IRLZ34NPBF Infineon Technologies
на замовлення 12212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 20.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLZ34NPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLZ34NPBF - MOSFET, N-KANAL, 55V, 27A, TO-220, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 56W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRLZ34NPBF за ціною від 17.90 грн до 128.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLZ34NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 14808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLZ34NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLZ34NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLZ34NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 14819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLZ34NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; 56W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 27A Power dissipation: 56W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level On-state resistance: 35mΩ Gate-source voltage: ±16V Gate charge: 16.7nC Kind of package: tube |
на замовлення 1722 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLZ34NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V |
на замовлення 18812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLZ34NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 27A 16.7nC 35mOhm LogLvAB |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLZ34NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
IRLZ34NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| IRLZ34NPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLZ34NPBF - MOSFET, N-KANAL, 55V, 27A, TO-220tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 56W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
IRLZ34NPBF Код товару: 40555
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 55 V Idd,A: 30 A Rds(on), Ohm: 0,035 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 880/25 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||||
|
IRLZ34NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |





