccn: NLR rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223 Nennausgangsspannung: 3.3V MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 6V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Ausgangsstrom, max.: 100mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 1.8V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 3.3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 100mA usEccn: EAR99 Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.266V Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.266V Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
на замовлення 6842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MBRD835LG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRD835LG - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 8 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s), 510 mVtariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX Durchlassstoßstrom: 75A Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A Anzahl der Pins: 4Pins euEccn: NLR Durchlassspannung, max.: 510mV hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 35V Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LC709205FXE-01TBG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LC709205FXE-01TBG - LADEZUSTANDSMESSER, LI-ION/POL, WLCSP-12tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Batteriemanagementfunktion: Ladezustandsmesser Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.5V Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen, Li-Polymer euEccn: NLR Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5V Schnittstellen: I2C Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LC709205FXE-01TBG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LC709205FXE-01TBG - LADEZUSTANDSMESSER, LI-ION/POL, WLCSP-12tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Batteriemanagementfunktion: Ladezustandsmesser Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.5V Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen, Li-Polymer euEccn: NLR Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5V Schnittstellen: I2C Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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D44H8 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - D44H8 - TRANSISTOR, NPN, 8A 60V TO-220tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVMYS025N06CLTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0275 ohm, LFPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 24W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVMYS021N06CLTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMYS021N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.021 ohm, LFPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTMYS014N06CLTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMYS014N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36 A, 0.015 ohm, LFPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 37W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: LFPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTMYS014N06CLTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMYS014N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36 A, 0.015 ohm, LFPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVMJS1D5N04CLTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMJS1D5N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0014 ohm, LFPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVMYS025N06CLTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0275 ohm, LFPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 24W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 24W Bauform - Transistor: LFPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0229ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVMYS021N06CLTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMYS021N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.021 ohm, LFPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 28W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: LFPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVMYS010N04CLTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMYS010N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 38 A, 0.0103 ohm, LFPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVMYS010N04CLTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMYS010N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 38 A, 0.0103 ohm, LFPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 28W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: LFPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0086ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVMJS1D5N04CLTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMJS1D5N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0014 ohm, LFPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 110W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: LFPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| MBRA210LT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRA210LT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 10 V, 2 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 350 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 160A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 350mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRA2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - MBRA210LT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 10 V, 2 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 350 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 160A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 350mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRA2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 6596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 49.09 грн |
| 50+ | 35.44 грн |
| 250+ | 23.52 грн |
| 1000+ | 16.34 грн |
| 3000+ | 13.81 грн |
| MBRA210LT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRA210LT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 10 V, 2 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 350 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 160A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 350mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRA2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - MBRA210LT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 10 V, 2 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 350 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 160A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 350mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRA2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 6596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 35.44 грн |
| 250+ | 23.52 грн |
| 1000+ | 16.34 грн |
| 3000+ | 13.81 грн |
| NE5532AD8R2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NE5532AD8R2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 10 MHz, 9 V/µs, ± 3V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 9V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 10MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 300nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NE5532AD8R2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 10 MHz, 9 V/µs, ± 3V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 9V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 10MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 300nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 1N5359BG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5359BG - Zener-Diode, 24 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 017AA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N53 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 24V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N5359BG - Zener-Diode, 24 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 017AA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N53 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 24V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 30.84 грн |
| 40+ | 20.97 грн |
| 100+ | 17.35 грн |
| 500+ | 14.97 грн |
| 1000+ | 13.53 грн |
| FQD7P20TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD7P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5.7 A, 0.69 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.69ohm
Description: ONSEMI - FQD7P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5.7 A, 0.69 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.69ohm
на замовлення 3828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 119.23 грн |
| 13+ | 66.52 грн |
| 100+ | 52.87 грн |
| 500+ | 39.09 грн |
| 1000+ | 32.99 грн |
| NTMFS5C450NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5C450NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 102 A, 0.0027 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NTMFS5C450NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 102 A, 0.0027 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 241.76 грн |
| 10+ | 236.82 грн |
| 100+ | 231.89 грн |
| 500+ | 210.74 грн |
| NTMFS5C450NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5C450NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 102 A, 0.0027 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NTMFS5C450NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 102 A, 0.0027 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 231.89 грн |
| 500+ | 210.74 грн |
| NCV866710D250R2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV866710D250R2G - NCV866710D250R2G, SHIFT REGISTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCV866710D250R2G - NCV866710D250R2G, SHIFT REGISTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 100.32 грн |
| NCP6131NS52MNR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP6131NS52MNR2G - CTLR MULTIPHASE VR12 52-QFN
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NCP6131NS52MNR2G - CTLR MULTIPHASE VR12 52-QFN
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 62.08 грн |
| NCP512SQ27T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP512SQ27T2G - LDO, FIXED, 2.7V, 0.08A, SC-70-5
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP512SQ27T2G - LDO, FIXED, 2.7V, 0.08A, SC-70-5
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 22.45 грн |
| RGP10G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RGP10G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 150ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - RGP10G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 150ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 4469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 28.29 грн |
| 48+ | 17.19 грн |
| 100+ | 11.10 грн |
| 500+ | 7.71 грн |
| 1000+ | 5.64 грн |
| MJW21192 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJW21192 - MJW21192 - TRANSISTOR NPN 150V 8A TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MJW21192 - MJW21192 - TRANSISTOR NPN 150V 8A TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 420+ | 79.76 грн |
| Q32M210F08ALNA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - Q32M210F08ALNA - Q32M210F08ALNA, MICROCONTROLLERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - Q32M210F08ALNA - Q32M210F08ALNA, MICROCONTROLLERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 46+ | 659.48 грн |
| NSVBC848CLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVBC848CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NSVBC848CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.61 грн |
| 130+ | 6.36 грн |
| 208+ | 3.96 грн |
| 500+ | 2.70 грн |
| 1000+ | 2.18 грн |
| MC74LVXC3245DTG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74LVXC3245DTG - Transceiver, nicht invertierend, 74LVXC3245, 2.3V bis 3.6V, TSSOP-24
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 743245
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74LVX
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.3V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LVXC3245
euEccn: NLR
Logikbaustein: Transceiver, nicht invertierend
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 24Pins
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: ONSEMI - MC74LVXC3245DTG - Transceiver, nicht invertierend, 74LVXC3245, 2.3V bis 3.6V, TSSOP-24
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 743245
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74LVX
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.3V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LVXC3245
euEccn: NLR
Logikbaustein: Transceiver, nicht invertierend
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 24Pins
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 182.55 грн |
| 10+ | 138.15 грн |
| 50+ | 115.94 грн |
| 100+ | 86.28 грн |
| MC74LVXC3245DTRG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74LVXC3245DTRG - TRANSCEIVER, OCTAL, 3-STATE, TSSOP-24
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 743245
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74LVXC
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.3V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LVXC3245
euEccn: NLR
Logikbaustein: Transceiver
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MC74LVXC3245DTRG - TRANSCEIVER, OCTAL, 3-STATE, TSSOP-24
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 743245
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74LVXC
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.3V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LVXC3245
euEccn: NLR
Logikbaustein: Transceiver
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 166.10 грн |
| 10+ | 95.39 грн |
| 25+ | 87.16 грн |
| 50+ | 72.16 грн |
| FAN3278TMX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN3278TMX - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 8V-27V Versorgung, 1.5Aout Spitze, 70ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 8V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 27V
Eingabeverzögerung: 70ns
Ausgabeverzögerung: 70ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FAN3278TMX - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 8V-27V Versorgung, 1.5Aout Spitze, 70ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 8V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 27V
Eingabeverzögerung: 70ns
Ausgabeverzögerung: 70ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 54.90 грн |
| 250+ | 47.58 грн |
| 500+ | 45.74 грн |
| NCP1377PG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1377PG - NCP1377PG, IC'S
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP1377PG - NCP1377PG, IC'S
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 33600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 600+ | 50.65 грн |
| FNB34060T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FNB34060T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 40 A, 2500 Vrms, SPM27-RA, SPM3
tariffCode: 85415000
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM3
rohsCompliant: Y-EX
Isolationsspannung: 2500Vrms
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 40A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPM27-RA
Produktpalette: Motion SPM 3 Series
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FNB34060T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 40 A, 2500 Vrms, SPM27-RA, SPM3
tariffCode: 85415000
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM3
rohsCompliant: Y-EX
Isolationsspannung: 2500Vrms
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 40A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPM27-RA
Produktpalette: Motion SPM 3 Series
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2208.69 грн |
| KSB564AYTA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSB564AYTA - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - KSB564AYTA - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6411+ | 4.69 грн |
| KSB564ACYBU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSB564ACYBU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - KSB564ACYBU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 92534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13889+ | 2.14 грн |
| KSB564ACYTA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSB564ACYTA - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - KSB564ACYTA - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1624092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13889+ | 2.14 грн |
| MPS6651G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MPS6651G - MPS6651G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MPS6651G - MPS6651G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBZ27VCLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBZ27VCLT1G - TVS-Diode, MMBZ, Unidirektional, 22 V, 38 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 25.65V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 28.35V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 22V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 38V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MMBZ27VCLT1G - TVS-Diode, MMBZ, Unidirektional, 22 V, 38 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 25.65V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 28.35V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 22V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 38V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 31958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 86+ | 9.62 грн |
| 119+ | 6.92 грн |
| 256+ | 3.22 грн |
| 1000+ | 2.91 грн |
| 12000+ | 1.38 грн |
| DTA143TM3T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTA143TM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - DTA143TM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1011000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16000+ | 3.35 грн |
| NVMFS6H818NWFT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H818NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 3700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NVMFS6H818NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 3700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 317.41 грн |
| 10+ | 208.04 грн |
| 100+ | 147.19 грн |
| NVMFS6H818NWFT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H818NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 3700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NVMFS6H818NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 3700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 147.19 грн |
| NC7S14M5X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7S14M5X - Inverter, Schmitt-Trigger, NC7S14, 1 Eingang, 2.6mA, 2V bis 6V, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7S
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SOT-23
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.6mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NC7S14M5X - Inverter, Schmitt-Trigger, NC7S14, 1 Eingang, 2.6mA, 2V bis 6V, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7S
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SOT-23
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.6mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 92+ | 8.96 грн |
| 151+ | 5.48 грн |
| 202+ | 4.09 грн |
| 500+ | 3.18 грн |
| 1000+ | 2.80 грн |
| 5000+ | 2.10 грн |
| 10000+ | 2.06 грн |
| FGPF45N45TTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGPF45N45TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FGPF45N45TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 311+ | 129.10 грн |
| FGPF30N30TDTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGPF30N30TDTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FGPF30N30TDTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 395+ | 101.14 грн |
| FGPF50N30TTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGPF50N30TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FGPF50N30TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 252+ | 158.70 грн |
| FGPF90N30 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGPF90N30 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FGPF90N30 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 348+ | 115.12 грн |
| FGPF120N30TU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGPF120N30TU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FGPF120N30TU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 77+ | 514.76 грн |
| FGPF70N30TTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGPF70N30TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FGPF70N30TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 276+ | 145.55 грн |
| FGPF30N30 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGPF30N30 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FGPF30N30 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 391+ | 80.75 грн |
| FGPF70N30TDTU |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGPF70N30TDTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 427+ | 92.92 грн |
| FGPF70N33BTTU |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGPF70N33BTTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 344+ | 116.77 грн |
| FGPF7N60LSDTU |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGPF7N60LSDTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 654+ | 61.67 грн |
| FGPF30N45TTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGPF30N45TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 356+ | 112.65 грн |
| FGPF30N30TTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGPF30N30TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FGPF30N30TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 395+ | 101.14 грн |
| SMT10002T3 |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMT10002T3 - EACH
tariffCode: 85413000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - SMT10002T3 - EACH
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 262500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13889+ | 2.22 грн |
| FLS2100A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FLS2100A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FLS2100A - MISCELLANEOUS MOSFETS
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 139+ | 217.09 грн |
| DTA114EM3T5G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTA114EM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - DTA114EM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16000+ | 3.45 грн |
| NCV4264-2CST33T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV4264-2CST33T3G - LDO-Festspannungsregler, 4.5V bis 45V, 230mV Dropout, 3.3V/100mAout, SOT-223-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - NCV4264-2CST33T3G - LDO-Festspannungsregler, 4.5V bis 45V, 230mV Dropout, 3.3V/100mAout, SOT-223-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 6334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 84.70 грн |
| 14+ | 61.01 грн |
| 50+ | 50.82 грн |
| 100+ | 43.37 грн |
| 250+ | 37.29 грн |
| 500+ | 36.09 грн |
| 1000+ | 35.17 грн |
| 2500+ | 35.10 грн |
| NCV4264-2ST33T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV4264-2ST33T3G - LDO-Festspannungsregler, 1.8V bis 6Vin, 1.266V Dropout, 3.3Vout und 100mAout, SOT-223-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.8V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.266V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.266V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - NCV4264-2ST33T3G - LDO-Festspannungsregler, 1.8V bis 6Vin, 1.266V Dropout, 3.3Vout und 100mAout, SOT-223-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.8V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.266V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.266V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 6842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 90.45 грн |
