Виробник: AnlaTech/IH
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 4,7 µH
Точність: ±20%
Характеристики: Силова, дротяна в броньовому феритовому осерді, 4.7uH, ±20%, Idc=6.8А, Rdc=0.0158 Ohm, SMD: 7.3x7.3mm, h=4.6mm
Тип: SCB1207
Габарити: 12,0x12,0мм, h=8,0мм
Робочий струм, А: 6.8A

Виробник: N/A
N/A

Виробник: Murata
Індуктивності, дроселі > Фільтри SMD
Струм(макс): ±25%
Опір(DCR): 0805
Типорозмір: 30R ±25% (100MHz / 20°C), 0.015R, 3000mA
3000 mA
30 Ohm

Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 80 A
Rds(on), Ohm: 0,015 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3830/81
Монтаж: THT

Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 9,7 A
Rds(on), Ohm: 0,015 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 760/6
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD

Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 8-11 A
Rds(on), Ohm: 0,0155 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 766/5,7
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD

Виробник: ST
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: Flexiwatt-25
U пит, V: 8...18 V
P, W: 4x50 W
R нагр., Ohm: 4 Ohm
K g, %: 0,00015

Виробник: Fresnel Technology
Світлодіоди > Світлодіоди інфрачервоні
Опис: Лінза для ІЧ випромінювача. Thick white poly IR(R)7 Standart Cut
Розмір: 42,6 x 61 mm

Виробник: NXP/Nexperia/We-En
2 діоди Шотткі smd зі спільним анодом; Io, A = 0,07; Uзвор, В = 70; Uf (max), В = 1; If, А = 0,015; Тексп, °С = -65...+150; I, мкА @ Ur, В = 10 @ 70; SOT-323

Виробник: Diodes INC.
2 діоди Шотткі smd зі спільним катодом; Io, A = 0,07; Uзвор, В = 70; Uf (max), В = 1; If, А = 0,015; trr, нс = 5; Тексп, °С = -55...+125; Темп.опір,°C/Вт = 625; I, мкА @ Ur, В = 0,1 @ 50; SOD-323

Виробник: Murata
Фільтр SMD (чіп-дросель); Тип ф. = 1-лінійний, мережевий, перешкодозавадний; Idc, A = 3,5; Fc, МГц = 100; R, Ом = 50; Rdc, Ом = 0,015; Габ розм, мм = 3,2 x 1,6 x 1,3; Тексп, °С = -55...+125; Тип монт. = smd; 1206

Виробник: FERYSTER
Inductor wire THT 15uH 4A 19.3mΩ   DTMSS-12,5/0,015/4,0-V Feryster D DTMSS-12.5/0.015/4.0-V
кількість в упаковці: 5 шт

Виробник: FERYSTER
Inductor wire THT 15uH 15A 5.9mΩ   DTMSS-20/0,015/15-V Feryster D DTMSS-20/0.015/15-V
кількість в упаковці: 5 шт

Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 80V 7,4A 2.5W 0,015Ω IRF7493 TIRF7493
кількість в упаковці: 10 шт

Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 80A 100V 260W 0.015Ω IRF8010 TIRF8010
кількість в упаковці: 10 шт

Виробник: Infineon
2xN-MOSFET HEXFET 9.7A 30V 2W 0.0155Ω IRF8313 TIRF8313
кількість в упаковці: 10 шт

Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 60V 43A 71W 0.0158Ω IRFB3806; Replacement for IRFZ48 IRFB3806 TIRFB3806
кількість в упаковці: 10 шт

Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 78A 150V 310W 0.0155Ω IRFP4321 TIRFP4321
кількість в упаковці: 5 шт

Виробник: Littelfuse
Самовідновлюючий запобіжник smd; Umax, В = 12; Розм, мм = 1812; I, А = 100; Ihold = 2,6 А; It, А = 5; Pd, Вт = 1; Rпоч. = 0.015...0.047 Ом; ts (It) = 5 с; Тексп, °С = -40...+85; 1812

Виробник: Littelfuse
Самовідновлюючий запобіжник smd; Umax, В = 16; Розм, мм = 1812; I, А = 100; Ihold = 2,6 А; It, А = 5; Pd, Вт = 1; Rпоч. = 0,015...0,050 Ом; ts (It) = 5 с; Тексп, °С = -40...+85; 1812

Виробник: Royal Ohm
Чіп-резистор smd; R = 0,015 Ом; Точн., % = 1; Р, Вт = 1 Вт; Розм = 2512; Тексп, °C = -55...+125; ТКО, ppm/°C = 400; 2512

Виробник: Tyco
Резистор R-4423 0,015 Ом 5% 2 Вт TKС100

Виробник: ST
N-MOSFET 50A 60V 110W 0.015Ω Replacement for : STP36NF06 STP55NF06 TSTP55NF06
кількість в упаковці: 50 шт

Виробник: ST
N-MOSFET 50A 60V 110W 0.015Ω Replacement for : STP36NF06 STP55NF06 TSTP55NF06
кількість в упаковці: 50 шт

Виробник: Panasonic
220 мкФ 6,3 В Cap Aluminum Polymer 20% smd 5.0*5.9 -55°C+105°C ESR=0.015 Ohms 2000Hrs

Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 83A 150V 330W 0.015Ω IRFB4321 TIRFB4321

Виробник: Taiyo Yuden
Дросель SMD; L = 1 мГн; Idc, А = 0,015; Точн, % = 10; Rdc, мОм = 31 200; SRF, МГц = 2,4; Габ. розм, мм = 2,5 x 1,8 x 2,0; Конфіг. = 1007; Тексп, °С = -25...+105; Екранування = Ні; 1007

Виробник: Murata
Дросель SMD; L = 10 мкГн; Розм = 2,00 x 1,25 x 1,05; Точн., % = 30; Ic = 0,015; Rdc, мОм = 500; SRF, МГц = 24; Конфіг. = 0805; Тексп, °C = -40...+85; Екранування = Так; Тип осердя = Феритове; 0805

Виробник: Yageo
Чіп-резистор smd; R = 0,015 Ом; Розм = 2512; Точн., % = 1; Р, Вт = 1 Вт; Тексп, °C = -55...+125; ТКО, ppm/°C = 1 500; 2512

Виробник: Vishay Dale
0,015 Ом 2010 1 %

Виробник: Walsin
Чіп-резистор smd; R = 0,015 Ом; Розм = 1206; Точн., % = 1; Р, Вт = 1 Вт; Тексп, °C = -55...+155; ТКО, ppm/°C = 100; 1206

SMD резистори > 2512

SMD резистори > 2512

SMD резистори > 1206

Кабель, провід, шлейф, мережеві шнури > Шнури мережеві та низьковольтного живлення

Виробник: ABC Taiwan
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 1,5 µH
Точність: ±20%
Характеристики: Силова, дротова на феритовій гантелі, 1,5uH±20%Idc=6A(мax), R=0.015 Ohm, Q=32@f=7.96 мHz, SRF=120мHz(мin), -40...+105°C
Тип: SR0805

Виробник: ON
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,015 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1855/44

Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 150 V
Idd,A: 105 A
Rds(on), Ohm: 0,015 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6810/260
Монтаж: THT

Виробник: Maxim
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: TQFN-12
U пит, V: 0,9...1,8 V
P, W: 2x0,025 W
R нагр., Ohm: 16 Ohm
K g, %: 0,015 %
Робоча температура, °С: -40…+85°C

Виробник: ST
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: Flexiwatt-25
U пит, V: 8 ... 18 V
P, W: 4x50 W
R нагр., Ohm: 4 Ohm
K g, %: 0,02%