
IRF840PBF Vishay

Код товару: 156105
Виробник: VishayКорпус: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 19.00 грн |
10+ | 17.20 грн |
100+ | 15.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни IRF840PBF Vishay
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF840PBF Код товару: 182602
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Siliconix |
![]() Корпус: TO-220AB Uds,V: 500 V Idd,A: 8 A Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63 Монтаж: THT |
у наявності: 354 шт
324 шт - склад
18 шт - РАДІОМАГ-Київ 2 шт - РАДІОМАГ-Львів 5 шт - РАДІОМАГ-Харків 1 шт - РАДІОМАГ-Одеса 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції IRF840PBF за ціною від 25.30 грн до 138.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF840PBF Код товару: 182602
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Siliconix |
![]() Корпус: TO-220AB Uds,V: 500 V Idd,A: 8 A Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63 Монтаж: THT |
у наявності: 354 шт
324 шт - склад
18 шт - РАДІОМАГ-Київ 2 шт - РАДІОМАГ-Львів 5 шт - РАДІОМАГ-Харків 1 шт - РАДІОМАГ-Одеса 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 10093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 10093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 5700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF Код товару: 31523
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 500 V Idd,A: 8 А Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Pulsed drain current: 32A |
на замовлення 3217 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET |
на замовлення 8898 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Pulsed drain current: 32A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3217 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF840PBF | IRF840PBF Транзисторы MOS FET Power |
на замовлення 5041 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRF840PBF | Виробник : Vishay/IR | N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 8 А; Ptot, Вт = 125; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB |
на замовлення 12 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
IRF840PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |