Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR1205TRPBF
IRFR1205TRPBF

IRFR1205TRPBF Infineon Technologies

irfr1205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d17792047 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+26.96 грн
4000+24.03 грн
6000+23.04 грн
10000+21.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR1205TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V, Power Dissipation (Max): 107W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Інші пропозиції IRFR1205TRPBF за ціною від 18.75 грн до 100.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr1205datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
455+28.52 грн
Мінімальне замовлення: 455
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr1205datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 306000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+34.27 грн
4000+32.81 грн
6000+26.68 грн
10000+25.47 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr1205datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 306000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+36.71 грн
4000+35.15 грн
6000+28.58 грн
10000+27.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr1205pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 107W; DPAK
Kind of package: reel
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 37A
Power dissipation: 107W
Drain-source voltage: 55V
Polarisation: unipolar
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+38.59 грн
16+27.67 грн
20+26.08 грн
50+23.83 грн
100+22.25 грн
200+20.50 грн
500+18.75 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr1205pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 107W; DPAK
Kind of package: reel
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 37A
Power dissipation: 107W
Drain-source voltage: 55V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.30 грн
10+34.47 грн
20+31.30 грн
50+28.60 грн
100+26.70 грн
200+24.60 грн
500+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR1205_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC
на замовлення 12300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.83 грн
10+53.66 грн
100+38.35 грн
500+30.04 грн
1000+27.41 грн
2000+25.41 грн
4000+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR1205TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 44 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+79.80 грн
14+61.95 грн
100+51.93 грн
500+37.80 грн
1000+31.84 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr1205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d17792047 Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 26887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.47 грн
10+61.12 грн
100+40.73 грн
500+30.00 грн
1000+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr1205datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205 Виробник : International Rectifier IRFR%2CU1205.pdf N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205 Виробник : International Rectifier IRFR%2CU1205.pdf N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+33.64 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr1205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d17792047 DPAK=TO-252-3
на замовлення 35 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205
Код товару: 150970
Додати до обраних Обраний товар

IRFR%2CU1205.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205 IRFR1205 Виробник : Infineon Technologies IRFR%2CU1205.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr1205datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.