Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLZ34NPBF
IRLZ34NPBF

IRLZ34NPBF

irlz34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567206892720
Код товару: 40555
3 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,035 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 880/25
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 128 шт:
128 шт - склад
КількістьЦіна
1+22.50 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLZ34NPBF IR

  • MOSFET, N, 55V, 27A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:55V
  • On State Resistance:0.035ohm
  • Max Voltage Vgs:2V
  • Power Dissipation:56W
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • No. of Pins:3
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:27A
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:2.7`C/W
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vgs th:2V
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation Pd:56W
  • Pulse Current Idm:110A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Typ Voltage Vgs th:2V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Інші пропозиції IRLZ34NPBF за ціною від 25.14 грн до 136.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Infineon Technologies infineonirlz34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+48.78 грн
2000+44.84 грн
5000+41.72 грн
10000+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Infineon Technologies infineonirlz34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+48.78 грн
2000+44.84 грн
5000+41.72 грн
10000+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Infineon Technologies infineonirlz34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 43549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.78 грн
50+54.25 грн
100+51.06 грн
500+42.08 грн
1000+36.55 грн
2000+33.01 грн
5000+31.30 грн
10000+31.16 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Infineon Technologies infineonirlz34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 43549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+55.21 грн
259+54.66 грн
275+51.45 грн
500+42.40 грн
1000+36.83 грн
2000+33.26 грн
5000+31.54 грн
10000+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Infineon Technologies infineonirlz34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+71.13 грн
201+70.42 грн
220+64.43 грн
500+50.26 грн
1000+42.81 грн
2000+38.02 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlz34n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 27A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 16.7nC
на замовлення 4169 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+73.84 грн
10+55.28 грн
50+38.77 грн
100+35.13 грн
250+30.90 грн
500+28.53 грн
1000+26.58 грн
2000+25.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Infineon Technologies Infineon_IRLZ34N_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 55V 27A 16.7nC 35mOhm LogLvAB
на замовлення 2058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.35 грн
10+66.48 грн
100+44.38 грн
500+35.44 грн
1000+32.70 грн
2000+29.33 грн
5000+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF INFINEON INFN-S-A0012905113-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLZ34NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 27 A, 0.035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+135.38 грн
13+68.18 грн
100+60.80 грн
500+44.42 грн
1000+37.34 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Infineon Technologies irlz34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567206892720 description Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 6553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.87 грн
50+62.38 грн
100+55.62 грн
500+41.06 грн
1000+37.48 грн
2000+34.46 грн
5000+30.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Infineon Technologies infineonirlz34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBF description infineonirlz34ndatasheetv0101en.pdf
IRLZ34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+48.78 грн
2000+44.84 грн
5000+41.72 грн
10000+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBF description infineonirlz34ndatasheetv0101en.pdf
IRLZ34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+48.78 грн
2000+44.84 грн
5000+41.72 грн
10000+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBF description infineonirlz34ndatasheetv0101en.pdf
IRLZ34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 43549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+54.78 грн
50+54.25 грн
100+51.06 грн
500+42.08 грн
1000+36.55 грн
2000+33.01 грн
5000+31.30 грн
10000+31.16 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBF description infineonirlz34ndatasheetv0101en.pdf
IRLZ34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 43549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
256+55.21 грн
259+54.66 грн
275+51.45 грн
500+42.40 грн
1000+36.83 грн
2000+33.26 грн
5000+31.54 грн
10000+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBF description infineonirlz34ndatasheetv0101en.pdf
IRLZ34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
199+71.13 грн
201+70.42 грн
220+64.43 грн
500+50.26 грн
1000+42.81 грн
2000+38.02 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBF description irlz34n.pdf
IRLZ34NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 27A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 16.7nC
на замовлення 4169 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+73.84 грн
10+55.28 грн
50+38.77 грн
100+35.13 грн
250+30.90 грн
500+28.53 грн
1000+26.58 грн
2000+25.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBF description Infineon_IRLZ34N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLZ34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 27A 16.7nC 35mOhm LogLvAB
на замовлення 2058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+126.35 грн
10+66.48 грн
100+44.38 грн
500+35.44 грн
1000+32.70 грн
2000+29.33 грн
5000+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBF description INFN-S-A0012905113-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLZ34NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLZ34NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 27 A, 0.035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+135.38 грн
13+68.18 грн
100+60.80 грн
500+44.42 грн
1000+37.34 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBF description irlz34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567206892720
IRLZ34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 6553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+136.87 грн
50+62.38 грн
100+55.62 грн
500+41.06 грн
1000+37.48 грн
2000+34.46 грн
5000+30.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBF description infineonirlz34ndatasheetv0101en.pdf
IRLZ34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

1N4007
Код товару: 176822
16 Додати до обраних Обраний товар
1N4001-ds.PDF
1N4007
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
у наявності: 72188 шт
65151 шт - склад
951 шт - РАДІОМАГ-Київ
4244 шт - РАДІОМАГ-Львів
1526 шт - РАДІОМАГ-Харків
316 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
20+1.00 грн
25+0.80 грн
100+0.60 грн
1000+0.45 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
470uF 16V EXR 10x12,5mm (low imp.) (EXR471M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 1318
2 Додати до обраних Обраний товар
EXR_080421.pdf
470uF 16V EXR 10x12,5mm (low imp.) (EXR471M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х12,5mm
Строк життя: 5000 годин
товару немає в наявності
очікується: 10000 шт
10000 шт - очікується 10.08.2026
КількістьЦіна
5+4.00 грн
10+3.50 грн
100+3.10 грн
1000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
20 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-20KR-Hitano) (S)
Код товару: 13795
Додати до обраних Обраний товар
CR-S_080911.pdf
20 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-20KR-Hitano) (S)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 20 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвив = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
товару немає в наявності
очікується: 5000 шт
5000 шт - очікується
КількістьЦіна
30+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000
Код товару: 20638
2 Додати до обраних Обраний товар
2N7000-D.PDF
2N7000
Виробник: NXP
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,3 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
Монтаж: THT
у наявності: 1707 шт
1707 шт - склад
КількістьЦіна
5+4.00 грн
10+3.60 грн
100+3.20 грн
1000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R16 10 kOhm лінійний моно (KLS4-WH148-1A-2-18T-B103-L15)
Код товару: 28623
16 Додати до обраних Обраний товар
ygigig468925rtdrtcdgvvfhge.jpg
R16 10 kOhm лінійний моно (KLS4-WH148-1A-2-18T-B103-L15)
Виробник: CTR
Резистори > Змінні резистори (потенціометри)
Номінал: 10 kOhm
Опис: Вуглецевий потенціометр лінійний, моно
Вид: Поворотний
Розміри: D=17 мм
Потужність: 0,06 W
Шток: 15 mm
Характеристика: Лінійний
у наявності: 2685 шт
2614 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
19 шт - РАДІОМАГ-Львів
18 шт - РАДІОМАГ-Харків
19 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 40 шт
40 шт - очікується
КількістьЦіна
2+13.50 грн
10+12.20 грн
100+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.