Продукція > QORVO (UNITEDSIC) > Всі товари виробника QORVO (UNITEDSIC) (5) > Сторінка 1 з 1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UF3C065040K3S UF3C065040K3S Qorvo (UnitedSiC) UF3C065040K3S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 40A
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Version: ESD
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2804.61 грн
3+2402.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ2D1220K UJ2D1220K Qorvo (UnitedSiC) UJ2D1220K.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; UJ2D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 120A
Power dissipation: 60/272W
Manufacturer series: UJ2D
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+663.11 грн
3+570.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030B3 UJ3C065030B3 Qorvo (UnitedSiC) UJ3C065030B3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 47A
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Power dissipation: 250W
Drain current: 47A
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 230A
Drain-source voltage: 650V
Kind of transistor: cascode
Version: ESD
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 51nC
On-state resistance: 27mΩ
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1868.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080B3 UJ3C065080B3 Qorvo (UnitedSiC) UJ3C065080B3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 18.2A
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Gate charge: 51nC
On-state resistance: 80mΩ
Drain current: 18.2A
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 115W
Pulsed drain current: 65A
Drain-source voltage: 650V
Version: ESD
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Kind of transistor: cascode
Polarisation: unipolar
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+619.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJD06504TS UJD06504TS Qorvo (UnitedSiC) UJD06504TS.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.5V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 24A
Power dissipation: 9/71W
Manufacturer series: UJD
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+63.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065040K3S UF3C065040K3S.pdf
UF3C065040K3S
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 40A
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Version: ESD
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2804.61 грн
3+2402.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ2D1220K UJ2D1220K.pdf
UJ2D1220K
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; UJ2D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 120A
Power dissipation: 60/272W
Manufacturer series: UJ2D
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+663.11 грн
3+570.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030B3 UJ3C065030B3.pdf
UJ3C065030B3
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 47A
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Power dissipation: 250W
Drain current: 47A
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 230A
Drain-source voltage: 650V
Kind of transistor: cascode
Version: ESD
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 51nC
On-state resistance: 27mΩ
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1868.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080B3 UJ3C065080B3.pdf
UJ3C065080B3
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 18.2A
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Gate charge: 51nC
On-state resistance: 80mΩ
Drain current: 18.2A
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 115W
Pulsed drain current: 65A
Drain-source voltage: 650V
Version: ESD
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Kind of transistor: cascode
Polarisation: unipolar
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+619.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJD06504TS UJD06504TS.pdf
UJD06504TS
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.5V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 24A
Power dissipation: 9/71W
Manufacturer series: UJD
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+63.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.