Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (101611) > Сторінка 280 з 1694

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 169 275 276 277 278 279 280 281 282 283 284 285 338 507 676 845 1014 1183 1352 1521 1690 1694  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BD6519FJ-E2 BD6519FJ-E2 Rohm Semiconductor ul94_bd6519fj-e2-e.pdf Description: IC SWITCH HIGH SIDE 1CH SOP-J8
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Load Discharge, Status Flag
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: USB Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 100mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 3V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 500mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-SOP-J
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current, UVLO
Part Status: Obsolete
на замовлення 2292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.03 грн
10+146.26 грн
25+137.97 грн
100+110.31 грн
250+103.58 грн
500+90.63 грн
1000+73.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BR24L04FVT-WE2 BR24L04FVT-WE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BR24L04FVT-W&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC EEPROM 4KBIT I2C 8TSSOPB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP-B
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 512 x 8
DigiKey Programmable: Verified
на замовлення 2917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.67 грн
10+44.97 грн
25+42.88 грн
50+38.83 грн
100+37.46 грн
250+35.72 грн
500+33.89 грн
1000+32.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BR24L08FVT-WE2 BR24L08FVT-WE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BR24L08FVT-W&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC EEPROM 8KBIT I2C 8TSSOPB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP-B
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 1K x 8
DigiKey Programmable: Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR24L16FVT-WE2 BR24L16FVT-WE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BR24L16FVT-W&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC EEPROM 16KBIT I2C 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP-B
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 2K x 8
DigiKey Programmable: Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR24L32FVT-WE2 BR24L32FVT-WE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BR24L32FVT-W&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC EEPROM 32KBIT I2C 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP-B
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 4K x 8
DigiKey Programmable: Verified
на замовлення 7527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.55 грн
10+74.49 грн
25+72.44 грн
50+66.50 грн
100+65.00 грн
250+63.02 грн
500+60.51 грн
1000+59.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BR24L64FJ-WE2 BR24L64FJ-WE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BR24L64FJ-W&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC EEPROM 64KBIT I2C 8SOPJ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-SOP-J
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Verified
на замовлення 6928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.00 грн
10+109.77 грн
25+106.78 грн
50+99.68 грн
100+89.11 грн
250+88.85 грн
500+86.07 грн
1000+82.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BR24S128FVT-WE2 BR24S128FVT-WE2 Rohm Semiconductor br24sxxx-w-e.pdf Description: IC EEPROM 128K 400KHZ 8TSSOP-B
на замовлення 6649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BR24S256FJ-WE2 BR24S256FJ-WE2 Rohm Semiconductor br24sxxx-w-e.pdf Description: IC EEPROM 256KBIT I2C 8SOPJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR93L46FVT-WE2 BR93L46FVT-WE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BR93L46FVT-W&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 2 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP-B
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: Microwire
Memory Organization: 64 x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.60 грн
10+43.38 грн
25+40.25 грн
50+37.57 грн
100+33.36 грн
250+32.94 грн
500+31.91 грн
1000+31.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BR93L56FVT-WE2 BR93L56FVT-WE2 Rohm Semiconductor br93lxx-w-e.pdf Description: IC EEPROM 2KBIT 2MHZ 8TSSOP-B
на замовлення 3074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BR93L66FVT-WE2 BR93L66FVT-WE2 Rohm Semiconductor br93lxx-w-e.pdf Description: IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8TSSOP-B
на замовлення 3032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BR93L86FJ-WE2 BR93L86FJ-WE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BR93L86FJ-W&amp;dist=Digi-key&amp;media=referral&amp;source=digi-key.com&amp;campaign=Digi-key Description: IC EEPROM 16KBIT SPI 2MHZ 8SOPJ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 2 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-SOP-J
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: Microwire
Memory Organization: 1K x 16
DigiKey Programmable: Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EM5K5T2R EM5K5T2R Rohm Semiconductor Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.3A EMT5
на замовлення 12847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EM6M1T2R EM6M1T2R Rohm Semiconductor EM6M1.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA, 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 7965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.95 грн
10+30.36 грн
100+21.11 грн
500+15.47 грн
1000+12.57 грн
2000+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K21TR QS6K21TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS6K21&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.04 грн
10+39.44 грн
100+25.72 грн
500+18.59 грн
1000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03TR RRL025P03TR Rohm Semiconductor RRL025P03.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 5480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.76 грн
