Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (101743) > Сторінка 741 з 1696

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 169 338 507 676 736 737 738 739 740 741 742 743 744 745 746 845 1014 1183 1352 1521 1690 1696  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BU9795AKV-BZE2 BU9795AKV-BZE2 Rohm Semiconductor bu9795afv-e.pdf Description: IC LCD DVR 35X4COM IND 48VQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU9796AFS-E2 BU9796AFS-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BU9796AFS&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC DRVR 80 SEGMENT 32SSOPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 32-SOP (0.213", 5.40mm Width)
Display Type: LCD
Mounting Type: Surface Mount
Interface: 2-Wire Serial
Configuration: 80 Segment
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 32-SSOP-A
Part Status: Active
Current - Supply: 12.5 µA
на замовлення 1536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+307.94 грн
10+266.02 грн
25+251.47 грн
100+204.52 грн
250+194.03 грн
500+174.11 грн
1000+145.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BU97981MUV-E2 BU97981MUV-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BU97981MUV&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC LCD DVR 42X4COM 3WIRE 56VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Display Type: LCD, LED
Mounting Type: Surface Mount
Interface: 3-Wire Serial
Configuration: 168 Segment
Operating Temperature: -30°C ~ 75°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Supplier Device Package: VQFN56AV8080
Part Status: Active
Current - Supply: 90 µA
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.24 грн
10+242.33 грн
25+229.07 грн
100+186.30 грн
250+176.75 грн
500+158.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BU9799KV-BZE2 BU9799KV-BZE2 Rohm Semiconductor bu9799kv-e.pdf Description: IC LCD DVR 50X4COM IND 64VQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU97931FV-BZE2 BU97931FV-BZE2 Rohm Semiconductor bu97931fv-e.pdf Description: IC LCD DVR 28X4COM IND 40SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU97931FV-LBE2 BU97931FV-LBE2 Rohm Semiconductor bu97931fv-lb-e.pdf Description: IC LCD DVR 28X4COM IND 40SSOP
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU97941FV-E2 BU97941FV-E2 Rohm Semiconductor bu97941fv-e.pdf Description: IC LCD DVR MULTI 26X4COM 40SSOP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU97941FV-LBE2 BU97941FV-LBE2 Rohm Semiconductor bu97941fv-lb-e.pdf Description: IC LCD DVR 26X4COM IND 40SSOP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU9794AKV-BZE2 BU9794AKV-BZE2 Rohm Semiconductor bu9794akv-e.pdf Description: IC LCD DVR 50X4COM IND 64VQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU97950FUV-BZE2 BU97950FUV-BZE2 Rohm Semiconductor bu97950fuv-e.pdf Description: IC LCD DVR 35X8COM IND 48TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU9795AKS2-E2 BU9795AKS2-E2 Rohm Semiconductor bu9795afv-e.pdf Description: IC LCD DVR 35X4COM 3WIRE 52SQFP
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU9799KV-BZE2 BU9799KV-BZE2 Rohm Semiconductor bu9799kv-e.pdf Description: IC LCD DVR 50X4COM IND 64VQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD9G341EFJ-E2 BD9G341EFJ-E2 Rohm Semiconductor BD9G341EFJ.pdf Description: IC REG BUCK ADJ 3A 8HTSOP-J
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 50kHz ~ 750kHz
Voltage - Input (Max): 76V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Synchronous Rectifier: No
Voltage - Output (Max): 76V
Voltage - Input (Min): 12V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD9G341EFJ-E2 BD9G341EFJ-E2 Rohm Semiconductor BD9G341EFJ.pdf Description: IC REG BUCK ADJ 3A 8HTSOP-J
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 50kHz ~ 750kHz
Voltage - Input (Max): 76V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Synchronous Rectifier: No
Voltage - Output (Max): 76V
Voltage - Input (Min): 12V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40TS65DGC11 RGT40TS65DGC11 Rohm Semiconductor rgt40ts65d-e.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 144 W
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.98 грн
30+146.31 грн
120+119.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TS65DGC11 RGT50TS65DGC11 Rohm Semiconductor rgt50ts65d-e.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 174 W
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.65 грн
30+153.13 грн
120+128.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC11 RGT60TS65DGC11 Rohm Semiconductor rgt60ts65d-e.pdf Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 55A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/100ns
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGT80TS65DGC11 RGT80TS65DGC11 Rohm Semiconductor rgt80ts65d-e.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/119ns
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 79 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 234 W
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+413.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TS65DGC11 RGTH00TS65DGC11 Rohm Semiconductor rgth00ts65d-e Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/143ns
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 277 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TS65GC11 RGTH00TS65GC11 Rohm Semiconductor rgth00ts65-e Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247N
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.11 грн
10+322.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH40TS65DGC11 RGTH40TS65DGC11 Rohm Semiconductor rgth40ts65d-e Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 40A TO247N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH40TS65GC11 RGTH40TS65GC11 Rohm Semiconductor rgth40ts65-e Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/73ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 144 W
