Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > Всі товари виробника RENESAS ELECTRONICS CORPORATION (26295) > Сторінка 257 з 439

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 252 253 254 255 256 257 258 259 260 261 262 301 344 387 430 439  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NP100P04PLG-E1-AY NP100P04PLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np100p04plg-datasheet Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 10 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+228.04 грн
1600+188.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P04PLG-E1-AY NP100P04PLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np100p04plg-datasheet Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 10 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+377.57 грн
10+305.38 грн
100+247.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P06PDG-E1-AY NP100P06PDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np100p06pdg-datasheet Description: MOSFET P-CH 60V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P06PDG-E1-AY NP100P06PDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np100p06pdg-datasheet Description: MOSFET P-CH 60V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+425.45 грн
10+279.08 грн
100+228.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP109N055PUK-E1-AY NP109N055PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np109n055pukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11250 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+123.90 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NP109N055PUK-E1-AY NP109N055PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np109n055pukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.54 грн
10+214.75 грн
100+152.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP110N04PUK-E1-AY NP110N04PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np110n04pukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP110N04PUK-E1-AY NP110N04PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np110n04pukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+396.41 грн
10+267.89 грн
100+200.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP110N055PUK-E1-AY NP110N055PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np110n055pukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16050 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP110N055PUK-E1-AY NP110N055PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np110n055pukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16050 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+368.15 грн
10+257.84 грн
100+184.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP15P04SLG-E1-AY NP15P04SLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np15p04slg-datasheet Description: MOSFET P-CH 40V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.31 грн
5000+37.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP15P04SLG-E1-AY NP15P04SLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np15p04slg-datasheet Description: MOSFET P-CH 40V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.68 грн
10+87.23 грн
100+61.14 грн
500+48.53 грн
1000+41.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NP15P06SLG-E1-AY NP15P06SLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np15p06slg-datasheet Description: MOSFET P-CH 60V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.90 грн
5000+37.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP15P06SLG-E1-AY NP15P06SLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np15p06slg-datasheet Description: MOSFET P-CH 60V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.90 грн
10+86.55 грн
100+61.14 грн
500+48.53 грн
1000+41.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NP179N055TUK-E1-AY NP179N055TUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np179n055tuk-data-sheet?r=499346 Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Tray
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13950 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+576.17 грн
10+475.61 грн
25+442.96 грн
80+371.94 грн
230+350.06 грн
800+328.18 грн
1600+290.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP180N04TUK-E1-AY NP180N04TUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np180n04tukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+184.75 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NP180N04TUK-E1-AY NP180N04TUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np180n04tukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+470.98 грн
10+321.63 грн
100+233.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP180N055TUK-E1-AY NP180N055TUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np180n055tukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 55V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16050 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+169.77 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NP180N055TUK-E1-AY NP180N055TUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np180n055tukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 55V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16050 pF @ 25 V
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+438.80 грн
10+282.78 грн
