
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 27.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF730PBF Vishay
Description: VISHAY - IRF730PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції IRF730PBF за ціною від 17.60 грн до 112.40 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF730PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF730PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF730PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF730PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF730PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF730PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF730PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
на замовлення 20541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF730PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 18299 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF730PBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 2867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF730PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 3.5A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 598 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF730PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 3.5A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 598 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF730PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF730PBF |
![]() |
на замовлення 97 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
![]() |
IRF730PBF Код товару: 123226
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : SILI |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 400 V Idd,A: 5,5 A Rds(on), Ohm: 1 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 700/38 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF730PBF Код товару: 106889
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|