Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (104129) > Сторінка 734 з 1736

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 173 346 519 692 729 730 731 732 733 734 735 736 737 738 739 865 1038 1211 1384 1557 1730 1736  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
QH8MA2TCR QH8MA2TCR Rohm Semiconductor datasheet?p=QH8MA2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.34 грн
10+40.98 грн
100+26.68 грн
500+19.26 грн
1000+17.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J13TR QS8J13TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS8J13&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 4518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.54 грн
10+53.62 грн
100+35.36 грн
500+25.81 грн
1000+23.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R5009FNJTL R5009FNJTL Rohm Semiconductor r5009fnjtl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 9A LPTS
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.40 грн
10+154.96 грн
100+124.54 грн
500+96.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R5011FNJTL R5011FNJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R5011FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 500V 11A LPT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.81 грн
10+100.51 грн
100+79.97 грн
500+63.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R5016FNJTL R5016FNJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R5016FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 500V 16A LPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.38 грн
10+156.75 грн
100+126.80 грн
500+105.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6002ENDTL R6002ENDTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6002END&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENDTL R6004ENDTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6004END&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 2521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.39 грн
10+97.30 грн
100+75.86 грн
500+58.81 грн
1000+46.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENJTL R6004ENJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6004ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 4A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTL R6007ENJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6007ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.83 грн
10+119.29 грн
100+81.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009ENJTL R6009ENJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6009ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6011ENJTL R6011ENJTL Rohm Semiconductor r6011enjtl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.48 грн
10+238.94 грн
100+195.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6012FNJTL R6012FNJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6012FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 12A LPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.11 грн
10+184.95 грн
100+149.60 грн
500+124.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENJTL R6015ENJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6015ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNJTL R6015FNJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6015FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 15A LPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.93 грн
10+183.38 грн
100+134.28 грн
500+105.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTL R6020ENJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6020ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 4658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.30 грн
10+156.83 грн
100+109.88 грн
500+91.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020FNJTL R6020FNJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6020FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 304W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+301.33 грн
10+200.88 грн
100+147.80 грн
500+116.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENJTL R6024ENJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6024ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 24A LPTS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.48 грн
10+202.22 грн
100+148.36 грн
500+121.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RAL025P01TCR RAL025P01TCR Rohm Semiconductor ral025p01tcr-e Description: MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCD041N25TL RCD041N25TL Rohm Semiconductor rcd041n25.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 4A CPT3
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RCD051N20TL RCD051N20TL Rohm Semiconductor rcd051n20.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RCD075N19TL RCD075N19TL Rohm Semiconductor rcd075n19.pdf Description: MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RCD100N19TL RCD100N19TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RCD100N19&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: CPT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.41 грн
10+78.15 грн
100+60.79 грн
500+48.35 грн
1000+39.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ081N20TL RCJ081N20TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RCJ081N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 200V 8A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 770mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ100N25TL RCJ100N25TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RCJ100N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 250V 10A LPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 25 V
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.72 грн
10+91.31 грн
100+71.00 грн
500+56.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ120N20TL RCJ120N20TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RCJ120N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 200V 12A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ120N25TL RCJ120N25TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RCJ120N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 250V 12A LPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.62 грн
10+68.58 грн
100+48.14 грн
500+36.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ220N25TL RCJ220N25TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RCJ220N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 250V 22A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.97 грн
10+155.86 грн
100+109.04 грн
500+83.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RDD023N50TL RDD023N50TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RDD023N50&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 500V 2A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C001ZPTL RE1C001ZPTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RE1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 100MA EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 10609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.09 грн
31+9.87 грн
100+6.13 грн
500+4.22 грн
1000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCL RE1C002UNTCL Rohm Semiconductor re1c002untcl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 822396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.76 грн
36+8.45 грн
100+5.24 грн
500+3.58 грн
1000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1E002SPTCL RE1E002SPTCL Rohm Semiconductor datasheet?p=RE1E002SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 250MA EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
на замовлення 24614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.42 грн
26+11.52 грн
100+7.17 грн
500+4.95 грн
1000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C050APTR RF4C050APTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4C050AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.56 грн
10+45.10 грн
100+29.47 грн
500+21.37 грн
1000+19.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMT116 RK7002BMT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=RK7002BM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 148463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.65 грн
53+5.68 грн
100+3.29 грн
500+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RND030N20TL RND030N20TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RND030N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 200V 3A CPT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: CPT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 870mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.79 грн
10+43.45 грн
100+29.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1C065UNTR RQ1C065UNTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ1C065UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.15 грн
10+39.49 грн
100+29.49 грн
500+21.74 грн
1000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1C075UNTR RQ1C075UNTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ1C075UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E070BNTB RQ3E070BNTB Rohm Semiconductor rq3e070bntb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 7A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 15 V
на замовлення 7341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
13+24.68 грн
100+14.82 грн
500+12.88 грн
1000+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E080BNTB RQ3E080BNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
на замовлення 8823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.82 грн
11+27.22 грн
100+17.45 грн
500+12.40 грн
1000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E100BNTB RQ3E100BNTB Rohm Semiconductor rq3e100bntb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 4619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.15 грн
11+28.64 грн
100+18.35 грн
500+13.07 грн
1000+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E120ATTB RQ3E120ATTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3E120AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.55 грн
10+48.99 грн
100+32.18 грн
500+23.41 грн
1000+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E120BNTB RQ3E120BNTB Rohm Semiconductor rq3e120bntb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E130BNTB RQ3E130BNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3E130BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.91 грн
10+37.54 грн
100+24.29 грн
500+17.44 грн
1000+15.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E150BNTB RQ3E150BNTB Rohm Semiconductor rq3e150bntb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E160ADTB RQ3E160ADTB Rohm Semiconductor rq3e160adtb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E180BNTB RQ3E180BNTB Rohm Semiconductor rq3e180bntb-e.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.94 грн
10+39.79 грн
100+26.83 грн
500+20.82 грн
1000+19.07 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3G100GNTB RQ3G100GNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3G100GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 20 V
на замовлення 48879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.47 грн
10+34.33 грн
100+22.17 грн
500+15.89 грн
1000+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5A030APTL RQ5A030APTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5A030AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3
Vgs (Max): -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
на замовлення 5067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.28 грн
14+22.51 грн
100+14.31 грн
500+10.12 грн
1000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E035ATTCL RQ5E035ATTCL Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5E035AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V
на замовлення 62611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.73 грн
14+21.46 грн
100+13.66 грн
500+9.65 грн
1000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E035BNTCL RQ5E035BNTCL Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5E035BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.41 грн
20+15.48 грн
100+9.71 грн
500+6.78 грн
1000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5H020SPTL RQ5H020SPTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5H020SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.91 грн
10+37.47 грн
100+24.24 грн
500+17.41 грн
1000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L015SPTL RQ5L015SPTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5L015SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.70 грн
11+29.77 грн
100+19.17 грн
500+13.70 грн
1000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6C050UNTR RQ6C050UNTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6C050UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
на замовлення 15784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.14 грн
10+32.83 грн
100+21.19 грн
500+15.17 грн
1000+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E035ATTCR RQ6E035ATTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6E035AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.28 грн
14+22.29 грн
100+11.01 грн
500+9.79 грн
1000+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E045BNTCR RQ6E045BNTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6E045BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.16 грн
13+24.83 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E050ATTCR RQ6E050ATTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6E050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.84 грн
12+25.65 грн
100+19.41 грн
500+15.70 грн
1000+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6P015SPTR RQ6P015SPTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6P015SP&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 322 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
на замовлення 12134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.88 грн
10+50.71 грн
100+33.33 грн
500+24.28 грн
1000+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRF015P03GTL RRF015P03GTL Rohm Semiconductor rrf015p03tl-e.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 9752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.71 грн
12+25.13 грн
100+12.48 грн
500+11.11 грн
1000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E200BNTB RS1E200BNTB Rohm Semiconductor rs1e200bntb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E240BNTB RS1E240BNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1E240BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
на замовлення 4888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.59 грн
10+41.66 грн
100+29.96 грн
500+23.00 грн
1000+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E280BNTB RS1E280BNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1E280BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.31 грн
10+54.15 грн
100+35.79 грн
500+26.19 грн
1000+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA2TCR datasheet?p=QH8MA2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QH8MA2TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.34 грн
