Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (103512) > Сторінка 411 з 1726

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 172 344 406 407 408 409 410 411 412 413 414 415 416 516 688 860 1032 1204 1376 1548 1720 1726  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MP6K31TCR MP6K31TCR Rohm Semiconductor MP6K31.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 2A MPT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MP6M11TCR MP6M11TCR Rohm Semiconductor MP6M11.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MP6M14TCR MP6M14TCR Rohm Semiconductor MP6M14.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K51TR QS8K51TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS8K51&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT8
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M12TCR QS8M12TCR Rohm Semiconductor QS8M12.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M51TR QS8M51TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS8M51&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V, 950pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 7211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.41 грн
10+87.46 грн
100+59.04 грн
500+43.98 грн
1000+40.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ300N20TL RCJ300N20TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RCJ300N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 200V 30A LPTS
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ330N25TL RCJ330N25TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RCJ330N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 250V 33A LPTS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 16.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ450N20TL RCJ450N20TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RCJ450N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 200V 45A LPTS
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.82 грн
10+153.67 грн
25+140.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ510N25TL RCJ510N25TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RCJ510N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 250V 51A LPTS
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 25.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 4977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+423.27 грн
10+275.03 грн
25+240.57 грн
100+189.53 грн
250+171.95 грн
500+161.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ700N20TL RCJ700N20TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RCJ700N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 200V 70A LPTS
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+451.75 грн
10+294.08 грн
25+257.63 грн
100+203.38 грн
250+184.74 грн
500+173.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RF201L4STE25 RF201L4STE25 Rohm Semiconductor rf201l4s.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: PMDS
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFN1L6STE25 RFN1L6STE25 Rohm Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: PMDS
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFN1L7STE25 RFN1L7STE25 Rohm Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: PMDS
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Technology: Standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFUH10NS6STL RFUH10NS6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFUH10NS6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE STANDARD 600V 10A LPDS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: LPDS
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.28 грн
10+64.30 грн
100+51.88 грн
500+41.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RFUH20NS6STL RFUH20NS6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFUH20NS6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE STANDARD 600V 20A LPDS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: LPDS
Current - Average Rectified (Io): 20A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.02 грн
10+112.30 грн
100+80.70 грн
500+60.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RP1E075RPTR RP1E075RPTR Rohm Semiconductor RP1E075RP.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 7.5A MPT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RP1E100XNTR RP1E100XNTR Rohm Semiconductor RP1E100XN.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10A MPT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RP1E125XNTR RP1E125XNTR Rohm Semiconductor RP1E125XN.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A MPT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RP1L080SNTR RP1L080SNTR Rohm Semiconductor RP1L080SN.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8A MPT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E100MNTB1 RQ3E100MNTB1 Rohm Semiconductor RQ3E100MN Description: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
на замовлення 5261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.07 грн
10+71.54 грн
100+55.78 грн
500+43.24 грн
1000+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E130MNTB1 RQ3E130MNTB1 Rohm Semiconductor rq3e130mn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E150MNTB1 RQ3E150MNTB1 Rohm Semiconductor RQ3E150MN Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSB33VTE-17 RSB33VTE-17 Rohm Semiconductor datasheet?p=RSB33V&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TVS DIODE 25VWM UMD2
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Not For New Designs
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 29.7V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: UMD2
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 25V
Capacitance @ Frequency: 30pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
на замовлення 148028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.90 грн
15+21.10 грн
100+14.37 грн
500+10.11 грн
1000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RSB36VTE-17 RSB36VTE-17 Rohm Semiconductor rsb36v.pdf Description: TVS DIODE 27VWM UMD2
Part Status: Not For New Designs
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 32.4V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: UMD2
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 27V
Capacitance @ Frequency: 30pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.65 грн
15+21.18 грн
100+13.13 грн
500+10.00 грн
1000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RSB39VTE-17 RSB39VTE-17 Rohm Semiconductor rsb39v.pdf Description: TVS DIODE 30VWM UMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 30pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: UMD2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 35.1V
Power Line Protection: No
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 83959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.69 грн
19+16.68 грн
100+10.53 грн
500+7.37 грн
1000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RSB5.6SMT2N RSB5.6SMT2N Rohm Semiconductor datasheet?p=RSB5.6SM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TVS DIODE 2.5VWM EMD2
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Not For New Designs
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 10W
Voltage - Breakdown (Min): 4.76V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: EMD2
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 2.5V
Applications: General Purpose
на замовлення 23974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.06 грн
13+23.62 грн
100+12.52 грн
500+7.73 грн
1000+5.26 грн
2000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RSB6.8CST2RA RSB6.8CST2RA Rohm Semiconductor RSB6.8CS_DS.pdf Description: TVS DIODE 3.5VWM VMN2
на замовлення 7111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.56 грн
10+30.93 грн
100+21.06 грн
500+14.82 грн
1000+11.12 грн
2000+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RSB6.8ZST2N RSB6.8ZST2N Rohm Semiconductor rsb6.8zs.pdf Description: TVS DIODE 3.5VWM GMD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ10HN06TL RSJ10HN06TL Rohm Semiconductor RSJ10HN06.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A LPTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10TL RSJ250P10TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RSJ250P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.71 грн
10+163.34 грн
100+114.57 грн
500+95.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ400N06TL RSJ400N06TL Rohm Semiconductor RSJ400N06.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 40A LPTS
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ400N10TL RSJ400N10TL Rohm Semiconductor rsj400n10tl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 40A LPTS
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+341.78 грн
10+218.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ550N10TL RSJ550N10TL Rohm Semiconductor rsj550n10.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 55A LPTS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.8mOhm @ 27.5A, 10V
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+355.23 грн
10+244.10 грн
100+174.44 грн
500+135.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ650N10TL RSJ650N10TL Rohm Semiconductor rsj650n10-e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10780 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 32.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+452.55 грн
10+326.84 грн
100+246.58 грн
500+208.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ800N06TL RSJ800N06TL Rohm Semiconductor Description: MOSFET N-CH 60V 80A LPTS
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Supplier Device Package: LPTS
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.49 грн
10+185.59 грн
100+135.87 грн
500+107.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ015P10TR RSQ015P10TR Rohm Semiconductor rsq015p10.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSR010N10TL RSR010N10TL Rohm Semiconductor rsr010n10tl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.70 грн
10+48.23 грн
100+31.54 грн
500+22.86 грн
1000+20.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RF301B2STL RF301B2STL Rohm Semiconductor RF301B2S.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A CPD
на замовлення 4365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF501B2STL RF501B2STL Rohm Semiconductor RF501B2STL.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 5A CPD
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1SS355VMTE-17 1SS355VMTE-17 Rohm Semiconductor datasheet?p=1SS355VM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE STANDARD 80V 100MA UMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0.5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: UMD2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
на замовлення 1688047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.45 грн
39+7.92 грн
100+4.88 грн
500+3.33 грн
1000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2048KT146Q 2SA2048KT146Q Rohm Semiconductor 2sa2048k.pdf Description: TRANS PNP 30V 1A SMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: SMT3
Frequency - Transition: 350MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.86 грн
15+21.48 грн
100+10.81 грн
500+8.99 грн
1000+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2088T106Q 2SA2088T106Q Rohm Semiconductor 2sa2088t106q-e.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.5A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.39 грн
15+21.71 грн
100+13.76 грн
500+9.70 грн
1000+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2094TLQ 2SA2094TLQ Rohm Semiconductor datasheet?p=2SA2094&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: TRANS PNP 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 6131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.43 грн
10+30.47 грн
100+19.63 грн
500+14.01 грн
1000+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2119KT146 2SA2119KT146 Rohm Semiconductor datasheet?p=2SA2119K&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 12V 0.5A SMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMT3
Frequency - Transition: 260MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.02 грн
13+24.46 грн
100+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5824T100R 2SC5824T100R Rohm Semiconductor datasheet?p=2SC5824&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: TRANS NPN 60V 3A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.25 грн
10+40.15 грн
100+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866TLQ 2SC5866TLQ Rohm Semiconductor datasheet?p=2SC5866&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: TRANS NPN 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.05 грн
11+29.18 грн
100+18.81 грн
500+13.44 грн
1000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866TLR 2SC5866TLR Rohm Semiconductor datasheet?p=2SC5866&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: TRANS NPN 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 21924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.05 грн
11+29.18 грн
100+18.81 грн
500+13.44 грн
1000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5868TLQ 2SC5868TLQ Rohm Semiconductor 2sc5868.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.5A TSMT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.48 грн
15+21.18 грн
100+12.68 грн
500+11.03 грн
1000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5868TLR 2SC5868TLR Rohm Semiconductor 2sc5868.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.5A TSMT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2703TL 2SD2703TL Rohm Semiconductor datasheet?p=2SD2703&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 1A TUMT3
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TUMT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.89 грн
10+37.71 грн
100+28.14 грн
500+20.75 грн
1000+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114YUBTL DTA114YUBTL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA114YUB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Resistors Included: R1 and R2
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-85
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3F
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.66 грн
41+7.54 грн
100+4.67 грн
500+3.19 грн
1000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116 DTC114ECAT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114ECA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.06 грн
17+17.98 грн
100+11.33 грн
500+7.95 грн
1000+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEBTL DTC114EEBTL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114EEB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.03 грн
35+8.91 грн
100+5.52 грн
500+3.80 грн
1000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EUBTL DTC114EUBTL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114EUB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.87 грн
43+7.24 грн
100+4.48 грн
500+3.06 грн
1000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUBTL DTC114YUBTL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114YUB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3F
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-85
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.45 грн
38+8.23 грн
100+5.07 грн
500+3.46 грн
1000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JUBTL DTC123JUBTL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC123JUB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3F
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-85
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.45 грн
38+8.23 грн
100+5.10 грн
500+3.48 грн
1000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DTC124EUBTL DTC124EUBTL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC124EUB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 11239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.87 грн
42+7.39 грн
100+4.55 грн
500+3.11 грн
1000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ZEBTL DTC143ZEBTL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC143ZEB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 15713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.82 грн
32+9.52 грн
100+5.90 грн
500+4.05 грн
1000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ZUBTL DTC143ZUBTL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC143ZUB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.87 грн
42+7.31 грн
100+4.50 грн
500+3.08 грн
1000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MP6K31TCR MP6K31.pdf
MP6K31TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 2A MPT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MP6M11TCR MP6M11.pdf
MP6M11TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MP6M14TCR MP6M14.pdf
MP6M14TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K51TR datasheet?p=QS8K51&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS8K51TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT8
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M12TCR QS8M12.pdf
QS8M12TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M51TR datasheet?p=QS8M51&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS8M51TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V, 950pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 7211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.41 грн
10+87.46 грн
100+59.04 грн
500+43.98 грн
1000+40.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ300N20TL datasheet?p=RCJ300N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCJ300N20TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 30A LPTS
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ330N25TL datasheet?p=RCJ330N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCJ330N25TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 33A LPTS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 16.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ450N20TL datasheet?p=RCJ450N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCJ450N20TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 45A LPTS
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.82 грн
10+153.67 грн
25+140.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ510N25TL datasheet?p=RCJ510N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCJ510N25TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 51A LPTS
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 25.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 4977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+423.27 грн
10+275.03 грн
25+240.57 грн
100+189.53 грн
250+171.95 грн
500+161.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ700N20TL datasheet?p=RCJ700N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCJ700N20TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 70A LPTS
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+451.75 грн
10+294.08 грн
25+257.63 грн
100+203.38 грн
250+184.74 грн
500+173.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RF201L4STE25 rf201l4s.pdf
RF201L4STE25
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: PMDS
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFN1L6STE25
RFN1L6STE25
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: PMDS
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFN1L7STE25
RFN1L7STE25
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: PMDS
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Technology: Standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFUH10NS6STL datasheet?p=RFUH10NS6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFUH10NS6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 600V 10A LPDS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: LPDS