100+203.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP35N055YUK-E1-AY NP35N055YUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np35n055yuk55-v-35-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive Description: MOSFET N-CH 55V 35A 8HSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NP35N055YUK-E1-AY NP35N055YUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np35n055yuk55-v-35-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive Description: MOSFET N-CH 55V 35A 8HSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P04KDG-E1-AY NP36P04KDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation D18686EJ3V0DS00.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P04KDG-E1-AY NP36P04KDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation D18686EJ3V0DS00.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 36A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P04SDG-E1-AY NP36P04SDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np36p04sdg-datasheet Description: MOSFET P-CH 40V 36A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P04SDG-E1-AY NP36P04SDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np36p04sdg-datasheet Description: MOSFET P-CH 40V 36A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.09 грн
10+104.69 грн
100+77.26 грн
500+59.12 грн
1000+53.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P06KDG-E1-AY NP36P06KDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation D18687EJ3V0DS00.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 10 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+89.05 грн
1600+72.75 грн
2400+69.12 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P06KDG-E1-AY NP36P06KDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation D18687EJ3V0DS00.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 36A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 10 V
на замовлення 2742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.35 грн
10+127.29 грн
100+101.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P06SLG-E1-AY NP36P06SLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation D18008EJ5V0DS00.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 36A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P06SLG-E1-AY NP36P06SLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation D18008EJ5V0DS00.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 36A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.82 грн
10+81.71 грн
100+65.32 грн
500+54.55 грн
1000+50.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NP50N04YUK-E1-AY NP50N04YUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np50n04yuk40-v-50-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499756 Description: LOW VOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP50N04YUK-E1-AY NP50N04YUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np50n04yuk40-v-50-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499756 Description: LOW VOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.00 грн
10+109.00 грн
100+75.73 грн
500+56.91 грн
1000+52.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04KDG-E1-AY NP50P04KDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation D18688EJ3V0DS00.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+93.48 грн
1600+86.06 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04KDG-E1-AY NP50P04KDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation D18688EJ3V0DS00.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.57 грн
10+168.64 грн
100+118.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04SDG-E1-AY NP50P04SDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation D19072EJ2V0DS00.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04SDG-E1-AY NP50P04SDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation D19072EJ2V0DS00.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.51 грн
10+85.11 грн
100+78.15 грн
500+72.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06KDG-E1-AY NP50P06KDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np50p06kdg-datasheet?r=499781 Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+87.98 грн
1600+78.96 грн
2400+78.17 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06KDG-E1-AY NP50P06KDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np50p06kdg-datasheet?r=499781 Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.52 грн
10+156.55 грн
100+117.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06SDG-E1-AY NP50P06SDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np50p06sdg-data-sheet Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06SDG-E1-AY NP50P06SDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np50p06sdg-data-sheet Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 62472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.04 грн
10+131.45 грн
100+90.93 грн
500+74.06 грн
1000+63.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP75P03YDG-E1-AY NP75P03YDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np75p03ydg-data-sheet Description: MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP75P03YDG-E1-AY NP75P03YDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np75p03ydg-data-sheet Description: MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.20 грн
10+150.42 грн
100+104.34 грн
500+79.43 грн
1000+73.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP75P04YLG-E1-AY NP75P04YLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np75p04ylg-data-sheet Description: MOSFET P-CH 40V 75A 8HSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP75P04YLG-E1-AY NP75P04YLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np75p04ylg-data-sheet Description: MOSFET P-CH 40V 75A 8HSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.48 грн
10+138.18 грн
100+99.76 грн
500+78.21 грн
1000+67.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP89N04PUK-E1-AY NP89N04PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np89n04pukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+82.59 грн
1600+78.52 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NP89N04PUK-E1-AY NP89N04PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np89n04pukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 25 V
на замовлення 3075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.37 грн
10+138.71 грн
100+100.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R5F566NDDDLK#20 R5F566NDDDLK#20 Renesas Electronics Corporation rx66n-group-datasheet?r=1170201 Description: IC MCU 32BIT 2MB FLASH 145TFLGA
