
IRF840PBF Siliconix

Код товару: 182602
Виробник: SiliconixКорпус: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
Монтаж: THT
у наявності 460 шт:
394 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
24 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 32.00 грн |
10+ | 27.80 грн |
100+ | 25.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF840PBF за ціною від 15.50 грн до 179.37 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF840PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 6668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 10210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 6200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF Код товару: 156105
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Vishay |
![]() Uds,V: 500 V Idd,A: 8 А Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF Код товару: 31523
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
![]() Uds,V: 500 V Idd,A: 8 А Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 10210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
на замовлення 3375 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 2692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3375 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 6668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 15736 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF840PBF | Виробник : Vishay/IR |
![]() |
на замовлення 12 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF840PBF |
![]() |
на замовлення 5041 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
IRF840PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
TLP627 Код товару: 31733
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: Toshiba
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 60/150 mA
Uвых,V: 300 V
Ton/Toff,µs: -
Роб.темп.,°С: -
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 60/150 mA
Uвых,V: 300 V
Ton/Toff,µs: -
Роб.темп.,°С: -
у наявності: 537 шт
380 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
43 шт - РАДІОМАГ-Львів
50 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Одеса
38 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
43 шт - РАДІОМАГ-Львів
50 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Одеса
38 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
2000 шт
2000 шт - очікується 18.05.2025
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 15.00 грн |
10+ | 13.50 грн |
100+ | 12.20 грн |
4,7uF 350V ECR 10x13mm (ECR4R7M2VB-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 3132
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 4,7 µF
Номін.напруга: 350 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -25...+85°C
Габарити: 10х13mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 4,7 µF
Номін.напруга: 350 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -25...+85°C
Габарити: 10х13mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 830 шт
830 шт - склад
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 3.50 грн |
10+ | 3.10 грн |
100+ | 2.70 грн |
1000+ | 2.20 грн |
BYV26C Код товару: 4089
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yangjie/LGE
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-41
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 1 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 30 ns
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-41
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 1 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 30 ns
у наявності: 1861 шт
1514 шт - склад
70 шт - РАДІОМАГ-Київ
21 шт - РАДІОМАГ-Львів
23 шт - РАДІОМАГ-Харків
85 шт - РАДІОМАГ-Одеса
148 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
70 шт - РАДІОМАГ-Київ
21 шт - РАДІОМАГ-Львів
23 шт - РАДІОМАГ-Харків
85 шт - РАДІОМАГ-Одеса
148 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 3.50 грн |
10+ | 3.10 грн |
100+ | 2.70 грн |
1000+ | 2.40 грн |
220uH 10% (DR 0912 220uH Bochen) (Idc=1,0А, Rdc max=0.5 Ohm, радіальні виводи, d=9mm, h=12mm) Код товару: 123704
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Bochen
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові вивідні
Номінал: 220 µH
Характеристики: Силова, дротова на феритовій гантелі, 220µH±10%, Idc=1.0А, Rdc мax=0.5 Ohm, радіальні виводи, d=9мм, h=12мм
Тип: DR0912
Габарити: d=9 mm; h=12 mm
Робочий струм, А: 1 А
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові вивідні
Номінал: 220 µH
Характеристики: Силова, дротова на феритовій гантелі, 220µH±10%, Idc=1.0А, Rdc мax=0.5 Ohm, радіальні виводи, d=9мм, h=12мм
Тип: DR0912
Габарити: d=9 mm; h=12 mm
Робочий струм, А: 1 А
у наявності: 143 шт
68 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
17 шт - РАДІОМАГ-Львів
21 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
17 шт - РАДІОМАГ-Львів
21 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
600 шт
600 шт - очікується 12.05.2025
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 11.00 грн |
10+ | 9.90 грн |
100+ | 9.00 грн |
PLS-40 штирі на плату 3x6x11,5mm (KLS1-207-1-40-S - KLS) Код товару: 72296
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: KLS
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Міжплатні з'єднувачі
Функціональний опис: Штирі однорядні на плату прямі, 40 контактів, крок 2,54мм, 3А, покриття: золото 0.8u
Штирі або гнізда: Штирі (вилки)
Крок: 2,54 mm
К-сть рядів: однорядні
К-сть контактів: 40
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Міжплатні з'єднувачі
Функціональний опис: Штирі однорядні на плату прямі, 40 контактів, крок 2,54мм, 3А, покриття: золото 0.8u
Штирі або гнізда: Штирі (вилки)
Крок: 2,54 mm
К-сть рядів: однорядні
К-сть контактів: 40
у наявності: 11461 шт
10583 шт - склад
132 шт - РАДІОМАГ-Київ
105 шт - РАДІОМАГ-Львів
417 шт - РАДІОМАГ-Харків
153 шт - РАДІОМАГ-Одеса
71 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
132 шт - РАДІОМАГ-Київ
105 шт - РАДІОМАГ-Львів
417 шт - РАДІОМАГ-Харків
153 шт - РАДІОМАГ-Одеса
71 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 6.00 грн |
10+ | 5.00 грн |
100+ | 4.20 грн |
1000+ | 3.60 грн |