10+48.98 грн
100+32.03 грн
500+23.24 грн
1000+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ045P03TR RRQ045P03TR Rohm Semiconductor datasheet?p=RRQ045P03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V
на замовлення 5444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.56 грн
10+63.82 грн
100+42.31 грн
500+31.04 грн
1000+28.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03TL RRR030P03TL Rohm Semiconductor Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 5746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.39 грн
10+34.22 грн
100+22.15 грн
500+15.92 грн
1000+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ020N03TR RSQ020N03TR Rohm Semiconductor rsq020n03tr-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
на замовлення 1408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.76 грн
10+42.55 грн
100+27.84 грн
500+20.17 грн
1000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RSR030N06TL RSR030N06TL Rohm Semiconductor rsr030n06tl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.74 грн
11+29.22 грн
100+18.78 грн
500+13.41 грн
1000+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RTR011P02TL RTR011P02TL Rohm Semiconductor Description: MOSFET P-CH 20V 1.1A TSMT3
на замовлення 2672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025N05TL RTR025N05TL Rohm Semiconductor rtr025n05tl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTR030N05TL RTR030N05TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RTR030N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V
на замовлення 39635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.24 грн
10+35.28 грн
100+24.51 грн
500+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RUE002N02TL RUE002N02TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RUE002N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 23161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.52 грн
19+16.20 грн
100+10.21 грн
500+7.12 грн
1000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RUF025N02TL RUF025N02TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RUF025N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
на замовлення 12930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.04 грн
10+39.82 грн
100+25.97 грн
500+18.77 грн
1000+16.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RUL035N02TR RUL035N02TR Rohm Semiconductor datasheet?p=RUL035N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.40 грн
10+41.49 грн
100+27.08 грн
500+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RUQ050N02TR RUQ050N02TR Rohm Semiconductor datasheet?p=RUQ050N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
на замовлення 2786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.19 грн
10+48.38 грн
100+31.86 грн
500+23.21 грн
1000+21.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02TL RUR040N02TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RUR040N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
на замовлення 3572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.26 грн
10+46.03 грн
100+30.08 грн
500+21.80 грн
1000+19.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RVQ040N05TR RVQ040N05TR Rohm Semiconductor datasheet?p=RVQ040N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 21V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 10 V
на замовлення 4328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.62 грн
10+47.69 грн
100+31.30 грн
500+22.79 грн
1000+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RZL025P01TR RZL025P01TR Rohm Semiconductor RZL025P01.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 6 V
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.45 грн
12+26.50 грн
100+18.39 грн
500+13.47 грн
1000+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RZL035P01TR RZL035P01TR Rohm Semiconductor RZL035P01.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6
на замовлення 8556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RZQ050P01TR RZQ050P01TR Rohm Semiconductor RZQ050P01_Rev002_4-6-17.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 6 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.32 грн
10+50.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RZR025P01TL RZR025P01TL Rohm Semiconductor RSR025N03TL_1.jpg Description: MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 6 V
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.67 грн
10+34.22 грн
100+23.78 грн
500+17.42 грн
1000+14.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RZR040P01TL RZR040P01TL Rohm Semiconductor rzr040p01tl-e.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 6 V
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.05 грн
10+46.41 грн
100+30.45 грн
500+22.14 грн
1000+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
US6K4TR US6K4TR Rohm Semiconductor datasheet?p=US6K4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Active
на замовлення 9287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.33 грн
10+43.46 грн
100+28.31 грн
500+20.47 грн
1000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BD9150MUV-E2 BD9150MUV-E2 Rohm Semiconductor BD9150MUV.pdf Description: IC REG BUCK ADJ/3.3V DL 20VQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD9150MUV-E2 BD9150MUV-E2 Rohm Semiconductor BD9150MUV.pdf Description: IC REG BUCK ADJ/3.3V DL 20VQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSD200N10TL RSD200N10TL Rohm Semiconductor RSD200N10.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSD200N10TL RSD200N10TL Rohm Semiconductor RSD200N10.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1021 MCR10EZPF1021 Rohm Semiconductor mcr-e.pdf Description: RES SMD 1.02K OHM 1% 1/8W 0805