Packaging: Tray
Package / Case: 145-TFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 2MB (2M x 8)
RAM Size: 1M x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: RXv3
Data Converters: A/D 29x12b; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I2C, MMC/SD, QSPI, SCI, SPI, SSI, USB OTG
Peripherals: DMA, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 145-TFLGA (7x7)
Number of I/O: 111
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1040.09 грн
10+789.54 грн
25+736.70 грн
80+644.28 грн
416+599.09 грн
832+585.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R5F566NNDDFC#30 R5F566NNDDFC#30 Renesas Electronics Corporation rh850f1l-rh850f1m-rh850f1h-datasheet Description: IC MCU 32BIT 4MB FLASH 176LFQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 176-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 4MB (4M x 8)
RAM Size: 1M x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: RXv3
Data Converters: A/D 8x12b, 21x12b; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I2C, MMC/SD, QSPI, SCI, SPI, SSI, USB OTG
Peripherals: DMA, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 176-LFQFP (24x24)
Part Status: Active
Number of I/O: 136
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1254.39 грн
10+958.71 грн
40+870.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XLL525085.000000I XLL525085.000000I Renesas Electronics Corporation xl-family-low-phase-noise-quartz-based-pll-oscillators-datasheet Description: XTAL OSC XO 85.0000MHZ LVDS SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVDS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 2.5V
Current - Supply (Max): 34mA
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Frequency: 85 MHz
Base Resonator: Crystal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74HC123AP-E Renesas Electronics Corporation Description: IC UNI-LOGIC GATE BUFFER SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZSSC3230BC1D-ES Renesas Electronics Corporation Description: IC CAP SENSOR SIGNAL COND ENG SM
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Output Type: I²C
Mounting Type: Surface Mount
Type: Capacitive Sensor
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Input Type: Analog, Digital
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Supply: 1.1 mA
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTK7EKA2E1S00001BE RTK7EKA2E1S00001BE Renesas Electronics Corporation ek-ra2e1-v1-users-manual Description: EK-RA2E1 EVAL KIT FOR RA2E1
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M23
Utilized IC / Part: RA2E1
Platform: EK-RA2E1
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4090.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RTK7EKA4M1S00001BU RTK7EKA4M1S00001BU Renesas Electronics Corporation Description: EK-RA4M1 EVAL KIT FOR RA4M1
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s), Cable(s)
Utilized IC / Part: RA4M1
Platform: EK-RA4M1
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3099.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RTK7EKA6M1S00001BU RTK7EKA6M1S00001BU Renesas Electronics Corporation Description: EVALUATION KIT FOR RA6M1 (EK-RA6
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: RA6M1
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3878.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RTK7EKA6M5S00001BE RTK7EKA6M5S00001BE Renesas Electronics Corporation ek-ra6m5-v1-users-manual?language=en&r=1494266 Description: EVALUATION KIT FOR RA6M5
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M33
Utilized IC / Part: RA6M5
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4273.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RTK7FPA6E1S00001BE RTK7FPA6E1S00001BE Renesas Electronics Corporation fpb-ra6e1-users-manual Description: FLEXIBLE PROTOTYPE BOARD FPB FOR
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M33
Utilized IC / Part: RA6E1
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1807.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISL68301IRAZ-T7A ISL68301IRAZ-T7A Renesas Electronics Corporation Description: SNGL PH DIG DC/DC CONT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-VFQFN Exposed Pad
Output Type: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 200kHz ~ 1MHz
Topology: Buck
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.75V ~ 16V, 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 24-QFN (4x4)
Synchronous Rectifier: No
Control Features: Enable, Power Good
Serial Interfaces: I²C, PMBus, SMBus
Output Phases: 1
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3016316035NX0IBCY Renesas Electronics Corporation m3004316-m3008316-m3016316-m3032316-datasheet Description: IC RAM 16MBIT PARALLEL 48FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: MRAM (Magnetoresistive RAM)
Memory Format: RAM
Supplier Device Package: 48-FBGA (10x10)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4420.96 грн
10+3778.74 грн
25+3603.07 грн
40+3299.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
M3016316045NX0IBCY Renesas Electronics Corporation m3004316-m3008316-m3016316-m3032316-datasheet Description: IC RAM 16MBIT PARALLEL 48FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: MRAM (Magnetoresistive RAM)
Memory Format: RAM
Supplier Device Package: 48-FBGA (10x10)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RV1S2211ACCSP-10YV#SC0 RV1S2211ACCSP-10YV#SC0 Renesas Electronics Corporation rv1s2211a-data-sheet-r08ds0184ej0100 Description: OPTO COUPLER IN 4PIN SSOP
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SOP (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 40mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 1mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 400% @ 1mA
Supplier Device Package: 4-LSSOP
Voltage - Output (Max): 40V