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.28 грн
30+130.49 грн
120+106.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH50TS65DGC11 RGTH50TS65DGC11 Rohm Semiconductor rgth50ts65d-e Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247N
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+298.98 грн
10+258.41 грн
100+211.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH50TS65GC11 RGTH50TS65GC11 Rohm Semiconductor rgth50ts65-e Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247N
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.94 грн
10+247.43 грн
100+202.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH60TS65DGC11 RGTH60TS65DGC11 Rohm Semiconductor rgth60ts65d-e Description: IGBT TRENCH FS 650V 58A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/105ns
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 58 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+329.12 грн
30+176.27 грн
120+145.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TS65DGC11 RGTH80TS65DGC11 Rohm Semiconductor rgth80ts65d-e Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 70A TO247N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40NS65DGTL RGT40NS65DGTL Rohm Semiconductor rgt40ns65d-e.pdf Description: IGBT TRENCH FIELD 650V 40A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 161 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+86.02 грн
2000+77.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8BM65DTL RGT8BM65DTL Rohm Semiconductor rgt8bm65d-e.pdf Description: IGBT TRENCH FIELD 650V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-252
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 62 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NS65DGTL RGT8NS65DGTL Rohm Semiconductor rgt8ns65d-e.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 8A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 65 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16NS65DGTL RGT16NS65DGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT16NS65D(LPDS)&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns
Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 94 W
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.59 грн
10+110.30 грн
100+75.50 грн
500+56.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGT30NS65DGTL RGT30NS65DGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT30NS65D(LPDS)&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 133 W
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.44 грн
10+133.21 грн
100+92.18 грн
500+72.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40NS65DGTL RGT40NS65DGTL Rohm Semiconductor rgt40ns65d-e.pdf Description: IGBT TRENCH FIELD 650V 40A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 161 W
на замовлення 6965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.91 грн
10+157.68 грн
100+109.87 грн
500+83.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8BM65DTL RGT8BM65DTL Rohm Semiconductor rgt8bm65d-e.pdf Description: IGBT TRENCH FIELD 650V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-252
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 62 W
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.19 грн
10+132.89 грн
100+105.76 грн
500+83.98 грн
1000+71.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NS65DGTL RGT8NS65DGTL Rohm Semiconductor rgt8ns65d-e.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 8A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 65 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD9B300MUV-EVK-101 BD9B300MUV-EVK-101 Rohm Semiconductor BD9B300MUV-EVK-101%20User%20Guide.pdf Description: EVAL BOARD FOR BD9B300
Packaging: Box
Voltage - Output: 3.3V
Voltage - Input: 2.7V ~ 5.5V
Current - Output: 3A
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: BD9B300
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2402.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD9B300MUV-E2 BD9B300MUV-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD9B300MUV&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC REG BUCK ADJ 3A 16VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 1MHz, 2MHz
Voltage - Input (Max): 5.5V
Topology: Buck
Supplier Device Package: VQFN016V3030
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 4.4V
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
KDZTFTR5.6B KDZTFTR5.6B Rohm Semiconductor datasheet?p=KDZTF5.6B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 5.6V 1W PMDU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Supplier Device Package: PMDU
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1.5 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD9B300MUV-E2 BD9B300MUV-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD9B300MUV&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC REG BUCK ADJ 3A 16VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 1MHz, 2MHz
Voltage - Input (Max): 5.5V
Topology: Buck
Supplier Device Package: VQFN016V3030
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 4.4V
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 5948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.91 грн
10+72.02 грн
25+68.34 грн
100+52.68 грн
250+49.25 грн
500+43.52 грн
1000+33.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
KDZTFTR5.6B KDZTFTR5.6B Rohm Semiconductor datasheet?p=KDZTF5.6B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 5.6V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Supplier Device Package: PMDU
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1.5 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BM60014FV-CE2 BM60014FV-CE2 Rohm Semiconductor Jisso_SSOP-B20W-3-2_Rev004s_E2_Drypack_Multichip(MSL1).pdf Description: DGTL ISO 2.5KV 1CH GT DVR 20SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SSOP (0.240", 6.10mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 5A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 3A, 3A
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Approval Agency: UR
Supplier Device Package: 20-SSOP-BW
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 120ns, 120ns
Grade: Automotive
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 24V
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BM6102FV-CE2 BM6102FV-CE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BM6102FV-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DGTL ISO 2.5KV 1CH GT DVR 20SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SSOP (0.240", 6.10mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 5A, 1A
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Approval Agency: UR
Supplier Device Package: 20-SSOP-BW
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 200ns, 200ns
Grade: Automotive
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 14V ~ 20V
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BM6104FV-CE2 BM6104FV-CE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BM6104FV-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DGTL ISO 2.5KV 1CH GT DVR 20SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SSOP (0.240", 6.10mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 5A, 1A
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Approval Agency: UR
Supplier Device Package: 20-SSOP-BW
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Grade: Automotive
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 24V
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD14000EFV-EVK-001 BD14000EFV-EVK-001 Rohm Semiconductor BD14000EFV-EVK_UsersGuide-E.pdf Description: EVAL BOARD FOR BD14000
Packaging: Box
Function: Battery Monitor
Type: Power Management
Utilized IC / Part: BD14000
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Cell Balancer
Embedded: No
Part Status: Active
Secondary Attributes: 8V ~ 24V Supply
Contents: Board(s)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7391.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD14000EFV-CE2 BD14000EFV-CE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD14000EFV-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC LSI CELL BALANCE 30HTSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 30-VSSOP (0.220", 5.60mm Width) Exposed Pad
Number of Cells: 4 ~ 6
Mounting Type: Surface Mount
Function: Battery Balancer
Interface: Series
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Battery Chemistry: Supercapacitor
Supplier Device Package: 30-HTSSOP-B
Fault Protection: Over Current
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+648.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
BD14000EFV-CE2 BD14000EFV-CE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD14000EFV-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC LSI CELL BALANCE 30HTSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 30-VSSOP (0.220", 5.60mm Width) Exposed Pad
Number of Cells: 4 ~ 6
Mounting Type: Surface Mount
Function: Battery Balancer
Interface: Series
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Battery Chemistry: Supercapacitor
Supplier Device Package: 30-HTSSOP-B
Fault Protection: Over Current
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1058.24 грн
10+805.82 грн
25+752.66 грн
100+651.44 грн
250+625.28 грн
500+609.51 грн
1000+586.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R5005CNX R5005CNX Rohm Semiconductor R5005CNX Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R5007ANX R5007ANX Rohm Semiconductor R5007ANX Description: MOSFET N-CH 500V 7A TO220
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R5007FNX R5007FNX Rohm Semiconductor r5007fnx-e.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 7A TO220
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R5011ANX R5011ANX Rohm Semiconductor 2SK2095N-v1.jpg Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R5021ANX R5021ANX Rohm Semiconductor datasheet?p=R5021ANX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 500V 21A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENX R6004ENX Rohm Semiconductor r6004enx-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.20 грн
10+97.20 грн
100+77.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENX R6007ENX Rohm Semiconductor r6007enx-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.00 грн
10+163.33 грн
100+131.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6009ENX R6009ENX Rohm Semiconductor r6009enx-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.61 грн
10+240.84 грн
100+197.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6011ENX R6011ENX Rohm Semiconductor r6011enx-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENX R6015ENX Rohm Semiconductor r6015enx-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.31 грн
10+75.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENX R6020ENX Rohm Semiconductor r6020enx-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.09 грн
10+197.77 грн
100+139.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENX R6024ENX Rohm Semiconductor r6024enx-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.68 грн
10+211.18 грн
100+149.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6030ENX R6030ENX Rohm Semiconductor r6030enx-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8005ANX R8005ANX Rohm Semiconductor datasheet?p=R8005ANX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.08Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.78 грн
10+133.60 грн
100+93.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8010ANX R8010ANX Rohm Semiconductor r8010anx.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO220FM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU9795AKV-BZE2 bu9795afv-e.pdf
