IRF7201TRPBF
Код товару: 42753
Виробник: IRКорпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7,3 A
Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 550/19
Монтаж: SMD
у наявності 2999 шт:
2703 шт - склад
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
48 шт - РАДІОМАГ-Львів
198 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 14.00 грн |
| 10+ | 12.40 грн |
| 100+ | 11.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7201TRPBF IR
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N Channel
- Drain Source Voltage, Vds:30V
- Continuous Drain Current, Id:7A
- On Resistance, Rds(on):50mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V
- Package/Case:8-SO
Аналог IRF7201TRPBF IR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7201PBF Код товару: 24055
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: SO-8 Uds,V: 30 V Idd,A: 7,3 A Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 550/19 Монтаж: SMD |
у наявності: 52 шт
16 шт - склад
18 шт - РАДІОМАГ-Київ 7 шт - РАДІОМАГ-Львів 11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції IRF7201TRPBF за ціною від 25.21 грн до 271.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7201TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IRF7201TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IRF7201TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IRF7201TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||
| IRF7201TRPBF | Виробник : INTERNATIONAL RECTIFIER |
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC |
на замовлення 5 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
|
IRF7201TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||
|
IRF7201TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SOPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||
|
IRF7201TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 30V 7A 30mOhm 19nC |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| IRF7416TRPBF Код товару: 25625
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 10 А
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 10 А
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
Монтаж: SMD
у наявності: 28 шт
16 шт - РАДІОМАГ-Львів
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
400 шт
400 шт - очікується 17.04.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 26.00 грн |
| 10+ | 22.40 грн |
| 100+ | 19.90 грн |
| IRLML0030TRPBF Код товару: 37076
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 3.00 грн |
| 100+ | 2.90 грн |
| 10uF 50V X5R 10% 1206 (CL31A106KBHNNNE-Samsung) Код товару: 52241
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X5R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X5R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
у наявності: 10031 шт
9990 шт - склад
41 шт - РАДІОМАГ-Київ
41 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 5.60 грн |
| 100+ | 5.00 грн |
| 1000+ | 4.20 грн |
| 10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1526
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 11820 шт
7472 шт - склад
2148 шт - РАДІОМАГ-Київ
400 шт - РАДІОМАГ-Львів
1800 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2148 шт - РАДІОМАГ-Київ
400 шт - РАДІОМАГ-Львів
1800 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
30000 шт
30000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.22 грн |
| 10000+ | 0.16 грн |
| IRLML6344TRPBF Код товару: 42697
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/6,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/6,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 9026 шт
8741 шт - склад
230 шт - РАДІОМАГ-Київ
49 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
230 шт - РАДІОМАГ-Київ
49 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.50 грн |
| 100+ | 2.90 грн |
| 1000+ | 2.50 грн |







