SI2302CDS-T1-GE3


si2302cds.pdf
Код товару: 210891
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI2302CDS-T1-GE3 за ціною від 8.94 грн до 58.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2302cds.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 142000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.84 грн
6000+11.33 грн
9000+10.80 грн
15000+9.58 грн
21000+9.26 грн
30000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0008934058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.045OHM, 2.6A, TO-236, FULL REEL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0008934058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 56646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.56 грн
500+16.66 грн
1500+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
403+32.12 грн
556+23.30 грн
1000+20.65 грн
3000+16.65 грн
6000+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 403
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2302cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8290 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+49.82 грн
14+31.46 грн
50+22.29 грн
100+19.26 грн
500+13.96 грн
1000+12.37 грн
3000+10.35 грн
6000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2302cds.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 142115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.03 грн
10+32.63 грн
100+21.02 грн
500+15.03 грн
1000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2302cds.pdf MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 173566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.48 грн
10+35.04 грн
100+19.64 грн
500+14.95 грн
1000+13.49 грн
3000+11.53 грн
6000+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0008934058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 56646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+58.62 грн
50+36.53 грн
100+23.56 грн
500+16.66 грн
1500+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2302cds.pdf Tranzystor N-MOSFET; 20V; 8V; 75mOhm; 2,6A; 710mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2302CDS-T1-GE3; SI2302CDS-T1; SI2302CDS TSI2302cds
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2302cds.pdf MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

Радіатор до однофазних реле 10A-40A (size S: 80х50х50мм, колір алюміній)
Код товару: 153612
3 Додати до обраних Обраний товар
Кріплення та металеві вироби > Радіатори
Опис: Радіатор 80х50х50мм для SSR реле, білий
товару немає в наявності
очікується: 500 шт
500 шт - очікується 22.06.2026
Кількість Ціна
1+48.50 грн
10+43.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Реле V23061-A1005-A302 (2-1393222-0)
Код товару: 126054
Додати до обраних Обраний товар
msr_v23061-datasheet.pdf
Виробник: TE Connectivity
Реле
Тип реле: Реле середньої потужності (5-20А)
Опис: Тип контактів: 1C; Uкотушки: 12В; Iкомутації: 8А
Габарити: 28,6x10x15 mm
Напруга котушки: 12 VDC
Струм макс.: 8 A
Конфігурація контактів: SPST-NO(1C)
Напруга перемикання: 240 VAC; 30 VDC
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+122.00 грн
10+115.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Кліщі 6PK-301H
Код товару: 26260
Додати до обраних Обраний товар
product_detail.asp?catid=5&itemid=6PK-301H
Кліщі 6PK-301H
Виробник: Pro'sKit
Інструмент > Обжимний інструмент
Тип: Інструмент для обтиску
Опис: Кліщі для обтиску ізольованих контактів і клем на провід AWG 10-12,14-16,18-20
у наявності: 10 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+1050.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBF
Код товару: 25204
1 Додати до обраних Обраний товар
description IRF7341.pdf
IRF7341TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 55 V
Idd,A: 4,7 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 221 шт
173 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
28 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+33.00 грн
10+29.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
10uF 16V EHV SMD sizeA (EHV100M16RA) (електролітичний конденсатор SMD)
Код товару: 23397
Додати до обраних Обраний товар
EHV_090806.pdf
10uF 16V EHV SMD sizeA (EHV100M16RA) (електролітичний конденсатор SMD)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні SMD конденсатори
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EHV-SMD високотемпературні
Темп.діапазон: -40...+105°C
Типорозмір,габарити: SMD size A
Макс.пульс.струм: 17mA
товару немає в наявності
очікується: 4000 шт
4000 шт - очікується 10.08.2026
Кількість Ціна
8+2.50 грн
10+2.00 грн
100+1.70 грн
1000+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.