Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (101978) > Сторінка 432 з 1700

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 170 340 427 428 429 430 431 432 433 434 435 436 437 510 680 850 1020 1190 1360 1530 1700  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RRR015P03TL RRR015P03TL Rohm Semiconductor RRR015P03.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 4692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.32 грн
10+37.74 грн
100+24.29 грн
500+17.38 грн
1000+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03TL RRR040P03TL Rohm Semiconductor Description: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020N06TL RSR020N06TL Rohm Semiconductor rsr020n06-e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RW1A020ZPT2R RW1A020ZPT2R Rohm Semiconductor datasheet?p=RW1A020ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
на замовлення 6720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.34 грн
10+33.29 грн
100+22.72 грн
500+16.78 грн
1000+15.27 грн
2000+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RZF020P01TL RZF020P01TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RZF020P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
на замовлення 9540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.45 грн
10+40.87 грн
100+26.42 грн
500+18.97 грн
1000+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RZR020P01TL RZR020P01TL Rohm Semiconductor Description: MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
на замовлення 6603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+65.03 грн
10+38.64 грн
100+24.96 грн
500+17.88 грн
1000+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SST3904T116 SST3904T116 Rohm Semiconductor datasheet?p=SST3904&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 40V 0.2A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 12079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+22.25 грн
25+13.18 грн
100+8.22 грн
500+5.70 грн
1000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SST3906T116 SST3906T116 Rohm Semiconductor datasheet?p=SST3906&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 40V 0.2A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 13546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+18.82 грн
30+11.21 грн
100+6.99 грн
500+4.82 грн
1000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
STZ6.8TT146 STZ6.8TT146 Rohm Semiconductor stz6.8t.pdf Description: DIODE ZENER ARRAY 6.8V SMD3
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR10 TDZTR10 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 10V 500MW TUMD2
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR11 TDZTR11 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 11V 500MW TUMD2
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR12 TDZTR12 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 12V 500MW TUMD2
на замовлення 5981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR13 TDZTR13 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 13V 500MW TUMD2
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR15 TDZTR15 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 15V 500MW TUMD2
на замовлення 4584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR16 TDZTR16 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 16V 500MW TUMD2
на замовлення 8541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR18 TDZTR18 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 18V 500MW TUMD2
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR20 TDZTR20 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 20V 500MW TUMD2
на замовлення 1916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR22 TDZTR22 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 22V 500MW TUMD2
на замовлення 2558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR24 TDZTR24 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 24V 500MW TUMD2
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR27 TDZTR27 Rohm Semiconductor tdztr10-e Description: DIODE ZENER 27V 500MW TUMD2
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR30 TDZTR30 Rohm Semiconductor tdz30.pdf Description: DIODE ZENER 30V 500MW TUMD2
на замовлення 5175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR5.1 TDZTR5.1 Rohm Semiconductor datasheet?p=TDZ5.1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW TUMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Supplier Device Package: TUMD2
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR5.6 TDZTR5.6 Rohm Semiconductor datasheet?p=TDZ5.6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW TUMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Supplier Device Package: TUMD2
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 2.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR6.2 TDZTR6.2 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW TUMD2
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR6.8 TDZTR6.8 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW TUMD2
на замовлення 2167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR7.5 TDZTR7.5 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW TUMD2
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR8.2 TDZTR8.2 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW TUMD2
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UDZSTE-172.0B UDZSTE-172.0B Rohm Semiconductor udzs_B_Series.pdf Description: DIODE ZENER 2V 200MW UMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±4%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: UMD2
Part Status: Not For New Designs
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UDZTE-175.6B UDZTE-175.6B Rohm Semiconductor udz_series_datasheet.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW UMD2
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UDZTE-178.2B UDZTE-178.2B Rohm Semiconductor udz_series_datasheet.pdf Description: DIODE ZENER 8.2V 200MW UMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: UMD2
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 5 V
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+23.10 грн
23+14.83 грн
100+9.99 грн
500+7.21 грн
1000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
UMA1NTR UMA1NTR Rohm Semiconductor datasheet?p=UMA1N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: UMT5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMA3NTR UMA3NTR Rohm Semiconductor datasheet?p=UMA3N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: UMT5
Part Status: Active
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.23 грн
15+23.48 грн
100+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
UMA4NTR UMA4NTR Rohm Semiconductor datasheet?p=UMA4N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT5
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMA5NTR UMA5NTR Rohm Semiconductor datasheet?p=UMA5N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT5
