
IRF7201TRPBF

Код товару: 42753
Виробник: IRКорпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7,3 A
Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 550/19
Монтаж: SMD
у наявності 3034 шт:
2786 шт - склад
48 шт - РАДІОМАГ-Львів
200 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 14.00 грн |
10+ | 12.40 грн |
100+ | 11.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7201TRPBF IR
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N Channel
- Drain Source Voltage, Vds:30V
- Continuous Drain Current, Id:7A
- On Resistance, Rds(on):50mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V
- Package/Case:8-SO
Аналог IRF7201TRPBF IR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF7201PBF Код товару: 24055
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
![]() Uds,V: 30 V Idd,A: 7,3 A Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 550/19 Монтаж: SMD |
у наявності: 80 шт
27 шт - склад
18 шт - РАДІОМАГ-Київ 7 шт - РАДІОМАГ-Львів 17 шт - РАДІОМАГ-Одеса 11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції IRF7201TRPBF за ціною від 14.59 грн до 253.52 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF7201TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF7201TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF7201TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF7201TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF7201TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4762 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF7201TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
IRF7201TRPBF | Виробник : INTERNATIONAL RECTIFIER |
![]() |
на замовлення 5 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF7201TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IRF7201TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 7A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: reel кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IRF7201TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IRF7201TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IRF7201TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 7A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: reel |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
IRF7416TRPBF Код товару: 25625
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 10 А
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 10 А
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
Монтаж: SMD
у наявності: 296 шт
241 шт - склад
18 шт - РАДІОМАГ-Київ
23 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
18 шт - РАДІОМАГ-Київ
23 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 26.00 грн |
10+ | 22.40 грн |
100+ | 19.90 грн |
IRLML0030TRPBF Код товару: 37076
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 23637 шт
22432 шт - склад
247 шт - РАДІОМАГ-Київ
253 шт - РАДІОМАГ-Львів
111 шт - РАДІОМАГ-Харків
300 шт - РАДІОМАГ-Одеса
294 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
247 шт - РАДІОМАГ-Київ
253 шт - РАДІОМАГ-Львів
111 шт - РАДІОМАГ-Харків
300 шт - РАДІОМАГ-Одеса
294 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 3.50 грн |
10+ | 3.00 грн |
100+ | 2.90 грн |
1000uF 63V ELP 22x25mm (ELP102M63BA-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 2375
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 63 V
Серія: ELP
Тип: з жорсткими виводами, 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 22х25mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 63 V
Серія: ELP
Тип: з жорсткими виводами, 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 22х25mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 89 шт
66 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 26.00 грн |
10+ | 23.40 грн |
100+ | 21.10 грн |
IRF7832TRPBF Код товару: 30646
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 16 A
Rds(on), Ohm: 4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4310/34
Монтаж: SMD
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 16 A
Rds(on), Ohm: 4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4310/34
Монтаж: SMD
у наявності: 78 шт
55 шт - склад
22 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
22 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 26.50 грн |
IRLML6344TRPBF Код товару: 42697
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/6,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/6,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 6201 шт
5950 шт - склад
29 шт - РАДІОМАГ-Київ
52 шт - РАДІОМАГ-Львів
50 шт - РАДІОМАГ-Харків
40 шт - РАДІОМАГ-Одеса
80 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
29 шт - РАДІОМАГ-Київ
52 шт - РАДІОМАГ-Львів
50 шт - РАДІОМАГ-Харків
40 шт - РАДІОМАГ-Одеса
80 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 4.00 грн |
10+ | 3.50 грн |
100+ | 2.90 грн |
1000+ | 2.50 грн |