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.28 грн
10+64.30 грн
100+51.88 грн
500+41.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RFUH20NS6STL datasheet?p=RFUH20NS6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFUH20NS6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 600V 20A LPDS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: LPDS
Current - Average Rectified (Io): 20A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.02 грн
10+112.30 грн
100+80.70 грн
500+60.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RP1E075RPTR RP1E075RP.pdf
RP1E075RPTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 7.5A MPT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RP1E100XNTR RP1E100XN.pdf
RP1E100XNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 10A MPT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RP1E125XNTR RP1E125XN.pdf
RP1E125XNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A MPT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RP1L080SNTR RP1L080SN.pdf
RP1L080SNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 8A MPT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E100MNTB1 RQ3E100MN
RQ3E100MNTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
на замовлення 5261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.07 грн
10+71.54 грн
100+55.78 грн
500+43.24 грн
1000+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E130MNTB1 rq3e130mn.pdf
RQ3E130MNTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E150MNTB1 RQ3E150MN
RQ3E150MNTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSB33VTE-17 datasheet?p=RSB33V&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RSB33VTE-17
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TVS DIODE 25VWM UMD2
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Not For New Designs
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 29.7V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: UMD2
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 25V
Capacitance @ Frequency: 30pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
на замовлення 148028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.90 грн
15+21.10 грн
100+14.37 грн
500+10.11 грн
1000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RSB36VTE-17 rsb36v.pdf
RSB36VTE-17
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TVS DIODE 27VWM UMD2
Part Status: Not For New Designs
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 32.4V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: UMD2
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 27V
Capacitance @ Frequency: 30pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.65 грн
15+21.18 грн
100+13.13 грн
500+10.00 грн
1000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RSB39VTE-17 rsb39v.pdf
RSB39VTE-17
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TVS DIODE 30VWM UMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 30pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: UMD2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 35.1V
Power Line Protection: No
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 83959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.69 грн
19+16.68 грн
100+10.53 грн
500+7.37 грн
1000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RSB5.6SMT2N datasheet?p=RSB5.6SM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RSB5.6SMT2N
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TVS DIODE 2.5VWM EMD2
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Not For New Designs
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 10W
Voltage - Breakdown (Min): 4.76V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: EMD2
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 2.5V
Applications: General Purpose
на замовлення 23974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.06 грн
13+23.62 грн
100+12.52 грн
500+7.73 грн
1000+5.26 грн
2000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RSB6.8CST2RA RSB6.8CS_DS.pdf
RSB6.8CST2RA
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TVS DIODE 3.5VWM VMN2
на замовлення 7111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.56 грн
10+30.93 грн
100+21.06 грн
500+14.82 грн
1000+11.12 грн
2000+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RSB6.8ZST2N rsb6.8zs.pdf
RSB6.8ZST2N
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TVS DIODE 3.5VWM GMD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ10HN06TL RSJ10HN06.pdf
RSJ10HN06TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LPTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10TL datasheet?p=RSJ250P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RSJ250P10TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.71 грн
10+163.34 грн
100+114.57 грн
500+95.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ400N06TL RSJ400N06.pdf
RSJ400N06TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 40A LPTS
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ400N10TL rsj400n10tl-e.pdf
RSJ400N10TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 40A LPTS
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+341.78 грн
10+218.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ550N10TL rsj550n10.pdf
RSJ550N10TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 55A LPTS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.8mOhm @ 27.5A, 10V
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+355.23 грн
10+244.10 грн
100+174.44 грн
500+135.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ650N10TL rsj650n10-e.pdf
RSJ650N10TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10780 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 32.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+452.55 грн
10+326.84 грн
100+246.58 грн
500+208.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ800N06TL
RSJ800N06TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 80A LPTS
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Supplier Device Package: LPTS
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.49 грн
10+185.59 грн
100+135.87 грн
500+107.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ015P10TR rsq015p10.pdf
RSQ015P10TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSR010N10TL rsr010n10tl-e.pdf
RSR010N10TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.70 грн
10+48.23 грн
100+31.54 грн
500+22.86 грн
1000+20.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RF301B2STL RF301B2S.pdf