Rise / Fall Time (Typ): 4µs, 5µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.16 грн
20+84.28 грн
100+62.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RV1S2285ACCSP-10YC#SC0 RV1S2285ACCSP-10YC#SC0 Renesas Electronics Corporation rv1s2285a-data-sheet-r08ds0186ej0100 Description: OPTO COUPLER IN 4PIN SSOP
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SOP (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: AC, DC
Current - Output / Channel: 30mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 400% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-LSSOP
Voltage - Output (Max): 80V
Rise / Fall Time (Typ): 4µs, 5µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
на замовлення 5292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.80 грн
10+87.23 грн
100+67.14 грн
500+56.95 грн
1000+48.94 грн
2000+46.27 грн
5000+44.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P04PLG-E1-AY np100p04plg-datasheet
NP100P04PLG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 10 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+228.04 грн
1600+188.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P04PLG-E1-AY np100p04plg-datasheet
NP100P04PLG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 10 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+377.57 грн
10+305.38 грн
100+247.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P06PDG-E1-AY np100p06pdg-datasheet
NP100P06PDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P06PDG-E1-AY np100p06pdg-datasheet
NP100P06PDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+425.45 грн
10+279.08 грн
100+228.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP109N055PUK-E1-AY np109n055pukmos-field-effect-transistor
NP109N055PUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11250 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+123.90 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NP109N055PUK-E1-AY np109n055pukmos-field-effect-transistor
NP109N055PUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+337.54 грн
10+214.75 грн
100+152.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP110N04PUK-E1-AY np110n04pukmos-field-effect-transistor
NP110N04PUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP110N04PUK-E1-AY np110n04pukmos-field-effect-transistor
NP110N04PUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+396.41 грн
10+267.89 грн
100+200.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP110N055PUK-E1-AY np110n055pukmos-field-effect-transistor
NP110N055PUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16050 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP110N055PUK-E1-AY np110n055pukmos-field-effect-transistor
NP110N055PUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16050 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+368.15 грн
10+257.84 грн
100+184.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP15P04SLG-E1-AY np15p04slg-datasheet
NP15P04SLG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.31 грн
5000+37.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP15P04SLG-E1-AY np15p04slg-datasheet
NP15P04SLG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.68 грн
10+87.23 грн
100+61.14 грн
500+48.53 грн
1000+41.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NP15P06SLG-E1-AY np15p06slg-datasheet
NP15P06SLG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.90 грн
5000+37.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP15P06SLG-E1-AY np15p06slg-datasheet
NP15P06SLG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.90 грн
10+86.55 грн
100+61.14 грн
500+48.53 грн
1000+41.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NP179N055TUK-E1-AY np179n055tuk-data-sheet?r=499346
NP179N055TUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Tray
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13950 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+576.17 грн
10+475.61 грн
25+442.96 грн
80+371.94 грн
230+350.06 грн
800+328.18 грн
1600+290.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP180N04TUK-E1-AY np180n04tukmos-field-effect-transistor
NP180N04TUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+184.75 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NP180N04TUK-E1-AY np180n04tukmos-field-effect-transistor
NP180N04TUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+470.98 грн
10+321.63 грн
100+233.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP180N055TUK-E1-AY np180n055tukmos-field-effect-transistor
NP180N055TUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16050 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+169.77 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NP180N055TUK-E1-AY np180n055tukmos-field-effect-transistor
NP180N055TUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16050 pF @ 25 V
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+438.80 грн
10+282.78 грн
100+203.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP35N055YUK-E1-AY np35n055yuk55-v-35-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive
NP35N055YUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 35A 8HSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NP35N055YUK-E1-AY np35n055yuk55-v-35-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive
NP35N055YUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 35A 8HSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+50.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P04KDG-E1-AY D18686EJ3V0DS00.pdf
NP36P04KDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P04KDG-E1-AY D18686EJ3V0DS00.pdf
NP36P04KDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 36A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P04SDG-E1-AY np36p04sdg-datasheet
NP36P04SDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 36A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+52.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P04SDG-E1-AY np36p04sdg-datasheet
