Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SI2302CDS-T1-GE3

SI2302CDS-T1-GE3

si2302cds.pdf
Код товару: 210891
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI2302CDS-T1-GE3 за ціною від 9.02 грн до 69.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2302cds.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.96 грн
6000+11.44 грн
9000+10.91 грн
15000+9.68 грн
21000+9.35 грн
30000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.32 грн
6000+13.55 грн
9000+12.83 грн
15000+12.14 грн
21000+11.03 грн
30000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.95 грн
6000+16.46 грн
9000+15.70 грн
15000+14.31 грн
21000+12.79 грн
30000+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
383+36.71 грн
536+26.22 грн
1000+22.82 грн
3000+17.83 грн
6000+15.92 грн
Мінімальне замовлення: 383 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 VISHAY si2302cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.46W
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 6834 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+52.33 грн
13+32.78 грн
50+23.31 грн
100+20.18 грн
500+14.41 грн
1000+12.52 грн
3000+10.13 грн
6000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2302cds.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 81597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.42 грн
10+32.91 грн
100+21.22 грн
500+15.18 грн
1000+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.84 грн
17+46.51 грн
100+31.38 грн
500+23.07 грн
1000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors si2302cds.pdf MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 125532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0008934058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 710mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 52148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0008934058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 710mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 52148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0008934058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.045OHM, 2.6A, TO-236, FULL REEL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 710mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 Vishay si2302cds.pdf Tranzystor N-MOSFET; 20V; 8V; 75mOhm; 2,6A; 710mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2302CDS-T1-GE3; SI2302CDS-T1; SI2302CDS TSI2302cds
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.74 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.96 грн
6000+11.44 грн
9000+10.91 грн
15000+9.68 грн
21000+9.35 грн
30000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.32 грн
6000+13.55 грн
9000+12.83 грн
15000+12.14 грн
21000+11.03 грн
30000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.95 грн
6000+16.46 грн
9000+15.70 грн
15000+14.31 грн
21000+12.79 грн
30000+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
383+36.71 грн
536+26.22 грн
1000+22.82 грн
3000+17.83 грн
6000+15.92 грн
Мінімальне замовлення: 383 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.46W
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 6834 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+52.33 грн
13+32.78 грн
50+23.31 грн
100+20.18 грн
500+14.41 грн
1000+12.52 грн
3000+10.13 грн
6000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 81597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+55.42 грн
10+32.91 грн
100+21.22 грн
500+15.18 грн
1000+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+69.84 грн
17+46.51 грн
100+31.38 грн
500+23.07 грн
1000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 125532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 VISH-S-A0008934058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2302CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 710mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 52148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 VISH-S-A0008934058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2302CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 710mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 52148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 VISH-S-A0008934058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2302CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.045OHM, 2.6A, TO-236, FULL REEL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 710mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 si2302cds.pdf
Виробник: Vishay
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 8V; 75mOhm; 2,6A; 710mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2302CDS-T1-GE3; SI2302CDS-T1; SI2302CDS TSI2302cds
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+10.74 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

Радіатор до однофазних реле 10A-40A (size S: 80х50х50мм, колір алюміній)
Код товару: 153612
3 Додати до обраних Обраний товар
Радіатор до однофазних реле 10A-40A (size S: 80х50х50мм, колір алюміній)Радіатор до однофазних реле 10A-40A (size S: 80х50х50мм, колір алюміній)
Радіатор до однофазних реле 10A-40A (size S: 80х50х50мм, колір алюміній)Радіатор до однофазних реле 10A-40A (size S: 80х50х50мм, колір алюміній)
Кріплення та металеві вироби > Радіатори
Опис: Радіатор 80х50х50мм для SSR реле, білий
у наявності: 436 шт
  • 410 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+48.50 грн
10+43.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Реле V23061-A1005-A302 (2-1393222-0)
Код товару: 126054
Додати до обраних Обраний товар
msr_v23061-datasheet.pdf
Реле V23061-A1005-A302 (2-1393222-0)Реле V23061-A1005-A302 (2-1393222-0)
Реле V23061-A1005-A302 (2-1393222-0)Реле V23061-A1005-A302 (2-1393222-0)
Виробник: TE Connectivity
Реле
Тип реле: Реле середньої потужності (5-20A)
Опис: Тип контактів: 1C; Uкотушки: 12В; Iкомутації: 8А
Габарити: 28,6x10x15 мм
Напруга котушки: 12 VDC
Струм макс.: 8 А
Конфігурація контактів: SPST-NO(1C)
Напруга перемикання: 240 VAC; 30 VDC
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+180.00 грн
10+166.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Кліщі 6PK-301H
Код товару: 26260
Додати до обраних Обраний товар
product_detail.asp?catid=5&itemid=6PK-301H
Кліщі 6PK-301H
Виробник: Pro'sKit
Інструмент > Обжимний інструмент
Тип: Інструмент для обтиску
Опис: Кліщі для обтиску ізольованих контактів і клем на провід AWG 10-12,14-16,18-20
у наявності: 7 шт
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+1050.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBF
Код товару: 25204
1 Додати до обраних Обраний товар
description IRF7341.pdf
IRF7341TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 4,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 740/24
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 217 шт
  • 171 шт - склад
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 28 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+33.00 грн
10+29.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
10uF 16V EHV SMD sizeA (EHV100M16RA) (електролітичний конденсатор SMD)
Код товару: 23397
Додати до обраних Обраний товар
EHV_090806.pdf
10uF 16V EHV SMD sizeA (EHV100M16RA) (електролітичний конденсатор SMD)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні SMD конденсатори
Ємність: 10 мкФ
Номінальна напруга: 16 В
Серія: EHV, SMD високотемпературні
Температурний діапазон: -40...+105°С
Типорозмір, габарити: SMD size A
Макс. пульсуючий струм: 17 мА
товару немає в наявності
очікується: 4000 шт
  • 4000 шт - очікується 10.08.2026
КількістьЦіна без ПДВ
8+2.50 грн
10+2.00 грн
100+1.70 грн
1000+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.