BU9795AKV-BZE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC LCD DVR 35X4COM IND 48VQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU9796AFS-E2 datasheet?p=BU9796AFS&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BU9796AFS-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC DRVR 80 SEGMENT 32SSOPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 32-SOP (0.213", 5.40mm Width)
Display Type: LCD
Mounting Type: Surface Mount
Interface: 2-Wire Serial
Configuration: 80 Segment
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 32-SSOP-A
Part Status: Active
Current - Supply: 12.5 µA
на замовлення 1536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+307.94 грн
10+266.02 грн
25+251.47 грн
100+204.52 грн
250+194.03 грн
500+174.11 грн
1000+145.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BU97981MUV-E2 datasheet?p=BU97981MUV&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BU97981MUV-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC LCD DVR 42X4COM 3WIRE 56VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Display Type: LCD, LED
Mounting Type: Surface Mount
Interface: 3-Wire Serial
Configuration: 168 Segment
Operating Temperature: -30°C ~ 75°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Supplier Device Package: VQFN56AV8080
Part Status: Active
Current - Supply: 90 µA
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.24 грн
10+242.33 грн
25+229.07 грн
100+186.30 грн
250+176.75 грн
500+158.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BU9799KV-BZE2 bu9799kv-e.pdf
BU9799KV-BZE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC LCD DVR 50X4COM IND 64VQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU97931FV-BZE2 bu97931fv-e.pdf
BU97931FV-BZE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC LCD DVR 28X4COM IND 40SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU97931FV-LBE2 bu97931fv-lb-e.pdf
BU97931FV-LBE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC LCD DVR 28X4COM IND 40SSOP
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU97941FV-E2 bu97941fv-e.pdf
BU97941FV-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC LCD DVR MULTI 26X4COM 40SSOP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU97941FV-LBE2 bu97941fv-lb-e.pdf
BU97941FV-LBE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC LCD DVR 26X4COM IND 40SSOP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU9794AKV-BZE2 bu9794akv-e.pdf
BU9794AKV-BZE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC LCD DVR 50X4COM IND 64VQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU97950FUV-BZE2 bu97950fuv-e.pdf
BU97950FUV-BZE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC LCD DVR 35X8COM IND 48TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU9795AKS2-E2 bu9795afv-e.pdf
BU9795AKS2-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC LCD DVR 35X4COM 3WIRE 52SQFP
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU9799KV-BZE2 bu9799kv-e.pdf
BU9799KV-BZE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC LCD DVR 50X4COM IND 64VQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD9G341EFJ-E2 BD9G341EFJ.pdf
BD9G341EFJ-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG BUCK ADJ 3A 8HTSOP-J
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 50kHz ~ 750kHz
Voltage - Input (Max): 76V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Synchronous Rectifier: No
Voltage - Output (Max): 76V
Voltage - Input (Min): 12V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD9G341EFJ-E2 BD9G341EFJ.pdf
BD9G341EFJ-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG BUCK ADJ 3A 8HTSOP-J
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 50kHz ~ 750kHz
Voltage - Input (Max): 76V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Synchronous Rectifier: No
Voltage - Output (Max): 76V
Voltage - Input (Min): 12V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40TS65DGC11 rgt40ts65d-e.pdf
RGT40TS65DGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 144 W
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+276.98 грн
30+146.31 грн
120+119.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TS65DGC11 rgt50ts65d-e.pdf
RGT50TS65DGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 174 W
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+269.65 грн
30+153.13 грн
120+128.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC11 rgt60ts65d-e.pdf
RGT60TS65DGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 55A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/100ns
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGT80TS65DGC11 rgt80ts65d-e.pdf
RGT80TS65DGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/119ns
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 79 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 234 W
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+413.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TS65DGC11 rgth00ts65d-e
RGTH00TS65DGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/143ns
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 277 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TS65GC11 rgth00ts65-e
RGTH00TS65GC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247N
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+373.11 грн
10+322.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH40TS65DGC11 rgth40ts65d-e
RGTH40TS65DGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 40A TO247N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH40TS65GC11 rgth40ts65-e
RGTH40TS65GC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/73ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 144 W
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+249.28 грн
30+130.49 грн
120+106.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH50TS65DGC11 rgth50ts65d-e
