IRF840PBF

IRF840PBF Vishay


91070.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 9926 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
209+58.79 грн
Мінімальне замовлення: 209
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF840PBF Vishay

Description: VISHAY - IRF840PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Можливі заміни IRF840PBF Vishay

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF840PBF IRF840PBF
Код товару: 182602
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : Siliconix irf840pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
Монтаж: THT
у наявності: 415 шт
361 шт - склад
25 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
17 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+32.00 грн
10+27.80 грн
100+25.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRF840PBF за ціною від 15.50 грн до 132.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF840PBF IRF840PBF Виробник : Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 9838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+66.48 грн
50+65.86 грн
100+63.15 грн
500+56.44 грн
1000+44.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Виробник : Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
149+82.37 грн
Мінімальне замовлення: 149
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Виробник : Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
134+91.74 грн
136+90.46 грн
145+84.98 грн
500+73.40 грн
1000+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 134
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF
Код товару: 156105
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : Vishay irf840pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+19.00 грн
10+17.20 грн
100+15.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF
Код товару: 182602
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : Siliconix irf840pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
Монтаж: THT
у наявності: 415 шт
361 шт - склад
25 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
17 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+32.00 грн
10+27.80 грн
100+25.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF
Код товару: 31523
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+38.00 грн
10+34.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Виробник : Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+35.00 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Виробник : Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+85.19 грн
50+84.00 грн
100+78.91 грн
500+68.16 грн
1000+51.24 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A0ED2C32BC469&compId=IRF840PBF.pdf?ci_sign=32d8bd5bce644db302139fe2d078b7048afcda96 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 3878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.90 грн
5+97.26 грн
10+84.50 грн
21+45.44 грн
57+43.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Виробник : Vishay Siliconix irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.39 грн
50+82.81 грн
100+81.05 грн
500+73.87 грн
1000+72.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A0ED2C32BC469&compId=IRF840PBF.pdf?ci_sign=32d8bd5bce644db302139fe2d078b7048afcda96 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3878 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.20 грн
10+101.40 грн
21+54.53 грн
57+51.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Виробник : Vishay Semiconductors irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 10813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.68 грн
10+87.92 грн
100+73.01 грн
500+64.67 грн
1000+56.86 грн
2000+53.73 грн
5000+53.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013329288-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+132.21 грн
10+117.62 грн
100+92.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf IRF840PBF Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 5041 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF Виробник : Vishay/IR irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 8 А; Ptot, Вт = 125; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 12 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Виробник : Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Виробник : Infineon Technologies 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF Виробник : Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Виробник : Infineon Technologies irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.