Продукція > QORVO (UNITEDSIC) > Всі товари виробника QORVO (UNITEDSIC) (12) > Сторінка 1 з 1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UF3C065040K3S UF3C065040K3S Qorvo (UnitedSiC) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990B3E56ED9F758BF&compId=UF3C065040K3S.pdf?ci_sign=2dca3be9dcade15b13a4f5e27ffb2c952ec4315f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 40A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Version: ESD
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2179.58 грн
2+1913.54 грн
3+1912.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080K4S UF3C065080K4S Qorvo (UnitedSiC) UF3C065080K4S.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 23A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 190W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 43nC
Technology: SiC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 65A
Mounting: THT
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1951.80 грн
2+1717.36 грн
3+1674.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ2D1220K UJ2D1220K Qorvo (UnitedSiC) UJ2D1220K.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; UJ2D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 120A
Power dissipation: 60/272W
Manufacturer series: UJ2D
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+604.11 грн
2+547.16 грн
3+519.58 грн
5+517.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030B3 UJ3C065030B3 Qorvo (UnitedSiC) UJ3C065030B3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 47A
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Power dissipation: 250W
Version: ESD
Gate charge: 51nC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 230A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1866.79 грн
2+1639.19 грн
10+1601.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030K3S UJ3C065030K3S Qorvo (UnitedSiC) UJ3C065030K3S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 441W
Version: ESD
Gate charge: 51nC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 230A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080B3 UJ3C065080B3 Qorvo (UnitedSiC) UJ3C065080B3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 18.2A
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Power dissipation: 115W
Version: ESD
Gate charge: 51nC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 65A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18.2A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+603.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080K3S UJ3C065080K3S Qorvo (UnitedSiC) UJ3C065080K3S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 190W
Version: ESD
Gate charge: 51nC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 65A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 23A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080T3S UJ3C065080T3S Qorvo (UnitedSiC) UJ3C065080T3S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 23A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 190W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 51nC
Technology: SiC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 65A
Mounting: THT
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+896.26 грн
2+786.26 грн
3+767.87 грн
4+743.35 грн
10+714.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120040K3S UJ3C120040K3S Qorvo (UnitedSiC) UJ3C120040K3S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 1.2kV; 47A
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 429W
Version: ESD
Gate charge: 51nC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 175A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 47A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06530TS UJ3D06530TS Qorvo (UnitedSiC) UJ3D06530TS.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO220-2; UJ3D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 150A
Power dissipation: 67.3/288.5W
Manufacturer series: UJ3D
Features of semiconductor devices: MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220KSD UJ3D1220KSD Qorvo (UnitedSiC) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE897B87AC4FA2A33D7&compId=UJ3D1220KSD.pdf?ci_sign=db0e63ba3a96adae9740285a3af86a763a2ee60f Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; UJ3D
Manufacturer series: UJ3D
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.4V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 220A
Power dissipation: 53.2/468.8W
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+722.95 грн
2+654.45 грн
4+618.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJD06504TS UJD06504TS Qorvo (UnitedSiC) UJD06504TS.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.5V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 24A
Power dissipation: 9/71W
Manufacturer series: UJD
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+58.24 грн
10+55.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065040K3S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990B3E56ED9F758BF&compId=UF3C065040K3S.pdf?ci_sign=2dca3be9dcade15b13a4f5e27ffb2c952ec4315f
UF3C065040K3S
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 40A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Version: ESD
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2179.58 грн
2+1913.54 грн
3+1912.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080K4S UF3C065080K4S.PDF
UF3C065080K4S
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 23A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 190W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 43nC
Technology: SiC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 65A
Mounting: THT
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1951.80 грн
2+1717.36 грн
3+1674.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ2D1220K UJ2D1220K.pdf
UJ2D1220K
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; UJ2D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 120A
Power dissipation: 60/272W
Manufacturer series: UJ2D
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+604.11 грн
2+547.16 грн
3+519.58 грн
5+517.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030B3 UJ3C065030B3.pdf
UJ3C065030B3
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 47A
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Power dissipation: 250W
Version: ESD
Gate charge: 51nC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 230A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1866.79 грн
2+1639.19 грн
10+1601.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030K3S UJ3C065030K3S.pdf
UJ3C065030K3S
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 441W
Version: ESD
Gate charge: 51nC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 230A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080B3 UJ3C065080B3.pdf
UJ3C065080B3
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 18.2A
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Power dissipation: 115W
Version: ESD
Gate charge: 51nC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 65A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18.2A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+603.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080K3S UJ3C065080K3S.pdf
UJ3C065080K3S
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 190W
Version: ESD
Gate charge: 51nC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 65A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 23A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080T3S UJ3C065080T3S.pdf
UJ3C065080T3S
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 23A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 190W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 51nC
Technology: SiC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 65A
Mounting: THT
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+896.26 грн
2+786.26 грн
3+767.87 грн
4+743.35 грн
10+714.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120040K3S UJ3C120040K3S.pdf
UJ3C120040K3S
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 1.2kV; 47A
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 429W
Version: ESD
Gate charge: 51nC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 175A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 47A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06530TS UJ3D06530TS.pdf
UJ3D06530TS
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO220-2; UJ3D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 150A
Power dissipation: 67.3/288.5W
Manufacturer series: UJ3D
Features of semiconductor devices: MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220KSD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE897B87AC4FA2A33D7&compId=UJ3D1220KSD.pdf?ci_sign=db0e63ba3a96adae9740285a3af86a763a2ee60f
UJ3D1220KSD
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; UJ3D
Manufacturer series: UJ3D
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.4V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 220A
Power dissipation: 53.2/468.8W
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+722.95 грн
2+654.45 грн
4+618.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJD06504TS UJD06504TS.pdf
UJD06504TS
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.5V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 24A
Power dissipation: 9/71W
Manufacturer series: UJD
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+58.24 грн
10+55.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.