IRF7201TRPBF


infineon-irf7201-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f13efb1ada
Код товару: 42753
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 7,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,03 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 550/19
Монтаж: SMD
у наявності: 2995 шт
  • 2699 шт - склад
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 48 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 198 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
2+14.00 грн
10+12.40 грн
100+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7201TRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Drain Source Voltage, Vds:30V
  • Continuous Drain Current, Id:7A
  • On Resistance, Rds(on):50mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V
  • Package/Case:8-SO

Аналог IRF7201TRPBF IR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7201PBF IRF7201PBF
Код товару: 24055
Додати до обраних Обраний товар
IR IRF7201PBF.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 7,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,03 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 550/19
Примітка: -
Монтаж: SMD
у наявності: 14 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 17 шт
  • 17 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
2+13.50 грн
10+11.90 грн
100+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7201PBF
Код товару: 24055
Додати до обраних Обраний товар
description IRF7201PBF.pdf
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 7,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,03 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 550/19
Примітка: -
Монтаж: SMD
у наявності: 14 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 17 шт
  • 17 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+13.50 грн
10+11.90 грн
100+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRF7201TRPBF за ціною від 271.62 грн до 271.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7201TRPBF IRF7201TRPBF INFINEON INFN-S-A0002900721-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7201TRPBF IRF7201TRPBF Infineon Technologies irf7201.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7201TRPBF IRF7201TRPBF Infineon Technologies irf7201.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7201TRPBF IRF7201TRPBF INFINEON INFN-S-A0002900721-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7201TRPBF INTERNATIONAL RECTIFIER infineon-irf7201-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f13efb1ada description MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+271.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7201TRPBF description INFN-S-A0002900721-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7201TRPBF description irf7201.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7201TRPBF description irf7201.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7201TRPBF description INFN-S-A0002900721-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7201TRPBF description infineon-irf7201-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f13efb1ada
Виробник: INTERNATIONAL RECTIFIER
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+271.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRLML0030TRPBF
Код товару: 37076
7 Додати до обраних Обраний товар
irlml0030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664773825df
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 5,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,027 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 2200 шт
  • 478 шт - склад
  • 882 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 380 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 460 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 21000 шт
  • 21000 шт - очікується 13.08.2026
на замовлення: 148 шт
  • 148 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+5.00 грн
10+4.50 грн
100+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF
Код товару: 25625
2 Додати до обраних Обраний товар
irf7416.pdf
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,02 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1700/61
Монтаж: SMD
у наявності: 33 шт
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 400 шт
  • 400 шт - очікується 13.08.2026
на замовлення: 15 шт
  • 15 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+26.00 грн
10+22.40 грн
100+19.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 1526
1 Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 Ом
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 5900 шт
  • 3752 шт - склад
  • 748 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 100 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1300 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 30000 шт
  • 30000 шт - очікується 29.08.2026
на замовлення: 3474 шт
  • 3474 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+0.30 грн
1000+0.22 грн
10000+0.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BDW94C (TO-220, ST)
Код товару: 1600
1 Додати до обраних Обраний товар
BDW93C,94B,94C.pdf
Виробник: ST
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
Напруга Uке, В: 100 В
Напруга Uкб, В: 100 В
Струм Iк, А: 12 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 20000
Примітка: Дарлінгтон
у наявності: 211 шт
  • 200 шт - склад
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+33.00 грн
10+29.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SB882
Код товару: 15197
Додати до обраних Обраний товар
2SB882.pdf
Виробник: Sanyo
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
Гранична частота fT, МГц: 20 МГц
Напруга Uке, В: 60 В
Напруга Uкб, В: 70 В
Струм Iк, А: 10 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 5000
Примітка: Дарлінгтон
у наявності: 32 шт
  • 3 шт - склад
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+35.00 грн
10+31.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.