Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFR1205

IRFR1205

IRFR%2CU1205.pdf
Код товару: 150970
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR1205

  • MOSFET, N D-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Cont Current Id:37A
  • On State Resistance:0.02ohm
  • Case Style:TO-252 (D-Pak)
  • Termination Type:SMD
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:10.5mm
  • External Length / Height:2.55mm
  • External Width:6.8mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Voltage Vds:55V
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:69W
  • Power Dissipation Pd:69W
  • Pulse Current Idm:150A
  • SMD Marking:IRFR1205
  • Transistor Case Style:TO-252

Інші пропозиції IRFR1205 за ціною від 22.69 грн до 121.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Infineon Technologies irfr1205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d17792047 Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+27.71 грн
6000+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205 IRFR1205 International Rectifier info-tirfr1205.pdf description N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+30.53 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205 IRFR1205 International Rectifier info-tirfr1205.pdf description N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+33.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Infineon Technologies infineonirfr1205datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+36.51 грн
6000+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Infineon Technologies infineonirfr1205datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+36.51 грн
6000+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr1205pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 107W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 37A
Power dissipation: 107W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+98.46 грн
10+43.00 грн
50+35.30 грн
100+32.51 грн
500+26.83 грн
1000+24.72 грн
2000+22.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Infineon Technologies irfr1205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d17792047 Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 24333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.27 грн
10+61.71 грн
50+45.97 грн
100+38.38 грн
500+30.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Infineon Technologies infineonirfr1205datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.97 грн
10+84.01 грн
50+65.21 грн
100+51.16 грн
500+36.73 грн
2000+31.25 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Infineon Technologies infineonirfr1205datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+121.97 грн
168+84.01 грн
217+65.21 грн
267+51.16 грн
500+36.73 грн
2000+31.25 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Infineon Technologies infineon_irfr1205_datasheet_en.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC
на замовлення 8925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR1205TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 44 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 3957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Infineon Technologies infineonirfr1205datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF irfr1205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d17792047
IRFR1205TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+27.71 грн
6000+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205 description info-tirfr1205.pdf
IRFR1205
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+30.53 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205 description info-tirfr1205.pdf
IRFR1205
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+33.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF infineonirfr1205datasheeten.pdf
IRFR1205TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+36.51 грн
6000+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF infineonirfr1205datasheeten.pdf
IRFR1205TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+36.51 грн
6000+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF irfr1205pbf.pdf
IRFR1205TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 107W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 37A
Power dissipation: 107W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+98.46 грн
10+43.00 грн
50+35.30 грн
100+32.51 грн
500+26.83 грн
1000+24.72 грн
2000+22.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF irfr1205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d17792047
IRFR1205TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 24333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+101.27 грн
10+61.71 грн
50+45.97 грн
100+38.38 грн
500+30.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF infineonirfr1205datasheeten.pdf
IRFR1205TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+121.97 грн
10+84.01 грн
50+65.21 грн
100+51.16 грн
500+36.73 грн
2000+31.25 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF infineonirfr1205datasheeten.pdf
IRFR1205TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
116+121.97 грн
168+84.01 грн
217+65.21 грн
267+51.16 грн
500+36.73 грн
2000+31.25 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF infineon_irfr1205_datasheet_en.pdf
IRFR1205TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC
на замовлення 8925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF INFN-S-A0012838406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR1205TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR1205TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 44 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 3957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF infineonirfr1205datasheeten.pdf
IRFR1205TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

2SD1802T-TL-E
Код товару: 170978
Додати до обраних Обраний товар
2sb1202-d.pdf
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
600 Ohm 25% 100MHz 0805 (MI0805K601R-10)
Код товару: 168370
Додати до обраних Обраний товар
Індуктивності, дроселі > Індуктивності 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Прокладка силіконова TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm))
Код товару: 123772
4 Додати до обраних Обраний товар
Прокладка силіконова TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm))
Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Розміри: 13x18x0.3mm з отвором Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Розмір: 13х18х0,3мм
Матеріал: Силікон
Колір: Білий
у наявності: 8 шт
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 7 шт
  • 7 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+2.5 грн
14+1.50 грн
15+1.33 грн
100+0.80 грн
1000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
47 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-47R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 51205
Додати до обраних Обраний товар
47 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-47R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 2512
Номінал: 47 Ом
Точність: ±5%
Pном, Вт: 1 Вт
Uном, В: 200 V (макс. 500 V при перевантаженні)
Типорозмір: 2512
у наявності: 1146 шт
  • 587 шт - склад
  • 370 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 101 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 70 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
20+1.50 грн
100+1.30 грн
1000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Реле RT424730 [7-1393243-9]
Код товару: 34699
4 Додати до обраних Обраний товар
RT424730.pdf
Реле RT424730 [7-1393243-9]
Виробник: TE Connectivity
Реле
Тип реле: Реле середньої потужності (5-20A)
Опис: Тип контактів: DPDT; Uкотушки: 230В; Iкомутації: 8А
Габарити: 29x12,7x15,7 мм
Напруга котушки: 230 VAC
Струм макс.: 8 А
Конфігурація контактів: DPDT(2C)
Напруга перемикання: 250 VAC
у наявності: 3 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+188.00 грн
10+170.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.