
IRLZ34NPBF

Код товару: 40555
Виробник: IRUds,V: 55 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,035 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 880/25
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 127 шт:
78 шт - склад
25 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 22.50 грн |
10+ | 19.80 грн |
100+ | 17.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLZ34NPBF IR
- MOSFET, N, 55V, 27A, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Max Voltage Vds:55V
- On State Resistance:0.035ohm
- Max Voltage Vgs:2V
- Power Dissipation:56W
- Transistor Case Style:TO-220AB
- No. of Pins:3
- Case Style:TO-220AB
- Cont Current Id:27A
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Junction to Case Thermal Resistance A:2.7`C/W
- Lead Spacing:2.54mm
- Max Voltage Vgs th:2V
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation Pd:56W
- Pulse Current Idm:110A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:55V
- Typ Voltage Vgs th:2V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Інші пропозиції IRLZ34NPBF за ціною від 18.88 грн до 126.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRLZ34NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 12212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLZ34NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLZ34NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLZ34NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 12922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLZ34NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 12922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLZ34NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V |
на замовлення 33399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLZ34NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; 56W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 27A Power dissipation: 56W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 35mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 16.7nC Features of semiconductor devices: logic level Kind of package: tube |
на замовлення 369 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLZ34NPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 56W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLZ34NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; 56W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 27A Power dissipation: 56W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 35mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 16.7nC Features of semiconductor devices: logic level Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 369 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLZ34NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3484 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLZ34NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
IRLZ34NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
IRLZ34NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRLZ34NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
IRF9Z34NPBF Код товару: 31477
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
у наявності: 295 шт
247 шт - склад
19 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
19 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 26.00 грн |
10+ | 22.40 грн |
100+ | 19.90 грн |
IRF5305PBF Код товару: 40618
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: THT
у наявності: 628 шт
558 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
12 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
12 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
10 шт
10 шт - очікується
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 35.00 грн |
10+ | 31.50 грн |
100+ | 27.90 грн |
NE555P Код товару: 26138
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: TI
Мікросхеми > Таймери
Корпус: DIP-8
Опис: Таймер 1 вихід; 4.5...16В; 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°C
Мікросхеми > Таймери
Корпус: DIP-8
Опис: Таймер 1 вихід; 4.5...16В; 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°C
у наявності: 1789 шт
1640 шт - склад
44 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
45 шт - РАДІОМАГ-Одеса
30 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
44 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
45 шт - РАДІОМАГ-Одеса
30 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
50 шт
50 шт - очікується
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 8.00 грн |
10+ | 7.20 грн |
100+ | 6.50 грн |
1000+ | 5.80 грн |
2N3904 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 27101
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,2 A
h21: 300
Монтаж: THT
Корпус: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,2 A
h21: 300
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 10.00 грн |
10+ | 1.50 грн |
100+ | 1.20 грн |
1000+ | 1.00 грн |