IRF840PBF
Код товару: 31523
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни IRF840PBF IR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF840PBF Код товару: 182602
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Uds,V: 500 V Idd,A: 8 A Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63 Монтаж: THT |
у наявності: 194 шт
131 шт - склад
41 шт - РАДІОМАГ-Київ 18 шт - РАДІОМАГ-Львів 4 шт - РАДІОМАГ-Харків |
|
Інші пропозиції IRF840PBF за ціною від 15.50 грн до 248.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF840PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF840PBF Код товару: 156105
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Vishay |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Uds,V: 500 V Idd,A: 8 А Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF840PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF840PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 486000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF840PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 486000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF840PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF840PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF840PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) |
на замовлення 4131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| IRF840PBF | Виробник : Vishay/IR |
N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 8 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| IRF840PBF |
IRF840PBF Транзисторы MOS FET Power |
на замовлення 5041 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||||
 |
IRF840PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
на замовлення 2443 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF840PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET |
на замовлення 1180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF840PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 8994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| IRF840PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
N-кан. MOSFET 500V, 8A, 0.85Ом, 125Вт, TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
| IRF840PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
|
|
IRF840PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
 |
IRF840PBF |
N-кан. MOSFET 500V, 8A, 0.85Ом, 125Вт, TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |