Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (102219) > Сторінка 415 з 1704
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FMP1T148 | Rohm Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 80V 25MA SMD5Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Mounting Type: Surface Mount Diode Type: Single Phase Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: SMD5 Voltage - Peak Reverse (Max): 80 V Current - Average Rectified (Io): 25 mA Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 5 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V |
на замовлення 1928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FMY5T148 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP 120V 50MA SMT5Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP (Emitter Coupled) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SMT5 |
на замовлення 2530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IMH23T110 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 600mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SMT6 Part Status: Active |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IMH8AT108 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: SMT6 |
на замовлення 79 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMSTA28T146 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN DARL 80V 0.3A SMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 200 mW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
PTZTE2510B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 10.3V 1W PMDSTolerance: ±6% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10.3 V Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms Supplier Device Package: PMDS Part Status: Not For New Designs Power - Max: 1 W Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 7 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
PTZTE2511B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 11.5V 1W PMDS |
на замовлення 1720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
PTZTE2513B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 13.8V 1W PMDS |
на замовлення 2720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
PTZTE2515B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 15.4V 1W PMDSTolerance: ±6% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15.4 V Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms Supplier Device Package: PMDS Power - Max: 1 W Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 11 V |
на замовлення 1869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PTZTE2516B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 16.9V 1W PMDSTolerance: ±6% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16.9 V Impedance (Max) (Zzt): 12 Ohms Supplier Device Package: PMDS Power - Max: 1 W Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 12 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
PTZTE2520B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 20.8V 1W PMDS |
на замовлення 1678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
PTZTE2522B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 23.9V 1W PMDS |
на замовлення 2649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
PTZTE2530B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 31.6V 1W PMDS |
на замовлення 3859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
PTZTE2533B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 35V 1W PMDS |
на замовлення 1056 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
PTZTE256.2B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 6.5V 1W PMDS |
на замовлення 3829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
PTZTE258.2B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 8.7V 1W PMDS |
на замовлення 2181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
QS6J11TR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 600mW Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Part Status: Active |
на замовлення 3059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
QS8K2TR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8 |
на замовлення 2746 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
QST8TR | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS 2PNP 12V 1.5A TSMT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 1.25W Current - Collector (Ic) (Max): 1.5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Part Status: Active |
на замовлення 2430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
QSX8TR | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS 2NPN 30V 1A 6TSMTPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 1.25W Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) |
на замовлення 255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RB060L-40TE25 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A PMDS |
на замовлення 3570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RB160L-60TE25 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A PMDS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: PMDS Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 60 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RB421DT146 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SMD3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 100mA Supplier Device Package: SMD3 Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 10 V |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RB461FT106 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 700MA UMD3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 700mA Supplier Device Package: UMD3 Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 700 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 20 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RB550EATR | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 700MA TSMD5Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 700mA Supplier Device Package: TSMD5 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 700 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V |
на замовлення 984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RB558WTL | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V EMD3 |
на замовлення 8964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RB731XNTR | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 40V 30MA UMD6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Schottky Diode Configuration: 3 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30mA Supplier Device Package: UMD6 Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 370 mV @ 1 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 10 V |
на замовлення 5665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RN142GT2R | Rohm Semiconductor |
Description: RF DIODE PIN 60V VMD2Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-723 Diode Type: PIN - Single Operating Temperature: 150°C (TJ) Capacitance @ Vr, F: 0.45pF @ 1V, 1MHz Resistance @ If, F: 2Ohm @ 10mA, 100MHz Voltage - Peak Reverse (Max): 60V Supplier Device Package: VMD2 Part Status: Obsolete Current - Max: 100 mA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RUM002N02T2L | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V |
на замовлення 181362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RUR020N02TL | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V |
на замовлення 9453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RZM002P02T2L | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V |
на замовлення 21327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STZ5.6NT146 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER ARRAY 5.6V SMD3Tolerance: ±5% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 1 Pair Common Anode Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms Supplier Device Package: SMD3 Power - Max: 200 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2.5 V |
