Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (107819) > Сторінка 736 з 1797
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RR2L6SDDTE25 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A PMDS |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RRE02VS4SGTR | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 400V 200MA TUMD2S |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RRE02VSM4STR | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GP 400V 200MA TUMD2SMPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: TUMD2SM Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RRE07VSM4STR | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GP 400V 700MA TUMD2SM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RS1E350BNTB | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RSA30LDDTE25 | Rohm Semiconductor |
Description: TVS DIODE 25.6VWM 41.4VC PMDSPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Current - Peak Pulse (10/1000µs): 14.4A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 25.6V Supplier Device Package: PMDS Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 28.5V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 41.4V Power - Peak Pulse: 600W Power Line Protection: No Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RSB6.8SMT2N | Rohm Semiconductor |
Description: TVS DIODE 3.5VWM EMD2 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RSX201VAM30TR | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A TUMD2MPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: TUMD2M Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RUS100N02TB | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 10A 8SOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BH7649KS2 | Rohm Semiconductor |
Description: IC VIDEO SIGNAL SWITCHER 52SQFP Packaging: Tray Package / Case: 52-LQFP Mounting Type: Surface Mount Function: Switch Voltage - Supply: 7.5V ~ 9.5V Applications: Consumer Video Supplier Device Package: SQFP-T52M (10x10) Part Status: Active Control Interface: I2C |
на замовлення 994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BP5728 | Rohm Semiconductor |
Description: IC AC/DC CONVERTER ISO 6SIP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BU7988KVT | Rohm Semiconductor |
Description: IC DESERIALIZER LVDS 100TQFPPackaging: Tray Package / Case: 100-TQFP Output Type: LVCMOS Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 56 Function: Serializer/Deserializer Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Input Type: LVDS Number of Inputs: 8 Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14) Part Status: Active |
на замовлення 286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BU9408KS2 | Rohm Semiconductor |
Description: IC DSP 32BIT AUDIO 52SQFPPackaging: Tray Package / Case: 52-LQFP Mounting Type: Surface Mount Interface: I2C, I2S, SPDIF Type: Audio Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA) On-Chip RAM: 1.375KB Voltage - I/O: 3.30V Voltage - Core: 3.30V Clock Rate: 24.576MHz Supplier Device Package: SQFP-T52M (10x10) |
на замовлення 987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BD9428 | Rohm Semiconductor |
Description: IC LED DRV RGLTR PWM 250MA 16DIPPackaging: Tube Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Number of Outputs: 4 Frequency: 150kHz Type: DC DC Regulator Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Applications: Backlight Current - Output / Channel: 250mA Internal Switch(s): Yes Topology: Step-Up (Boost) Supplier Device Package: 16-DIP Dimming: PWM Voltage - Supply (Min): 9V Voltage - Supply (Max): 35V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BD95820N-LB | Rohm Semiconductor | Description: IC EARTH LEAKAGE DETECTOR 8SIP |
на замовлення 335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BM63363S-VA | Rohm Semiconductor |
Description: IC IPM 600V IGBT SW 25HSDIPPackaging: Tube Package / Case: 25-PowerDIP Module (1.134", 28.80mm) Mounting Type: Through Hole Type: IGBT Configuration: 3 Phase Inverter Voltage - Isolation: 1500Vrms Current: 10 A Voltage: 600 V |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BM63363S-VC | Rohm Semiconductor |
Description: IC IPM 600V IGBT SW 25HSDIPPackaging: Tube Package / Case: 25-PowerDIP Module (1.327", 33.70mm) Mounting Type: Through Hole Type: IGBT Configuration: 3 Phase Inverter Voltage - Isolation: 1500Vrms Current: 10 A Voltage: 600 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BM63364S-VA | Rohm Semiconductor |
Description: IC IPM 600V IGBT SW 25HSDIPPackaging: Tube Package / Case: 25-PowerDIP Module (1.134", 28.80mm) Mounting Type: Through Hole Type: IGBT Configuration: 3 Phase Inverter Voltage - Isolation: 1500Vrms Current: 15 A Voltage: 600 V |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BM63364S-VC | Rohm Semiconductor |
Description: IC IPM 600V IGBT SW 25HSDIPPackaging: Tube Package / Case: 25-PowerDIP Module (1.327", 33.70mm) Mounting Type: Through Hole Type: IGBT Configuration: 3 Phase Inverter Voltage - Isolation: 1500Vrms Current: 15 A Voltage: 600 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BM63763S-VA | Rohm Semiconductor |
Description: IC IPM 600V IGBT SW 25HSDIPPackaging: Tube Package / Case: 25-PowerDIP Module (1.134", 28.80mm) Mounting Type: Through Hole Type: IGBT Configuration: 3 Phase Inverter Voltage - Isolation: 1500Vrms Current: 10 A Voltage: 600 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BM63763S-VC | Rohm Semiconductor |
Description: IC IPM 600V IGBT SW 25HSDIPPackaging: Tube Package / Case: 25-PowerDIP Module (1.327", 33.70mm) Mounting Type: Through Hole Type: IGBT Configuration: 3 Phase Inverter Voltage - Isolation: 1500Vrms Current: 10 A Voltage: 600 V |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BM63764S-VA | Rohm Semiconductor |
Description: IC IPM 600V IGBT SW 25HSDIPPackaging: Tube Package / Case: 25-PowerDIP Module (1.134", 28.80mm) Mounting Type: Through Hole Type: IGBT Configuration: 3 Phase Inverter Voltage - Isolation: 1500Vrms Current: 15 A Voltage: 600 V |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BM63764S-VC | Rohm Semiconductor |
