Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7832TRPBF
IRF7832TRPBF

IRF7832TRPBF

irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16
Код товару: 30646
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 16 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4310/34
Монтаж: SMD
у наявності: 210 шт
  • 210 шт - склад
КількістьЦіна без ПДВ
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7832TRPBF

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current, Id:20A
  • Package/Case:8-SOIC
  • Power Dissipation, Pd:2.5W
  • Drain Source On Resistance @ 10V:4mohm
  • Drain Source On Resistance @ 4.5V:4.8mohm

Інші пропозиції IRF7832TRPBF за ціною від 28.07 грн до 170.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+31.83 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16 description Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+32.37 грн
12000+28.07 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+44.45 грн
8000+41.52 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+51.92 грн
1000+47.98 грн
2000+46.20 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+52.19 грн
1000+48.23 грн
2000+46.44 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+53.79 грн
8000+50.80 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+54.07 грн
8000+51.07 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
602+58.79 грн
1000+54.22 грн
Мінімальне замовлення: 602 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
602+58.79 грн
1000+54.22 грн
Мінімальне замовлення: 602 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
602+58.79 грн
1000+54.22 грн
Мінімальне замовлення: 602 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7832pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: SO8
на замовлення 3347 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+104.77 грн
10+66.34 грн
100+45.20 грн
250+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+107.67 грн
138+102.85 грн
250+98.73 грн
500+91.77 грн
1000+82.19 грн
2500+76.58 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+108.03 грн
196+72.31 грн
500+57.00 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 6235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+111.27 грн
100+74.48 грн
500+58.70 грн
1000+51.72 грн
2000+44.11 грн
4000+39.24 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 6235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+111.27 грн
190+74.48 грн
500+58.70 грн
1000+51.72 грн
2000+44.11 грн
4000+39.24 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16 description Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
на замовлення 31947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.84 грн
10+75.78 грн
50+56.82 грн
100+47.59 грн
500+37.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.33 грн
10+108.03 грн
100+72.31 грн
500+54.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF INFINEON INFN-S-A0002255707-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 4000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 4446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7832_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC
на замовлення 10543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF INFINEON INFN-S-A0002255707-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 4000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 4446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF International Rectifier/Infineon irf7832pbf.pdf description N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 20 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4310 @ 15, Qg, нКл = 51 @ 4,5 В, Rds = 4 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,32 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 363 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4000+28.22 грн
Мінімальне замовлення: 363 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+31.83 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16
IRF7832TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+32.37 грн
12000+28.07 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+44.45 грн
8000+41.52 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+51.92 грн
1000+47.98 грн
2000+46.20 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+52.19 грн
1000+48.23 грн
2000+46.44 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+53.79 грн
8000+50.80 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+54.07 грн
8000+51.07 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
602+58.79 грн
1000+54.22 грн
Мінімальне замовлення: 602 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
602+58.79 грн
1000+54.22 грн
Мінімальне замовлення: 602 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
602+58.79 грн
1000+54.22 грн
Мінімальне замовлення: 602 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: SO8
на замовлення 3347 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+104.77 грн
10+66.34 грн
100+45.20 грн
250+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
132+107.67 грн
138+102.85 грн
250+98.73 грн
500+91.77 грн
1000+82.19 грн
2500+76.58 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
131+108.03 грн
196+72.31 грн
500+57.00 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 6235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+111.27 грн
100+74.48 грн
500+58.70 грн
1000+51.72 грн
2000+44.11 грн
4000+39.24 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 6235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
128+111.27 грн
190+74.48 грн
500+58.70 грн
1000+51.72 грн
2000+44.11 грн
4000+39.24 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16
IRF7832TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
на замовлення 31947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+123.84 грн
10+75.78 грн
50+56.82 грн
100+47.59 грн
500+37.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+170.33 грн
10+108.03 грн
100+72.31 грн
500+54.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description INFN-S-A0002255707-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7832TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 4000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 4446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description Infineon_IRF7832_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF7832TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC
на замовлення 10543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description INFN-S-A0002255707-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7832TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 4000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 4446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 20 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4310 @ 15, Qg, нКл = 51 @ 4,5 В, Rds = 4 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,32 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 363 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+28.22 грн
Мінімальне замовлення: 363 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF7416TRPBF
Код товару: 25625
3 Додати до обраних Обраний товар
irf7416.pdf
IRF7416TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,02 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1700/61
Монтаж: SMD
у наявності: 401 шт
  • 396 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 15 шт
  • 15 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+26.00 грн
10+22.40 грн
100+19.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0030TRPBF
Код товару: 37076
7 Додати до обраних Обраний товар
irlml0030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664773825df
IRLML0030TRPBF
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 5,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,027 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 22141 шт
  • 20385 шт - склад
  • 967 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 380 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 409 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 60 шт
  • 60 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+5.00 грн
10+4.50 грн
100+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ST1S10PHR
Код товару: 25451
1 Додати до обраних Обраний товар
st1s10phr.pdf
ST1S10PHR
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги імпульсні
Корпус: SO-8
Напруга входу Uвх, В: 20 В
Струм виходу Iвих, А: 3 А
Частота Ф, кГц: 900 кГц
Напруга компаратора Ucomp, В: 0,8 В
Примітка: Понижувальний
Робоча температура, °С: -40…+125°С
у наявності: 499 шт
  • 427 шт - склад
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 61 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+190.00 грн
10+172.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBF
Код товару: 34218
4 Додати до обраних Обраний товар
irlml9301pbf-datasheet.pdf
IRLML9301TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 3,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,064 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 388/4,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 3410 шт
  • 3254 шт - склад
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 100 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 45 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
4+6.00 грн
10+5.30 грн
100+4.70 грн
1000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CDRH104RNP-150NC (15uH, ±30%, Idc=3.6A, Rdc max/typ=50/37 mOhm, SMD: 10.0x10.2mm, h=3.8mm) Sumida (дросель силовий)
Код товару: 39128
1 Додати до обраних Обраний товар
CDRH104R.pdf
CDRH104RNP-150NC (15uH, ±30%, Idc=3.6A, Rdc max/typ=50/37 mOhm, SMD: 10.0x10.2mm, h=3.8mm) Sumida (дросель силовий)
Виробник: Sumida
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 15 мкГн
Точність: ±30%
Характеристики: Силова, дротяна в броньованому феритовому осерді, 15uH, ±30%, Idc=3.6A, Rdc max/typ=50/37 mOhm, SMD: 10.0x10.2mm, h=3.8mm
Тип: CDRH104
Габарити: 10,0x10,2 мм, h=3,8 мм
Робочий струм, А: 3,6 А
УКТЗЕД: 8504 50 20 90
у наявності: 1261 шт
  • 1261 шт - склад
на замовлення: 12 шт
  • 12 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+18.50 грн
100+17.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.