Продукція > ONSEMI > NTD3055-150T4G
NTD3055-150T4G

NTD3055-150T4G onsemi

ntd3055-150-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+25.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD3055-150T4G onsemi

Description: ONSEMI - NTD3055-150T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 28.8W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm.

Інші пропозиції NTD3055-150T4G за ціною від 29.26 грн до 105.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G ON Semiconductor ntd3055150d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G ON Semiconductor ntd3055150d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G ON Semiconductor ntd3055150d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
376+37.61 грн
382+37.04 грн
388+36.46 грн
394+34.59 грн
500+31.52 грн
1000+29.76 грн
3000+29.26 грн
Мінімальне замовлення: 376 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G ON Semiconductor ntd3055150d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.20 грн
21+37.61 грн
25+37.04 грн
100+35.15 грн
250+32.03 грн
500+30.26 грн
1000+29.76 грн
3000+29.26 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G ON Semiconductor ntd3055150d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
776+45.49 грн
Мінімальне замовлення: 776 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G onsemi ntd3055-150-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 2831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.58 грн
10+63.86 грн
50+47.66 грн
100+39.80 грн
500+31.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G onsemi ntd3055-150-d.pdf MOSFETs 60V 9A N-Channel
на замовлення 3028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G ONSEMI 2355438.pdf Description: ONSEMI - NTD3055-150T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 28.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G ONSEMI 2355438.pdf Description: ONSEMI - NTD3055-150T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 28.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G**********
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G************
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055150T4G ON
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G ON ntd3055-150-d.pdf TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G ntd3055150d.pdf
NTD3055-150T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+35.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G ntd3055150d.pdf
NTD3055-150T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G ntd3055150d.pdf
NTD3055-150T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
376+37.61 грн
382+37.04 грн
388+36.46 грн
394+34.59 грн
500+31.52 грн
1000+29.76 грн
3000+29.26 грн
Мінімальне замовлення: 376 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G ntd3055150d.pdf
NTD3055-150T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+38.20 грн
21+37.61 грн
25+37.04 грн
100+35.15 грн
250+32.03 грн
500+30.26 грн
1000+29.76 грн
3000+29.26 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G ntd3055150d.pdf
NTD3055-150T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
776+45.49 грн
Мінімальне замовлення: 776 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G ntd3055-150-d.pdf
NTD3055-150T4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 2831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+105.58 грн
10+63.86 грн
50+47.66 грн
100+39.80 грн
500+31.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G ntd3055-150-d.pdf
NTD3055-150T4G
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V 9A N-Channel
на замовлення 3028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G 2355438.pdf
NTD3055-150T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD3055-150T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 28.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G 2355438.pdf
NTD3055-150T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD3055-150T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 28.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G**********
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G************
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055150T4G
Виробник: ON
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G ntd3055-150-d.pdf
Виробник: ON
TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.