IRFBC30 Siliconix
на замовлення 281 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 33.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFBC30 Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V.
Можливі заміни IRFBC30 Siliconix
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFBC30PBF Код товару: 133046
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Vishay |
 Транзистори > Польові N-канальніUds,V: 600 V Idd,A: 3,6 A Rds(on), Ohm: 2,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 660/31 Монтаж: THT |
у наявності: 100 шт
75 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ 5 шт - РАДІОМАГ-Львів 5 шт - РАДІОМАГ-Харків 5 шт - РАДІОМАГ-Одеса 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції IRFBC30 за ціною від 23.40 грн до 26.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFBC30 Код товару: 18143
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 600 V Idd,A: 3,6 A Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 475/16.5 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||
 |
IRFBC30 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IRFBC30 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IRFBC30 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
IRFBC30 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs |
товару немає в наявності |