IRF7832TRPBF
у наявності 54 шт:
27 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 26.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7832TRPBF
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N Channel
- Continuous Drain Current, Id:20A
- Package/Case:8-SOIC
- Power Dissipation, Pd:2.5W
- Drain Source On Resistance @ 10V:4mohm
- Drain Source On Resistance @ 4.5V:4.8mohm
Інші пропозиції IRF7832TRPBF за ціною від 24.68 грн до 126.66 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7832TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7832TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7832TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7832TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7832TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7832TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7832TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 20A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
на замовлення 763 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7832TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7832TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 7548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7832TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 20A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 763 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7832TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0031 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 155°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm |
на замовлення 10276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7832TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7832TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7832TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V |
на замовлення 37932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7832TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7832TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC |
на замовлення 12434 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7832TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0031 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 155°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm |
на замовлення 10276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7832TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
З цим товаром купують
IRF7416TRPBF Код товару: 25625 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 10 А
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 10 А
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
Монтаж: SMD
у наявності: 253 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 26 грн |
10+ | 22.4 грн |
100+ | 19.9 грн |
BC640 Код товару: 3455 |
Виробник: Fairchild
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 100 MHz
Uке, В: 80 V
Uкб, В: 80 V
Iк, А: 1 А
h21,max: 250
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 100 MHz
Uке, В: 80 V
Uкб, В: 80 V
Iк, А: 1 А
h21,max: 250
у наявності: 870 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 2.5 грн |
10+ | 1.9 грн |
100+ | 1.6 грн |
100uF 16V EXR 6,3x11mm (low imp.) (EXR101M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 2463 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6х11mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 2840 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 2 грн |
10+ | 1.5 грн |
100+ | 1.2 грн |
1000+ | 0.85 грн |
220uF 16V ECR 6,3x11mm (ECR221M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 1698 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 6,3х11mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 6,3х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 167 шт
очікується:
10000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 1.5 грн |
10+ | 1.2 грн |
100+ | 0.95 грн |
1000+ | 0.75 грн |
22nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B223K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 1284 |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 22 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 22 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 9037 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 0.7 грн |
100+ | 0.6 грн |
1000+ | 0.5 грн |