Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (105092) > Сторінка 427 з 1752
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RQ1E050RPTR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V |
на замовлення 427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RRR015P03TL | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V |
на замовлення 4692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RRR040P03TL | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RSR020N06TL | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RW1A020ZPT2R | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: 6-WEMT Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V |
на замовлення 6720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RZF020P01TL | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V |
на замовлення 9540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RZR020P01TL | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V |
на замовлення 6603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SST3904T116 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 40V 0.2A SST3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW |
на замовлення 15498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SST3906T116 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SST3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW |
на замовлення 4671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STZ6.8TT146 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER ARRAY 6.8V SMD3 |
на замовлення 2678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDZTR10 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 10V 500MW TUMD2 |
на замовлення 1413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDZTR11 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 11V 500MW TUMD2 |
на замовлення 2377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDZTR12 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 12V 500MW TUMD2 |
на замовлення 5981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDZTR13 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 13V 500MW TUMD2 |
на замовлення 1649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDZTR15 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 15V 500MW TUMD2 |
на замовлення 4584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDZTR16 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 16V 500MW TUMD2 |
на замовлення 8541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDZTR18 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 18V 500MW TUMD2 |
на замовлення 1922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDZTR20 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 20V 500MW TUMD2 |
на замовлення 1916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDZTR22 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 22V 500MW TUMD2 |
на замовлення 2558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDZTR24 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 24V 500MW TUMD2 |
на замовлення 1767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDZTR27 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 27V 500MW TUMD2 |
на замовлення 241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDZTR30 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 30V 500MW TUMD2 |
на замовлення 5175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDZTR5.1 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW TUMD2Tolerance: ±10% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V Supplier Device Package: TUMD2 Power - Max: 500 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1.5 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDZTR5.6 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW TUMD2Tolerance: ±10% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V Supplier Device Package: TUMD2 Power - Max: 500 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 2.5 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDZTR6.2 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW TUMD2 |
на замовлення 1070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDZTR6.8 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW TUMD2 |
на замовлення 2167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDZTR7.5 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW TUMD2 |
на замовлення 1374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDZTR8.2 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW TUMD2 |
на замовлення 2395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
UDZSTE-172.0B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 2V 200MW UMD2Tolerance: ±4% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-90, SOD-323F Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2 V Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms Supplier Device Package: UMD2 Part Status: Not For New Designs Power - Max: 200 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 500 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
UDZTE-175.6B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW UMD2 |
на замовлення 5995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
UDZTE-178.2B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 8.2V 200MW UMD2Tolerance: ±2% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-90, SOD-323F Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: UMD2 Power - Max: 200 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 5 V |
на замовлення 2312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UMA1NTR | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: UMT5 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
UMA3NTR | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5Part Status: Active Supplier Device Package: UMT5 Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 150mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UMA4NTR | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: UMT5 Resistor - Base (R1): 10kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 150mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
UMA5NTR | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5Part Status: Active Supplier Device Package: UMT5 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 150mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UMB3NTN | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6 |
на замовлення 880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UMD4NTR | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6 |
на замовлення 1047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UMD5NTR | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V UMT6Power - Max: 150mW, 120mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: UMT6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA |
на замовлення 2935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UMH5NTR | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6Supplier Device Package: UMT6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 150mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
UMH8NTR | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 |
на замовлення 4480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
UML2NTR | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 50V 0.15A UMT5Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Supplier Device Package: UMT5 Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN + Diode (Isolated) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UMN10NTR | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Supplier Device Package: UMD6 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Diode Configuration: 3 Independent |
на замовлення 8499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UMN11NTN | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Supplier Device Package: UMD6 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V |
на замовлення 10364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UMP11NTN | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Supplier Device Package: UMD6 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V |
на замовлення 13901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UMP1NTR | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ARRAY GP 80V 25MA UMD5Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25mA Supplier Device Package: UMD5 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 5 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V |
на замовлення 5860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UMR12NTN | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Standard Diode Configuration: 2 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Supplier Device Package: UMD6 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V |
на замовлення 3615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
US6J11TR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 320mW Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT6 Part Status: Active |
на замовлення 4301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
US6M11TR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 20V/12V 1.5A TUMT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A, 1.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT6 Part Status: Active |
на замовлення 1223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
VDZT2R11B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 11V 100MW VMD2 |
на замовлення 12401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
VDZT2R12B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 12V 100MW VMD2 |
на замовлення 15141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
VDZT2R16B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 16V 100MW VMD2 |
на замовлення 3775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
VDZT2R18B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 18V 100MW VMD2 |
на замовлення 7046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
VDZT2R20B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 20V 100MW VMD2 |
на замовлення 7851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
VDZT2R27B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 27V 100MW VMD2 |
на замовлення 7440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
VDZT2R30B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 30V 100MW VMD2Tolerance: ±3% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V Impedance (Max) (Zzt): 200 Ohms Supplier Device Package: VMD2 Power - Max: 100 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 23 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
VDZT2R33B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 33V 100MW VMD2 |
на замовлення 15769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
VDZT2R36B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 36V 100MW VMD2 |
на замовлення 6428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
VDZT2R3.6B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 3.6V 100MW VMD2 |
на замовлення 6385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
VDZT2R3.9B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 3.9V 100MW VMD2 |
на замовлення 3664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
VDZT2R8.2B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 8.2V 100MW VMD2Tolerance: ±2% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: VMD2 Power - Max: 100 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 5 V |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| RQ1E050RPTR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 93.76 грн |
| 10+ | 53.95 грн |
| 100+ | 38.55 грн |
| RRR015P03TL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 4692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 57.34 грн |
| 10+ | 34.18 грн |
| 100+ | 22.00 грн |
| 500+ | 15.74 грн |
| 1000+ | 14.16 грн |
| RRR040P03TL |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RSR020N06TL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RW1A020ZPT2R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
Description: MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
на замовлення 6720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 46.49 грн |
| 10+ | 30.15 грн |
| 100+ | 20.57 грн |
| 500+ | 15.19 грн |
| 1000+ | 13.83 грн |
| 2000+ | 12.67 грн |
| RZF020P01TL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
Description: MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
на замовлення 9540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 61.99 грн |
| 10+ | 37.01 грн |
| 100+ | 23.93 грн |
| 500+ | 17.18 грн |
| 1000+ | 15.48 грн |
| RZR020P01TL |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
Description: MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
на замовлення 6603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 58.89 грн |
| 10+ | 35.00 грн |
| 100+ | 22.60 грн |
| 500+ | 16.19 грн |
| 1000+ | 14.57 грн |
| SST3904T116 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 40V 0.2A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
Description: TRANS NPN 40V 0.2A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 15498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 21.70 грн |
| 24+ | 12.83 грн |
| 100+ | 8.02 грн |
| 500+ | 5.55 грн |
| 1000+ | 4.91 грн |
| SST3906T116 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 4671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 18.60 грн |
| 28+ | 10.89 грн |
| 100+ | 6.81 грн |
| 500+ | 4.69 грн |
| 1000+ | 4.14 грн |
| STZ6.8TT146 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER ARRAY 6.8V SMD3
Description: DIODE ZENER ARRAY 6.8V SMD3
