NTD3055-150T4G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 24.53 грн |
| 5000+ | 21.87 грн |
| 7500+ | 20.98 грн |
| 12500+ | 19.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTD3055-150T4G onsemi
Description: ONSEMI - NTD3055-150T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28.8W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NTD3055-150T4G за ціною від 21.42 грн до 106.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTD3055-150T4G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTD3055-150T4G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTD3055-150T4G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTD3055-150T4G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTD3055-150T4G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTD3055-150T4G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V |
на замовлення 15636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTD3055-150T4G | onsemi |
MOSFETs 60V 9A N-Channel |
на замовлення 3224 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTD3055-150T4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD3055-150T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 28.8W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTD3055-150T4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD3055-150T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 28.8W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 88 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD3055-150T4G********** |
на замовлення 23000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTD3055-150T4G************ |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTD3055150T4G | ON |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD3055-150T4G | ON |
TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTD3055-150T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 35.37 грн |
| NTD3055-150T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 35.48 грн |
| NTD3055-150T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 395+ | 35.89 грн |
| 401+ | 35.34 грн |
| 407+ | 34.78 грн |
| 414+ | 33.00 грн |
| 500+ | 30.07 грн |
| 1000+ | 28.39 грн |
| 3000+ | 27.92 грн |
| NTD3055-150T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 36.44 грн |
| 22+ | 35.89 грн |
| 25+ | 35.34 грн |
| 100+ | 33.54 грн |
| 250+ | 30.56 грн |
| 500+ | 28.87 грн |
| 1000+ | 28.39 грн |
| 3000+ | 27.92 грн |
| NTD3055-150T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 776+ | 45.59 грн |
| NTD3055-150T4G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 15636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.99 грн |
| 10+ | 56.11 грн |
| 100+ | 37.21 грн |
| 500+ | 27.29 грн |
| 1000+ | 24.83 грн |
| NTD3055-150T4G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V 9A N-Channel
MOSFETs 60V 9A N-Channel
на замовлення 3224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 96.43 грн |
| 10+ | 59.17 грн |
| 100+ | 34.16 грн |
| 500+ | 26.86 грн |
| 1000+ | 24.31 грн |
| 2500+ | 21.77 грн |
| 5000+ | 21.42 грн |
| NTD3055-150T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD3055-150T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NTD3055-150T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 106.88 грн |
| 50+ | 66.70 грн |
| NTD3055-150T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD3055-150T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NTD3055-150T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTD3055-150T4G********** |
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| NTD3055-150T4G************ |
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| NTD3055150T4G |
Виробник: ON
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| NTD3055-150T4G |
![]() |
Виробник: ON
TO-252/D-PAK
TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)





