Продукція > VISHAY > SI2302CDS-T1-GE3

SI2302CDS-T1-GE3 Vishay

Name: SI2302CDS-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 4390048-7
Price: 371.85 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2145 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
37+	10.05 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI2302CDS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.045OHM, 2.6A, TO-236, FULL REEL, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 710mW, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI2302CDS-T1-GE3 за ціною від 8.15 грн до 59.23 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SI2302CDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

VISH-S-A0008934058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.045OHM, 2.6A, TO-236, FULL REEL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	11.93 грн
6000+	11.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2302CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 915000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	12.27 грн
6000+	12.10 грн
9000+	10.83 грн
24000+	8.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2302CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V

на замовлення 46200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	13.02 грн
6000+	11.49 грн
9000+	10.96 грн
15000+	9.72 грн
21000+	9.39 грн
30000+	9.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2302CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 915000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	13.15 грн
6000+	12.97 грн
9000+	11.60 грн
24000+	8.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2302CDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 69697 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	25.87 грн
500+	18.76 грн
1500+	15.45 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI2302CDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 505 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
13+	34.84 грн
18+	23.61 грн
50+	18.60 грн
100+	16.74 грн
500+	13.02 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SI2302CDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 505 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	41.80 грн
11+	29.43 грн
50+	22.32 грн
100+	20.09 грн
500+	15.62 грн
1000+	13.88 грн
3000+	11.64 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SI2302CDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 69697 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
19+	47.64 грн
50+	31.70 грн
100+	25.87 грн
500+	18.76 грн
1500+	15.45 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

SI2302CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1587 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
13+	55.15 грн
21+	34.34 грн
100+	26.37 грн
500+	19.22 грн
1000+	15.81 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SI2302CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V

на замовлення 46337 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	55.43 грн
10+	33.07 грн
100+	21.32 грн
500+	15.25 грн
1000+	13.72 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SI2302CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23

на замовлення 200284 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	59.23 грн
10+	36.34 грн
100+	20.42 грн
500+	15.53 грн
1000+	13.97 грн
3000+	11.96 грн
6000+	10.95 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SI2302CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Tranzystor N-MOSFET; 20V; 8V; 75mOhm; 2,6A; 710mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2302CDS-T1-GE3; SI2302CDS-T1; SI2302CDS TSI2302cds
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 800 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	10.05 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI2302CDS-T1-GE3
Код товару: 210891

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI2302CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI2302CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.