на замовлення 4949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STZ6.2NT146 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER ARRAY 6.2V SMD3Tolerance: ±5% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 1 Pair Common Anode Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms Supplier Device Package: SMD3 Power - Max: 200 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 3 V |
на замовлення 14065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STZ6.8NT146 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER ARRAY 6.8V SMD3Tolerance: ±5% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 1 Pair Common Anode Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms Supplier Device Package: SMD3 Part Status: Active Power - Max: 200 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 3.5 V |
на замовлення 903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UDZSTE-1736B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 36V 200MW UMD2Tolerance: ±3% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-90, SOD-323F Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V Impedance (Max) (Zzt): 300 Ohms Supplier Device Package: UMD2 Part Status: Not For New Designs Power - Max: 200 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 27 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
UMC2NTR | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT5Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: UMT5 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
UMC5NTR | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT5Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA, 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms Supplier Device Package: UMT5 |
на замовлення 4865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UMD22NTR | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: UMT6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
UMG3NTR | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: UMT5 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UML6NTR | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 12V 0.5A UMT5Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN + Diode (Isolated) Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: UMT5 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 120 mW |
на замовлення 1502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UMZ12NT106 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER ARRAY 12V UMD3Tolerance: ±8% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 1 Pair Common Anode Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: UMD3 Power - Max: 200 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 9 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
UMZ6.8NT106 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER ARRAY 6.8V UMD3Tolerance: ±5% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 1 Pair Common Anode Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms Supplier Device Package: UMD3 Power - Max: 200 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 3.5 V |
на замовлення 1260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UMZ7NTR | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP 12V 0.5A 6UMT |
на замовлення 8703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
R6004CNDTL | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 4A CPT |
на замовлення 4226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MP6K11TCR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A MPT6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MP6K12TCR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A MPT6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MP6K14TCR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A MPT6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MP6M11TCR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MP6M14TCR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RP1E125XNTR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A MPT6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RF301B2STL | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A CPD |
на замовлення 4365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RF501B2STL | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 200V 5A CPD |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
PTZTE2513B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 13.8V 1W PMDS |
на замовлення 1220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
PTZTE2520B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 20.8V 1W PMDS |
на замовлення 1678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
PTZTE2522B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 23.9V 1W PMDS |
на замовлення 2649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
PTZTE2530B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 31.6V 1W PMDS |
на замовлення 3859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
PTZTE2533B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 35V 1W PMDS |
на замовлення 1056 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
PTZTE256.2B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 6.5V 1W PMDS |
на замовлення 3829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
PTZTE258.2B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 8.7V 1W PMDS |
на замовлення 2181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
QS8K2TR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8 |
на замовлення 2746 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FMP1T148 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 80V 25MA SMD5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: SMD5
Voltage - Peak Reverse (Max): 80 V
Current - Average Rectified (Io): 25 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 5 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 80V 25MA SMD5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: SMD5
Voltage - Peak Reverse (Max): 80 V
Current - Average Rectified (Io): 25 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 5 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 36.11 грн |
| 11+ | 30.00 грн |
| 100+ | 22.41 грн |
| 500+ | 16.53 грн |
| 1000+ | 12.77 грн |
| FMY5T148 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP 120V 50MA SMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP (Emitter Coupled)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT5
Description: TRANS NPN/PNP 120V 50MA SMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP (Emitter Coupled)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT5
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.78 грн |
| 10+ | 35.26 грн |
| 100+ | 22.69 грн |
| 500+ | 16.21 грн |
| 1000+ | 14.57 грн |
| IMH23T110 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Active
Description: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IMH8AT108 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SMT6
Description: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 36.95 грн |
| 12+ | 27.74 грн |
| MMSTA28T146 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN DARL 80V 0.3A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 200 mW
Description: TRANS NPN DARL 80V 0.3A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PTZTE2510B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 10.3V 1W PMDS
Tolerance: ±6%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms
Supplier Device Package: PMDS
Part Status: Not For New Designs
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 7 V
Description: DIODE ZENER 10.3V 1W PMDS
Tolerance: ±6%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms
Supplier Device Package: PMDS
Part Status: Not For New Designs
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 7 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PTZTE2511B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 11.5V 1W PMDS
Description: DIODE ZENER 11.5V 1W PMDS
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PTZTE2513B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 13.8V 1W PMDS
Description: DIODE ZENER 13.8V 1W PMDS
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PTZTE2515B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 15.4V 1W PMDS
