Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7832TRPBF
IRF7832TRPBF

IRF7832TRPBF

irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16
Код товару: 30646
Виробник:
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 16 A
Rds(on), Ohm: 4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4310/34
Монтаж: SMD
у наявності 2 шт:
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+26.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7832TRPBF

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current, Id:20A
  • Package/Case:8-SOIC
  • Power Dissipation, Pd:2.5W
  • Drain Source On Resistance @ 10V:4mohm
  • Drain Source On Resistance @ 4.5V:4.8mohm

Інші пропозиції IRF7832TRPBF за ціною від 23.81 грн до 105.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+26.62 грн
8000+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7832pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+28.23 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+28.67 грн
8000+28.55 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16 Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
на замовлення 23250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+29.70 грн
8000+27.98 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+31.71 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+33.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+34.49 грн
1000+31.71 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+36.75 грн
1000+33.79 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
301+40.48 грн
303+40.17 грн
336+36.30 грн
344+34.19 грн
500+29.05 грн
1000+25.64 грн
Мінімальне замовлення: 301
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+42.10 грн
17+37.59 грн
25+37.30 грн
100+32.50 грн
250+29.40 грн
500+25.90 грн
1000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
280+43.49 грн
314+38.79 грн
316+38.54 грн
Мінімальне замовлення: 280
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002255707-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0031 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.38 грн
500+36.34 грн
1000+30.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
604+50.46 грн
1000+46.53 грн
Мінімальне замовлення: 604
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
604+50.46 грн
1000+46.53 грн
Мінімальне замовлення: 604
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
604+50.46 грн
1000+46.53 грн
Мінімальне замовлення: 604
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002255707-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0031 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+77.03 грн
14+59.54 грн
100+47.38 грн
500+36.34 грн
1000+30.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7832_DataSheet_v01_01_EN-3363312.pdf MOSFETs MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC
на замовлення 9167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.99 грн
10+59.67 грн
25+51.74 грн
100+41.65 грн
500+35.93 грн
1000+32.07 грн
2000+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16 Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
на замовлення 25280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.32 грн
10+58.85 грн
100+45.77 грн
500+35.51 грн
1000+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AC5A4F034FF1A303005056AB0C4F&compId=irf7832pbf.pdf?ci_sign=f6126aa60b44ed174e53d7e45af6de5bc1178cf8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+88.27 грн
10+67.97 грн
21+44.70 грн
56+42.22 грн
500+41.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
131+93.49 грн
137+89.31 грн
250+85.73 грн
500+79.68 грн
1000+71.37 грн
2500+66.49 грн
Мінімальне замовлення: 131
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AC5A4F034FF1A303005056AB0C4F&compId=irf7832pbf.pdf?ci_sign=f6126aa60b44ed174e53d7e45af6de5bc1178cf8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 614 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.93 грн
10+84.70 грн
21+53.63 грн
56+50.67 грн
500+50.29 грн
1000+48.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7832pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7832pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF7416TRPBF
Код товару: 25625
Додати до обраних Обраний товар

irf7416.pdf
IRF7416TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 10 А
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
Монтаж: SMD
у наявності: 241 шт
199 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
23 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+26.00 грн
10+22.40 грн
100+19.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ
Код товару: 34125
Додати до обраних Обраний товар

FD%2FFDS6679AZ.pdf
FDS6679AZ
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 13 A
Rds(on),Om: 0,0093 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2890/68
Монтаж: SMD
у наявності: 168 шт
143 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+34.50 грн
10+31.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7201TRPBF
Код товару: 42753
Додати до обраних Обраний товар

description irf7201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f13efb1ada
IRF7201TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7,3 A
Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 550/19
Монтаж: SMD
у наявності: 3024 шт
2776 шт - склад
48 шт - РАДІОМАГ-Львів
200 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+14.00 грн
10+12.40 грн
100+11.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
22uF 6,3V X5R 20% 0603 (CL10A226MQ8NRNC – Samsung)
Код товару: 128028
Додати до обраних Обраний товар

cl_series_mlcc_datasheet.pdf
22uF 6,3V X5R 20% 0603 (CL10A226MQ8NRNC – Samsung)
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 22 µF
Номін.напруга: 6,3 V
Діелектрик: X5R
Точність: ±20% M
Типорозмір: 0603
у наявності: 4960 шт
2985 шт - склад
1975 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
10+1.30 грн
100+1.00 грн
1000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BZV55-C9V1
Код товару: 1362
Додати до обраних Обраний товар

BZV55.pdf
BZV55-C9V1
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації, Vz: 9,1 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 5.5mV/K
у наявності: 17327 шт
13957 шт - склад
1106 шт - РАДІОМАГ-Київ
486 шт - РАДІОМАГ-Львів
625 шт - РАДІОМАГ-Харків
500 шт - РАДІОМАГ-Одеса
653 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
5+2.00 грн
10+1.40 грн
100+1.00 грн
1000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.