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TDZTR10 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 10V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 10V 500MW TUMD2
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TDZTR11 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 11V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 11V 500MW TUMD2
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TDZTR12 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 12V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 12V 500MW TUMD2
на замовлення 5981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TDZTR13 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 13V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 13V 500MW TUMD2
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TDZTR15 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 15V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 15V 500MW TUMD2
на замовлення 4584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TDZTR16 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 16V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 16V 500MW TUMD2
на замовлення 8541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TDZTR18 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 18V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 18V 500MW TUMD2
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TDZTR20 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 20V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 20V 500MW TUMD2
на замовлення 1916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TDZTR22 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 22V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 22V 500MW TUMD2
на замовлення 2558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TDZTR24 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 24V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 24V 500MW TUMD2
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TDZTR27 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 27V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 27V 500MW TUMD2
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TDZTR30 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 30V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 30V 500MW TUMD2
на замовлення 5175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TDZTR5.1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW TUMD2
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Supplier Device Package: TUMD2
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1.5 V
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW TUMD2
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Supplier Device Package: TUMD2
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1.5 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDZTR5.6 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW TUMD2
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Supplier Device Package: TUMD2
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 2.5 V
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW TUMD2
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Supplier Device Package: TUMD2
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 2.5 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDZTR6.2 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW TUMD2
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TDZTR6.8 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW TUMD2
на замовлення 2167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TDZTR7.5 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW TUMD2
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TDZTR8.2 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW TUMD2
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| UDZSTE-172.0B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 2V 200MW UMD2
Tolerance: ±4%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: UMD2
Part Status: Not For New Designs
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 500 V
Description: DIODE ZENER 2V 200MW UMD2
Tolerance: ±4%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: UMD2
Part Status: Not For New Designs
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UDZTE-175.6B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW UMD2
Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW UMD2
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| UDZTE-178.2B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 8.2V 200MW UMD2
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: UMD2
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 5 V
Description: DIODE ZENER 8.2V 200MW UMD2
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: UMD2
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 5 V
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 20.92 грн |
| 23+ | 13.43 грн |
| 100+ | 9.04 грн |
| 500+ | 6.53 грн |
| 1000+ | 5.88 грн |
| UMA1NTR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: UMT5
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: UMT5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UMA3NTR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
Part Status: Active
Supplier Device Package: UMT5
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
Part Status: Active
Supplier Device Package: UMT5
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 31.00 грн |
| 15+ | 21.27 грн |
| 100+ | 10.72 грн |
| UMA4NTR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: UMT5
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: UMT5
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| UMA5NTR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
Part Status: Active
Supplier Device Package: UMT5
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
Part Status: Active
Supplier Device Package: UMT5
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 21.70 грн |
| 21+ | 14.77 грн |
| 100+ | 7.48 грн |
| 500+ | 6.22 грн |
| 1000+ | 4.84 грн |
| UMB3NTN |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 27.12 грн |
| 16+ | 19.77 грн |
| 100+ | 11.20 грн |
| 500+ | 6.96 грн |
| UMD4NTR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 25.57 грн |
| 16+ | 18.66 грн |
| 100+ | 10.56 грн |
| UMD5NTR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V UMT6
Power - Max: 150mW, 120mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: UMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V UMT6
Power - Max: 150mW, 120mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: UMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 26.35 грн |
| 19+ | 15.74 грн |
| 100+ | 9.92 грн |
| 500+ | 6.91 грн |
| 1000+ | 6.14 грн |
