Інші пропозиції SI2302CDS-T1-GE3 за ціною від 8.94 грн до 58.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI2302CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 710mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V |
на замовлення 142000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SI2302CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.045OHM, 2.6A, TO-236, FULL REELtariffCode: 85412100 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SI2302CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, TO-236, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 56646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SI2302CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SI2302CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.1A Power dissipation: 0.46W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 57mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 8290 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SI2302CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 710mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V |
на замовлення 142115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SI2302CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23 |
на замовлення 173566 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SI2302CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, TO-236, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 56646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| SI2302CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 8V; 75mOhm; 2,6A; 710mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2302CDS-T1-GE3; SI2302CDS-T1; SI2302CDS TSI2302cdsкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
SI2302CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| SI2302CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| Радіатор до однофазних реле 10A-40A (size S: 80х50х50мм, колір алюміній) Код товару: 153612
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
очікується:
500 шт
500 шт - очікується 22.06.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 48.50 грн |
| 10+ | 43.60 грн |
| Реле V23061-A1005-A302 (2-1393222-0) Код товару: 126054
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: TE Connectivity
Реле
Тип реле: Реле середньої потужності (5-20А)
Опис: Тип контактів: 1C; Uкотушки: 12В; Iкомутації: 8А
Габарити: 28,6x10x15 mm
Напруга котушки: 12 VDC
Струм макс.: 8 A
Конфігурація контактів: SPST-NO(1C)
Напруга перемикання: 240 VAC; 30 VDC
Реле
Тип реле: Реле середньої потужності (5-20А)
Опис: Тип контактів: 1C; Uкотушки: 12В; Iкомутації: 8А
Габарити: 28,6x10x15 mm
Напруга котушки: 12 VDC
Струм макс.: 8 A
Конфігурація контактів: SPST-NO(1C)
Напруга перемикання: 240 VAC; 30 VDC
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 122.00 грн |
| 10+ | 115.50 грн |
| Кліщі 6PK-301H Код товару: 26260
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Pro'sKit
Інструмент > Обжимний інструмент
Тип: Інструмент для обтиску
Опис: Кліщі для обтиску ізольованих контактів і клем на провід AWG 10-12,14-16,18-20
Інструмент > Обжимний інструмент
Тип: Інструмент для обтиску
Опис: Кліщі для обтиску ізольованих контактів і клем на провід AWG 10-12,14-16,18-20
у наявності: 10 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1050.00 грн |
| IRF7341TRPBF Код товару: 25204
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 55 V
Idd,A: 4,7 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 55 V
Idd,A: 4,7 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 221 шт
173 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
28 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
28 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 33.00 грн |
| 10+ | 29.50 грн |
| 10uF 16V EHV SMD sizeA (EHV100M16RA) (електролітичний конденсатор SMD) Код товару: 23397
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні SMD конденсатори
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EHV-SMD високотемпературні
Темп.діапазон: -40...+105°C
Типорозмір,габарити: SMD size A
Макс.пульс.струм: 17mA
Конденсатори > Електролітичні SMD конденсатори
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EHV-SMD високотемпературні
Темп.діапазон: -40...+105°C
Типорозмір,габарити: SMD size A
Макс.пульс.струм: 17mA
товару немає в наявності
очікується:
4000 шт
4000 шт - очікується 10.08.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 2.50 грн |
| 10+ | 2.00 грн |
| 100+ | 1.70 грн |
| 1000+ | 1.30 грн |