NP36P04SDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 36A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.09 грн
10+104.69 грн
100+77.26 грн
500+59.12 грн
1000+53.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P06KDG-E1-AY D18687EJ3V0DS00.pdf
NP36P06KDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 10 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+89.05 грн
1600+72.75 грн
2400+69.12 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P06KDG-E1-AY D18687EJ3V0DS00.pdf
NP36P06KDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 36A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 10 V
на замовлення 2742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.35 грн
10+127.29 грн
100+101.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P06SLG-E1-AY D18008EJ5V0DS00.pdf
NP36P06SLG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 36A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+50.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P06SLG-E1-AY D18008EJ5V0DS00.pdf
NP36P06SLG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 36A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.82 грн
10+81.71 грн
100+65.32 грн
500+54.55 грн
1000+50.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NP50N04YUK-E1-AY np50n04yuk40-v-50-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499756
NP50N04YUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: LOW VOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+46.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP50N04YUK-E1-AY np50n04yuk40-v-50-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499756
NP50N04YUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: LOW VOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.00 грн
10+109.00 грн
100+75.73 грн
500+56.91 грн
1000+52.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04KDG-E1-AY D18688EJ3V0DS00.pdf
NP50P04KDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+93.48 грн
1600+86.06 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04KDG-E1-AY D18688EJ3V0DS00.pdf
NP50P04KDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.57 грн
10+168.64 грн
100+118.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04SDG-E1-AY D19072EJ2V0DS00.pdf
NP50P04SDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+65.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04SDG-E1-AY D19072EJ2V0DS00.pdf
NP50P04SDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.51 грн
10+85.11 грн
100+78.15 грн
500+72.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06KDG-E1-AY np50p06kdg-datasheet?r=499781
NP50P06KDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+87.98 грн
1600+78.96 грн
2400+78.17 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06KDG-E1-AY np50p06kdg-datasheet?r=499781
NP50P06KDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.52 грн
10+156.55 грн
100+117.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06SDG-E1-AY np50p06sdg-data-sheet
NP50P06SDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+65.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06SDG-E1-AY np50p06sdg-data-sheet
NP50P06SDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 62472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.04 грн
10+131.45 грн
100+90.93 грн
500+74.06 грн
1000+63.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP75P03YDG-E1-AY np75p03ydg-data-sheet
NP75P03YDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP75P03YDG-E1-AY np75p03ydg-data-sheet
NP75P03YDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.20 грн
10+150.42 грн
100+104.34 грн
500+79.43 грн
1000+73.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP75P04YLG-E1-AY np75p04ylg-data-sheet
NP75P04YLG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 75A 8HSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+69.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP75P04YLG-E1-AY np75p04ylg-data-sheet
NP75P04YLG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 75A 8HSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.48 грн
10+138.18 грн
100+99.76 грн
500+78.21 грн
1000+67.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP89N04PUK-E1-AY np89n04pukmos-field-effect-transistor
NP89N04PUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+82.59 грн
1600+78.52 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NP89N04PUK-E1-AY np89n04pukmos-field-effect-transistor
NP89N04PUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 25 V
на замовлення 3075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.37 грн
10+138.71 грн
100+100.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R5F566NDDDLK#20 rx66n-group-datasheet?r=1170201
R5F566NDDDLK#20
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC MCU 32BIT 2MB FLASH 145TFLGA
Packaging: Tray
Package / Case: 145-TFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 2MB (2M x 8)
RAM Size: 1M x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: RXv3
Data Converters: A/D 29x12b; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I2C, MMC/SD, QSPI, SCI, SPI, SSI, USB OTG
Peripherals: DMA, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 145-TFLGA (7x7)
Number of I/O: 111
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1040.09 грн
10+789.54 грн
25+736.70 грн
80+644.28 грн
416+599.09 грн
832+585.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R5F566NNDDFC#30 rh850f1l-rh850f1m-rh850f1h-datasheet
R5F566NNDDFC#30
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC MCU 32BIT 4MB FLASH 176LFQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 176-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 4MB (4M x 8)
RAM Size: 1M x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: RXv3
Data Converters: A/D 8x12b, 21x12b; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I2C, MMC/SD, QSPI, SCI, SPI, SSI, USB OTG
