IRF7832TRPBF


irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16
Код товару: 30646
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 16 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4310/34
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
очікується: 300 шт
  • 300 шт - очікується 28.10.2026
КількістьЦіна без ПДВ
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7832TRPBF

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current, Id:20A
  • Package/Case:8-SOIC
  • Power Dissipation, Pd:2.5W
  • Drain Source On Resistance @ 10V:4mohm
  • Drain Source On Resistance @ 4.5V:4.8mohm

Інші пропозиції IRF7832TRPBF за ціною від 25.44 грн до 171.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+32.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16 description Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+33.13 грн
12000+28.73 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+44.84 грн
8000+41.89 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+52.38 грн
1000+48.41 грн
2000+46.61 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+52.65 грн
1000+48.66 грн
2000+46.85 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+54.27 грн
8000+51.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+54.55 грн
8000+51.52 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
602+59.31 грн
1000+54.70 грн
Мінімальне замовлення: 602 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
602+59.31 грн
1000+54.70 грн
Мінімальне замовлення: 602 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
602+59.31 грн
1000+54.70 грн
Мінімальне замовлення: 602 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7832pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: SO8
на замовлення 3347 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+103.32 грн
10+65.42 грн
100+44.58 грн
250+39.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+108.63 грн
138+103.77 грн
250+99.61 грн
500+92.59 грн
1000+82.92 грн
2500+77.26 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+108.99 грн
196+72.96 грн
500+57.51 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 6235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+112.26 грн
100+75.14 грн
500+59.23 грн
1000+52.18 грн
2000+44.51 грн
4000+39.59 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 6235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+112.26 грн
190+75.14 грн
500+59.23 грн
1000+52.18 грн
2000+44.51 грн
4000+39.59 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7832_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC
на замовлення 10543 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+118.72 грн
10+75.77 грн
100+43.90 грн
500+34.77 грн
1000+31.51 грн
2000+29.09 грн
4000+25.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16 description Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
на замовлення 29905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.82 грн
10+73.17 грн
50+54.88 грн
100+45.95 грн
500+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.84 грн
10+108.99 грн
100+72.96 грн
500+55.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF INFINEON INFN-S-A0002255707-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 4000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 4446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF INFINEON INFN-S-A0002255707-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 4000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 4446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF International Rectifier/Infineon irf7832pbf.pdf description N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 20 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4310 @ 15, Qg, нКл = 51 @ 4,5 В, Rds = 4 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,32 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 213 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
4000+28.22 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+32.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+33.13 грн
12000+28.73 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+44.84 грн
8000+41.89 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+52.38 грн
1000+48.41 грн
2000+46.61 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+52.65 грн
1000+48.66 грн
2000+46.85 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+54.27 грн
8000+51.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+54.55 грн
8000+51.52 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
602+59.31 грн
1000+54.70 грн
Мінімальне замовлення: 602 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
602+59.31 грн
1000+54.70 грн
Мінімальне замовлення: 602 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
602+59.31 грн
1000+54.70 грн
Мінімальне замовлення: 602 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: SO8
на замовлення 3347 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+103.32 грн
10+65.42 грн
100+44.58 грн
250+39.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
132+108.63 грн
138+103.77 грн
250+99.61 грн
500+92.59 грн
1000+82.92 грн
2500+77.26 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
131+108.99 грн
196+72.96 грн
500+57.51 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 6235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+112.26 грн
100+75.14 грн
500+59.23 грн
1000+52.18 грн
2000+44.51 грн
4000+39.59 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 6235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
128+112.26 грн
190+75.14 грн
500+59.23 грн
1000+52.18 грн
2000+44.51 грн
4000+39.59 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description Infineon_IRF7832_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC
на замовлення 10543 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+118.72 грн
10+75.77 грн
100+43.90 грн
500+34.77 грн
1000+31.51 грн
2000+29.09 грн
4000+25.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
на замовлення 29905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+119.82 грн
10+73.17 грн
50+54.88 грн
100+45.95 грн
500+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+171.84 грн
10+108.99 грн
100+72.96 грн
500+55.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description INFN-S-A0002255707-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 4000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 4446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description INFN-S-A0002255707-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 4000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 4446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 20 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4310 @ 15, Qg, нКл = 51 @ 4,5 В, Rds = 4 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,32 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 213 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+28.22 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF7416TRPBF
Код товару: 25625
3 Додати до обраних Обраний товар
irf7416.pdf
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,02 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1700/61
Монтаж: SMD
очікується: 600 шт
  • 600 шт - очікується 28.10.2026
на замовлення: 15 шт
  • 15 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+26.00 грн
10+22.40 грн
100+19.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0030TRPBF
Код товару: 37076
7 Додати до обраних Обраний товар
irlml0030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664773825df
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 5,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,027 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 11330 шт
  • 9446 шт - склад
  • 833 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 370 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 400 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 281 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 60 шт
  • 60 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+5.00 грн
10+4.50 грн
100+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBF
Код товару: 34218
4 Додати до обраних Обраний товар
irlml9301pbf-datasheet.pdf
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 3,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,064 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 388/4,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 1502 шт
  • 1404 шт - склад
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 56 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 41 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 100 шт
  • 100 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
4+6.00 грн
10+5.30 грн
100+4.70 грн
1000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF
Код товару: 42697
13 Додати до обраних Обраний товар
irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,029 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 650/6,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 2049 шт
  • 1687 шт - склад
  • 127 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 90 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 145 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 8000 шт
  • 8000 шт - очікується 28.10.2026
на замовлення: 4 шт
  • 4 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+4.00 грн
10+3.50 грн
100+2.90 грн
1000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Код товару: 82544
6 Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 149354 шт
  • 125463 шт - склад
  • 11801 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7890 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 4200 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
100+0.30 грн
1000+0.22 грн
10000+0.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.