IRF7832TRPBF
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 28.00 грн |
| 10+ | 25.20 грн |
| 100+ | 22.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7832TRPBF
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N Channel
- Continuous Drain Current, Id:20A
- Package/Case:8-SOIC
- Power Dissipation, Pd:2.5W
- Drain Source On Resistance @ 10V:4mohm
- Drain Source On Resistance @ 4.5V:4.8mohm
Інші пропозиції IRF7832TRPBF за ціною від 27.76 грн до 169.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7832TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF7832TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF7832TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF7832TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF7832TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF7832TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF7832TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF7832TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF7832TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF7832TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF7832TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 20A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3352 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF7832TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 3850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF7832TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 727 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF7832TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 6235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF7832TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 6235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF7832TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SOPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V |
на замовлення 15947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF7832TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 727 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF7832TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 4000 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 155°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm |
на замовлення 4446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRF7832TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC |
на замовлення 10543 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRF7832TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 47 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRF7832TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 4000 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 155°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm |
на замовлення 4446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7832TRPBF | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 20 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4310 @ 15, Qg, нКл = 51 @ 4,5 В, Rds = 4 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,32 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шткількість в упаковці: 4000 шт |
на замовлення 363 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| IRF7832TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 31.76 грн |
| IRF7832TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 32.01 грн |
| 8000+ | 28.79 грн |
| 12000+ | 27.76 грн |
| IRF7832TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 44.35 грн |
| 8000+ | 41.42 грн |
| IRF7832TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 51.80 грн |
| 1000+ | 47.88 грн |
| 2000+ | 46.10 грн |
| IRF7832TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 52.07 грн |
| 1000+ | 48.12 грн |
| 2000+ | 46.33 грн |
| IRF7832TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 53.67 грн |
| 8000+ | 50.69 грн |
| IRF7832TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 53.95 грн |
| 8000+ | 50.95 грн |
| IRF7832TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 602+ | 58.66 грн |
| 1000+ | 54.10 грн |
| IRF7832TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 602+ | 58.66 грн |
| 1000+ | 54.10 грн |
| IRF7832TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 602+ | 58.66 грн |
| 1000+ | 54.10 грн |
| IRF7832TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 103.35 грн |
| 10+ | 65.44 грн |
| 100+ | 44.59 грн |
| 250+ | 39.71 грн |
| IRF7832TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 132+ | 107.43 грн |
| 138+ | 102.62 грн |
| 250+ | 98.51 грн |
| 500+ | 91.56 грн |
| 1000+ | 82.01 грн |
| 2500+ | 76.41 грн |
| IRF7832TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 131+ | 107.79 грн |
| 196+ | 72.15 грн |
| 500+ | 56.87 грн |
| IRF7832TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 6235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 111.02 грн |
| 100+ | 74.31 грн |
| 500+ | 58.57 грн |
| 1000+ | 51.60 грн |
| 2000+ | 44.02 грн |
| 4000+ | 39.15 грн |
| IRF7832TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 6235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 128+ | 111.02 грн |
| 190+ | 74.31 грн |
| 500+ | 58.57 грн |
| 1000+ | 51.60 грн |
| 2000+ | 44.02 грн |
| 4000+ | 39.15 грн |
| IRF7832TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
на замовлення 15947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 122.94 грн |
| 10+ | 74.90 грн |
| 100+ | 50.15 грн |
| 500+ | 37.10 грн |
| 1000+ | 33.89 грн |
| 2000+ | 31.22 грн |
| IRF7832TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 169.95 грн |
| 10+ | 107.79 грн |
| 100+ | 72.15 грн |
| 500+ | 54.84 грн |
| IRF7832TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 4000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
Description: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 4000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 4446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF7832TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC
MOSFETs MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC
на замовлення 10543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF7832TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF7832TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 4000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
Description: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 4000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 4446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF7832TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 20 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4310 @ 15, Qg, нКл = 51 @ 4,5 В, Rds = 4 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,32 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 20 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4310 @ 15, Qg, нКл = 51 @ 4,5 В, Rds = 4 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,32 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 363 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 28.22 грн |
З цим товаром купують
| IRF7416TRPBF Код товару: 25625
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,02 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1700/61
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,02 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1700/61
Монтаж: SMD
у наявності: 33 шт
- 8 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 19 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 400 шт
- 400 шт - очікується 13.08.2026
на замовлення: 15 шт
- 15 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 26.00 грн |
| 10+ | 22.40 грн |
| 100+ | 19.90 грн |
| IRLML0030TRPBF Код товару: 37076
7
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 5,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,027 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 5,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,027 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 2200 шт
- 478 шт - склад
- 882 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 380 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 460 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 21000 шт
- 21000 шт - очікується 13.08.2026
на замовлення: 148 шт
- 148 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 5.00 грн |
| 10+ | 4.50 грн |
| 100+ | 3.90 грн |
| ST1S10PHR Код товару: 25451
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги імпульсні
Корпус: SO-8
Напруга входу Uвх, В: 20 В
Струм виходу Iвих, А: 3 А
Частота Ф, кГц: 900 кГц
Напруга компаратора Ucomp, В: 0,8 В
Примітка: Понижувальний
Робоча температура, °С: -40…+125°С
Мікросхеми > Стабілізатори напруги імпульсні
Корпус: SO-8
Напруга входу Uвх, В: 20 В
Струм виходу Iвих, А: 3 А
Частота Ф, кГц: 900 кГц
Напруга компаратора Ucomp, В: 0,8 В
Примітка: Понижувальний
Робоча температура, °С: -40…+125°С
у наявності: 222 шт
- 150 шт - склад
- 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 61 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 277 шт
- 277 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 190.00 грн |
| 10+ | 172.00 грн |
| IRLML9301TRPBF Код товару: 34218
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 3,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,064 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 388/4,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 3,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,064 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 388/4,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 694 шт
- 544 шт - склад
- 100 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 50 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 3000 шт
- 3000 шт - очікується 13.08.2026
на замовлення: 11 шт
- 11 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 6.00 грн |
| 10+ | 5.30 грн |
| 100+ | 4.70 грн |
| 1000+ | 4.30 грн |
| CDRH104RNP-150NC (15uH, ±30%, Idc=3.6A, Rdc max/typ=50/37 mOhm, SMD: 10.0x10.2mm, h=3.8mm) Sumida (дросель силовий) Код товару: 39128
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Sumida
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 15 мкГн
Точність: ±30%
Характеристики: Силова, дротяна в броньованому феритовому осерді, 15uH, ±30%, Idc=3.6A, Rdc max/typ=50/37 mOhm, SMD: 10.0x10.2mm, h=3.8mm
Тип: CDRH104
Габарити: 10,0x10,2 мм, h=3,8 мм
Робочий струм, А: 3,6 А
УКТЗЕД: 8504 50 20 90
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 15 мкГн
Точність: ±30%
Характеристики: Силова, дротяна в броньованому феритовому осерді, 15uH, ±30%, Idc=3.6A, Rdc max/typ=50/37 mOhm, SMD: 10.0x10.2mm, h=3.8mm
Тип: CDRH104
Габарити: 10,0x10,2 мм, h=3,8 мм
Робочий струм, А: 3,6 А
УКТЗЕД: 8504 50 20 90
у наявності: 261 шт
- 261 шт - склад
очікується: 1000 шт
- 1000 шт - очікується 13.08.2026
на замовлення: 12 шт
- 12 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 18.50 грн |
| 100+ | 17.00 грн |











