Продукція > VISHAY > SI2302CDS-T1-GE3
SI2302CDS-T1-GE3

SI2302CDS-T1-GE3 Vishay

si2302cds.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+9.77 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2302CDS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.045OHM, 2.6A, TO-236, FULL REEL, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 710mW, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI2302CDS-T1-GE3 за ціною від 8.51 грн до 43.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 666000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.28 грн
6000+9.75 грн
9000+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2302cds.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 23500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.39 грн
6000+9.87 грн
9000+9.73 грн
15000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 666000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.07 грн
6000+10.50 грн
9000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0008934058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.045OHM, 2.6A, TO-236, FULL REEL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0008934058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.045 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 77895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.03 грн
500+18.16 грн
1500+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+25.60 грн
31+20.11 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC79935417D6143&compId=si2302cds.pdf?ci_sign=34ad82b4a4e4bbcce1ee89b45eda96c4079cb0b1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+29.63 грн
18+23.11 грн
50+19.42 грн
75+18.55 грн
91+10.30 грн
249+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC79935417D6143&compId=si2302cds.pdf?ci_sign=34ad82b4a4e4bbcce1ee89b45eda96c4079cb0b1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5815 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.55 грн
11+28.80 грн
50+23.30 грн
75+22.26 грн
91+12.36 грн
249+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3
Код товару: 210891
Додати до обраних Обраний товар

si2302cds.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2302cds.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 23669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.73 грн
15+22.25 грн
100+19.38 грн
500+15.09 грн
1000+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0008934058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.045 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 77895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+41.99 грн
50+27.17 грн
100+23.03 грн
500+18.16 грн
1500+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2302cds.pdf MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 223220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+43.58 грн
11+32.46 грн
100+21.13 грн
500+16.60 грн
1000+12.75 грн
3000+11.70 грн
6000+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2302cds.pdf Tranzystor N-MOSFET; 20V; 8V; 75mOhm; 2,6A; 710mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2302CDS-T1-GE3; SI2302CDS-T1; SI2302CDS TSI2302cds
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.