Технічний опис IRFR1205
- MOSFET, N D-PAK
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Cont Current Id:37A
- On State Resistance:0.02ohm
- Case Style:TO-252 (D-Pak)
- Termination Type:SMD
- Current Temperature:25`C
- External Depth:10.5mm
- External Length / Height:2.55mm
- External Width:6.8mm
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Voltage Vds:55V
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:69W
- Power Dissipation Pd:69W
- Pulse Current Idm:150A
- SMD Marking:IRFR1205
- Transistor Case Style:TO-252
Інші пропозиції IRFR1205 за ціною від 20.04 грн до 128.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR1205TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR1205 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR1205 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFR1205TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 536000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFR1205TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 536000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFR1205TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 107W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: 37A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 55V Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 107W |
на замовлення 659 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFR1205TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 31954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFR1205TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFR1205TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRFR1205TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR1205TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 44 A, 0.027 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRFR1205TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC |
на замовлення 8491 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFR1205TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 28.04 грн |
| 4000+ | 24.95 грн |
| 6000+ | 23.90 грн |
| 10000+ | 21.33 грн |
| 14000+ | 20.67 грн |
| 20000+ | 20.04 грн |
| IRFR1205 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 30.53 грн |
| IRFR1205 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 33.50 грн |
| IRFR1205TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 536000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 36.04 грн |
| IRFR1205TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 536000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 51.16 грн |
| 4000+ | 47.35 грн |
| 6000+ | 45.41 грн |
| 10000+ | 41.68 грн |
| 14000+ | 37.44 грн |
| 20000+ | 35.09 грн |
| IRFR1205TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 107W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 37A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 107W
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 107W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 37A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 107W
на замовлення 659 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 67.59 грн |
| 11+ | 38.66 грн |
| 100+ | 29.96 грн |
| 500+ | 27.45 грн |
| IRFR1205TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 31954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 102.45 грн |
| 10+ | 62.43 грн |
| 100+ | 41.39 грн |
| 500+ | 30.37 грн |
| 1000+ | 27.64 грн |
| IRFR1205TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 110+ | 128.39 грн |
| IRFR1205TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFR1205TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR1205TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 44 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFR1205TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 44 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFR1205TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC
на замовлення 8491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
З цим товаром купують
| 2SD1802T-TL-E Код товару: 170978
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 600 Ohm 25% 100MHz 0805 (MI0805K601R-10) Код товару: 168370
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| Прокладка силіконова TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm)) Код товару: 123772
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Розміри: 13x18x0.3mm з отвором Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Розмір: 13х18х0,3мм
Матеріал: Силікон
Колір: Білий
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Розміри: 13x18x0.3mm з отвором Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Розмір: 13х18х0,3мм
Матеріал: Силікон
Колір: Білий
у наявності: 651 шт
- 96 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 555 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 30000 шт
- 5000 шт - очікується 09.08.2026
- 5000 шт - очікується 09.08.2026
- 5000 шт - очікується 09.08.2026
- 5000 шт - очікується 09.08.2026
- 5000 шт - очікується 09.08.2026
- 5000 шт - очікується 09.08.2026
на замовлення: 7 шт
- 7 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 20+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.50 грн |
| 47 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-47R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 51205
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Hitano
SMD резистори > 2512
Номінал: 47 Ом
Точність: ±5%
Pном, Вт: 1 Вт
Uном, В: 200 V (макс. 500 V при перевантаженні)
Типорозмір: 2512
SMD резистори > 2512
Номінал: 47 Ом
Точність: ±5%
Pном, Вт: 1 Вт
Uном, В: 200 V (макс. 500 V при перевантаженні)
Типорозмір: 2512
у наявності: 1206 шт
- 627 шт - склад
- 370 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 101 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 38 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 70 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.50 грн |
| 100+ | 1.30 грн |
| 1000+ | 1.00 грн |
| Реле RT424730 [7-1393243-9] Код товару: 34699
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: TE Connectivity
Реле
Тип реле: Реле середньої потужності (5-20A)
Опис: Тип контактів: DPDT; Uкотушки: 230В; Iкомутації: 8А
Габарити: 29x12,7x15,7 мм
Напруга котушки: 230 VAC
Струм макс.: 8 А
Конфігурація контактів: DPDT(2C)
Напруга перемикання: 250 VAC
Реле
Тип реле: Реле середньої потужності (5-20A)
Опис: Тип контактів: DPDT; Uкотушки: 230В; Iкомутації: 8А
Габарити: 29x12,7x15,7 мм
Напруга котушки: 230 VAC
Струм макс.: 8 А
Конфігурація контактів: DPDT(2C)
Напруга перемикання: 250 VAC
у наявності: 51 шт
- 25 шт - склад
- 8 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 7 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 188.00 грн |
| 10+ | 170.60 грн |










![Реле RT424730 [7-1393243-9] Реле RT424730 [7-1393243-9]](/img/rt424730-7-1393243-9-images.jpg)