Продукція > ONSEMI > NTD3055-150T4G

NTD3055-150T4G onsemi


ntd3055-150-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+24.53 грн
5000+21.87 грн
7500+20.98 грн
12500+19.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD3055-150T4G onsemi

Description: ONSEMI - NTD3055-150T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28.8W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTD3055-150T4G за ціною від 21.42 грн до 106.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G ON Semiconductor ntd3055150d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G ON Semiconductor ntd3055150d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G ON Semiconductor ntd3055150d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+35.89 грн
401+35.34 грн
407+34.78 грн
414+33.00 грн
500+30.07 грн
1000+28.39 грн
3000+27.92 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G ON Semiconductor ntd3055150d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.44 грн
22+35.89 грн
25+35.34 грн
100+33.54 грн
250+30.56 грн
500+28.87 грн
1000+28.39 грн
3000+27.92 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G ON Semiconductor ntd3055150d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
776+45.59 грн
Мінімальне замовлення: 776 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G onsemi ntd3055-150-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 15636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.99 грн
10+56.11 грн
100+37.21 грн
500+27.29 грн
1000+24.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G onsemi ntd3055-150-d.pdf MOSFETs 60V 9A N-Channel
на замовлення 3224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.43 грн
10+59.17 грн
100+34.16 грн
500+26.86 грн
1000+24.31 грн
2500+21.77 грн
5000+21.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G ONSEMI 2355438.pdf Description: ONSEMI - NTD3055-150T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.88 грн
50+66.70 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G ONSEMI 2355438.pdf Description: ONSEMI - NTD3055-150T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G**********
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G************
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055150T4G ON
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G ON ntd3055-150-d.pdf TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G ntd3055150d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+35.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G ntd3055150d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+35.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G ntd3055150d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
395+35.89 грн
401+35.34 грн
407+34.78 грн
414+33.00 грн
500+30.07 грн
1000+28.39 грн
3000+27.92 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G ntd3055150d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
21+36.44 грн
22+35.89 грн
25+35.34 грн
100+33.54 грн
250+30.56 грн
500+28.87 грн
1000+28.39 грн
3000+27.92 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G ntd3055150d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
776+45.59 грн
Мінімальне замовлення: 776 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G ntd3055-150-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 15636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+92.99 грн
10+56.11 грн
100+37.21 грн
500+27.29 грн
1000+24.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G ntd3055-150-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V 9A N-Channel
на замовлення 3224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+96.43 грн
10+59.17 грн
100+34.16 грн
500+26.86 грн
1000+24.31 грн
2500+21.77 грн
5000+21.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G 2355438.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD3055-150T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+106.88 грн
50+66.70 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G 2355438.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD3055-150T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G**********
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G************
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055150T4G
Виробник: ON
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G ntd3055-150-d.pdf
Виробник: ON
TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.