Продукція > QORVO (UNITEDSIC) > Всі товари виробника QORVO (UNITEDSIC) (4) > Сторінка 1 з 1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
UF3C065040K3S UF3C065040K3S Qorvo (UnitedSiC) UF3C065040K3S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 40A
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 326W
Version: ESD
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 650V
Kind of transistor: cascode
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Pulsed drain current: 125A
Gate charge: 51nC
Polarisation: unipolar
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2822.40 грн
3+2417.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ2D1220K UJ2D1220K Qorvo (UnitedSiC) UJ2D1220K.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; UJ2D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 120A
Power dissipation: 60/272W
Manufacturer series: UJ2D
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+444.87 грн
3+382.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030B3 UJ3C065030B3 Qorvo (UnitedSiC) UJ3C065030B3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 47A
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Power dissipation: 250W
Version: ESD
Drain current: 47A
Drain-source voltage: 650V
Kind of transistor: cascode
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 27mΩ
Pulsed drain current: 230A
Gate charge: 51nC
Polarisation: unipolar
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1844.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJD06504TS UJD06504TS Qorvo (UnitedSiC) UJD06504TS.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.5V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 24A
Power dissipation: 9/71W
Manufacturer series: UJD
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+64.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065040K3S UF3C065040K3S.pdf
UF3C065040K3S
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 40A
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 326W
Version: ESD
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 650V
Kind of transistor: cascode
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Pulsed drain current: 125A
Gate charge: 51nC
Polarisation: unipolar
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2822.40 грн
3+2417.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ2D1220K UJ2D1220K.pdf
UJ2D1220K
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; UJ2D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 120A
Power dissipation: 60/272W
Manufacturer series: UJ2D
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+444.87 грн
3+382.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030B3 UJ3C065030B3.pdf
UJ3C065030B3
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 47A
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Power dissipation: 250W
Version: ESD
Drain current: 47A
Drain-source voltage: 650V
Kind of transistor: cascode
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 27mΩ
Pulsed drain current: 230A
Gate charge: 51nC
Polarisation: unipolar
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1844.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJD06504TS UJD06504TS.pdf
UJD06504TS
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.5V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 24A
Power dissipation: 9/71W
Manufacturer series: UJD
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+64.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.