| UMH5NTR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Supplier Device Package: UMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Supplier Device Package: UMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UMH8NTR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| UML2NTR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 0.15A UMT5
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: UMT5
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN + Diode (Isolated)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS NPN 50V 0.15A UMT5
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: UMT5
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN + Diode (Isolated)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 33.32 грн |
| 14+ | 22.68 грн |
| 100+ | 11.46 грн |
| 500+ | 9.53 грн |
| UMN10NTR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: UMD6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Diode Configuration: 3 Independent
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: UMD6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Diode Configuration: 3 Independent
на замовлення 8499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 55.02 грн |
| 10+ | 32.83 грн |
| 100+ | 21.15 грн |
| 500+ | 15.14 грн |
| 1000+ | 13.62 грн |
| UMN11NTN |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: UMD6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: UMD6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
на замовлення 10364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 49.59 грн |
| 11+ | 29.48 грн |
| 100+ | 18.93 грн |
| 500+ | 13.49 грн |
| 1000+ | 12.11 грн |
| UMP11NTN |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: UMD6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: UMD6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
на замовлення 13901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 46.49 грн |
| 11+ | 27.68 грн |
| 100+ | 17.71 грн |
| 500+ | 12.59 грн |
| 1000+ | 11.29 грн |
| UMP1NTR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 80V 25MA UMD5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25mA
Supplier Device Package: UMD5
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 5 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
Description: DIODE ARRAY GP 80V 25MA UMD5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25mA
Supplier Device Package: UMD5
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 5 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
на замовлення 5860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 45.72 грн |
| 11+ | 27.16 грн |
| 100+ | 17.36 грн |
| 500+ | 12.32 грн |
| 1000+ | 11.04 грн |
| UMR12NTN |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: UMD6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: UMD6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
на замовлення 3615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 47.27 грн |
| 11+ | 28.06 грн |
| 100+ | 17.99 грн |
| 500+ | 12.81 грн |
| 1000+ | 11.49 грн |
| US6J11TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Active
Description: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Active
на замовлення 4301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 68.19 грн |
| 10+ | 40.52 грн |
| 100+ | 26.37 грн |
| 500+ | 19.01 грн |
| 1000+ | 17.17 грн |
| US6M11TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V/12V 1.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A, 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Active
Description: MOSFET N/P-CH 20V/12V 1.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A, 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Active
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 68.19 грн |
| 10+ | 40.52 грн |
| 100+ | 26.37 грн |
| 500+ | 19.01 грн |
| 1000+ | 17.17 грн |
| VDZT2R11B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 11V 100MW VMD2
Description: DIODE ZENER 11V 100MW VMD2
на замовлення 12401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| VDZT2R12B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 12V 100MW VMD2
Description: DIODE ZENER 12V 100MW VMD2
на замовлення 15141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| VDZT2R16B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 16V 100MW VMD2
Description: DIODE ZENER 16V 100MW VMD2
на замовлення 3775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| VDZT2R18B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 18V 100MW VMD2
Description: DIODE ZENER 18V 100MW VMD2
на замовлення 7046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| VDZT2R20B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 20V 100MW VMD2
Description: DIODE ZENER 20V 100MW VMD2
на замовлення 7851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| VDZT2R27B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 27V 100MW VMD2
Description: DIODE ZENER 27V 100MW VMD2
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| VDZT2R30B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 30V 100MW VMD2
Tolerance: ±3%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 200 Ohms
Supplier Device Package: VMD2
Power - Max: 100 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 23 V
Description: DIODE ZENER 30V 100MW VMD2
Tolerance: ±3%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 200 Ohms
Supplier Device Package: VMD2
Power - Max: 100 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 23 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| VDZT2R33B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 33V 100MW VMD2
Description: DIODE ZENER 33V 100MW VMD2
на замовлення 15769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| VDZT2R36B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 36V 100MW VMD2
Description: DIODE ZENER 36V 100MW VMD2
на замовлення 6428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| VDZT2R3.6B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 3.6V 100MW VMD2
Description: DIODE ZENER 3.6V 100MW VMD2
на замовлення 6385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| VDZT2R3.9B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 3.9V 100MW VMD2
Description: DIODE ZENER 3.9V 100MW VMD2
на замовлення 3664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 31.77 грн |
| 13+ | 23.43 грн |
| 100+ | 14.60 грн |
| 500+ | 9.37 грн |
| 1000+ | 7.21 грн |
| 2000+ | 6.49 грн |
| VDZT2R8.2B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 8.2V 100MW VMD2
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: VMD2
Power - Max: 100 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 5 V
Description: DIODE ZENER 8.2V 100MW VMD2
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: VMD2
Power - Max: 100 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 5 V
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 32.55 грн |
| 16+ | 19.40 грн |
| 100+ | 12.26 грн |
























