Технічний опис IRFR1205
- MOSFET, N D-PAK
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Cont Current Id:37A
- On State Resistance:0.02ohm
- Case Style:TO-252 (D-Pak)
- Termination Type:SMD
- Current Temperature:25`C
- External Depth:10.5mm
- External Length / Height:2.55mm
- External Width:6.8mm
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Voltage Vds:55V
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:69W
- Power Dissipation Pd:69W
- Pulse Current Idm:150A
- SMD Marking:IRFR1205
- Transistor Case Style:TO-252
Інші пропозиції IRFR1205 за ціною від 21.59 грн до 142.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR1205TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 34625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR1205 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR1205 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFR1205TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 536000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFR1205TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 536000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFR1205TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 107W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Drain current: 37A Power dissipation: 107W |
на замовлення 1851 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFR1205TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 34669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFR1205TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC |
на замовлення 10506 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFR1205TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFR1205TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR1205TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 44 A, 0.027 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFR1205TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFR1205TRPBF | Infineon |
DPAK=TO-252-3 Транзистори |
на замовлення 25 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
| IRFR1205TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 34625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 29.86 грн |
| 4000+ | 26.61 грн |
| 6000+ | 25.52 грн |
| 10000+ | 22.80 грн |
| 14000+ | 22.12 грн |
| 20000+ | 21.59 грн |
| IRFR1205 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 31.28 грн |
| IRFR1205 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 34.32 грн |
| IRFR1205TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 536000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 36.20 грн |
| IRFR1205TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 536000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 51.39 грн |
| 4000+ | 47.56 грн |
| 6000+ | 45.62 грн |
| 10000+ | 41.86 грн |
| 14000+ | 37.61 грн |
| 20000+ | 35.24 грн |
| IRFR1205TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 107W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Drain current: 37A
Power dissipation: 107W
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 107W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Drain current: 37A
Power dissipation: 107W
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 53.69 грн |
| 12+ | 35.23 грн |
| 50+ | 29.42 грн |
| 100+ | 27.42 грн |
| 500+ | 23.68 грн |
| 1000+ | 22.60 грн |
| IRFR1205TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 34669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 107.95 грн |
| 10+ | 65.74 грн |
| 100+ | 43.76 грн |
| 500+ | 32.23 грн |
| 1000+ | 29.38 грн |
| IRFR1205TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC
на замовлення 10506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 113.56 грн |
| 10+ | 70.97 грн |
| 100+ | 35.83 грн |
| 500+ | 28.65 грн |
| 1000+ | 26.58 грн |
| 2000+ | 24.58 грн |
| IRFR1205TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 110+ | 128.96 грн |
| IRFR1205TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR1205TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 44 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFR1205TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 44 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 142.56 грн |
| 12+ | 72.16 грн |
| 100+ | 54.69 грн |
| 500+ | 36.65 грн |
| 1000+ | 32.03 грн |
| IRFR1205TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFR1205TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon
DPAK=TO-252-3 Транзистори
DPAK=TO-252-3 Транзистори
на замовлення 25 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 23.70 грн |
З цим товаром купують
| 2SD1802T-TL-E Код товару: 170978
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 600 Ohm 25% 100MHz 0805 (MI0805K601R-10) Код товару: 168370
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| Прокладка силіконова TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm)) Код товару: 123772
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Розміри: 13x18x0.3mm з отвором Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Розмір: 13х18х0,3мм
Матеріал: Силікон
Колір: білий
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Розміри: 13x18x0.3mm з отвором Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Розмір: 13х18х0,3мм
Матеріал: Силікон
Колір: білий
у наявності: 1549 шт
- 844 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 705 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 20+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.50 грн |
| 47 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-47R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 51205
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Hitano
SMD резистори > 2512
Номінал: 47 Ohm
Точність: ±5%
Pном,W: 1 W
Uном,V: 200 V (500 V max over load)
Типорозмір: 2512
SMD резистори > 2512
Номінал: 47 Ohm
Точність: ±5%
Pном,W: 1 W
Uном,V: 200 V (500 V max over load)
Типорозмір: 2512
у наявності: 1206 шт
- 627 шт - склад
- 370 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 101 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 38 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 70 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.50 грн |
| 100+ | 1.30 грн |
| 1000+ | 1.00 грн |
| Реле RT424730 [7-1393243-9] Код товару: 34699
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: TE Connectivity
Реле
Тип реле: Реле середньої потужності (5-20А)
Опис: Тип контактів: DPDT; Uкотушки: 230В; Iкомутації: 8А
Габарити: 29x12,7x15,7 mm
Напруга котушки: 230 VAC
Струм макс.: 8 A
Конфігурація контактів: DPDT(2C)
Напруга перемикання: 250 VAC
Реле
Тип реле: Реле середньої потужності (5-20А)
Опис: Тип контактів: DPDT; Uкотушки: 230В; Iкомутації: 8А
Габарити: 29x12,7x15,7 mm
Напруга котушки: 230 VAC
Струм макс.: 8 A
Конфігурація контактів: DPDT(2C)
Напруга перемикання: 250 VAC
у наявності: 62 шт
- 37 шт - склад
- 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 7 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 5 шт
- 5 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 188.00 грн |
| 10+ | 170.60 грн |










![Реле RT424730 [7-1393243-9] Реле RT424730 [7-1393243-9]](/img/rt424730-7-1393243-9-images.jpg)