IRF7201TRPBF
Код товару: 42753
Виробник: IRКорпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7,3 A
Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 550/19
Монтаж: SMD
у наявності 3180 шт:
2980 шт - склад
200 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 14 грн |
10+ | 12.4 грн |
100+ | 11.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7201TRPBF IR
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N Channel
- Drain Source Voltage, Vds:30V
- Continuous Drain Current, Id:7A
- On Resistance, Rds(on):50mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V
- Package/Case:8-SO
Аналог IRF7201TRPBF IR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7201PBF Код товару: 24055 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 30 V Idd,A: 7,3 A Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 550/19 Монтаж: SMD |
у наявності: 79 шт
|
|
Інші пропозиції IRF7201TRPBF за ціною від 16.85 грн до 253.52 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7201TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7201TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7201TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 30V 7A 30mOhm 19nC |
на замовлення 10655 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7201TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF7201TRPBF | Виробник : INTERNATIONAL RECTIFIER | MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC |
на замовлення 5 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7201TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF7201TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF7201TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF7201TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 7A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF7201TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF7201TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF7201TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 7A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
З цим товаром купують
IRLML0030TRPBF Код товару: 37076 |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 7622 шт
очікується:
50 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 3.5 грн |
10+ | 3 грн |
100+ | 2.9 грн |
IRF7313TRPBF Код товару: 23579 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 6,5 A
Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 6,5 A
Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 356 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 23 грн |
10+ | 20.7 грн |
100+ | 18.5 грн |
220uF 6,3V E5R 6,3x5mm (E5R221M0JB-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 22049 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 µF
Номін.напруга: 6,3 V
Серія: E5R
Тип: ультрамініатюрні (висота 5мм), 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6,3х5mm
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 µF
Номін.напруга: 6,3 V
Серія: E5R
Тип: ультрамініатюрні (висота 5мм), 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6,3х5mm
очікується:
10000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 2 грн |
10+ | 1.6 грн |
100+ | 1.3 грн |
1000+ | 1 грн |
Клемник DG127-5.0-02P-14-00Z(H) Код товару: 19655 |
Виробник: Degson
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клемники
Короткий опис: крок: 5,0мм, к-сть контактів: 02P, напруга/струм: 300V/12A, під провід: 26-14AWG 1,5мм.кв
Крок, мм: 5 mm
К-сть контактів: 2
Тип роз’єму: Клемник гвинтовий на PCB
Номінальний струм: 12 А
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клемники
Короткий опис: крок: 5,0мм, к-сть контактів: 02P, напруга/струм: 300V/12A, під провід: 26-14AWG 1,5мм.кв
Крок, мм: 5 mm
К-сть контактів: 2
Тип роз’єму: Клемник гвинтовий на PCB
Номінальний струм: 12 А
у наявності: 7 шт
очікується:
6000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 5 грн |
10+ | 4.5 грн |
100+ | 4.1 грн |
0 Ohm 5% 0,1W 50V 0603 (RC0603JR-0R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 4159 |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 0 Ohm
Точність: ±5% J
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 0 Ohm
Точність: ±5% J
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
очікується:
60000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 0.1 грн |
1000+ | 0.06 грн |
10000+ | 0.03 грн |