Продукція > ONSEMI > 2SD1802T-TL-E
2SD1802T-TL-E

2SD1802T-TL-E ONSEMI

2255218.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1802T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+55.94 грн
500+45.74 грн
1000+36.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD1802T-TL-E ONSEMI

Description: ONSEMI - 2SD1802T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції 2SD1802T-TL-E за ціною від 27.19 грн до 131.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SD1802T-TL-E 2SD1802T-TL-E Виробник : onsemi 2sb1202-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 3A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.48 грн
10+70.80 грн
100+47.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802T-TL-E 2SD1802T-TL-E Виробник : onsemi 2SB1202-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 50V, 3A, Low VCE(sat) NPN Single BJT in TP (IPAK) and TP-FA (DPAK)
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.62 грн
10+78.51 грн
100+45.51 грн
700+31.54 грн
1400+28.71 грн
2100+27.26 грн
4900+27.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802T-TL-E 2SD1802T-TL-E Виробник : ONSEMI 2255218.pdf Description: ONSEMI - 2SD1802T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+131.93 грн
11+84.21 грн
100+55.94 грн
500+45.74 грн
1000+36.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802T-TL-E Виробник : ON Semiconductor 2sb1202-d.pdf
на замовлення 17460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802T-TL-E
Код товару: 170978
Додати до обраних Обраний товар

2sb1202-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802T-TL-E 2SD1802T-TL-E Виробник : ON Semiconductor 2sb1202-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802T-TL-E 2SD1802T-TL-E Виробник : ON Semiconductor 2sb1202-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802T-TL-E 2SD1802T-TL-E Виробник : onsemi 2sb1202-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 3A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802T-TL-E Виробник : ONSEMI 2sb1202-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 3A; 1W; DPAK
Mounting: SMD
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...400
Case: DPAK
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.