Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF840PBF
IRF840PBF

IRF840PBF

irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf
Код товару: 31523
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,85 Ом
Монтаж: THT
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+38.00 грн
10+34.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Можливі заміни IRF840PBF IR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF840PBF IRF840PBF
Код товару: 182602
4 Додати до обраних Обраний товар
Siliconix irf840pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,85 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/63
Монтаж: THT
у наявності: 184 шт
  • 123 шт - склад
  • 40 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+34.00 грн
10+30.50 грн
100+27.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF
Код товару: 182602
4 Додати до обраних Обраний товар
irf840pbf-datasheet.pdf
IRF840PBF
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,85 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/63
Монтаж: THT
у наявності: 184 шт
  • 123 шт - склад
  • 40 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
1+34.00 грн
10+30.50 грн
100+27.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRF840PBF за ціною від 26.60 грн до 308.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF840PBF IRF840PBF Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.40 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 486000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+86.76 грн
5000+85.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 486000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+86.76 грн
5000+85.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+162.59 грн
116+121.95 грн
122+115.39 грн
250+102.42 грн
500+88.98 грн
1000+79.80 грн
2000+75.30 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf IRF840PBF Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 5041 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF
Код товару: 221455
Додати до обраних Обраний товар
vishay IRF840PBF.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220AB
Напруга колектор-емітер Vces, В: 500 В
Напруга насичення Vce, В: 8 А
Струм колектора Ic при 25°С, А: 0,85 Ом
Струм колектора Ic при 100°С, А: 1300/63 А
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: THT
товару немає в наявності
очікується: 200 шт
  • 200 шт - очікується 25.07.2026
1+33.00 грн
10+29.50 грн
100+26.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF VISHAY IRF840PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 3612 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+150.78 грн
5+101.30 грн
10+88.95 грн
50+67.53 грн
100+63.42 грн
250+58.47 грн
500+55.18 грн
1000+51.06 грн
2000+48.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Vishay Siliconix irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 8567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+308.66 грн
50+152.08 грн
100+138.05 грн
500+106.50 грн
1000+99.09 грн
2000+92.87 грн
5000+88.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF VISHAY VISH-S-A0019267818-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 3292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Vishay Semiconductors irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 8308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF Vishay/IR IRF840_Vishay.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 8 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Очікується: 10
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
50+84.52 грн
100+72.45 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF 91070.pdf
IRF840PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+70.40 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF 91070.pdf
IRF840PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 486000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+86.76 грн
5000+85.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF 91070.pdf
IRF840PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 486000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+86.76 грн
5000+85.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF 91070.pdf
IRF840PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
87+162.59 грн
116+121.95 грн
122+115.39 грн
250+102.42 грн
500+88.98 грн
1000+79.80 грн
2000+75.30 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF 91070.pdf
IRF840PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf
IRF840PBF Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 5041 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF
Код товару: 221455
Додати до обраних Обраний товар
IRF840PBF.pdf
IRF840PBF
Виробник: vishay
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220AB
Напруга колектор-емітер Vces, В: 500 В
Напруга насичення Vce, В: 8 А
Струм колектора Ic при 25°С, А: 0,85 Ом
Струм колектора Ic при 100°С, А: 1300/63 А
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: THT
товару немає в наявності
очікується: 200 шт
  • 200 шт - очікується 25.07.2026
КількістьЦіна без ПДВ
1+33.00 грн
10+29.50 грн
100+26.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF.pdf
IRF840PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 3612 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+150.78 грн
5+101.30 грн
10+88.95 грн
50+67.53 грн
100+63.42 грн
250+58.47 грн
500+55.18 грн
1000+51.06 грн
2000+48.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf
IRF840PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 8567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+308.66 грн
50+152.08 грн
100+138.05 грн
500+106.50 грн
1000+99.09 грн
2000+92.87 грн
5000+88.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF VISH-S-A0019267818-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 3292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf
IRF840PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 8308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840_Vishay.pdf
Виробник: Vishay/IR
N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 8 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Очікується: 10
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+84.52 грн
100+72.45 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.