Description: IC IPM 600V IGBT SW 25HSDIPPackaging: Tube Package / Case: 25-PowerDIP Module (1.327", 33.70mm) Mounting Type: Through Hole Type: IGBT Configuration: 3 Phase Inverter Voltage - Isolation: 1500Vrms Current: 15 A Voltage: 600 V |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BR24G01-3 | Rohm Semiconductor |
Description: IC EEPROM 1K I2C BUS DIP-T8 |
на замовлення 1864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BR24G01-3A | Rohm Semiconductor |
Description: IC EEPROM 1K I2C BUS DIP-T8 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BR24G02-3 | Rohm Semiconductor |
Description: IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8DIPPackaging: Tube Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 2Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V Technology: EEPROM Clock Frequency: 400 kHz Memory Format: EEPROM Supplier Device Package: 8-DIP-T Write Cycle Time - Word, Page: 5ms Memory Interface: I2C Memory Organization: 256 x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BR24G02-3A | Rohm Semiconductor |
Description: IC EEPROM 2K I2C BUS DIP-T8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BR24G04-3 | Rohm Semiconductor |
Description: IC EEPROM 4K I2C BUS DIP-T8 |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BR24G08-3A | Rohm Semiconductor |
Description: IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ 8DIPPackaging: Tube Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 8Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V Technology: EEPROM Clock Frequency: 1 MHz Memory Format: EEPROM Supplier Device Package: 8-DIP-T Write Cycle Time - Word, Page: 5ms Memory Interface: I2C Memory Organization: 1K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BR24G128-3 | Rohm Semiconductor |
Description: IC EEPROM 128K I2C BUS DIP-T8 |
на замовлення 1986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BR24G16-3 | Rohm Semiconductor |
Description: IC EEPROM 16KBIT I2C 400KHZ 8DIPPackaging: Tube Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 16Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V Technology: EEPROM Clock Frequency: 400 kHz Memory Format: EEPROM Supplier Device Package: 8-DIP-T Write Cycle Time - Word, Page: 5ms Memory Interface: I2C Memory Organization: 2K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BR24G1M-3A | Rohm Semiconductor |
Description: IC EEPROM 1024K I2C BUS DIP-T8 |
на замовлення 1985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BR24G256-3 | Rohm Semiconductor |
Description: IC EEPROM 256KBIT I2C 8DIPPackaging: Tube Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V Technology: EEPROM Clock Frequency: 400 kHz Memory Format: EEPROM Supplier Device Package: 8-DIP-T Write Cycle Time - Word, Page: 5ms Memory Interface: I2C Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BR24G256-3A | Rohm Semiconductor |
Description: IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8DIPPackaging: Tube Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V Technology: EEPROM Clock Frequency: 1 MHz Memory Format: EEPROM Supplier Device Package: 8-DIP-T Write Cycle Time - Word, Page: 5ms Memory Interface: I2C Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BR24G32-3 | Rohm Semiconductor |
Description: IC EEPROM 32K I2C 400KHZ 8DIP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BR24G32-3A | Rohm Semiconductor |
Description: IC EEPROM 32K I2C 1MHZ 8-DIP-T |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BR24G512-3A | Rohm Semiconductor |
Description: IC EEPROM 512K I2C BUS DIP-T8 |
на замовлення 1988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BR24G64-3 | Rohm Semiconductor |
Description: IC EEPROM 512K I2C BUS DIP-T8 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BR24T02-W | Rohm Semiconductor |
Description: IC EEPROM 2KBIT 400KHZ 8DIP |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BR24T128-W | Rohm Semiconductor |
Description: IC EEPROM 128KBIT 400KHZ 8DIP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BR24T16-W | Rohm Semiconductor |
Description: IC EEPROM 16KBIT I2C 400KHZ 8DIPPackaging: Tube Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 16Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V Technology: EEPROM Clock Frequency: 400 kHz Memory Format: EEPROM Supplier Device Package: 8-DIP-T Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 5ms Memory Interface: I²C Memory Organization: 2K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BR24T256-W | Rohm Semiconductor |
Description: IC EEPROM 256KBIT I2C 8DIP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BR24T32-W | Rohm Semiconductor |
Description: IC EEPROM 32KBIT 400KHZ 8DIP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BR24T64-W | Rohm Semiconductor |
Description: IC EEPROM 64KBIT I2C 400KHZ 8DIPPackaging: Tube Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V Technology: EEPROM Clock Frequency: 400 kHz Memory Format: EEPROM Supplier Device Package: 8-DIP-T Write Cycle Time - Word, Page: 5ms Memory Interface: I2C Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BR25G256-3 | Rohm Semiconductor |
Description: IC EEPROM 256KB SPI BUS DIP-T8 |
на замовлення 1953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BR25L160-W | Rohm Semiconductor |
Description: IC EEPROM 16KBIT SPI 5MHZ 8DIPPackaging: Tube Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 16Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V Technology: EEPROM Clock Frequency: 5 MHz Memory Format: EEPROM Supplier Device Package: 8-DIP-T Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 5ms Memory Interface: SPI Memory Organization: 2K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BR25L320-W | Rohm Semiconductor |
Description: IC EEPROM 32KBIT SPI 5MHZ 8DIPPackaging: Tube Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 32Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V Technology: EEPROM Clock Frequency: 5 MHz Memory Format: EEPROM Supplier Device Package: 8-DIP-T Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 5ms Memory Interface: SPI Memory Organization: 4K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BR93G86-3 | Rohm Semiconductor |
