Продукція > QORVO (UNITEDSIC) > Всі товари виробника QORVO (UNITEDSIC) (6) > Сторінка 1 з 1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
UF3C065040K3S | Qorvo (UnitedSiC) |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 40A Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Kind of transistor: cascode Drain-source voltage: 650V Drain current: 40A Pulsed drain current: 125A Power dissipation: 326W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 42mΩ Mounting: THT Gate charge: 51nC Version: ESD |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
UF3C065040K3S | Qorvo (UnitedSiC) |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 40A Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Kind of transistor: cascode Drain-source voltage: 650V Drain current: 40A Pulsed drain current: 125A Power dissipation: 326W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 42mΩ Mounting: THT Gate charge: 51nC Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
| UJ2D1220K | Qorvo (UnitedSiC) | UJ2D1220K THT Schottky diodes |
на замовлення 7 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| UJ3C065030B3 | Qorvo (UnitedSiC) |
UJ3C065030B3 SMD N channel transistors |
на замовлення 15 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| UJ3C065080B3 | Qorvo (UnitedSiC) |
UJ3C065080B3 SMD N channel transistors |
на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| UJD06504TS | Qorvo (UnitedSiC) | UJD06504TS THT Schottky diodes |
на замовлення 7 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
| UF3C065040K3S |
![]() |
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 40A
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 40A
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Version: ESD
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3022.32 грн |
| 3+ | 2588.92 грн |
| UF3C065040K3S |
![]() |
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 40A
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 40A
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3626.79 грн |
| 3+ | 3226.19 грн |
| 5+ | 2976.18 грн |
| UJ2D1220K |
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
UJ2D1220K THT Schottky diodes
UJ2D1220K THT Schottky diodes
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 779.45 грн |
| 2+ | 708.94 грн |
| 5+ | 670.38 грн |
| 30+ | 669.47 грн |
| UJ3C065030B3 |
![]() |
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
UJ3C065030B3 SMD N channel transistors
UJ3C065030B3 SMD N channel transistors
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2247.46 грн |
| 2+ | 2124.86 грн |
| UJ3C065080B3 |
![]() |
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
UJ3C065080B3 SMD N channel transistors
UJ3C065080B3 SMD N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 731.53 грн |
| 5+ | 706.97 грн |
| UJD06504TS |
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
UJD06504TS THT Schottky diodes
UJD06504TS THT Schottky diodes
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 87.32 грн |
| 15+ | 79.10 грн |
| 30+ | 74.96 грн |