| 13+ | 65.54 грн |
| 50+ | 59.37 грн |
| 100+ | 47.34 грн |
| 250+ | 41.02 грн |
| 500+ | 39.33 грн |
| 1000+ | 37.99 грн |
| 2500+ | 37.21 грн |
| NCV4264-2ST33T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV4264-2ST33T3G - LDO-Festspannungsregler, 1.8V bis 6Vin, 1.266V Dropout, 3.3Vout und 100mAout, SOT-223-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.8V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.266V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.266V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - NCV4264-2ST33T3G - LDO-Festspannungsregler, 1.8V bis 6Vin, 1.266V Dropout, 3.3Vout und 100mAout, SOT-223-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.8V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.266V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.266V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 6842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 47.34 грн |
| 250+ | 41.02 грн |
| 500+ | 39.33 грн |
| 1000+ | 37.99 грн |
| 2500+ | 37.21 грн |
| MBRD835LG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRD835LG - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 8 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s), 510 mV
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Durchlassstoßstrom: 75A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
Anzahl der Pins: 4Pins
euEccn: NLR
Durchlassspannung, max.: 510mV
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 35V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - MBRD835LG - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 8 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s), 510 mV
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Durchlassstoßstrom: 75A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
Anzahl der Pins: 4Pins
euEccn: NLR
Durchlassspannung, max.: 510mV
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 35V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 99.50 грн |
| 12+ | 69.90 грн |
| LC709205FXE-01TBG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LC709205FXE-01TBG - LADEZUSTANDSMESSER, LI-ION/POL, WLCSP-12
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Batteriemanagementfunktion: Ladezustandsmesser
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen, Li-Polymer
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - LC709205FXE-01TBG - LADEZUSTANDSMESSER, LI-ION/POL, WLCSP-12
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Batteriemanagementfunktion: Ladezustandsmesser
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen, Li-Polymer
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 219.55 грн |
| 10+ | 138.97 грн |
| 50+ | 126.63 грн |
| 100+ | 106.13 грн |
| 250+ | 87.40 грн |
| 500+ | 81.76 грн |
| LC709205FXE-01TBG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LC709205FXE-01TBG - LADEZUSTANDSMESSER, LI-ION/POL, WLCSP-12
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Batteriemanagementfunktion: Ladezustandsmesser
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen, Li-Polymer
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - LC709205FXE-01TBG - LADEZUSTANDSMESSER, LI-ION/POL, WLCSP-12
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Batteriemanagementfunktion: Ladezustandsmesser
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen, Li-Polymer
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 106.13 грн |
| 250+ | 87.40 грн |
| 500+ | 81.76 грн |
| D44H8 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - D44H8 - TRANSISTOR, NPN, 8A 60V TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - D44H8 - TRANSISTOR, NPN, 8A 60V TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 630+ | 46.30 грн |
| NVMYS025N06CLTWG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0275 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NVMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0275 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 104.43 грн |
| 13+ | 65.62 грн |
| 100+ | 43.42 грн |
| NVMYS021N06CLTWG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMYS021N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.021 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NVMYS021N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.021 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 97.85 грн |
| 14+ | 61.67 грн |
| 100+ | 40.87 грн |
| 500+ | 27.49 грн |
| 1000+ | 23.05 грн |
| 5000+ | 20.23 грн |
| NTMYS014N06CLTWG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMYS014N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36 A, 0.015 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NTMYS014N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36 A, 0.015 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 56.33 грн |
| 500+ | 38.10 грн |
| 1000+ | 32.35 грн |
| 5000+ | 30.31 грн |
| NTMYS014N06CLTWG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMYS014N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36 A, 0.015 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NTMYS014N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36 A, 0.015 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 131.57 грн |
| 10+ | 83.87 грн |
| 100+ | 56.33 грн |
| 500+ | 38.10 грн |
| 1000+ | 32.35 грн |
| 5000+ | 30.31 грн |
| NVMJS1D5N04CLTWG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMJS1D5N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0014 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NVMJS1D5N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0014 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 159.53 грн |
| 10+ | 112.65 грн |
| 100+ | 76.72 грн |
| 500+ | 52.38 грн |
| 1000+ | 44.47 грн |
| NVMYS025N06CLTWG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0275 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 24W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0229ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NVMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0275 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 24W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0229ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 43.42 грн |
| NVMYS021N06CLTWG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMYS021N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.021 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NVMYS021N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.021 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 40.87 грн |
| 500+ | 27.49 грн |
| 1000+ | 23.05 грн |
| 5000+ | 20.23 грн |
| NVMYS010N04CLTWG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMYS010N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 38 A, 0.0103 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NVMYS010N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 38 A, 0.0103 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 108.54 грн |
| 13+ | 68.17 грн |
| 100+ | 46.21 грн |
| 500+ | 35.96 грн |
| 1000+ | 28.12 грн |
| NVMYS010N04CLTWG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMYS010N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 38 A, 0.0103 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0086ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NVMYS010N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 38 A, 0.0103 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0086ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 46.21 грн |
| 500+ | 35.96 грн |
| 1000+ | 28.12 грн |
| NVMJS1D5N04CLTWG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMJS1D5N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0014 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NVMJS1D5N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0014 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 76.72 грн |
| 500+ | 52.38 грн |
| 1000+ | 44.47 грн |
