Part Status: Active
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+23.96 грн
21+16.31 грн
100+8.26 грн
500+6.87 грн
1000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
UMB3NTN UMB3NTN Rohm Semiconductor emb3t2r-e.pdf Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.95 грн
16+21.84 грн
100+12.37 грн
500+7.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
UMD4NTR UMD4NTR Rohm Semiconductor emd4.pdf Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+28.24 грн
16+20.60 грн
100+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
UMD5NTR UMD5NTR Rohm Semiconductor datasheet?p=UMD5N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW, 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
на замовлення 1079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.95 грн
19+17.88 грн
100+11.23 грн
500+7.83 грн
1000+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
UMH5NTR UMH5NTR Rohm Semiconductor datasheet?p=IMH5A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: UMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMH8NTR UMH8NTR Rohm Semiconductor imh8at108-e.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UML2NTR UML2NTR Rohm Semiconductor datasheet?p=UML2N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 50V 0.15A UMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN + Diode (Isolated)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: UMT5
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.79 грн
14+25.05 грн
100+12.66 грн
500+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
UMN10NTR UMN10NTR Rohm Semiconductor datasheet?p=UMN10N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: UMD6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+55.62 грн
10+33.45 грн
100+21.57 грн
500+15.43 грн
1000+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
UMN11NTN UMN11NTN Rohm Semiconductor datasheet?p=UMN11N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: UMD6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.48 грн
12+29.66 грн
100+19.08 грн
500+13.60 грн
1000+12.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
UMP11NTN UMP11NTN Rohm Semiconductor datasheet?p=UMP11N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: UMD6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
на замовлення 7931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+47.06 грн
12+27.85 грн
100+17.86 грн
500+12.69 грн
1000+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
UMP1NTR UMP1NTR Rohm Semiconductor datasheet?p=UMP1N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY GP 80V 25MA UMD5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25mA
Supplier Device Package: UMD5
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 5 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
на замовлення 5860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.48 грн
11+29.99 грн
100+19.17 грн
500+13.60 грн
1000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
UMR12NTN UMR12NTN Rohm Semiconductor datasheet?p=UMR12N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: UMD6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+48.77 грн
12+28.76 грн
100+18.47 грн
500+13.15 грн
1000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
US6J11TR US6J11TR Rohm Semiconductor datasheet?p=US6J11&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Active
на замовлення 5885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.48 грн
10+41.28 грн
100+28.71 грн
500+21.03 грн
1000+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
US6M11TR US6M11TR Rohm Semiconductor datasheet?p=US6M11&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 20V/12V 1.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A, 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Active
на замовлення 9635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.15 грн
10+39.39 грн
100+23.18 грн
500+16.29 грн
1000+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R11B VDZT2R11B Rohm Semiconductor vdz11b.pdf Description: DIODE ZENER 11V 100MW VMD2
на замовлення 12401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R12B VDZT2R12B Rohm Semiconductor vdz12b.pdf Description: DIODE ZENER 12V 100MW VMD2
на замовлення 15141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R16B VDZT2R16B Rohm Semiconductor vdzt2r16b-e Description: DIODE ZENER 16V 100MW VMD2
на замовлення 3775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R18B VDZT2R18B Rohm Semiconductor vdz18b.pdf Description: DIODE ZENER 18V 100MW VMD2
на замовлення 7046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R20B VDZT2R20B Rohm Semiconductor vdz20b.pdf Description: DIODE ZENER 20V 100MW VMD2
на замовлення 7851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R27B VDZT2R27B Rohm Semiconductor vdzt2r27b-e Description: DIODE ZENER 27V 100MW VMD2
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R30B VDZT2R30B Rohm Semiconductor datasheet?p=VDZ30B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 30V 100MW VMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±3%
Package / Case: SOD-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 200 Ohms
Supplier Device Package: VMD2
Power - Max: 100 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 23 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R33B VDZT2R33B Rohm Semiconductor vdz33b.pdf Description: DIODE ZENER 33V 100MW VMD2
на замовлення 15769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R36B VDZT2R36B Rohm Semiconductor vdzt2r36b-e Description: DIODE ZENER 36V 100MW VMD2
на замовлення 6428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R3.6B VDZT2R3.6B Rohm Semiconductor vdz3.6b.pdf Description: DIODE ZENER 3.6V 100MW VMD2
на замовлення 6385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R3.9B VDZT2R3.9B Rohm Semiconductor vdz3.9b.pdf Description: DIODE ZENER 3.9V 100MW VMD2
на замовлення 3664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.08 грн
13+25.87 грн
100+16.12 грн
500+10.35 грн
1000+7.96 грн
2000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R8.2B VDZT2R8.2B Rohm Semiconductor datasheet?p=VDZ8.2B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 8.2V 100MW VMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: VMD2
Power - Max: 100 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 5 V
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.94 грн
16+21.42 грн
100+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BA03FP-E2 BA03FP-E2 Rohm Semiconductor BAOOT,FP%20Series.pdf Description: IC REG LDO 3V 1A TO252-3
на замовлення 1794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRR015P03TL RRR015P03.pdf
RRR015P03TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 4692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.32 грн
10+37.74 грн
100+24.29 грн
500+17.38 грн
1000+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03TL