Peripherals: DMA, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 176-LFQFP (24x24)
Part Status: Active
Number of I/O: 136
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1254.39 грн
10+958.71 грн
40+870.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XLL525085.000000I xl-family-low-phase-noise-quartz-based-pll-oscillators-datasheet
XLL525085.000000I
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: XTAL OSC XO 85.0000MHZ LVDS SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVDS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 2.5V
Current - Supply (Max): 34mA
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Frequency: 85 MHz
Base Resonator: Crystal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74HC123AP-E
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC UNI-LOGIC GATE BUFFER SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZSSC3230BC1D-ES
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC CAP SENSOR SIGNAL COND ENG SM
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Output Type: I²C
Mounting Type: Surface Mount
Type: Capacitive Sensor
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Input Type: Analog, Digital
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Supply: 1.1 mA
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTK7EKA2E1S00001BE ek-ra2e1-v1-users-manual
RTK7EKA2E1S00001BE
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: EK-RA2E1 EVAL KIT FOR RA2E1
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M23
Utilized IC / Part: RA2E1
Platform: EK-RA2E1
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4090.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RTK7EKA4M1S00001BU
RTK7EKA4M1S00001BU
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: EK-RA4M1 EVAL KIT FOR RA4M1
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s), Cable(s)
Utilized IC / Part: RA4M1
Platform: EK-RA4M1
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3099.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RTK7EKA6M1S00001BU
RTK7EKA6M1S00001BU
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: EVALUATION KIT FOR RA6M1 (EK-RA6
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: RA6M1
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3878.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RTK7EKA6M5S00001BE ek-ra6m5-v1-users-manual?language=en&r=1494266
RTK7EKA6M5S00001BE
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: EVALUATION KIT FOR RA6M5
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M33
Utilized IC / Part: RA6M5
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4273.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RTK7FPA6E1S00001BE fpb-ra6e1-users-manual
RTK7FPA6E1S00001BE
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: FLEXIBLE PROTOTYPE BOARD FPB FOR
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M33
Utilized IC / Part: RA6E1
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1807.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISL68301IRAZ-T7A
ISL68301IRAZ-T7A
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SNGL PH DIG DC/DC CONT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-VFQFN Exposed Pad
Output Type: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 200kHz ~ 1MHz
Topology: Buck
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.75V ~ 16V, 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 24-QFN (4x4)
Synchronous Rectifier: No
Control Features: Enable, Power Good
Serial Interfaces: I²C, PMBus, SMBus
Output Phases: 1
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3016316035NX0IBCY m3004316-m3008316-m3016316-m3032316-datasheet
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC RAM 16MBIT PARALLEL 48FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: MRAM (Magnetoresistive RAM)
Memory Format: RAM
Supplier Device Package: 48-FBGA (10x10)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4420.96 грн
10+3778.74 грн
25+3603.07 грн
40+3299.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
M3016316045NX0IBCY m3004316-m3008316-m3016316-m3032316-datasheet
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC RAM 16MBIT PARALLEL 48FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: MRAM (Magnetoresistive RAM)
Memory Format: RAM
Supplier Device Package: 48-FBGA (10x10)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RV1S2211ACCSP-10YV#SC0 rv1s2211a-data-sheet-r08ds0184ej0100
RV1S2211ACCSP-10YV#SC0
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: OPTO COUPLER IN 4PIN SSOP
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SOP (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 40mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 1mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 400% @ 1mA
Supplier Device Package: 4-LSSOP
Voltage - Output (Max): 40V
Rise / Fall Time (Typ): 4µs, 5µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.16 грн
20+84.28 грн
100+62.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RV1S2285ACCSP-10YC#SC0 rv1s2285a-data-sheet-r08ds0186ej0100
RV1S2285ACCSP-10YC#SC0
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: OPTO COUPLER IN 4PIN SSOP
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SOP (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: AC, DC
Current - Output / Channel: 30mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 400% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-LSSOP
Voltage - Output (Max): 80V
Rise / Fall Time (Typ): 4µs, 5µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
на замовлення 5292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.80 грн
10+87.23 грн
100+67.14 грн
500+56.95 грн
1000+48.94 грн
2000+46.27 грн
5000+44.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 252 253 254 255 256 257 258 259 260 261 262 301 344 387 430 439  [ Наступна Сторінка >> ]