DN2530N3-G Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 300V 175MA TO92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 11453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 52.79 грн |
| 25+ | 41.82 грн |
| 100+ | 38.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DN2530N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - DN2530N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 175 mA, 12 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 175mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 740mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DN2530N3-G за ціною від 36.14 грн до 77.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DN2530N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DN2530N3-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 300V 12Ohm |
на замовлення 1147 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DN2530N3-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - DN2530N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 175 mA, 12 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 175mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 740mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DN2530N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DN2530N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DN2530N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 4825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DN2530N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DN2530N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
DN2530N3-G Код товару: 209689
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
|
|
DN2530N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag |
товару немає в наявності |