Description: IC EEPROM BUS 16KBIT DIP-T8 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BR93G86-3A | Rohm Semiconductor |
Description: IC EEPROM BUS 16KBIT DIP-T8 |
на замовлення 1996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RFN20TF6SFH | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE STANDARD 600V 20A TO220NFMPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220NFM Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RFNL10TJ6SGC9 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE STD 600V 10A TO220ACFPPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220ACFP Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
на замовлення 939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RFNL20TJ6SGC9 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GP 600V 20A TO220ACFPPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 180 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220ACFP Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
на замовлення 1205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RFNL5TJ6SGC9 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220ACFPPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 130 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: TO-220ACFP Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
на замовлення 682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RFUH30TS6DGC11 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247 |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RFUH30TS6SGC11 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SUPER FAST 600V 15A TO247 |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RFV12TG6SGC9 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE STD 600V 12A TO220ACFPPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 45 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-220ACFP Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RFV15TG6SGC9 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE STD 600V 15A TO220ACFPPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-220ACFP Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
на замовлення 1227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RFV8TG6SGC9 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC |
на замовлення 993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
RFV8TJ6SGC9 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220ACFPPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 45 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220ACFP Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
на замовлення 976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RFVS8TG6SGC9 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC |
на замовлення 939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| RR2L6SDDTE25 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A PMDS
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A PMDS
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RRE02VS4SGTR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 200MA TUMD2S
Description: DIODE GEN PURP 400V 200MA TUMD2S
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RRE02VSM4STR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GP 400V 200MA TUMD2SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: TUMD2SM
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Description: DIODE GP 400V 200MA TUMD2SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: TUMD2SM
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.20 грн |
| 6000+ | 5.40 грн |
| 9000+ | 5.11 грн |
| 15000+ | 4.49 грн |
| RRE07VSM4STR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GP 400V 700MA TUMD2SM
Description: DIODE GP 400V 700MA TUMD2SM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RS1E350BNTB |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RSA30LDDTE25 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TVS DIODE 25.6VWM 41.4VC PMDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 14.4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 25.6V
Supplier Device Package: PMDS
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 41.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: TVS DIODE 25.6VWM 41.4VC PMDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 14.4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 25.6V
Supplier Device Package: PMDS
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 41.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RSB6.8SMT2N |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TVS DIODE 3.5VWM EMD2
Description: TVS DIODE 3.5VWM EMD2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8000+ | 3.86 грн |
| RSX201VAM30TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A TUMD2M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TUMD2M
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A TUMD2M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TUMD2M
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.94 грн |
| RUS100N02TB |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BH7649KS2 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC VIDEO SIGNAL SWITCHER 52SQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 52-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Switch
Voltage - Supply: 7.5V ~ 9.5V
Applications: Consumer Video
Supplier Device Package: SQFP-T52M (10x10)
Part Status: Active
Control Interface: I2C
Description: IC VIDEO SIGNAL SWITCHER 52SQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 52-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Switch
Voltage - Supply: 7.5V ~ 9.5V
Applications: Consumer Video
Supplier Device Package: SQFP-T52M (10x10)
Part Status: Active
Control Interface: I2C
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 418.86 грн |
| 10+ | 362.17 грн |
| 25+ | 342.41 грн |
| 80+ | 278.50 грн |
| 230+ | 264.22 грн |
| 440+ | 237.09 грн |
