
на замовлення 9926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
209+ | 58.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF840PBF Vishay
Description: VISHAY - IRF840PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Можливі заміни IRF840PBF Vishay
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF840PBF Код товару: 182602
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Siliconix |
![]() Корпус: TO-220AB Uds,V: 500 V Idd,A: 8 A Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63 Монтаж: THT |
у наявності: 415 шт
361 шт - склад
25 шт - РАДІОМАГ-Київ 6 шт - РАДІОМАГ-Львів 17 шт - РАДІОМАГ-Харків 2 шт - РАДІОМАГ-Одеса 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції IRF840PBF за ціною від 15.50 грн до 132.21 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF840PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 9838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 4706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF Код товару: 156105
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Vishay |
![]() Корпус: TO-220AB Uds,V: 500 V Idd,A: 8 А Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF Код товару: 182602
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Siliconix |
![]() Корпус: TO-220AB Uds,V: 500 V Idd,A: 8 A Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63 Монтаж: THT |
у наявності: 415 шт
361 шт - склад
25 шт - РАДІОМАГ-Київ 6 шт - РАДІОМАГ-Львів 17 шт - РАДІОМАГ-Харків 2 шт - РАДІОМАГ-Одеса 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF Код товару: 31523
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 500 V Idd,A: 8 А Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 4706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
на замовлення 3878 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 1182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3878 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 10813 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF840PBF |
![]() |
на замовлення 5041 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
IRF840PBF | Виробник : Vishay/IR |
![]() |
на замовлення 12 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
IRF840PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |