Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (105092) > Сторінка 427 з 1752

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 175 350 422 423 424 425 426 427 428 429 430 431 432 525 700 875 1050 1225 1400 1575 1750 1752  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RQ1E050RPTR RQ1E050RPTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ1E050RP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.76 грн
10+53.95 грн
100+38.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR015P03TL RRR015P03TL Rohm Semiconductor RRR015P03.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 4692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.34 грн
10+34.18 грн
100+22.00 грн
500+15.74 грн
1000+14.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03TL RRR040P03TL Rohm Semiconductor Description: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020N06TL RSR020N06TL Rohm Semiconductor rsr020n06-e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RW1A020ZPT2R RW1A020ZPT2R Rohm Semiconductor datasheet?p=RW1A020ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
на замовлення 6720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.49 грн
10+30.15 грн
100+20.57 грн
500+15.19 грн
1000+13.83 грн
2000+12.67 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RZF020P01TL RZF020P01TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RZF020P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
на замовлення 9540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.99 грн
10+37.01 грн
100+23.93 грн
500+17.18 грн
1000+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RZR020P01TL RZR020P01TL Rohm Semiconductor Description: MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
на замовлення 6603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.89 грн
10+35.00 грн
100+22.60 грн
500+16.19 грн
1000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SST3904T116 SST3904T116 Rohm Semiconductor datasheet?p=SST3904&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 40V 0.2A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 15498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.70 грн
24+12.83 грн
100+8.02 грн
500+5.55 грн
1000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SST3906T116 SST3906T116 Rohm Semiconductor datasheet?p=SST3906&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 40V 0.2A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 4671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.60 грн
28+10.89 грн
100+6.81 грн
500+4.69 грн
1000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STZ6.8TT146 STZ6.8TT146 Rohm Semiconductor stz6.8t.pdf Description: DIODE ZENER ARRAY 6.8V SMD3
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR10 TDZTR10 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 10V 500MW TUMD2
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR11 TDZTR11 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 11V 500MW TUMD2
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR12 TDZTR12 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 12V 500MW TUMD2
на замовлення 5981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR13 TDZTR13 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 13V 500MW TUMD2
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR15 TDZTR15 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 15V 500MW TUMD2
на замовлення 4584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR16 TDZTR16 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 16V 500MW TUMD2
на замовлення 8541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR18 TDZTR18 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 18V 500MW TUMD2
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR20 TDZTR20 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 20V 500MW TUMD2
на замовлення 1916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR22 TDZTR22 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 22V 500MW TUMD2
на замовлення 2558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR24 TDZTR24 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 24V 500MW TUMD2
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR27 TDZTR27 Rohm Semiconductor tdztr10-e Description: DIODE ZENER 27V 500MW TUMD2
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR30 TDZTR30 Rohm Semiconductor tdz30.pdf Description: DIODE ZENER 30V 500MW TUMD2
на замовлення 5175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR5.1 TDZTR5.1 Rohm Semiconductor datasheet?p=TDZ5.1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW TUMD2
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Supplier Device Package: TUMD2
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR5.6 TDZTR5.6 Rohm Semiconductor datasheet?p=TDZ5.6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW TUMD2
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Supplier Device Package: TUMD2
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 2.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR6.2 TDZTR6.2 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW TUMD2
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR6.8 TDZTR6.8 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW TUMD2
на замовлення 2167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR7.5 TDZTR7.5 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW TUMD2
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR8.2 TDZTR8.2 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW TUMD2
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UDZSTE-172.0B UDZSTE-172.0B Rohm Semiconductor udzs_B_Series.pdf Description: DIODE ZENER 2V 200MW UMD2
Tolerance: ±4%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: UMD2
Part Status: Not For New Designs
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UDZTE-175.6B UDZTE-175.6B Rohm Semiconductor udz_series_datasheet.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW UMD2
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UDZTE-178.2B UDZTE-178.2B Rohm Semiconductor udz_series_datasheet.pdf Description: DIODE ZENER 8.2V 200MW UMD2
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: UMD2
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 5 V
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.92 грн
23+13.43 грн
100+9.04 грн
500+6.53 грн
1000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMA1NTR UMA1NTR Rohm Semiconductor datasheet?p=UMA1N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: UMT5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMA3NTR UMA3NTR Rohm Semiconductor datasheet?p=UMA3N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
Part Status: Active
Supplier Device Package: UMT5
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.00 грн
15+21.27 грн
100+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMA4NTR UMA4NTR Rohm Semiconductor datasheet?p=UMA4N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: UMT5
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMA5NTR UMA5NTR Rohm Semiconductor datasheet?p=UMA5N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
Part Status: Active
Supplier Device Package: UMT5
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.70 грн
21+14.77 грн
100+7.48 грн
500+6.22 грн
1000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMB3NTN UMB3NTN Rohm Semiconductor emb3t2r-e.pdf Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.12 грн
16+19.77 грн
100+11.20 грн
500+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD4NTR UMD4NTR Rohm Semiconductor emd4.pdf Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.57 грн
16+18.66 грн
100+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD5NTR UMD5NTR Rohm Semiconductor datasheet?p=UMD5N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V UMT6
Power - Max: 150mW, 120mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: UMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.35 грн
19+15.74 грн
100+9.92 грн
500+6.91 грн
1000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH5NTR UMH5NTR Rohm Semiconductor datasheet?p=IMH5A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Supplier Device Package: UMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMH8NTR UMH8NTR Rohm Semiconductor imh8at108-e.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UML2NTR UML2NTR Rohm Semiconductor datasheet?p=UML2N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 50V 0.15A UMT5
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: UMT5
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN + Diode (Isolated)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.32 грн
14+22.68 грн
100+11.46 грн
500+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMN10NTR UMN10NTR Rohm Semiconductor datasheet?p=UMN10N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: UMD6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Diode Configuration: 3 Independent
на замовлення 8499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.02 грн
10+32.83 грн
100+21.15 грн
500+15.14 грн
1000+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMN11NTN UMN11NTN Rohm Semiconductor datasheet?p=UMN11N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: UMD6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
на замовлення 10364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.59 грн
11+29.48 грн
100+18.93 грн
500+13.49 грн
1000+12.11 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMP11NTN UMP11NTN Rohm Semiconductor datasheet?p=UMP11N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: UMD6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
на замовлення 13901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.49 грн
11+27.68 грн
100+17.71 грн
500+12.59 грн
1000+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMP1NTR UMP1NTR Rohm Semiconductor datasheet?p=UMP1N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY GP 80V 25MA UMD5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25mA
Supplier Device Package: UMD5
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 5 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
на замовлення 5860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.72 грн
11+27.16 грн
100+17.36 грн
500+12.32 грн
1000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMR12NTN UMR12NTN Rohm Semiconductor datasheet?p=UMR12N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: UMD6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
на замовлення 3615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.27 грн
11+28.06 грн
100+17.99 грн
500+12.81 грн
1000+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US6J11TR US6J11TR Rohm Semiconductor datasheet?p=US6J11&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Active
на замовлення 4301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+40.52 грн
100+26.37 грн
500+19.01 грн
1000+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US6M11TR US6M11TR Rohm Semiconductor datasheet?p=US6M11&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 20V/12V 1.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A, 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Active
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+40.52 грн
100+26.37 грн
500+19.01 грн
1000+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R11B VDZT2R11B Rohm Semiconductor vdz11b.pdf Description: DIODE ZENER 11V 100MW VMD2
на замовлення 12401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R12B VDZT2R12B Rohm Semiconductor vdz12b.pdf Description: DIODE ZENER 12V 100MW VMD2
на замовлення 15141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R16B VDZT2R16B Rohm Semiconductor vdzt2r16b-e Description: DIODE ZENER 16V 100MW VMD2
на замовлення 3775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R18B VDZT2R18B Rohm Semiconductor vdz18b.pdf Description: DIODE ZENER 18V 100MW VMD2
на замовлення 7046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R20B VDZT2R20B Rohm Semiconductor vdz20b.pdf Description: DIODE ZENER 20V 100MW VMD2
на замовлення 7851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R27B VDZT2R27B Rohm Semiconductor vdzt2r27b-e Description: DIODE ZENER 27V 100MW VMD2
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R30B VDZT2R30B Rohm Semiconductor datasheet?p=VDZ30B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 30V 100MW VMD2
Tolerance: ±3%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 200 Ohms
Supplier Device Package: VMD2
Power - Max: 100 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 23 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R33B VDZT2R33B Rohm Semiconductor vdz33b.pdf Description: DIODE ZENER 33V 100MW VMD2
на замовлення 15769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R36B VDZT2R36B Rohm Semiconductor vdzt2r36b-e Description: DIODE ZENER 36V 100MW VMD2
на замовлення 6428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R3.6B VDZT2R3.6B Rohm Semiconductor vdz3.6b.pdf Description: DIODE ZENER 3.6V 100MW VMD2
на замовлення 6385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R3.9B VDZT2R3.9B Rohm Semiconductor vdz3.9b.pdf Description: DIODE ZENER 3.9V 100MW VMD2
на замовлення 3664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.77 грн
13+23.43 грн
100+14.60 грн
500+9.37 грн
1000+7.21 грн
2000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R8.2B VDZT2R8.2B Rohm Semiconductor datasheet?p=VDZ8.2B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 8.2V 100MW VMD2
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: VMD2
Power - Max: 100 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 5 V
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.55 грн
16+19.40 грн
100+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E050RPTR datasheet?p=RQ1E050RP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+93.76 грн
10+53.95 грн
100+38.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR015P03TL RRR015P03.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 4692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.34 грн
10+34.18 грн
100+22.00 грн
500+15.74 грн
1000+14.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020N06TL rsr020n06-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RW1A020ZPT2R datasheet?p=RW1A020ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
на замовлення 6720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.49 грн
10+30.15 грн
100+20.57 грн
500+15.19 грн
1000+13.83 грн
2000+12.67 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RZF020P01TL datasheet?p=RZF020P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
на замовлення 9540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+61.99 грн
10+37.01 грн
100+23.93 грн
500+17.18 грн
1000+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RZR020P01TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
на замовлення 6603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+58.89 грн
10+35.00 грн
100+22.60 грн
500+16.19 грн
1000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SST3904T116 datasheet?p=SST3904&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 40V 0.2A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 15498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.70 грн
24+12.83 грн
100+8.02 грн
500+5.55 грн
1000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SST3906T116 datasheet?p=SST3906&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 4671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+18.60 грн
28+10.89 грн
100+6.81 грн
500+4.69 грн
1000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STZ6.8TT146 stz6.8t.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER ARRAY 6.8V SMD3
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR10 tdz10.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 10V 500MW TUMD2
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR11 tdz10.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 11V 500MW TUMD2
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR12 tdz10.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 12V 500MW TUMD2
на замовлення 5981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR13 tdz10.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 13V 500MW TUMD2
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR15 tdz10.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 15V 500MW TUMD2
на замовлення 4584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR16 tdz10.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 16V 500MW TUMD2
на замовлення 8541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR18 tdz10.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 18V 500MW TUMD2
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR20 tdz10.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 20V 500MW TUMD2
на замовлення 1916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR22 tdz10.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 22V 500MW TUMD2
на замовлення 2558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR24 tdz10.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 24V 500MW TUMD2
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR27 tdztr10-e
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 27V 500MW TUMD2
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR30 tdz30.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 30V 500MW TUMD2
на замовлення 5175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR5.1 datasheet?p=TDZ5.1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW TUMD2
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Supplier Device Package: TUMD2
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR5.6 datasheet?p=TDZ5.6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW TUMD2
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Supplier Device Package: TUMD2
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 2.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR6.2 tdz10.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW TUMD2
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR6.8 tdz10.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW TUMD2
на замовлення 2167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR7.5 tdz10.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW TUMD2
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR8.2 tdz10.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW TUMD2
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UDZSTE-172.0B udzs_B_Series.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 2V 200MW UMD2
Tolerance: ±4%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: UMD2
Part Status: Not For New Designs
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UDZTE-175.6B udz_series_datasheet.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW UMD2
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UDZTE-178.2B udz_series_datasheet.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 8.2V 200MW UMD2
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: UMD2
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 5 V
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+20.92 грн
23+13.43 грн
100+9.04 грн
500+6.53 грн
1000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMA1NTR datasheet?p=UMA1N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: UMT5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMA3NTR datasheet?p=UMA3N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
Part Status: Active
Supplier Device Package: UMT5
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.00 грн
15+21.27 грн
100+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMA4NTR datasheet?p=UMA4N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: UMT5
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMA5NTR datasheet?p=UMA5N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
Part Status: Active
Supplier Device Package: UMT5
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.70 грн
21+14.77 грн
100+7.48 грн
500+6.22 грн
1000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMB3NTN emb3t2r-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.12 грн
16+19.77 грн
100+11.20 грн
500+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD4NTR emd4.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.57 грн
16+18.66 грн
100+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD5NTR datasheet?p=UMD5N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V UMT6
Power - Max: 150mW, 120mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: UMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.35 грн
19+15.74 грн
100+9.92 грн
500+6.91 грн
1000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH5NTR datasheet?p=IMH5A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Supplier Device Package: UMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMH8NTR imh8at108-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UML2NTR datasheet?p=UML2N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 0.15A UMT5
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: UMT5
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN + Diode (Isolated)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.32 грн
14+22.68 грн
100+11.46 грн
500+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMN10NTR datasheet?p=UMN10N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: UMD6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Diode Configuration: 3 Independent
на замовлення 8499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+55.02 грн
10+32.83 грн
100+21.15 грн
500+15.14 грн
1000+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMN11NTN datasheet?p=UMN11N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: UMD6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
на замовлення 10364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.59 грн
11+29.48 грн
100+18.93 грн
500+13.49 грн
1000+12.11 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMP11NTN datasheet?p=UMP11N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: UMD6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
на замовлення 13901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.49 грн
11+27.68 грн
100+17.71 грн
500+12.59 грн
1000+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMP1NTR datasheet?p=UMP1N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 80V 25MA UMD5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25mA
Supplier Device Package: UMD5
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 5 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
на замовлення 5860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+45.72 грн
11+27.16 грн
100+17.36 грн
500+12.32 грн
1000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMR12NTN datasheet?p=UMR12N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: UMD6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
на замовлення 3615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+47.27 грн
11+28.06 грн
100+17.99 грн
500+12.81 грн
1000+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US6J11TR datasheet?p=US6J11&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Active
на замовлення 4301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.19 грн
10+40.52 грн
100+26.37 грн
500+19.01 грн
1000+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US6M11TR datasheet?p=US6M11&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V/12V 1.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A, 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Active
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.19 грн
10+40.52 грн
100+26.37 грн
500+19.01 грн
1000+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R11B vdz11b.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 11V 100MW VMD2
на замовлення 12401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R12B vdz12b.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 12V 100MW VMD2
на замовлення 15141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R16B vdzt2r16b-e
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 16V 100MW VMD2
на замовлення 3775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R18B vdz18b.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 18V 100MW VMD2
на замовлення 7046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R20B vdz20b.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 20V 100MW VMD2
на замовлення 7851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R27B vdzt2r27b-e
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 27V 100MW VMD2
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R30B datasheet?p=VDZ30B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 30V 100MW VMD2
Tolerance: ±3%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 200 Ohms
Supplier Device Package: VMD2
Power - Max: 100 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 23 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R33B vdz33b.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 33V 100MW VMD2
на замовлення 15769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R36B vdzt2r36b-e
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 36V 100MW VMD2
на замовлення 6428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R3.6B vdz3.6b.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 3.6V 100MW VMD2
на замовлення 6385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R3.9B vdz3.9b.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 3.9V 100MW VMD2
на замовлення 3664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.77 грн
13+23.43 грн
100+14.60 грн
500+9.37 грн
1000+7.21 грн
2000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R8.2B datasheet?p=VDZ8.2B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 8.2V 100MW VMD2
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: VMD2
Power - Max: 100 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 5 V
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.55 грн
16+19.40 грн
100+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 175 350 422 423 424 425 426 427 428 429 430 431 432 525 700 875 1050 1225 1400 1575 1750 1752  Наступна Сторінка >> ]