Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (102187) > Сторінка 738 з 1704

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 170 340 510 680 733 734 735 736 737 738 739 740 741 742 743 850 1020 1190 1360 1530 1700 1704  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BM6104FV-CE2 BM6104FV-CE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BM6104FV-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DGTL ISO 2.5KV 1CH GT DVR 20SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SSOP (0.240", 6.10mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 5A, 1A
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Approval Agency: UR
Supplier Device Package: 20-SSOP-BW
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Grade: Automotive
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 24V
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD14000EFV-EVK-001 BD14000EFV-EVK-001 Rohm Semiconductor BD14000EFV-EVK_UsersGuide-E.pdf Description: EVAL BOARD FOR BD14000
Packaging: Box
Function: Battery Monitor
Type: Power Management
Utilized IC / Part: BD14000
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Cell Balancer
Embedded: No
Part Status: Active
Secondary Attributes: 8V ~ 24V Supply
Contents: Board(s)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7676.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD14000EFV-CE2 BD14000EFV-CE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD14000EFV-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC LSI CELL BALANCE 30HTSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 30-VSSOP (0.220", 5.60mm Width) Exposed Pad
Number of Cells: 4 ~ 6
Mounting Type: Surface Mount
Function: Battery Balancer
Interface: Series
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Battery Chemistry: Supercapacitor
Supplier Device Package: 30-HTSSOP-B
Fault Protection: Over Current
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD14000EFV-CE2 BD14000EFV-CE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD14000EFV-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC LSI CELL BALANCE 30HTSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 30-VSSOP (0.220", 5.60mm Width) Exposed Pad
Number of Cells: 4 ~ 6
Mounting Type: Surface Mount
Function: Battery Balancer
Interface: Series
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Battery Chemistry: Supercapacitor
Supplier Device Package: 30-HTSSOP-B
Fault Protection: Over Current
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1099.27 грн
10+836.90 грн
25+781.67 грн
100+676.55 грн
250+649.37 грн
500+633.00 грн
1000+609.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R5005CNX R5005CNX Rohm Semiconductor R5005CNX Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R5007ANX R5007ANX Rohm Semiconductor R5007ANX Description: MOSFET N-CH 500V 7A TO220
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R5007FNX R5007FNX Rohm Semiconductor r5007fnx-e.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 7A TO220
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R5011ANX R5011ANX Rohm Semiconductor 2SK2095N-v1.jpg Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R5021ANX R5021ANX Rohm Semiconductor datasheet?p=R5021ANX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 500V 21A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENX R6004ENX Rohm Semiconductor r6004enx-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.97 грн
10+100.20 грн
100+79.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENX R6007ENX Rohm Semiconductor r6007enx-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.83 грн
10+168.37 грн
100+135.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6009ENX R6009ENX Rohm Semiconductor r6009enx-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.20 грн
10+248.26 грн
100+203.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6011ENX R6011ENX Rohm Semiconductor r6011enx-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENX R6015ENX Rohm Semiconductor r6015enx-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.25 грн
10+78.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENX R6020ENX Rohm Semiconductor r6020enx-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.16 грн
10+203.87 грн
100+144.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENX R6024ENX Rohm Semiconductor r6024enx-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+336.75 грн
10+217.70 грн
100+153.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6030ENX R6030ENX Rohm Semiconductor r6030enx-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8005ANX R8005ANX Rohm Semiconductor datasheet?p=R8005ANX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.08Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.91 грн
10+137.72 грн
100+96.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8010ANX R8010ANX Rohm Semiconductor r8010anx.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO220FM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCX051N25 RCX051N25 Rohm Semiconductor datasheet?p=RCX051N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 250V 5A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.76 грн
10+87.42 грн
100+58.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RCX080N25 RCX080N25 Rohm Semiconductor datasheet?p=RCX080N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 250V 8A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 25 V
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.73 грн
10+75.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RCX081N20 RCX081N20 Rohm Semiconductor datasheet?p=RCX081N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 200V 8A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 770mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCX160N20 RCX160N20 Rohm Semiconductor datasheet?p=RCX160N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.48 грн
10+104.72 грн
100+71.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RCX200N20 RCX200N20 Rohm Semiconductor datasheet?p=RCX200N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 200V 20A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.93 грн
10+95.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RCX300N20 RCX300N20 Rohm Semiconductor datasheet?p=RCX300N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.60 грн
10+115.24 грн
100+91.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RCX450N20 RCX450N20 Rohm Semiconductor datasheet?p=RCX450N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 200V 45A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCX511N25 RCX511N25 Rohm Semiconductor datasheet?p=RCX511N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 250V 51A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 25.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.82 грн
10+191.17 грн
100+154.63 грн
500+128.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RCX700N20 RCX700N20 Rohm Semiconductor datasheet?p=RCX700N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 200V 70A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+295.60 грн
10+238.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ZDX050N50 ZDX050N50 Rohm Semiconductor datasheet?p=ZDX050N50&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.61 грн
10+75.05 грн
100+50.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZDX080N50 ZDX080N50 Rohm Semiconductor datasheet?p=ZDX080N50&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.77 грн
10+96.07 грн
100+74.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZDX130N50 ZDX130N50 Rohm Semiconductor datasheet?p=ZDX130N50&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K31GT2R EM6K31GT2R Rohm Semiconductor em6k31-e.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 30779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.31 грн
14+23.61 грн
100+14.96 грн
500+10.54 грн
1000+9.40 грн
2000+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K34T2CR EM6K34T2CR Rohm Semiconductor datasheet?p=EM6K34&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 0.9V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 152040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.39 грн
19+17.63 грн
100+11.08 грн
500+7.75 грн
1000+6.89 грн
2000+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
ES6U1T2R ES6U1T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=ES6U1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 12V 1.3A 6WEMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 6 V
на замовлення 8330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.75 грн
11+32.10 грн
100+20.56 грн
500+14.63 грн
1000+13.13 грн
2000+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ES6U3T2CR ES6U3T2CR Rohm Semiconductor datasheet?p=ES6U3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 10 V
на замовлення 7960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+54.59 грн
10+34.93 грн
100+23.85 грн
500+17.64 грн
1000+16.08 грн
2000+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KA1TB HP8KA1TB Rohm Semiconductor datasheet?p=HP8KA1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.65 грн
10+77.88 грн
100+52.25 грн
500+38.72 грн
1000+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HS8K11TB HS8K11TB Rohm Semiconductor datasheet?p=HS8K11&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 11A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HSML3030L10
Part Status: Active
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+80.62 грн
10+48.60 грн
100+31.68 грн
500+22.91 грн
1000+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA2TCR QH8MA2TCR Rohm Semiconductor datasheet?p=QH8MA2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.90 грн
10+44.32 грн
100+28.85 грн
500+20.82 грн
1000+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J13TR QS8J13TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS8J13&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.70 грн
10+54.59 грн
100+36.03 грн
500+26.30 грн
1000+23.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R5009FNJTL R5009FNJTL Rohm Semiconductor r5009fnjtl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 9A LPTS
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.99 грн
10+167.56 грн
100+134.67 грн
500+103.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R5011FNJTL R5011FNJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R5011FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 500V 11A LPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.04 грн
10+108.69 грн
100+86.47 грн
500+68.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R5016FNJTL R5016FNJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R5016FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 500V 16A LPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.11 грн
10+169.50 грн
100+137.11 грн
500+114.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6002ENDTL R6002ENDTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6002END&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENDTL R6004ENDTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6004END&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 2521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.61 грн
10+105.21 грн
100+82.02 грн
500+63.59 грн
1000+50.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENJTL R6004ENJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6004ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 4A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTL R6007ENJTL Rohm Semiconductor r6007enjtl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.36 грн
10+134.16 грн
100+107.88 грн
500+83.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6009ENJTL R6009ENJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6009ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6011ENJTL R6011ENJTL Rohm Semiconductor r6011enjtl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+298.96 грн
10+258.37 грн
100+211.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6012FNJTL R6012FNJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6012FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 12A LPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.73 грн
10+199.99 грн
100+161.77 грн
500+134.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENJTL R6015ENJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6015ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+301.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNJTL R6015FNJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6015FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 15A LPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.28 грн
10+198.29 грн
100+145.20 грн
500+114.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTL R6020ENJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6020ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+304.00 грн
10+191.41 грн
100+134.11 грн
500+102.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6020FNJTL R6020FNJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6020FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 304W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+325.83 грн
10+217.21 грн
100+159.82 грн
500+126.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENJTL R6024ENJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6024ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 24A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+298.96 грн
10+218.67 грн
100+160.43 грн
500+131.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RAL025P01TCR RAL025P01TCR Rohm Semiconductor ral025p01tcr-e Description: MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCD041N25TL RCD041N25TL Rohm Semiconductor rcd041n25.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 4A CPT3
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RCD051N20TL RCD051N20TL Rohm Semiconductor rcd051n20.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RCD075N19TL RCD075N19TL Rohm Semiconductor rcd075n19.pdf Description: MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RCD100N19TL RCD100N19TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RCD100N19&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+107.49 грн
10+84.51 грн
100+65.73 грн
500+52.28 грн
1000+42.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ081N20TL RCJ081N20TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RCJ081N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 200V 8A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 770mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BM6104FV-CE2 datasheet?p=BM6104FV-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BM6104FV-CE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DGTL ISO 2.5KV 1CH GT DVR 20SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SSOP (0.240", 6.10mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 5A, 1A