| BP5728 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC AC/DC CONVERTER ISO 6SIP
Description: IC AC/DC CONVERTER ISO 6SIP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BU7988KVT |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC DESERIALIZER LVDS 100TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-TQFP
Output Type: LVCMOS
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 56
Function: Serializer/Deserializer
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Input Type: LVDS
Number of Inputs: 8
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Part Status: Active
Description: IC DESERIALIZER LVDS 100TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-TQFP
Output Type: LVCMOS
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 56
Function: Serializer/Deserializer
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Input Type: LVDS
Number of Inputs: 8
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Part Status: Active
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 597.81 грн |
| 10+ | 519.47 грн |
| 25+ | 495.36 грн |
| 80+ | 403.65 грн |
| 230+ | 385.50 грн |
| BU9408KS2 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC DSP 32BIT AUDIO 52SQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 52-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C, I2S, SPDIF
Type: Audio
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
On-Chip RAM: 1.375KB
Voltage - I/O: 3.30V
Voltage - Core: 3.30V
Clock Rate: 24.576MHz
Supplier Device Package: SQFP-T52M (10x10)
Description: IC DSP 32BIT AUDIO 52SQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 52-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C, I2S, SPDIF
Type: Audio
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
On-Chip RAM: 1.375KB
Voltage - I/O: 3.30V
Voltage - Core: 3.30V
Clock Rate: 24.576MHz
Supplier Device Package: SQFP-T52M (10x10)
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 465.58 грн |
| 10+ | 402.81 грн |
| 25+ | 380.78 грн |
| 80+ | 309.72 грн |
| 230+ | 293.83 грн |
| 440+ | 263.66 грн |
| BD9428 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC LED DRV RGLTR PWM 250MA 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 4
Frequency: 150kHz
Type: DC DC Regulator
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: Backlight
Current - Output / Channel: 250mA
Internal Switch(s): Yes
Topology: Step-Up (Boost)
Supplier Device Package: 16-DIP
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 9V
Voltage - Supply (Max): 35V
Description: IC LED DRV RGLTR PWM 250MA 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 4
Frequency: 150kHz
Type: DC DC Regulator
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: Backlight
Current - Output / Channel: 250mA
Internal Switch(s): Yes
Topology: Step-Up (Boost)
Supplier Device Package: 16-DIP
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 9V
Voltage - Supply (Max): 35V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BD95820N-LB |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EARTH LEAKAGE DETECTOR 8SIP
Description: IC EARTH LEAKAGE DETECTOR 8SIP
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BM63363S-VA |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC IPM 600V IGBT SW 25HSDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 25-PowerDIP Module (1.134", 28.80mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Current: 10 A
Voltage: 600 V
Description: IC IPM 600V IGBT SW 25HSDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 25-PowerDIP Module (1.134", 28.80mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Current: 10 A
Voltage: 600 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1295.38 грн |
| 10+ | 1098.72 грн |
| BM63363S-VC |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC IPM 600V IGBT SW 25HSDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 25-PowerDIP Module (1.327", 33.70mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Current: 10 A
Voltage: 600 V
Description: IC IPM 600V IGBT SW 25HSDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 25-PowerDIP Module (1.327", 33.70mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Current: 10 A
Voltage: 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BM63364S-VA |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC IPM 600V IGBT SW 25HSDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 25-PowerDIP Module (1.134", 28.80mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Current: 15 A
Voltage: 600 V
Description: IC IPM 600V IGBT SW 25HSDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 25-PowerDIP Module (1.134", 28.80mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Current: 15 A
Voltage: 600 V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1496.50 грн |
| 10+ | 1269.13 грн |
| BM63364S-VC |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC IPM 600V IGBT SW 25HSDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 25-PowerDIP Module (1.327", 33.70mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Current: 15 A
Voltage: 600 V
Description: IC IPM 600V IGBT SW 25HSDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 25-PowerDIP Module (1.327", 33.70mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Current: 15 A
Voltage: 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BM63763S-VA |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC IPM 600V IGBT SW 25HSDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 25-PowerDIP Module (1.134", 28.80mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Current: 10 A
Voltage: 600 V
Description: IC IPM 600V IGBT SW 25HSDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 25-PowerDIP Module (1.134", 28.80mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Current: 10 A
Voltage: 600 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BM63763S-VC |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC IPM 600V IGBT SW 25HSDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 25-PowerDIP Module (1.327", 33.70mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Current: 10 A
Voltage: 600 V