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 1.02 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1024 MCR10EZPF1024 Rohm Semiconductor mcr.pdf Description: RES SMD 1.02M OHM 1% 1/8W 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1051 MCR10EZPF1051 Rohm Semiconductor mcr.pdf Description: RES SMD 1.05K OHM 1% 1/8W 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1054 MCR10EZPF1054 Rohm Semiconductor mcr.pdf Description: RES SMD 1.05M OHM 1% 1/8W 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1151 MCR10EZPF1151 Rohm Semiconductor mcr.pdf Description: RES SMD 1.15K OHM 1% 1/8W 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1181 MCR10EZPF1181 Rohm Semiconductor mcr.pdf Description: RES SMD 1.18K OHM 1% 1/8W 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1184 MCR10EZPF1184 Rohm Semiconductor mcr.pdf Description: RES SMD 1.18M OHM 1% 1/8W 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1271 MCR10EZPF1271 Rohm Semiconductor mcr.pdf Description: RES SMD 1.27K OHM 1% 1/8W 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1304 MCR10EZPF1304 Rohm Semiconductor mcr-e.pdf Description: RES SMD 1.3M OHM 1% 1/8W 0805
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 1.3 MOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1371 MCR10EZPF1371 Rohm Semiconductor mcr.pdf Description: RES SMD 1.37K OHM 1% 1/8W 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1404 MCR10EZPF1404 Rohm Semiconductor mcr-e.pdf Description: RES SMD 1.4M OHM 1% 1/8W 0805
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 1.4 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1431 MCR10EZPF1431 Rohm Semiconductor mcr-e.pdf Description: RES SMD 1.43K OHM 1% 1/8W 0805
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 1.43 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1474 MCR10EZPF1474 Rohm Semiconductor mcr-e.pdf Description: RES SMD 1.47M OHM 1% 1/8W 0805
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 1.47 MOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1504 MCR10EZPF1504 Rohm Semiconductor mcr.pdf Description: RES SMD 1.5M OHM 1% 1/8W 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1541 MCR10EZPF1541 Rohm Semiconductor mcr-e.pdf Description: RES SMD 1.54K OHM 1% 1/8W 0805
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 1.54 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1624 MCR10EZPF1624 Rohm Semiconductor mcr.pdf Description: RES SMD 1.62M OHM 1% 1/8W 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1651 MCR10EZPF1651 Rohm Semiconductor mcr.pdf Description: RES SMD 1.65K OHM 1% 1/8W 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1654 MCR10EZPF1654 Rohm Semiconductor mcr.pdf Description: RES SMD 1.65M OHM 1% 1/8W 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1691 MCR10EZPF1691 Rohm Semiconductor mcr.pdf Description: RES SMD 1.69K OHM 1% 1/8W 0805
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1694 MCR10EZPF1694 Rohm Semiconductor mcr.pdf Description: RES SMD 1.69M OHM 1% 1/8W 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1744 MCR10EZPF1744 Rohm Semiconductor mcr-e.pdf Description: RES SMD 1.74M OHM 1% 1/8W 0805
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 1.74 MOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD6519FJ-E2 ul94_bd6519fj-e2-e.pdf
BD6519FJ-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC SWITCH HIGH SIDE 1CH SOP-J8
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Load Discharge, Status Flag
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: USB Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 100mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 3V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 500mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-SOP-J
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current, UVLO
Part Status: Obsolete
на замовлення 2292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.03 грн
10+146.26 грн
25+137.97 грн
100+110.31 грн
250+103.58 грн
500+90.63 грн
1000+73.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BR24L04FVT-WE2 datasheet?p=BR24L04FVT-W&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BR24L04FVT-WE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 4KBIT I2C 8TSSOPB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP-B
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 512 x 8
DigiKey Programmable: Verified
на замовлення 2917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.67 грн
10+44.97 грн
25+42.88 грн
50+38.83 грн
100+37.46 грн
250+35.72 грн
500+33.89 грн
1000+32.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BR24L08FVT-WE2 datasheet?p=BR24L08FVT-W&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BR24L08FVT-WE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 8KBIT I2C 8TSSOPB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP-B
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 1K x 8
DigiKey Programmable: Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR24L16FVT-WE2 datasheet?p=BR24L16FVT-W&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BR24L16FVT-WE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 16KBIT I2C 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP-B
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 2K x 8
DigiKey Programmable: Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR24L32FVT-WE2 datasheet?p=BR24L32FVT-W&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BR24L32FVT-WE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 32KBIT I2C 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP-B
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 4K x 8
DigiKey Programmable: Verified
на замовлення 7527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.55 грн
10+74.49 грн
25+72.44 грн
50+66.50 грн
100+65.00 грн
250+63.02 грн
500+60.51 грн
1000+59.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BR24L64FJ-WE2 datasheet?p=BR24L64FJ-W&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BR24L64FJ-WE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 64KBIT I2C 8SOPJ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-SOP-J
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Verified
на замовлення 6928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.00 грн
10+109.77 грн
25+106.78 грн
50+99.68 грн
100+89.11 грн
250+88.85 грн
500+86.07 грн
