Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFR1205

IRFR1205

IRFR%2CU1205.pdf
Код товару: 150970
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR1205

  • MOSFET, N D-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Cont Current Id:37A
  • On State Resistance:0.02ohm
  • Case Style:TO-252 (D-Pak)
  • Termination Type:SMD
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:10.5mm
  • External Length / Height:2.55mm
  • External Width:6.8mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Voltage Vds:55V
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:69W
  • Power Dissipation Pd:69W
  • Pulse Current Idm:150A
  • SMD Marking:IRFR1205
  • Transistor Case Style:TO-252

Інші пропозиції IRFR1205 за ціною від 21.86 грн до 144.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr1205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d17792047 Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 34625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+30.23 грн
4000+26.94 грн
6000+25.84 грн
10000+23.08 грн
14000+22.39 грн
20000+21.86 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205 IRFR1205 Виробник : International Rectifier info-tirfr1205.pdf N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr1205datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 536000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+33.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205 IRFR1205 Виробник : International Rectifier info-tirfr1205.pdf N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+33.56 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr1205datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 536000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+50.25 грн
4000+46.50 грн
6000+44.60 грн
10000+40.93 грн
14000+36.77 грн
20000+34.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr1205pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 107W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Drain current: 37A
Power dissipation: 107W
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+54.35 грн
12+35.67 грн
50+29.78 грн
100+27.76 грн
500+23.97 грн
1000+22.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr1205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d17792047 Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 34669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.28 грн
10+66.55 грн
100+44.30 грн
500+32.62 грн
1000+29.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR1205_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC
на замовлення 10506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.96 грн
10+71.85 грн
100+36.27 грн
500+29.00 грн
1000+26.90 грн
2000+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr1205datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
110+117.69 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR1205TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 44 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+144.31 грн
12+73.05 грн
100+55.36 грн
500+37.10 грн
1000+32.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr1205datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon irfr1205.pdf DPAK=TO-252-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205 IRFR1205 Виробник : Infineon Technologies IRFR%2CU1205.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr1205datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

2SD1802T-TL-E
Код товару: 170978
Додати до обраних Обраний товар
2sb1202-d.pdf
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
600 Ohm 25% 100MHz 0805 (MI0805K601R-10)
Код товару: 168370
Додати до обраних Обраний товар
Індуктивності, дроселі > Індуктивності 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Прокладка силіконова TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm))
Код товару: 123772
3 Додати до обраних Обраний товар
Прокладка силіконова TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm))
Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Розміри: 13x18x0.3mm з отвором Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Розмір: 13х18х0,3мм
Матеріал: Силікон
Колір: білий
у наявності: 16900 шт
12989 шт - склад
980 шт - РАДІОМАГ-Київ
1000 шт - РАДІОМАГ-Львів
1000 шт - РАДІОМАГ-Харків
931 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
14+1.50 грн
20+1.00 грн
100+0.80 грн
1000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
47 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-47R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 51205
Додати до обраних Обраний товар
47 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-47R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 2512
Номінал: 47 Ohm
Точність: ±5%
Pном,W: 1 W
Uном,V: 200 V (500 V max over load)
Типорозмір: 2512
у наявності: 1266 шт
627 шт - склад
370 шт - РАДІОМАГ-Київ
101 шт - РАДІОМАГ-Львів
88 шт - РАДІОМАГ-Харків
80 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
20+1.50 грн
100+1.30 грн
1000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
Реле RT424730 [7-1393243-9]
Код товару: 34699
4 Додати до обраних Обраний товар
RT424730.pdf
Реле RT424730 [7-1393243-9]
Виробник: TE Connectivity
Реле
Тип реле: Реле середньої потужності (5-20А)
Опис: Тип контактів: DPDT; Uкотушки: 230В; Iкомутації: 8А
Габарити: 29x12,7x15,7 mm
Напруга котушки: 230 VAC
Струм макс.: 8 A
Конфігурація контактів: DPDT(2C)
Напруга перемикання: 250 VAC
у наявності: 261 шт
243 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+188.00 грн
10+170.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.