Description: IC IPM 600V IGBT SW 25HSDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 25-PowerDIP Module (1.327", 33.70mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Current: 10 A
Voltage: 600 V
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1436.32 грн |
| 10+ | 1218.81 грн |
| BM63764S-VA |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC IPM 600V IGBT SW 25HSDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 25-PowerDIP Module (1.134", 28.80mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Current: 15 A
Voltage: 600 V
Description: IC IPM 600V IGBT SW 25HSDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 25-PowerDIP Module (1.134", 28.80mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Current: 15 A
Voltage: 600 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1656.44 грн |
| 60+ | 1322.10 грн |
| BM63764S-VC |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC IPM 600V IGBT SW 25HSDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 25-PowerDIP Module (1.327", 33.70mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Current: 15 A
Voltage: 600 V
Description: IC IPM 600V IGBT SW 25HSDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 25-PowerDIP Module (1.327", 33.70mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Current: 15 A
Voltage: 600 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1742.75 грн |
| BR24G01-3 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 1K I2C BUS DIP-T8
Description: IC EEPROM 1K I2C BUS DIP-T8
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BR24G01-3A |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 1K I2C BUS DIP-T8
Description: IC EEPROM 1K I2C BUS DIP-T8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BR24G02-3 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 2Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-DIP-T
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 256 x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 2Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-DIP-T
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 256 x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR24G02-3A |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 2K I2C BUS DIP-T8
Description: IC EEPROM 2K I2C BUS DIP-T8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR24G04-3 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 4K I2C BUS DIP-T8
Description: IC EEPROM 4K I2C BUS DIP-T8
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BR24G08-3A |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 8Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-DIP-T
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 1K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 8Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-DIP-T
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 1K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR24G128-3 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 128K I2C BUS DIP-T8
Description: IC EEPROM 128K I2C BUS DIP-T8
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BR24G16-3 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 16KBIT I2C 400KHZ 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 16Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-DIP-T
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 2K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC EEPROM 16KBIT I2C 400KHZ 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 16Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-DIP-T
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 2K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR24G1M-3A |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 1024K I2C BUS DIP-T8
Description: IC EEPROM 1024K I2C BUS DIP-T8
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BR24G256-3 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 256KBIT I2C 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-DIP-T
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC EEPROM 256KBIT I2C 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-DIP-T
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR24G256-3A |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-DIP-T
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-DIP-T
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR24G32-3 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 32K I2C 400KHZ 8DIP
Description: IC EEPROM 32K I2C 400KHZ 8DIP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BR24G32-3A |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 32K I2C 1MHZ 8-DIP-T
Description: IC EEPROM 32K I2C 1MHZ 8-DIP-T
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BR24G512-3A |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 512K I2C BUS DIP-T8
Description: IC EEPROM 512K I2C BUS DIP-T8
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BR24G64-3 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 512K I2C BUS DIP-T8
Description: IC EEPROM 512K I2C BUS DIP-T8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BR24T02-W |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 2KBIT 400KHZ 8DIP
Description: IC EEPROM 2KBIT 400KHZ 8DIP
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BR24T128-W |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 128KBIT 400KHZ 8DIP
Description: IC EEPROM 128KBIT 400KHZ 8DIP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR24T16-W |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 16KBIT I2C 400KHZ 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 16Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-DIP-T
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I²C
Memory Organization: 2K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC EEPROM 16KBIT I2C 400KHZ 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 16Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-DIP-T
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I²C
Memory Organization: 2K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR24T256-W |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 256KBIT I2C 8DIP