1000+82.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BR24S128FVT-WE2 br24sxxx-w-e.pdf
BR24S128FVT-WE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 128K 400KHZ 8TSSOP-B
на замовлення 6649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BR24S256FJ-WE2 br24sxxx-w-e.pdf
BR24S256FJ-WE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 256KBIT I2C 8SOPJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR93L46FVT-WE2 datasheet?p=BR93L46FVT-W&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BR93L46FVT-WE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 2 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP-B
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: Microwire
Memory Organization: 64 x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.60 грн
10+43.38 грн
25+40.25 грн
50+37.57 грн
100+33.36 грн
250+32.94 грн
500+31.91 грн
1000+31.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BR93L56FVT-WE2 br93lxx-w-e.pdf
BR93L56FVT-WE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 2KBIT 2MHZ 8TSSOP-B
на замовлення 3074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BR93L66FVT-WE2 br93lxx-w-e.pdf
BR93L66FVT-WE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8TSSOP-B
на замовлення 3032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BR93L86FJ-WE2 datasheet?p=BR93L86FJ-W&amp;dist=Digi-key&amp;media=referral&amp;source=digi-key.com&amp;campaign=Digi-key
BR93L86FJ-WE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 16KBIT SPI 2MHZ 8SOPJ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 2 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-SOP-J
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: Microwire
Memory Organization: 1K x 16
DigiKey Programmable: Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EM5K5T2R
EM5K5T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.3A EMT5
на замовлення 12847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EM6M1T2R EM6M1.pdf
EM6M1T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA, 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 7965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.95 грн
10+30.36 грн
100+21.11 грн
500+15.47 грн
1000+12.57 грн
2000+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K21TR datasheet?p=QS6K21&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS6K21TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.04 грн
10+39.44 грн
100+25.72 грн
500+18.59 грн
1000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03TR RRL025P03.pdf
RRL025P03TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 5480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.76 грн
10+48.98 грн
100+32.03 грн
500+23.24 грн
1000+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ045P03TR datasheet?p=RRQ045P03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RRQ045P03TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V
на замовлення 5444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.56 грн
10+63.82 грн
100+42.31 грн
500+31.04 грн
1000+28.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03TL
RRR030P03TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 5746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.39 грн
10+34.22 грн
100+22.15 грн
500+15.92 грн
1000+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ020N03TR rsq020n03tr-e.pdf
RSQ020N03TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
на замовлення 1408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.76 грн
10+42.55 грн
100+27.84 грн
500+20.17 грн
1000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RSR030N06TL rsr030n06tl-e.pdf
RSR030N06TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.74 грн
11+29.22 грн
100+18.78 грн
500+13.41 грн
1000+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RTR011P02TL
RTR011P02TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 1.1A TSMT3
на замовлення 2672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025N05TL rtr025n05tl-e.pdf
RTR025N05TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTR030N05TL datasheet?p=RTR030N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RTR030N05TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V
на замовлення 39635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.24 грн
10+35.28 грн
100+24.51 грн
500+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RUE002N02TL datasheet?p=RUE002N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUE002N02TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 23161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.52 грн
19+16.20 грн
100+10.21 грн
500+7.12 грн
1000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RUF025N02TL datasheet?p=RUF025N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUF025N02TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
на замовлення 12930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.04 грн
10+39.82 грн
100+25.97 грн
500+18.77 грн
1000+16.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RUL035N02TR datasheet?p=RUL035N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUL035N02TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.40 грн
10+41.49 грн
100+27.08 грн
500+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RUQ050N02TR datasheet?p=RUQ050N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUQ050N02TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
на замовлення 2786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.19 грн
10+48.38 грн
100+31.86 грн
500+23.21 грн
1000+21.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02TL datasheet?p=RUR040N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUR040N02TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
на замовлення 3572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.26 грн
10+46.03 грн
100+30.08 грн
500+21.80 грн
1000+19.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RVQ040N05TR datasheet?p=RVQ040N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RVQ040N05TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 21V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 10 V