RRR040P03TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020N06TL rsr020n06-e.pdf
RSR020N06TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RW1A020ZPT2R datasheet?p=RW1A020ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RW1A020ZPT2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
на замовлення 6720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.34 грн
10+33.29 грн
100+22.72 грн
500+16.78 грн
1000+15.27 грн
2000+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RZF020P01TL datasheet?p=RZF020P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RZF020P01TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
на замовлення 9540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.45 грн
10+40.87 грн
100+26.42 грн
500+18.97 грн
1000+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RZR020P01TL
RZR020P01TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
на замовлення 6603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.03 грн
10+38.64 грн
100+24.96 грн
500+17.88 грн
1000+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SST3904T116 datasheet?p=SST3904&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SST3904T116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 40V 0.2A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 12079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+22.25 грн
25+13.18 грн
100+8.22 грн
500+5.70 грн
1000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SST3906T116 datasheet?p=SST3906&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SST3906T116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 13546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.82 грн
30+11.21 грн
100+6.99 грн
500+4.82 грн
1000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
STZ6.8TT146 stz6.8t.pdf
STZ6.8TT146
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER ARRAY 6.8V SMD3
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR10 tdz10.pdf
TDZTR10
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 10V 500MW TUMD2
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR11 tdz10.pdf
TDZTR11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 11V 500MW TUMD2
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR12 tdz10.pdf
TDZTR12
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 12V 500MW TUMD2
на замовлення 5981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR13 tdz10.pdf
TDZTR13
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 13V 500MW TUMD2
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR15 tdz10.pdf
TDZTR15
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 15V 500MW TUMD2
на замовлення 4584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR16 tdz10.pdf
TDZTR16
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 16V 500MW TUMD2
на замовлення 8541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR18 tdz10.pdf
TDZTR18
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 18V 500MW TUMD2
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR20 tdz10.pdf
TDZTR20
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 20V 500MW TUMD2
на замовлення 1916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR22 tdz10.pdf
TDZTR22
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 22V 500MW TUMD2
на замовлення 2558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR24 tdz10.pdf
TDZTR24
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 24V 500MW TUMD2
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR27 tdztr10-e
TDZTR27
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 27V 500MW TUMD2
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR30 tdz30.pdf
TDZTR30
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 30V 500MW TUMD2
на замовлення 5175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR5.1 datasheet?p=TDZ5.1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
TDZTR5.1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW TUMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Supplier Device Package: TUMD2
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR5.6 datasheet?p=TDZ5.6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
TDZTR5.6
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW TUMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Supplier Device Package: TUMD2
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 2.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR6.2 tdz10.pdf
TDZTR6.2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW TUMD2
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR6.8 tdz10.pdf
TDZTR6.8
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW TUMD2
на замовлення 2167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR7.5 tdz10.pdf
TDZTR7.5
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW TUMD2
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR8.2 tdz10.pdf
TDZTR8.2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW TUMD2
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UDZSTE-172.0B udzs_B_Series.pdf
UDZSTE-172.0B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 2V 200MW UMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±4%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: UMD2
Part Status: Not For New Designs
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UDZTE-175.6B udz_series_datasheet.pdf
UDZTE-175.6B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW UMD2
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UDZTE-178.2B udz_series_datasheet.pdf
UDZTE-178.2B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 8.2V 200MW UMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: UMD2
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 5 V
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.10 грн
23+14.83 грн
100+9.99 грн
500+7.21 грн
1000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
UMA1NTR datasheet?p=UMA1N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UMA1NTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: UMT5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMA3NTR datasheet?p=UMA3N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UMA3NTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: UMT5
Part Status: Active
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.23 грн
15+23.48 грн
100+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
UMA4NTR datasheet?p=UMA4N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UMA4NTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT5
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMA5NTR datasheet?p=UMA5N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UMA5NTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT5
Part Status: Active
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.96 грн
21+16.31 грн
100+8.26 грн
500+6.87 грн
1000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
UMB3NTN emb3t2r-e.pdf
UMB3NTN
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.95 грн
