Продукція > ONSEMI > NTD3055-150T4G
NTD3055-150T4G

NTD3055-150T4G onsemi

ntd3055-150-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.62 грн
5000+23.73 грн
7500+22.77 грн
12500+20.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD3055-150T4G onsemi

Description: ONSEMI - NTD3055-150T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28.8W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTD3055-150T4G за ціною від 23.02 грн до 100.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G Виробник : ON Semiconductor ntd3055150d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
445+27.90 грн
450+27.62 грн
452+27.47 грн
455+26.34 грн
500+24.25 грн
1000+23.15 грн
3000+23.02 грн
Мінімальне замовлення: 445
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G Виробник : ON Semiconductor ntd3055150d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G Виробник : ON Semiconductor ntd3055150d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+31.67 грн
24+29.89 грн
25+29.59 грн
100+28.38 грн
250+26.13 грн
500+24.95 грн
1000+24.80 грн
3000+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G Виробник : ON Semiconductor ntd3055150d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G Виробник : ONSEMI 2355438.pdf Description: ONSEMI - NTD3055-150T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.84 грн
500+32.75 грн
1000+27.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G Виробник : onsemi NTD3055-150-D.PDF MOSFETs 60V 9A N-Channel
на замовлення 3259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.35 грн
10+44.00 грн
100+30.44 грн
500+29.59 грн
1000+26.72 грн
2500+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G Виробник : ONSEMI 2355438.pdf Description: ONSEMI - NTD3055-150T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+61.60 грн
50+45.70 грн
100+36.84 грн
500+32.75 грн
1000+27.48 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G Виробник : onsemi ntd3055-150-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 30652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.54 грн
10+60.91 грн
100+40.37 грн
500+29.61 грн
1000+26.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G Виробник : ON ntd3055-150-d.pdf TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G Виробник : ON Semiconductor ntd3055-150-d.pdf
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G************
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G Виробник : ON ntd3055-150-d.pdf 09+ SOP8
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055150T4G Виробник : ON
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G**********
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G Виробник : ON Semiconductor ntd3055150d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G Виробник : ON Semiconductor ntd3055-150-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G Виробник : ONSEMI ntd3055-150-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 27A; 28.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 28.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.