на замовлення 4328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.62 грн
10+47.69 грн
100+31.30 грн
500+22.79 грн
1000+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RZL025P01TR RZL025P01.pdf
RZL025P01TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 6 V
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.45 грн
12+26.50 грн
100+18.39 грн
500+13.47 грн
1000+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RZL035P01TR RZL035P01.pdf
RZL035P01TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6
на замовлення 8556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RZQ050P01TR RZQ050P01_Rev002_4-6-17.pdf
RZQ050P01TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 6 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.32 грн
10+50.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RZR025P01TL RSR025N03TL_1.jpg
RZR025P01TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 6 V
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.67 грн
10+34.22 грн
100+23.78 грн
500+17.42 грн
1000+14.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RZR040P01TL rzr040p01tl-e.pdf
RZR040P01TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 6 V
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.05 грн
10+46.41 грн
100+30.45 грн
500+22.14 грн
1000+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
US6K4TR datasheet?p=US6K4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
US6K4TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Active
на замовлення 9287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.33 грн
10+43.46 грн
100+28.31 грн
500+20.47 грн
1000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BD9150MUV-E2 BD9150MUV.pdf
BD9150MUV-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG BUCK ADJ/3.3V DL 20VQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD9150MUV-E2 BD9150MUV.pdf
BD9150MUV-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG BUCK ADJ/3.3V DL 20VQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSD200N10TL RSD200N10.pdf
RSD200N10TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSD200N10TL RSD200N10.pdf
RSD200N10TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1021 mcr-e.pdf
MCR10EZPF1021
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 1.02K OHM 1% 1/8W 0805
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 1.02 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1024 mcr.pdf
MCR10EZPF1024
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 1.02M OHM 1% 1/8W 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1051 mcr.pdf
MCR10EZPF1051
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 1.05K OHM 1% 1/8W 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1054 mcr.pdf
MCR10EZPF1054
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 1.05M OHM 1% 1/8W 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1151 mcr.pdf
MCR10EZPF1151
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 1.15K OHM 1% 1/8W 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1181 mcr.pdf
MCR10EZPF1181
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 1.18K OHM 1% 1/8W 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1184 mcr.pdf
MCR10EZPF1184
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 1.18M OHM 1% 1/8W 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1271 mcr.pdf
MCR10EZPF1271
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 1.27K OHM 1% 1/8W 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1304 mcr-e.pdf
MCR10EZPF1304
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 1.3M OHM 1% 1/8W 0805
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 1.3 MOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1371 mcr.pdf
MCR10EZPF1371
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 1.37K OHM 1% 1/8W 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1404 mcr-e.pdf
MCR10EZPF1404
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 1.4M OHM 1% 1/8W 0805
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 1.4 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1431 mcr-e.pdf
MCR10EZPF1431
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 1.43K OHM 1% 1/8W 0805
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 1.43 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1474 mcr-e.pdf
MCR10EZPF1474
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 1.47M OHM 1% 1/8W 0805
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 1.47 MOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1504 mcr.pdf
MCR10EZPF1504
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 1.5M OHM 1% 1/8W 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1541 mcr-e.pdf
MCR10EZPF1541
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 1.54K OHM 1% 1/8W 0805
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 1.54 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1624 mcr.pdf
MCR10EZPF1624
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 1.62M OHM 1% 1/8W 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1651 mcr.pdf
MCR10EZPF1651
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 1.65K OHM 1% 1/8W 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1654 mcr.pdf
MCR10EZPF1654
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 1.65M OHM 1% 1/8W 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1691 mcr.pdf
MCR10EZPF1691
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 1.69K OHM 1% 1/8W 0805
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1694 mcr.pdf
MCR10EZPF1694
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 1.69M OHM 1% 1/8W 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10EZPF1744 mcr-e.pdf
MCR10EZPF1744
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 1.74M OHM 1% 1/8W 0805
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 1.74 MOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 169 275 276 277 278 279 280 281 282 283 284 285 338 507 676 845 1014 1183 1352 1521 1690 1694  [ Наступна Сторінка >> ]