IRF7832TRPBF

IRF7832TRPBF


irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16
Код товару: 30646
Виробник:
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 16 A
Rds(on), Ohm: 4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4310/34
Монтаж: SMD
у наявності 154 шт:

123 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
16 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+26.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7832TRPBF

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current, Id:20A
  • Package/Case:8-SOIC
  • Power Dissipation, Pd:2.5W
  • Drain Source On Resistance @ 10V:4mohm
  • Drain Source On Resistance @ 4.5V:4.8mohm

Інші пропозиції IRF7832TRPBF за ціною від 25.06 грн до 93.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7832pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+28.63 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16 Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+28.89 грн
8000+27.08 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+28.94 грн
8000+28.25 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+31.01 грн
8000+30.27 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+34.41 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+38.92 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
296+41.24 грн
298+40.98 грн
334+36.55 грн
338+34.90 грн
500+29.53 грн
1000+25.06 грн
Мінімальне замовлення: 296
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
296+41.32 грн
312+39.12 грн
314+38.88 грн
1000+37.41 грн
4000+33.70 грн
Мінімальне замовлення: 296
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002255707-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.95 грн
500+37.87 грн
1000+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+49.99 грн
16+44.19 грн
25+43.91 грн
100+37.77 грн
250+34.62 грн
500+30.37 грн
1000+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
434+56.35 грн
500+50.72 грн
1000+46.77 грн
Мінімальне замовлення: 434
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
434+56.35 грн
500+50.72 грн
1000+46.77 грн
Мінімальне замовлення: 434
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
434+56.35 грн
500+50.72 грн
1000+46.77 грн
Мінімальне замовлення: 434
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16 Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
на замовлення 19945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.22 грн
10+50.81 грн
100+40.82 грн
500+34.67 грн
1000+31.66 грн
2000+31.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AC5A4F034FF1A303005056AB0C4F&compId=irf7832pbf.pdf?ci_sign=f6126aa60b44ed174e53d7e45af6de5bc1178cf8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+71.78 грн
10+56.77 грн
21+45.32 грн
56+42.81 грн
250+41.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002255707-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+73.89 грн
15+58.27 грн
100+46.95 грн
500+37.87 грн
1000+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7832_DataSheet_v01_01_EN-3363312.pdf MOSFETs MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC
на замовлення 7991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.04 грн
10+55.92 грн
100+39.07 грн
500+35.08 грн
1000+31.54 грн
2000+30.26 грн
4000+27.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AC5A4F034FF1A303005056AB0C4F&compId=irf7832pbf.pdf?ci_sign=f6126aa60b44ed174e53d7e45af6de5bc1178cf8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 612 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.14 грн
10+70.75 грн
21+54.39 грн
56+51.38 грн
250+50.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
131+93.71 грн
137+89.52 грн
250+85.94 грн
500+79.87 грн
1000+71.54 грн
2500+66.65 грн
Мінімальне замовлення: 131
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7832pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7832pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF7416TRPBF
Код товару: 25625
Додати до обраних Обраний товар

irf7416.pdf
IRF7416TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 10 А
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
Монтаж: SMD
у наявності: 186 шт
149 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
21 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 15 шт
15 шт - очікується
Кількість Ціна
1+26.00 грн
10+22.40 грн
100+19.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ
Код товару: 34125
Додати до обраних Обраний товар

FD%2FFDS6679AZ.pdf
FDS6679AZ
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 13 A
Rds(on),Om: 0,0093 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2890/68
Монтаж: SMD
у наявності: 51 шт
13 шт - склад
23 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+34.50 грн
10+31.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7201TRPBF
Код товару: 42753
Додати до обраних Обраний товар

description irf7201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f13efb1ada
IRF7201TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7,3 A
Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 550/19
Монтаж: SMD
у наявності: 3021 шт
2773 шт - склад
48 шт - РАДІОМАГ-Львів
200 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+14.00 грн
10+12.40 грн
100+11.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
22uF 6,3V X5R 20% 0603 (CL10A226MQ8NRNC – Samsung)
Код товару: 128028
Додати до обраних Обраний товар

cl_series_mlcc_datasheet.pdf
22uF 6,3V X5R 20% 0603 (CL10A226MQ8NRNC – Samsung)
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 22 µF
Номін.напруга: 6,3 V
Діелектрик: X5R
Точність: ±20% M
Типорозмір: 0603
товару немає в наявності
очікується: 8000 шт
8000 шт - очікується 31.08.2025
Кількість Ціна
10+1.10 грн
100+0.95 грн
1000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BZV55-C9V1
Код товару: 1362
Додати до обраних Обраний товар

BZV55.pdf
BZV55-C9V1
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації, Vz: 9,1 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 5.5mV/K
у наявності: 16267 шт
12917 шт - склад
1106 шт - РАДІОМАГ-Київ
466 шт - РАДІОМАГ-Львів
625 шт - РАДІОМАГ-Харків
500 шт - РАДІОМАГ-Одеса
653 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
5+2.00 грн
10+1.40 грн
100+1.00 грн
1000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.