Продукція > QORVO (UNITEDSIC) > Всі товари виробника QORVO (UNITEDSIC) (3) > Сторінка 1 з 1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UF3C065040K3S UF3C065040K3S Qorvo (UnitedSiC) UF3C065040K3S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 40A
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Version: ESD
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2798.24 грн
3+2396.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030B3 UJ3C065030B3 Qorvo (UnitedSiC) UJ3C065030B3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 47A
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Version: ESD
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1850.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080B3 UJ3C065080B3 Qorvo (UnitedSiC) UJ3C065080B3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 18.2A
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18.2A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Version: ESD
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+615.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065040K3S UF3C065040K3S.pdf
UF3C065040K3S
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 40A
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Version: ESD
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2798.24 грн
3+2396.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030B3 UJ3C065030B3.pdf
UJ3C065030B3
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 47A
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Version: ESD
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1850.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080B3 UJ3C065080B3.pdf
UJ3C065080B3
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 18.2A
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18.2A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Version: ESD
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+615.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.