10+40.98 грн
100+26.68 грн
500+19.26 грн
1000+17.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J13TR datasheet?p=QS8J13&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS8J13TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 4518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+88.54 грн
10+53.62 грн
100+35.36 грн
500+25.81 грн
1000+23.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R5009FNJTL r5009fnjtl-e.pdf
R5009FNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 9A LPTS
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+179.40 грн
10+154.96 грн
100+124.54 грн
500+96.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R5011FNJTL datasheet?p=R5011FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R5011FNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 11A LPT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+125.81 грн
10+100.51 грн
100+79.97 грн
500+63.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R5016FNJTL datasheet?p=R5016FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R5016FNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 16A LPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+193.38 грн
10+156.75 грн
100+126.80 грн
500+105.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6002ENDTL datasheet?p=R6002END&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6002ENDTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENDTL datasheet?p=R6004END&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6004ENDTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 2521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+113.39 грн
10+97.30 грн
100+75.86 грн
500+58.81 грн
1000+46.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENJTL datasheet?p=R6004ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6004ENJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 4A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTL datasheet?p=R6007ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6007ENJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+191.83 грн
10+119.29 грн
100+81.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009ENJTL datasheet?p=R6009ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6009ENJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6011ENJTL r6011enjtl-e.pdf
R6011ENJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+276.48 грн
10+238.94 грн
100+195.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6012FNJTL datasheet?p=R6012FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6012FNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 12A LPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+229.11 грн
10+184.95 грн
100+149.60 грн
500+124.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENJTL datasheet?p=R6015ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6015ENJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+278.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNJTL datasheet?p=R6015FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6015FNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 15A LPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+274.93 грн
10+183.38 грн
100+134.28 грн
500+105.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTL datasheet?p=R6020ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6020ENJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 4658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+249.30 грн
10+156.83 грн
100+109.88 грн
500+91.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020FNJTL datasheet?p=R6020FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6020FNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 304W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+301.33 грн
10+200.88 грн
100+147.80 грн
500+116.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENJTL datasheet?p=R6024ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6024ENJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 24A LPTS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+276.48 грн
10+202.22 грн
100+148.36 грн
500+121.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RAL025P01TCR ral025p01tcr-e
RAL025P01TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCD041N25TL rcd041n25.pdf
RCD041N25TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 4A CPT3
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RCD051N20TL rcd051n20.pdf
RCD051N20TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RCD075N19TL rcd075n19.pdf
RCD075N19TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RCD100N19TL datasheet?p=RCD100N19&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCD100N19TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: CPT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.41 грн
10+78.15 грн
100+60.79 грн
500+48.35 грн
1000+39.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ081N20TL datasheet?p=RCJ081N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCJ081N20TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 8A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 770mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ100N25TL datasheet?p=RCJ100N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCJ100N25TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 10A LPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 25 V
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+115.72 грн
10+91.31 грн
100+71.00 грн
500+56.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ120N20TL datasheet?p=RCJ120N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCJ120N20TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 12A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ120N25TL datasheet?p=RCJ120N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCJ120N25TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 12A LPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+105.62 грн
10+68.58 грн
100+48.14 грн
500+36.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ220N25TL datasheet?p=RCJ220N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCJ220N25TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 22A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+246.97 грн
10+155.86 грн
100+109.04 грн
500+83.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RDD023N50TL datasheet?p=RDD023N50&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RDD023N50TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 2A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C001ZPTL datasheet?p=RE1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RE1C001ZPTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 100MA EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 10609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+17.09 грн
31+9.87 грн
100+6.13 грн
500+4.22 грн
1000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCL re1c002untcl-e.pdf
RE1C002UNTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 822396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+14.76 грн
36+8.45 грн
100+5.24 грн
500+3.58 грн
1000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1E002SPTCL datasheet?p=RE1E002SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RE1E002SPTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 250MA EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
на замовлення 24614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.42 грн
26+11.52 грн
100+7.17 грн
500+4.95 грн