RGTH50TS65DGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247N
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+298.98 грн
10+258.41 грн
100+211.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH50TS65GC11 rgth50ts65-e
RGTH50TS65GC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247N
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.94 грн
10+247.43 грн
100+202.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH60TS65DGC11 rgth60ts65d-e
RGTH60TS65DGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 58A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/105ns
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 58 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+329.12 грн
30+176.27 грн
120+145.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TS65DGC11 rgth80ts65d-e
RGTH80TS65DGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 70A TO247N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40NS65DGTL rgt40ns65d-e.pdf
RGT40NS65DGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FIELD 650V 40A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 161 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+86.02 грн
2000+77.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8BM65DTL rgt8bm65d-e.pdf
RGT8BM65DTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FIELD 650V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-252
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 62 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NS65DGTL rgt8ns65d-e.pdf
RGT8NS65DGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 8A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 65 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16NS65DGTL datasheet?p=RGT16NS65D(LPDS)&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RGT16NS65DGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns
Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 94 W
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.59 грн
10+110.30 грн
100+75.50 грн
500+56.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGT30NS65DGTL datasheet?p=RGT30NS65D(LPDS)&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RGT30NS65DGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 133 W
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.44 грн
10+133.21 грн
100+92.18 грн
500+72.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40NS65DGTL rgt40ns65d-e.pdf
RGT40NS65DGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FIELD 650V 40A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 161 W
на замовлення 6965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.91 грн
10+157.68 грн
100+109.87 грн
500+83.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8BM65DTL rgt8bm65d-e.pdf
RGT8BM65DTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FIELD 650V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-252
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 62 W
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.19 грн
10+132.89 грн
100+105.76 грн
500+83.98 грн
1000+71.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NS65DGTL rgt8ns65d-e.pdf
RGT8NS65DGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 8A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 65 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD9B300MUV-EVK-101 BD9B300MUV-EVK-101%20User%20Guide.pdf
BD9B300MUV-EVK-101
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: EVAL BOARD FOR BD9B300
Packaging: Box
Voltage - Output: 3.3V
Voltage - Input: 2.7V ~ 5.5V
Current - Output: 3A
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: BD9B300
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2402.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD9B300MUV-E2 datasheet?p=BD9B300MUV&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD9B300MUV-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG BUCK ADJ 3A 16VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 1MHz, 2MHz
Voltage - Input (Max): 5.5V
Topology: Buck
Supplier Device Package: VQFN016V3030
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 4.4V
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+35.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
KDZTFTR5.6B datasheet?p=KDZTF5.6B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
KDZTFTR5.6B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.6V 1W PMDU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Supplier Device Package: PMDU
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1.5 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD9B300MUV-E2 datasheet?p=BD9B300MUV&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD9B300MUV-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG BUCK ADJ 3A 16VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 1MHz, 2MHz
Voltage - Input (Max): 5.5V
Topology: Buck
Supplier Device Package: VQFN016V3030
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 4.4V
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 5948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.91 грн
10+72.02 грн
25+68.34 грн
100+52.68 грн
250+49.25 грн
500+43.52 грн
1000+33.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
KDZTFTR5.6B datasheet?p=KDZTF5.6B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
KDZTFTR5.6B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.6V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Supplier Device Package: PMDU
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1.5 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BM60014FV-CE2 Jisso_SSOP-B20W-3-2_Rev004s_E2_Drypack_Multichip(MSL1).pdf
BM60014FV-CE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DGTL ISO 2.5KV 1CH GT DVR 20SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SSOP (0.240", 6.10mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 5A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 3A, 3A
