IRF7832TRPBF

IRF7832TRPBF Infineon Technologies


infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+26.94 грн
8000+26.29 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7832TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0031 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 155°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF7832TRPBF за ціною від 23.30 грн до 107.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7832pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+28.70 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+29.01 грн
8000+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16 Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+30.07 грн
8000+28.34 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+31.52 грн
8000+30.76 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
343+35.71 грн
353+34.65 грн
376+32.53 грн
1000+31.29 грн
Мінімальне замовлення: 343
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
327+37.43 грн
Мінімальне замовлення: 327
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+38.61 грн
18+34.75 грн
25+34.60 грн
100+32.34 грн
250+29.54 грн
500+26.02 грн
1000+23.30 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+39.29 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+41.96 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+45.29 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002255707-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0031 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.07 грн
500+37.97 грн
1000+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
602+50.84 грн
1000+46.88 грн
Мінімальне замовлення: 602
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
602+50.84 грн
1000+46.88 грн
Мінімальне замовлення: 602
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
602+50.84 грн
1000+46.88 грн
Мінімальне замовлення: 602
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16 Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
на замовлення 21806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.20 грн
10+51.72 грн
100+41.50 грн
500+34.99 грн
1000+32.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7832_DataSheet_v01_01_EN-3363312.pdf MOSFETs MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC
на замовлення 9161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.10 грн
10+54.93 грн
25+47.62 грн
100+39.09 грн
250+38.94 грн
500+34.56 грн
1000+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002255707-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0031 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+74.07 грн
15+58.41 грн
100+47.07 грн
500+37.97 грн
1000+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AC5A4F034FF1A303005056AB0C4F&compId=irf7832pbf.pdf?ci_sign=f6126aa60b44ed174e53d7e45af6de5bc1178cf8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+89.73 грн
10+69.09 грн
21+45.83 грн
56+43.31 грн
500+42.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF
Код товару: 30646
Додати до обраних Обраний товар

irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16 Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 16 A
Rds(on), Ohm: 4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4310/34
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+26.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
131+93.94 грн
137+89.74 грн
250+86.14 грн
500+80.06 грн
1000+71.72 грн
2500+66.81 грн
Мінімальне замовлення: 131
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AC5A4F034FF1A303005056AB0C4F&compId=irf7832pbf.pdf?ci_sign=f6126aa60b44ed174e53d7e45af6de5bc1178cf8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 614 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.68 грн
10+86.10 грн
21+54.99 грн
56+51.97 грн
500+51.12 грн
1000+49.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7832pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7832pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.