1000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C050APTR datasheet?p=RF4C050AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4C050APTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+74.56 грн
10+45.10 грн
100+29.47 грн
500+21.37 грн
1000+19.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMT116 datasheet?p=RK7002BM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RK7002BMT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 148463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.65 грн
53+5.68 грн
100+3.29 грн
500+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RND030N20TL datasheet?p=RND030N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RND030N20TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 3A CPT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: CPT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 870mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+66.79 грн
10+43.45 грн
100+29.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1C065UNTR datasheet?p=RQ1C065UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ1C065UNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.15 грн
10+39.49 грн
100+29.49 грн
500+21.74 грн
1000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1C075UNTR datasheet?p=RQ1C075UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ1C075UNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E070BNTB rq3e070bntb-e.pdf
RQ3E070BNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 7A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 15 V
на замовлення 7341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.62 грн
13+24.68 грн
100+14.82 грн
500+12.88 грн
1000+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E080BNTB datasheet?p=RQ3E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3E080BNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
на замовлення 8823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+45.82 грн
11+27.22 грн
100+17.45 грн
500+12.40 грн
1000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E100BNTB rq3e100bntb-e.pdf
RQ3E100BNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 4619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.15 грн
11+28.64 грн
100+18.35 грн
500+13.07 грн
1000+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E120ATTB datasheet?p=RQ3E120AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3E120ATTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.55 грн
10+48.99 грн
100+32.18 грн
500+23.41 грн
1000+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E120BNTB rq3e120bntb-e.pdf
RQ3E120BNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E130BNTB datasheet?p=RQ3E130BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3E130BNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+62.91 грн
10+37.54 грн
100+24.29 грн
500+17.44 грн
1000+15.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E150BNTB rq3e150bntb-e.pdf
RQ3E150BNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E160ADTB rq3e160adtb-e.pdf
RQ3E160ADTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E180BNTB rq3e180bntb-e.pdf
RQ3E180BNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.94 грн
10+39.79 грн
100+26.83 грн
500+20.82 грн
1000+19.07 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3G100GNTB datasheet?p=RQ3G100GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3G100GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 20 V
на замовлення 48879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.47 грн
10+34.33 грн
100+22.17 грн
500+15.89 грн
1000+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5A030APTL datasheet?p=RQ5A030AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ5A030APTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3
Vgs (Max): -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
на замовлення 5067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.28 грн
14+22.51 грн
100+14.31 грн
500+10.12 грн
1000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E035ATTCL datasheet?p=RQ5E035AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ5E035ATTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V
на замовлення 62611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.73 грн
14+21.46 грн
100+13.66 грн
500+9.65 грн
1000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E035BNTCL datasheet?p=RQ5E035BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ5E035BNTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.41 грн
20+15.48 грн
100+9.71 грн
500+6.78 грн
1000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5H020SPTL datasheet?p=RQ5H020SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ5H020SPTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+62.91 грн
10+37.47 грн
100+24.24 грн
500+17.41 грн
1000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L015SPTL datasheet?p=RQ5L015SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ5L015SPTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.70 грн
11+29.77 грн
100+19.17 грн
500+13.70 грн
1000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6C050UNTR datasheet?p=RQ6C050UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6C050UNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
на замовлення 15784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+55.14 грн
10+32.83 грн
100+21.19 грн
500+15.17 грн
1000+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E035ATTCR datasheet?p=RQ6E035AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6E035ATTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.28 грн
14+22.29 грн
100+11.01 грн
500+9.79 грн
1000+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E045BNTCR datasheet?p=RQ6E045BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6E045BNTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.16 грн
13+24.83 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E050ATTCR datasheet?p=RQ6E050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6E050ATTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.84 грн
12+25.65 грн
100+19.41 грн
500+15.70 грн
1000+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6P015SPTR datasheet?p=RQ6P015SP&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RQ6P015SPTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 322 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
на замовлення 12134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+83.88 грн
10+50.71 грн
100+33.33 грн
500+24.28 грн
1000+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRF015P03GTL rrf015p03tl-e.pdf
RRF015P03GTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 9752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+42.71 грн
12+25.13 грн
100+12.48 грн
500+11.11 грн
1000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E200BNTB rs1e200bntb-e.pdf
RS1E200BNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E240BNTB datasheet?p=RS1E240BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RS1E240BNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
на замовлення 4888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.59 грн
10+41.66 грн
100+29.96 грн
500+23.00 грн
1000+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E280BNTB datasheet?p=RS1E280BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RS1E280BNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.31 грн
10+54.15 грн
100+35.79 грн
500+26.19 грн
1000+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 173 346 519 692 729 730 731 732 733 734 735 736 737 738 739 865 1038 1211 1384 1557 1730 1736  [ Наступна Сторінка >> ]