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Approval Agency: UR
Supplier Device Package: 20-SSOP-BW
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 120ns, 120ns
Grade: Automotive
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 24V
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BM6102FV-CE2 datasheet?p=BM6102FV-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BM6102FV-CE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DGTL ISO 2.5KV 1CH GT DVR 20SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SSOP (0.240", 6.10mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 5A, 1A
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Approval Agency: UR
Supplier Device Package: 20-SSOP-BW
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 200ns, 200ns
Grade: Automotive
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 14V ~ 20V
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BM6104FV-CE2 datasheet?p=BM6104FV-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BM6104FV-CE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DGTL ISO 2.5KV 1CH GT DVR 20SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SSOP (0.240", 6.10mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 5A, 1A
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Approval Agency: UR
Supplier Device Package: 20-SSOP-BW
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Grade: Automotive
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 24V
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD14000EFV-EVK-001 BD14000EFV-EVK_UsersGuide-E.pdf
BD14000EFV-EVK-001
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: EVAL BOARD FOR BD14000
Packaging: Box
Function: Battery Monitor
Type: Power Management
Utilized IC / Part: BD14000
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Cell Balancer
Embedded: No
Part Status: Active
Secondary Attributes: 8V ~ 24V Supply
Contents: Board(s)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7391.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD14000EFV-CE2 datasheet?p=BD14000EFV-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD14000EFV-CE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC LSI CELL BALANCE 30HTSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 30-VSSOP (0.220", 5.60mm Width) Exposed Pad
Number of Cells: 4 ~ 6
Mounting Type: Surface Mount
Function: Battery Balancer
Interface: Series
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Battery Chemistry: Supercapacitor
Supplier Device Package: 30-HTSSOP-B
Fault Protection: Over Current
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+648.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
BD14000EFV-CE2 datasheet?p=BD14000EFV-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD14000EFV-CE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC LSI CELL BALANCE 30HTSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 30-VSSOP (0.220", 5.60mm Width) Exposed Pad
Number of Cells: 4 ~ 6
Mounting Type: Surface Mount
Function: Battery Balancer
Interface: Series
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Battery Chemistry: Supercapacitor
Supplier Device Package: 30-HTSSOP-B
Fault Protection: Over Current
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1058.24 грн
10+805.82 грн
25+752.66 грн
100+651.44 грн
250+625.28 грн
500+609.51 грн
1000+586.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R5005CNX R5005CNX
R5005CNX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R5007ANX R5007ANX
R5007ANX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 7A TO220
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R5007FNX r5007fnx-e.pdf
R5007FNX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 7A TO220
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R5011ANX 2SK2095N-v1.jpg
R5011ANX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R5021ANX datasheet?p=R5021ANX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R5021ANX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 21A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENX r6004enx-e.pdf
R6004ENX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.20 грн
10+97.20 грн
100+77.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENX r6007enx-e.pdf
R6007ENX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.00 грн
10+163.33 грн
100+131.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6009ENX r6009enx-e.pdf
R6009ENX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.61 грн
10+240.84 грн
100+197.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6011ENX r6011enx-e.pdf
R6011ENX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENX r6015enx-e.pdf
R6015ENX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.31 грн
10+75.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENX r6020enx-e.pdf
R6020ENX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+294.09 грн
10+197.77 грн
100+139.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENX r6024enx-e.pdf
R6024ENX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+326.68 грн
10+211.18 грн
100+149.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6030ENX r6030enx-e.pdf
R6030ENX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8005ANX datasheet?p=R8005ANX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8005ANX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.08Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.78 грн
10+133.60 грн
100+93.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8010ANX r8010anx.pdf
R8010ANX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO220FM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 169 338 507 676 736 737 738 739 740 741 742 743 744 745 746 845 1014 1183 1352 1521 1690 1696  [ Наступна Сторінка >> ]