Tolerance: ±6%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15.4 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: PMDS
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 11 V
Description: DIODE ZENER 15.4V 1W PMDS
Tolerance: ±6%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15.4 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: PMDS
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 11 V
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.83 грн |
| 10+ | 35.26 грн |
| 100+ | 26.30 грн |
| 500+ | 19.39 грн |
| PTZTE2516B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 16.9V 1W PMDS
Tolerance: ±6%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 12 Ohms
Supplier Device Package: PMDS
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 12 V
Description: DIODE ZENER 16.9V 1W PMDS
Tolerance: ±6%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 12 Ohms
Supplier Device Package: PMDS
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PTZTE2520B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 20.8V 1W PMDS
Description: DIODE ZENER 20.8V 1W PMDS
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PTZTE2522B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 23.9V 1W PMDS
Description: DIODE ZENER 23.9V 1W PMDS
на замовлення 2649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PTZTE2530B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 31.6V 1W PMDS
Description: DIODE ZENER 31.6V 1W PMDS
на замовлення 3859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PTZTE2533B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 35V 1W PMDS
Description: DIODE ZENER 35V 1W PMDS
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PTZTE256.2B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.5V 1W PMDS
Description: DIODE ZENER 6.5V 1W PMDS
на замовлення 3829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PTZTE258.2B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 8.7V 1W PMDS
Description: DIODE ZENER 8.7V 1W PMDS
на замовлення 2181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| QS6J11TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Description: MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
на замовлення 3059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 79.78 грн |
| 10+ | 48.12 грн |
| 100+ | 31.38 грн |
| 500+ | 22.69 грн |
| 1000+ | 20.51 грн |
| QS8K2TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| QST8TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2PNP 12V 1.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 1.25W
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Description: TRANS 2PNP 12V 1.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 1.25W
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 67.18 грн |
| 10+ | 40.35 грн |
| 100+ | 26.22 грн |
| 500+ | 18.89 грн |
| 1000+ | 17.05 грн |
| QSX8TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN 30V 1A 6TSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 1.25W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Description: TRANS 2NPN 30V 1A 6TSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 1.25W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 68.86 грн |
| 10+ | 41.24 грн |
| 100+ | 26.82 грн |
| RB060L-40TE25 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A PMDS
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A PMDS
на замовлення 3570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RB160L-60TE25 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A PMDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PMDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 60 V
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A PMDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PMDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RB421DT146 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SMD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: SMD3
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 10 V
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SMD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: SMD3
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 10 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RB461FT106 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 700MA UMD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 700mA
Supplier Device Package: UMD3
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 700 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 20 V
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 700MA UMD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 700mA
Supplier Device Package: UMD3
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 700 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.63 грн |
| 11+ | 31.94 грн |
| 100+ | 23.82 грн |
| 500+ | 17.56 грн |
| 1000+ | 13.57 грн |
| RB550EATR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 700MA TSMD5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 700mA
Supplier Device Package: TSMD5
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 700 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 700MA TSMD5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 700mA
Supplier Device Package: TSMD5
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 700 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 68.02 грн |
| 10+ | 40.51 грн |
| 100+ | 26.21 грн |
| 500+ | 18.83 грн |
| RB558WTL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V EMD3
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V EMD3
на замовлення 8964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RB731XNTR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 40V 30MA UMD6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30mA
Supplier Device Package: UMD6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 370 mV @ 1 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 10 V
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 40V 30MA UMD6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30mA
Supplier Device Package: UMD6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 370 mV @ 1 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 10 V
на замовлення 5665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 62.14 грн |
| 10+ | 36.63 грн |
| 100+ | 26.96 грн |
| 500+ | 19.46 грн |
| 1000+ | 17.58 грн |
| RN142GT2R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RF DIODE PIN 60V VMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-723
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.45pF @ 1V, 1MHz
Resistance @ If, F: 2Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 60V
Supplier Device Package: VMD2
Part Status: Obsolete
Current - Max: 100 mA
Description: RF DIODE PIN 60V VMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-723
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.45pF @ 1V, 1MHz
Resistance @ If, F: 2Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 60V
Supplier Device Package: VMD2
Part Status: Obsolete
Current - Max: 100 mA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RUM002N02T2L |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 181362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 23.51 грн |
| 24+ | 13.83 грн |
| 100+ | 8.67 грн |
| 500+ | 6.01 грн |
| 1000+ | 5.33 грн |
| 2000+ | 4.75 грн |
| RUR020N02TL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
на замовлення 9453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 46.19 грн |
| 11+ | 29.60 грн |
| 100+ | 20.14 грн |
| 500+ | 14.85 грн |
| 1000+ | 13.51 грн |
| RZM002P02T2L |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V
на замовлення 21327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 23.51 грн |
| 24+ | 13.59 грн |
| 100+ | 8.47 грн |
| 500+ | 5.87 грн |
| 1000+ | 5.20 грн |
| 2000+ | 4.64 грн |
| STZ5.6NT146 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER ARRAY 5.6V SMD3
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 1 Pair Common Anode