Description: IC EEPROM 256KBIT I2C 8DIP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR24T32-W |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 32KBIT 400KHZ 8DIP
Description: IC EEPROM 32KBIT 400KHZ 8DIP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR24T64-W |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 64KBIT I2C 400KHZ 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-DIP-T
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC EEPROM 64KBIT I2C 400KHZ 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-DIP-T
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR25G256-3 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 256KB SPI BUS DIP-T8
Description: IC EEPROM 256KB SPI BUS DIP-T8
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BR25L160-W |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 16KBIT SPI 5MHZ 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 16Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 5 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-DIP-T
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 2K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC EEPROM 16KBIT SPI 5MHZ 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 16Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 5 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-DIP-T
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 2K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR25L320-W |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 32KBIT SPI 5MHZ 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 32Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 5 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-DIP-T
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 4K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC EEPROM 32KBIT SPI 5MHZ 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 32Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 5 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-DIP-T
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 4K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR93G86-3 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM BUS 16KBIT DIP-T8
Description: IC EEPROM BUS 16KBIT DIP-T8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BR93G86-3A |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM BUS 16KBIT DIP-T8
Description: IC EEPROM BUS 16KBIT DIP-T8
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RFN20TF6SFH |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 600V 20A TO220NFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220NFM
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE STANDARD 600V 20A TO220NFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220NFM
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RFNL10TJ6SGC9 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE STD 600V 10A TO220ACFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220ACFP
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Description: DIODE STD 600V 10A TO220ACFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220ACFP
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 143.32 грн |
| 50+ | 59.12 грн |
| 100+ | 57.06 грн |
| 500+ | 48.09 грн |
| RFNL20TJ6SGC9 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GP 600V 20A TO220ACFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220ACFP
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Description: DIODE GP 600V 20A TO220ACFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220ACFP
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 155.98 грн |
| 50+ | 80.21 грн |
| 100+ | 72.96 грн |
| 500+ | 56.32 грн |
| 1000+ | 52.36 грн |
| RFNL5TJ6SGC9 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220ACFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 130 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220ACFP
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220ACFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 130 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220ACFP
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 51.47 грн |
| 10+ | 33.40 грн |
| 100+ | 22.85 грн |
| 500+ | 16.95 грн |
| RFUH30TS6DGC11 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247
Description: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RFUH30TS6SGC11 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SUPER FAST 600V 15A TO247
Description: DIODE SUPER FAST 600V 15A TO247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RFV12TG6SGC9 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE STD 600V 12A TO220ACFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220ACFP
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Description: DIODE STD 600V 12A TO220ACFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220ACFP
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 136.98 грн |
| 10+ | 85.78 грн |
| 100+ | 69.95 грн |
| 500+ | 53.73 грн |
| RFV15TG6SGC9 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE STD 600V 15A TO220ACFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220ACFP
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Description: DIODE STD 600V 15A TO220ACFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220ACFP
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 165.49 грн |
| 50+ | 80.88 грн |
| 100+ | 79.44 грн |
| 500+ | 59.87 грн |
| 1000+ | 57.11 грн |
| RFV8TG6SGC9 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RFV8TJ6SGC9 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220ACFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220ACFP
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220ACFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220ACFP
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 106.10 грн |
| 50+ | 53.48 грн |
| 100+ | 48.36 грн |
| 500+ | 36.78 грн |
| RFVS8TG6SGC9 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 90.26 грн |
| 10+ | 77.62 грн |
| 100+ | 60.51 грн |
| 500+ | 46.91 грн |
























.jpg)