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Approval Agency: UR
Supplier Device Package: 20-SSOP-BW
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Grade: Automotive
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 24V
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD14000EFV-EVK-001 BD14000EFV-EVK_UsersGuide-E.pdf
BD14000EFV-EVK-001
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: EVAL BOARD FOR BD14000
Packaging: Box
Function: Battery Monitor
Type: Power Management
Utilized IC / Part: BD14000
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Cell Balancer
Embedded: No
Part Status: Active
Secondary Attributes: 8V ~ 24V Supply
Contents: Board(s)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7676.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD14000EFV-CE2 datasheet?p=BD14000EFV-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD14000EFV-CE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC LSI CELL BALANCE 30HTSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 30-VSSOP (0.220", 5.60mm Width) Exposed Pad
Number of Cells: 4 ~ 6
Mounting Type: Surface Mount
Function: Battery Balancer
Interface: Series
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Battery Chemistry: Supercapacitor
Supplier Device Package: 30-HTSSOP-B
Fault Protection: Over Current
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD14000EFV-CE2 datasheet?p=BD14000EFV-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD14000EFV-CE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC LSI CELL BALANCE 30HTSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 30-VSSOP (0.220", 5.60mm Width) Exposed Pad
Number of Cells: 4 ~ 6
Mounting Type: Surface Mount
Function: Battery Balancer
Interface: Series
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Battery Chemistry: Supercapacitor
Supplier Device Package: 30-HTSSOP-B
Fault Protection: Over Current
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1099.27 грн
10+836.90 грн
25+781.67 грн
100+676.55 грн
250+649.37 грн
500+633.00 грн
1000+609.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R5005CNX R5005CNX
R5005CNX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R5007ANX R5007ANX
R5007ANX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 7A TO220
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R5007FNX r5007fnx-e.pdf
R5007FNX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 7A TO220
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R5011ANX 2SK2095N-v1.jpg
R5011ANX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R5021ANX datasheet?p=R5021ANX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R5021ANX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 21A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENX r6004enx-e.pdf
R6004ENX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.97 грн
10+100.20 грн
100+79.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENX r6007enx-e.pdf
R6007ENX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.83 грн
10+168.37 грн
100+135.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6009ENX r6009enx-e.pdf
R6009ENX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+287.20 грн
10+248.26 грн
100+203.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6011ENX r6011enx-e.pdf
R6011ENX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENX r6015enx-e.pdf
R6015ENX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.25 грн
10+78.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENX r6020enx-e.pdf
R6020ENX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+303.16 грн
10+203.87 грн
100+144.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENX r6024enx-e.pdf
R6024ENX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+336.75 грн
10+217.70 грн
100+153.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6030ENX r6030enx-e.pdf
R6030ENX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8005ANX datasheet?p=R8005ANX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8005ANX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.08Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.91 грн
10+137.72 грн
100+96.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8010ANX r8010anx.pdf
R8010ANX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO220FM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCX051N25 datasheet?p=RCX051N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCX051N25
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 5A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.76 грн
10+87.42 грн
100+58.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RCX080N25 datasheet?p=RCX080N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCX080N25
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 8A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 25 V
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.73 грн
10+75.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RCX081N20 datasheet?p=RCX081N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCX081N20
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 8A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 770mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCX160N20 datasheet?p=RCX160N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCX160N20
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.48 грн
10+104.72 грн
100+71.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RCX200N20 datasheet?p=RCX200N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCX200N20
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 20A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.93 грн
10+95.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RCX300N20 datasheet?p=RCX300N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCX300N20
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.60 грн
10+115.24 грн
100+91.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RCX450N20 datasheet?p=RCX450N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCX450N20
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 45A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCX511N25 datasheet?p=RCX511N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCX511N25
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 51A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 25.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.82 грн
10+191.17 грн
100+154.63 грн
500+128.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RCX700N20 datasheet?p=RCX700N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCX700N20
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 70A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+295.60 грн
10+238.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ZDX050N50 datasheet?p=ZDX050N50&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
ZDX050N50
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.61 грн
10+75.05 грн
100+50.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZDX080N50 datasheet?p=ZDX080N50&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
ZDX080N50
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.77 грн
10+96.07 грн