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SMD3
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2.5 V
Description: DIODE ZENER ARRAY 5.6V SMD3
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 1 Pair Common Anode
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SMD3
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2.5 V
на замовлення 4949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.99 грн |
| 10+ | 34.61 грн |
| 100+ | 23.68 грн |
| 500+ | 17.63 грн |
| 1000+ | 16.06 грн |
| STZ6.2NT146 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER ARRAY 6.2V SMD3
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 1 Pair Common Anode
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SMD3
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 3 V
Description: DIODE ZENER ARRAY 6.2V SMD3
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 1 Pair Common Anode
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SMD3
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 3 V
на замовлення 14065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 47.03 грн |
| 10+ | 38.90 грн |
| 100+ | 27.06 грн |
| 500+ | 19.83 грн |
| 1000+ | 16.12 грн |
| STZ6.8NT146 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER ARRAY 6.8V SMD3
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 1 Pair Common Anode
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SMD3
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 3.5 V
Description: DIODE ZENER ARRAY 6.8V SMD3
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 1 Pair Common Anode
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SMD3
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 3.5 V
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.51 грн |
| 10+ | 32.67 грн |
| 100+ | 21.78 грн |
| 500+ | 15.66 грн |
| UDZSTE-1736B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 36V 200MW UMD2
Tolerance: ±3%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 300 Ohms
Supplier Device Package: UMD2
Part Status: Not For New Designs
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 27 V
Description: DIODE ZENER 36V 200MW UMD2
Tolerance: ±3%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 300 Ohms
Supplier Device Package: UMD2
Part Status: Not For New Designs
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 27 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UMC2NTR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: UMT5
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: UMT5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UMC5NTR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: UMT5
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: UMT5
на замовлення 4865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 30.23 грн |
| 16+ | 20.22 грн |
| 100+ | 10.20 грн |
| 500+ | 8.48 грн |
| 1000+ | 6.60 грн |
| UMD22NTR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UMG3NTR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: UMT5
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: UMT5
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 35.27 грн |
| 14+ | 24.18 грн |
| 100+ | 12.20 грн |
| 500+ | 10.15 грн |
| 1000+ | 7.90 грн |
| UML6NTR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 12V 0.5A UMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN + Diode (Isolated)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: UMT5
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 120 mW
Description: TRANS NPN 12V 0.5A UMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN + Diode (Isolated)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: UMT5
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 120 mW
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 27.71 грн |
| 16+ | 20.78 грн |
| 100+ | 12.49 грн |
| 500+ | 10.85 грн |
| 1000+ | 7.64 грн |
| UMZ12NT106 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER ARRAY 12V UMD3
Tolerance: ±8%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 1 Pair Common Anode
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: UMD3
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 9 V
Description: DIODE ZENER ARRAY 12V UMD3
Tolerance: ±8%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 1 Pair Common Anode
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: UMD3
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 9 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UMZ6.8NT106 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER ARRAY 6.8V UMD3
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 1 Pair Common Anode
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: UMD3
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 3.5 V
Description: DIODE ZENER ARRAY 6.8V UMD3
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 1 Pair Common Anode
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: UMD3
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 3.5 V
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 29.39 грн |
| 15+ | 22.24 грн |
| 100+ | 13.36 грн |
| 500+ | 11.61 грн |
| 1000+ | 7.89 грн |
| UMZ7NTR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP 12V 0.5A 6UMT
Description: TRANS NPN/PNP 12V 0.5A 6UMT
на замовлення 8703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| R6004CNDTL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 4A CPT
Description: MOSFET N-CH 600V 4A CPT
на замовлення 4226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| MP6K11TCR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A MPT6
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A MPT6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MP6K12TCR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A MPT6
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A MPT6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MP6K14TCR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A MPT6
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A MPT6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MP6M11TCR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MP6M14TCR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RP1E125XNTR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A MPT6
Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A MPT6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RF301B2STL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A CPD
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A CPD
на замовлення 4365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RF501B2STL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 5A CPD
Description: DIODE GEN PURP 200V 5A CPD
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PTZTE2513B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 13.8V 1W PMDS
Description: DIODE ZENER 13.8V 1W PMDS
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PTZTE2520B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 20.8V 1W PMDS
Description: DIODE ZENER 20.8V 1W PMDS
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PTZTE2522B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 23.9V 1W PMDS
Description: DIODE ZENER 23.9V 1W PMDS
на замовлення 2649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PTZTE2530B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 31.6V 1W PMDS
Description: DIODE ZENER 31.6V 1W PMDS
на замовлення 3859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PTZTE2533B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 35V 1W PMDS
Description: DIODE ZENER 35V 1W PMDS
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PTZTE256.2B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.5V 1W PMDS
Description: DIODE ZENER 6.5V 1W PMDS
на замовлення 3829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PTZTE258.2B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 8.7V 1W PMDS
Description: DIODE ZENER 8.7V 1W PMDS
на замовлення 2181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| QS8K2TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.



























