Продукція > SILICONIX > IRFBC30

IRFBC30 Siliconix

91110.pdf Виробник: Siliconix
N-MOSFET 3.6A 600V 74W 2.2Ω IRFBC30 TIRFBC30
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 281 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+33.35 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFBC30 Siliconix

Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V.

Можливі заміни IRFBC30 Siliconix

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFBC30PBF IRFBC30PBF
Код товару: 133046
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : Vishay irfbc30pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 3,6 A
Rds(on), Ohm: 2,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 660/31
Монтаж: THT
товару немає в наявності
очікується: 100 шт
100 шт - очікується
Кількість Ціна
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRFBC30 за ціною від 23.40 грн до 26.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFBC30 IRFBC30
Код товару: 18143
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR 91110.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 3,6 A
Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 475/16.5
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+26.00 грн
10+23.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30 IRFBC30 Виробник : Vishay 91110.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30 IRFBC30 Виробник : Vishay Siliconix 91110.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30 IRFBC30 Виробник : Vishay / Siliconix 91110.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30 IRFBC30 Виробник : STMicroelectronics 91110.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.