16+21.84 грн
100+12.37 грн
500+7.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
UMD4NTR emd4.pdf
UMD4NTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.24 грн
16+20.60 грн
100+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
UMD5NTR datasheet?p=UMD5N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UMD5NTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW, 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
на замовлення 1079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.95 грн
19+17.88 грн
100+11.23 грн
500+7.83 грн
1000+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
UMH5NTR datasheet?p=IMH5A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UMH5NTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: UMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMH8NTR imh8at108-e.pdf
UMH8NTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UML2NTR datasheet?p=UML2N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UML2NTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 0.15A UMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN + Diode (Isolated)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: UMT5
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.79 грн
14+25.05 грн
100+12.66 грн
500+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
UMN10NTR datasheet?p=UMN10N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UMN10NTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: UMD6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+55.62 грн
10+33.45 грн
100+21.57 грн
500+15.43 грн
1000+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
UMN11NTN datasheet?p=UMN11N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UMN11NTN
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: UMD6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.48 грн
12+29.66 грн
100+19.08 грн
500+13.60 грн
1000+12.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
UMP11NTN datasheet?p=UMP11N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UMP11NTN
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: UMD6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
на замовлення 7931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.06 грн
12+27.85 грн
100+17.86 грн
500+12.69 грн
1000+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
UMP1NTR datasheet?p=UMP1N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UMP1NTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 80V 25MA UMD5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25mA
Supplier Device Package: UMD5
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 5 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
на замовлення 5860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.48 грн
11+29.99 грн
100+19.17 грн
500+13.60 грн
1000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
UMR12NTN datasheet?p=UMR12N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UMR12NTN
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: UMD6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.77 грн
12+28.76 грн
100+18.47 грн
500+13.15 грн
1000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
US6J11TR datasheet?p=US6J11&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
US6J11TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Active
на замовлення 5885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.48 грн
10+41.28 грн
100+28.71 грн
500+21.03 грн
1000+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
US6M11TR datasheet?p=US6M11&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
US6M11TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V/12V 1.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A, 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Active
на замовлення 9635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.15 грн
10+39.39 грн
100+23.18 грн
500+16.29 грн
1000+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R11B vdz11b.pdf
VDZT2R11B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 11V 100MW VMD2
на замовлення 12401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R12B vdz12b.pdf
VDZT2R12B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 12V 100MW VMD2
на замовлення 15141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R16B vdzt2r16b-e
VDZT2R16B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 16V 100MW VMD2
на замовлення 3775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R18B vdz18b.pdf
VDZT2R18B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 18V 100MW VMD2
на замовлення 7046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R20B vdz20b.pdf
VDZT2R20B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 20V 100MW VMD2
на замовлення 7851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R27B vdzt2r27b-e
VDZT2R27B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 27V 100MW VMD2
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R30B datasheet?p=VDZ30B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
VDZT2R30B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 30V 100MW VMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±3%
Package / Case: SOD-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 200 Ohms
Supplier Device Package: VMD2
Power - Max: 100 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 23 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R33B vdz33b.pdf
VDZT2R33B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 33V 100MW VMD2
на замовлення 15769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R36B vdzt2r36b-e
VDZT2R36B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 36V 100MW VMD2
на замовлення 6428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R3.6B vdz3.6b.pdf
VDZT2R3.6B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 3.6V 100MW VMD2
на замовлення 6385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R3.9B vdz3.9b.pdf
VDZT2R3.9B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 3.9V 100MW VMD2
на замовлення 3664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.08 грн
13+25.87 грн
100+16.12 грн
500+10.35 грн
1000+7.96 грн
2000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
VDZT2R8.2B datasheet?p=VDZ8.2B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
VDZT2R8.2B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 8.2V 100MW VMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: VMD2
Power - Max: 100 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 5 V
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.94 грн
16+21.42 грн
100+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BA03FP-E2 BAOOT,FP%20Series.pdf
BA03FP-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 3V 1A TO252-3
на замовлення 1794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 170 340 427 428 429 430 431 432 433 434 435 436 437 510 680 850 1020 1190 1360 1530 1700  [ Наступна Сторінка >> ]