Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR1205TRPBF
IRFR1205TRPBF

IRFR1205TRPBF Infineon Technologies

infineon-irfr1205-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+17.25 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR1205TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V, Power Dissipation (Max): 107W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Інші пропозиції IRFR1205TRPBF за ціною від 24.39 грн до 121.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+31.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr1205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d17792047 Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+32.78 грн
4000+29.98 грн
6000+24.39 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+34.10 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 58000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
611+49.99 грн
Мінімальне замовлення: 611
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
142+86.22 грн
222+55.07 грн
236+51.89 грн
500+45.26 грн
1000+40.02 грн
2000+32.14 грн
Мінімальне замовлення: 142
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr1205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d17792047 Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 27150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.50 грн
10+61.00 грн
100+46.88 грн
500+33.97 грн
1000+31.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR1205TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 44 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+97.38 грн
14+62.97 грн
100+54.22 грн
500+41.15 грн
1000+34.80 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr1205pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 107W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 37A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 107W
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+101.51 грн
10+62.92 грн
29+31.80 грн
78+30.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR1205_DataSheet_v01_01_EN-3363235.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC
на замовлення 10442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.71 грн
10+65.65 грн
100+48.63 грн
500+41.35 грн
1000+38.62 грн
2000+32.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205
Код товару: 150970
Додати до обраних Обраний товар

IRFR%2CU1205.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr1205pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 107W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 37A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 107W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 955 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.81 грн
10+78.40 грн
29+38.16 грн
78+36.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205 Виробник : International Rectifier IRFR%2CU1205.pdf N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+29.77 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205 Виробник : International Rectifier IRFR%2CU1205.pdf N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+29.77 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr1205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d17792047 DPAK=TO-252-3
на замовлення 35 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205 IRFR1205 Виробник : Infineon Technologies IRFR%2CU1205.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.