100+74.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZDX130N50 datasheet?p=ZDX130N50&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
ZDX130N50
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K31GT2R em6k31-e.pdf
EM6K31GT2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 30779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.31 грн
14+23.61 грн
100+14.96 грн
500+10.54 грн
1000+9.40 грн
2000+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K34T2CR datasheet?p=EM6K34&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EM6K34T2CR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 0.9V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 152040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.39 грн
19+17.63 грн
100+11.08 грн
500+7.75 грн
1000+6.89 грн
2000+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
ES6U1T2R datasheet?p=ES6U1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
ES6U1T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 1.3A 6WEMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 6 V
на замовлення 8330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.75 грн
11+32.10 грн
100+20.56 грн
500+14.63 грн
1000+13.13 грн
2000+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ES6U3T2CR datasheet?p=ES6U3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
ES6U3T2CR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 10 V
на замовлення 7960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.59 грн
10+34.93 грн
100+23.85 грн
500+17.64 грн
1000+16.08 грн
2000+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KA1TB datasheet?p=HP8KA1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
HP8KA1TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.65 грн
10+77.88 грн
100+52.25 грн
500+38.72 грн
1000+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HS8K11TB datasheet?p=HS8K11&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
HS8K11TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 11A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HSML3030L10
Part Status: Active
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.62 грн
10+48.60 грн
100+31.68 грн
500+22.91 грн
1000+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA2TCR datasheet?p=QH8MA2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QH8MA2TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.90 грн
10+44.32 грн
100+28.85 грн
500+20.82 грн
1000+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J13TR datasheet?p=QS8J13&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS8J13TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.70 грн
10+54.59 грн
100+36.03 грн
500+26.30 грн
1000+23.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R5009FNJTL r5009fnjtl-e.pdf
R5009FNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 9A LPTS
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.99 грн
10+167.56 грн
100+134.67 грн
500+103.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R5011FNJTL datasheet?p=R5011FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R5011FNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 11A LPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.04 грн
10+108.69 грн
100+86.47 грн
500+68.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R5016FNJTL datasheet?p=R5016FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R5016FNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 16A LPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.11 грн
10+169.50 грн
100+137.11 грн
500+114.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6002ENDTL datasheet?p=R6002END&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6002ENDTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENDTL datasheet?p=R6004END&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6004ENDTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 2521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.61 грн
10+105.21 грн
100+82.02 грн
500+63.59 грн
1000+50.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENJTL datasheet?p=R6004ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6004ENJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 4A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTL r6007enjtl-e.pdf
R6007ENJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.36 грн
10+134.16 грн
100+107.88 грн
500+83.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6009ENJTL datasheet?p=R6009ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6009ENJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6011ENJTL r6011enjtl-e.pdf
R6011ENJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+298.96 грн
10+258.37 грн
100+211.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6012FNJTL datasheet?p=R6012FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6012FNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 12A LPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.73 грн
10+199.99 грн
100+161.77 грн
500+134.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENJTL datasheet?p=R6015ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6015ENJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+301.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNJTL datasheet?p=R6015FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6015FNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 15A LPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+297.28 грн
10+198.29 грн
100+145.20 грн
500+114.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTL datasheet?p=R6020ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6020ENJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+304.00 грн
10+191.41 грн
100+134.11 грн
500+102.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6020FNJTL datasheet?p=R6020FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6020FNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 304W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+325.83 грн
10+217.21 грн
100+159.82 грн
500+126.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENJTL datasheet?p=R6024ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6024ENJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 24A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+298.96 грн
10+218.67 грн
100+160.43 грн
500+131.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RAL025P01TCR ral025p01tcr-e
RAL025P01TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCD041N25TL rcd041n25.pdf
RCD041N25TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 4A CPT3
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RCD051N20TL rcd051n20.pdf
RCD051N20TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RCD075N19TL rcd075n19.pdf
RCD075N19TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RCD100N19TL datasheet?p=RCD100N19&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCD100N19TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.49 грн
10+84.51 грн
100+65.73 грн
500+52.28 грн
1000+42.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ081N20TL datasheet?p=RCJ081N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCJ081N20TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 8A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 770mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 170 340 510 680 733 734 735 736 737 738 739 740 741 742 743 850 1020 1190 1360 1530 1700 1704  [ Наступна Сторінка >> ]