RF301B2STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A CPD
на замовлення 4365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF501B2STL RF501B2STL.pdf
RF501B2STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 5A CPD
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1SS355VMTE-17 datasheet?p=1SS355VM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
1SS355VMTE-17
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 80V 100MA UMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0.5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: UMD2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
на замовлення 1688047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.45 грн
39+7.92 грн
100+4.88 грн
500+3.33 грн
1000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2048KT146Q 2sa2048k.pdf
2SA2048KT146Q
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 1A SMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: SMT3
Frequency - Transition: 350MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.86 грн
15+21.48 грн
100+10.81 грн
500+8.99 грн
1000+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2088T106Q 2sa2088t106q-e.pdf
2SA2088T106Q
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 60V 0.5A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.39 грн
15+21.71 грн
100+13.76 грн
500+9.70 грн
1000+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2094TLQ datasheet?p=2SA2094&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
2SA2094TLQ
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 6131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.43 грн
10+30.47 грн
100+19.63 грн
500+14.01 грн
1000+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2119KT146 datasheet?p=2SA2119K&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SA2119KT146
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 12V 0.5A SMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMT3
Frequency - Transition: 260MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.02 грн
13+24.46 грн
100+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5824T100R datasheet?p=2SC5824&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
2SC5824T100R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 3A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.25 грн
10+40.15 грн
100+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866TLQ datasheet?p=2SC5866&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
2SC5866TLQ
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.05 грн
11+29.18 грн
100+18.81 грн
500+13.44 грн
1000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866TLR datasheet?p=2SC5866&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
2SC5866TLR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 21924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.05 грн
11+29.18 грн
100+18.81 грн
500+13.44 грн
1000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5868TLQ 2sc5868.pdf
2SC5868TLQ
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 0.5A TSMT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.48 грн
15+21.18 грн
100+12.68 грн
500+11.03 грн
1000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5868TLR 2sc5868.pdf
2SC5868TLR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 0.5A TSMT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2703TL datasheet?p=2SD2703&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SD2703TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 1A TUMT3
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TUMT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.89 грн
10+37.71 грн
100+28.14 грн
500+20.75 грн
1000+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114YUBTL datasheet?p=DTA114YUB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTA114YUBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Resistors Included: R1 and R2
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-85
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3F
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.66 грн
41+7.54 грн
100+4.67 грн
500+3.19 грн
1000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116 datasheet?p=DTC114ECA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC114ECAT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.06 грн
17+17.98 грн
100+11.33 грн
500+7.95 грн
1000+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEBTL datasheet?p=DTC114EEB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC114EEBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.03 грн
35+8.91 грн
100+5.52 грн
500+3.80 грн
1000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EUBTL datasheet?p=DTC114EUB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
DTC114EUBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.87 грн
43+7.24 грн
100+4.48 грн
500+3.06 грн
1000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUBTL datasheet?p=DTC114YUB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC114YUBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3F
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-85
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.45 грн
38+8.23 грн
100+5.07 грн
500+3.46 грн
1000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JUBTL datasheet?p=DTC123JUB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC123JUBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3F
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-85
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.45 грн
38+8.23 грн
100+5.10 грн
500+3.48 грн
1000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DTC124EUBTL datasheet?p=DTC124EUB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC124EUBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 11239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.87 грн
42+7.39 грн
100+4.55 грн
500+3.11 грн
1000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ZEBTL datasheet?p=DTC143ZEB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC143ZEBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 15713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.82 грн
32+9.52 грн
100+5.90 грн
500+4.05 грн
1000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ZUBTL datasheet?p=DTC143ZUB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC143ZUBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.87 грн
42+7.31 грн
100+4.50 грн
500+3.08 грн
1000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 172 344 406 407 408 409 410 411 412 413 414 415 416 516 688 860 1032 1204 1376 1548 1720 1726  [ Наступна Сторінка >> ]