Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR1205TRPBF
IRFR1205TRPBF

IRFR1205TRPBF Infineon Technologies

infineon-irfr1205-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR1205TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V, Power Dissipation (Max): 107W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Інші пропозиції IRFR1205TRPBF за ціною від 24.69 грн до 94.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr1205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d17792047 Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+30.26 грн
4000+28.47 грн
6000+24.69 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C020074448F1A303005056AB0C4F&compId=irfr1205pbf.pdf?ci_sign=ebd78e3c793ea692537d498167bbd2ef9f3ad95b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 107W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 37A
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 107W
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+61.68 грн
10+44.31 грн
20+41.60 грн
50+38.10 грн
100+35.48 грн
200+32.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr1205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d17792047 Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 22776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.70 грн
10+54.57 грн
100+43.91 грн
500+32.31 грн
1000+29.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C020074448F1A303005056AB0C4F&compId=irfr1205pbf.pdf?ci_sign=ebd78e3c793ea692537d498167bbd2ef9f3ad95b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 107W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 37A
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 107W
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.02 грн
10+55.22 грн
20+49.93 грн
50+45.73 грн
100+42.57 грн
200+39.52 грн
500+35.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFR1205-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC
на замовлення 3717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.14 грн
10+59.19 грн
100+42.31 грн
500+33.14 грн
1000+30.24 грн
2000+28.03 грн
4000+27.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR1205TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 44 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+84.64 грн
14+65.71 грн
100+55.08 грн
500+40.09 грн
1000+33.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
132+94.07 грн
192+64.61 грн
218+56.85 грн
500+52.60 грн
Мінімальне замовлення: 132
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205 Виробник : International Rectifier IRFR%2CU1205.pdf N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+28.29 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205 Виробник : International Rectifier IRFR%2CU1205.pdf N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr1205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d17792047 DPAK=TO-252-3
на замовлення 35 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205
Код товару: 150970
Додати до обраних Обраний товар

IRFR%2CU1205.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205 IRFR1205 Виробник : Infineon Technologies IRFR%2CU1205.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.