Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SI2302CDS-T1-GE3

SI2302CDS-T1-GE3

si2302cds.pdf
Код товару: 210891
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI2302CDS-T1-GE3 за ціною від 9.01 грн до 81.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2302cds.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 106495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.95 грн
6000+11.43 грн
9000+10.90 грн
15000+9.67 грн
21000+9.34 грн
30000+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0008934058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.045OHM, 2.6A, TO-236, FULL REEL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 710mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0008934058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 710mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 53985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.41 грн
500+20.01 грн
1500+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
379+37.36 грн
528+26.80 грн
1000+23.23 грн
3000+18.20 грн
6000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 379 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 VISHAY si2302cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7337 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.91 грн
13+33.77 грн
50+24.01 грн
100+20.79 грн
500+14.85 грн
1000+12.90 грн
3000+10.44 грн
6000+10.10 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2302cds.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 106519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.51 грн
10+32.91 грн
100+21.20 грн
500+15.16 грн
1000+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors si2302cds.pdf MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 137877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.97 грн
10+35.34 грн
100+19.81 грн
500+15.08 грн
1000+13.60 грн
3000+11.63 грн
6000+10.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0008934058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 710mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 53985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.81 грн
50+39.47 грн
100+25.41 грн
500+20.01 грн
1500+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.28 грн
16+50.26 грн
100+32.38 грн
500+23.79 грн
1000+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 Vishay si2302cds.pdf Tranzystor N-MOSFET; 20V; 8V; 75mOhm; 2,6A; 710mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2302CDS-T1-GE3; SI2302CDS-T1; SI2302CDS TSI2302cds
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 106495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+12.95 грн
6000+11.43 грн
9000+10.90 грн
15000+9.67 грн
21000+9.34 грн
30000+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 VISH-S-A0008934058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2302CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.045OHM, 2.6A, TO-236, FULL REEL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 710mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 VISH-S-A0008934058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2302CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 710mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 53985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+25.41 грн
500+20.01 грн
1500+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
379+37.36 грн
528+26.80 грн
1000+23.23 грн
3000+18.20 грн
6000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 379 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7337 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+53.91 грн
13+33.77 грн
50+24.01 грн
100+20.79 грн
500+14.85 грн
1000+12.90 грн
3000+10.44 грн
6000+10.10 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 106519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+55.51 грн
10+32.91 грн
100+21.20 грн
500+15.16 грн
1000+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 137877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+57.97 грн
10+35.34 грн
100+19.81 грн
500+15.08 грн
1000+13.60 грн
3000+11.63 грн
6000+10.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 VISH-S-A0008934058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2302CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 710mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 53985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+63.81 грн
50+39.47 грн
100+25.41 грн
500+20.01 грн
1500+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+81.28 грн
16+50.26 грн
100+32.38 грн
500+23.79 грн
1000+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 si2302cds.pdf
Виробник: Vishay
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 8V; 75mOhm; 2,6A; 710mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2302CDS-T1-GE3; SI2302CDS-T1; SI2302CDS TSI2302cds
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

Радіатор до однофазних реле 10A-40A (size S: 80х50х50мм, колір алюміній)
Код товару: 153612
3 Додати до обраних Обраний товар
Радіатор до однофазних реле 10A-40A (size S: 80х50х50мм, колір алюміній)Радіатор до однофазних реле 10A-40A (size S: 80х50х50мм, колір алюміній)
Радіатор до однофазних реле 10A-40A (size S: 80х50х50мм, колір алюміній)Радіатор до однофазних реле 10A-40A (size S: 80х50х50мм, колір алюміній)
Кріплення та металеві вироби > Радіатори
Опис: Радіатор 80х50х50мм для SSR реле, білий
у наявності: 494 шт
  • 464 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
1+48.50 грн
10+43.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Реле V23061-A1005-A302 (2-1393222-0)
Код товару: 126054
Додати до обраних Обраний товар
msr_v23061-datasheet.pdf
Реле V23061-A1005-A302 (2-1393222-0)Реле V23061-A1005-A302 (2-1393222-0)
Реле V23061-A1005-A302 (2-1393222-0)Реле V23061-A1005-A302 (2-1393222-0)
Виробник: TE Connectivity
Реле
Тип реле: Реле середньої потужності (5-20А)
Опис: Тип контактів: 1C; Uкотушки: 12В; Iкомутації: 8А
Габарити: 28,6x10x15 mm
Напруга котушки: 12 VDC
Струм макс.: 8 A
Конфігурація контактів: SPST-NO(1C)
Напруга перемикання: 240 VAC; 30 VDC
товару немає в наявності
КількістьЦіна
1+122.00 грн
10+115.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Кліщі 6PK-301H
Код товару: 26260
Додати до обраних Обраний товар
product_detail.asp?catid=5&itemid=6PK-301H
Кліщі 6PK-301H
Виробник: Pro'sKit
Інструмент > Обжимний інструмент
Тип: Інструмент для обтиску
Опис: Кліщі для обтиску ізольованих контактів і клем на провід AWG 10-12,14-16,18-20
у наявності: 7 шт
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
1+1050.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBF
Код товару: 25204
1 Додати до обраних Обраний товар
description IRF7341.pdf
IRF7341TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 55 V
Idd,A: 4,7 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 221 шт
  • 173 шт - склад
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 28 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
1+33.00 грн
10+29.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
10uF 16V EHV SMD sizeA (EHV100M16RA) (електролітичний конденсатор SMD)
Код товару: 23397
Додати до обраних Обраний товар
EHV_090806.pdf
10uF 16V EHV SMD sizeA (EHV100M16RA) (електролітичний конденсатор SMD)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні SMD конденсатори
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EHV-SMD високотемпературні
Темп.діапазон: -40...+105°C
Типорозмір,габарити: SMD size A
Макс.пульс.струм: 17mA
товару немає в наявності
очікується: 4000 шт
  • 4000 шт - очікується 10.08.2026
КількістьЦіна
8+2.50 грн
10+2.00 грн
100+1.70 грн
1000+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.