Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (102954) > Сторінка 762 з 1716

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 171 342 513 684 757 758 759 760 761 762 763 764 765 766 767 855 1026 1197 1368 1539 1710 1716  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RB886CST2RA RB886CST2RA Rohm Semiconductor rb886cst2ra-e.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 15V 10MA VMN2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.8pF @ 1V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 5V
Supplier Device Package: VMN2 (SOD-923)
Part Status: Not For New Designs
Current - Max: 10 mA
на замовлення 12367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.86 грн
14+22.46 грн
100+13.43 грн
500+11.68 грн
1000+7.94 грн
2000+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RBE05SM20AT2R RBE05SM20AT2R Rohm Semiconductor rbe05sm20a.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA EMD2
на замовлення 7369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RBE07V20ATE-17 RBE07V20ATE-17 Rohm Semiconductor rbe07v20a.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 700MA UMD2
на замовлення 5570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF01VM2STE-17 RF01VM2STE-17 Rohm Semiconductor datasheet?p=RF01VM2S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 250V 100MA UMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: UMD2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 250 V
на замовлення 42825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF101L2SDDTE25 RF101L2SDDTE25 Rohm Semiconductor datasheet?p=RF101L2SDD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PMDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.48 грн
10+33.33 грн
100+21.48 грн
500+15.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E075ATTCR RF4E075ATTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E075AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 7.5A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.7mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 10534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.06 грн
10+43.51 грн
100+28.42 грн
500+20.57 грн
1000+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RFN3BM2SFHTL RFN3BM2SFHTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN3BM2SFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.44 грн
10+77.47 грн
100+60.25 грн
500+47.93 грн
1000+39.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RFN6BM2DTL RFN6BM2DTL Rohm Semiconductor rfn6bm2d-e Description: DIODE ARRAY GP 200V 3A TO252
на замовлення 2467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFNL5BM6STL RFNL5BM6STL Rohm Semiconductor rfnl5bm6s.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.46 грн
10+65.66 грн
100+50.36 грн
500+37.36 грн
1000+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RFU02VSM6STR RFU02VSM6STR Rohm Semiconductor datasheet?p=RFU02VSM6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GP 600V 200MA TUMD2SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: TUMD2SM
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 11575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.66 грн
17+18.34 грн
100+11.54 грн
500+8.07 грн
1000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RFUH10NS4STL RFUH10NS4STL Rohm Semiconductor rfuh10ns4s.pdf Description: DIODE GEN PURP 430V 10A LPDS
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN242CST2RA RN242CST2RA Rohm Semiconductor rn242cs.pdf Description: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMN2
на замовлення 7950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E180AJTB RQ3E180AJTB Rohm Semiconductor rq3e180ajtb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V
на замовлення 13613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.48 грн
10+44.60 грн
100+34.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E040AJTCL RQ5E040AJTCL Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5E040AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 15 V
на замовлення 3723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.77 грн
12+27.27 грн
100+20.27 грн
500+15.45 грн
1000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E055BNTCR RQ6E055BNTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6E055BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 15 V
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.08 грн
10+47.48 грн
100+31.01 грн
500+22.45 грн
1000+20.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RR2L4SDDTE25 RR2L4SDDTE25 Rohm Semiconductor rr2l4sdd Description: DIODE GEN PURP 400V 2A PMDS
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RR2L6SDDTE25 RR2L6SDDTE25 Rohm Semiconductor rr2l6sdd Description: DIODE GEN PURP 600V 2A PMDS
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRE02VS4SGTR RRE02VS4SGTR Rohm Semiconductor rre02vs4s.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 200MA TUMD2S
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRE02VSM4STR RRE02VSM4STR Rohm Semiconductor datasheet?p=RRE02VSM4S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GP 400V 200MA TUMD2SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: TUMD2SM
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 17167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.05 грн
18+17.48 грн
100+10.97 грн
500+7.66 грн
1000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RRE07VSM4STR RRE07VSM4STR Rohm Semiconductor rre07vsm4s.pdf Description: DIODE GP 400V 700MA TUMD2SM
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E350BNTB RS1E350BNTB Rohm Semiconductor rs1e350bntb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.47 грн
10+128.21 грн
100+103.09 грн
500+79.49 грн
1000+65.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RS3E075ATTB RS3E075ATTB Rohm Semiconductor SOP8_TB_taping.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP-J
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V
на замовлення 11173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.43 грн
10+61.93 грн
100+47.48 грн
500+35.22 грн
1000+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RSA30LDDTE25 RSA30LDDTE25 Rohm Semiconductor rsa30l.pdf Description: TVS DIODE 25.6VWM 41.4VC PMDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 14.4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 25.6V
Supplier Device Package: PMDS
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 41.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSB6.8SMT2N RSB6.8SMT2N Rohm Semiconductor rsb6.8sm.pdf Description: TVS DIODE 3.5VWM EMD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSH070N05GZETB RSH070N05GZETB Rohm Semiconductor rsh070n05-e.pdf Description: MOSFET N-CH 45V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.91 грн
10+79.33 грн
100+53.14 грн
500+39.30 грн
1000+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RSH070P05GZETB RSH070P05GZETB Rohm Semiconductor rsh070p05-e.pdf Description: MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.45 грн
10+117.41 грн
100+98.73 грн
500+77.32 грн
1000+70.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSX201VAM30TR RSX201VAM30TR Rohm Semiconductor datasheet?p=RSX201VAM30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A TUMD2M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TUMD2M
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
на замовлення 46825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.56 грн
36+8.86 грн
100+7.23 грн
500+5.48 грн
1000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
RUS100N02TB RUS100N02TB Rohm Semiconductor datasheet?p=RUS100N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.70 грн
10+138.77 грн
100+95.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BA12004BF-E2 BA12004BF-E2 Rohm Semiconductor ba12003xx-e.pdf Description: TRANS 7NPN DARL 60V 0.5A 16SOP
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BA2904WF-E2 BA2904WF-E2 Rohm Semiconductor ba10358-e.pdf Description: IC OP AMP GROUND SENSE SOP8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD48K38G-TL BD48K38G-TL Rohm Semiconductor bd48xxg-e.pdf Description: IC VOLTAGE SUPERVISOR 3SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD49K26G-TL BD49K26G-TL Rohm Semiconductor bd48xxg-e.pdf Description: IC VOLTAGE DETECTOR SSOP3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD49K44G-TL BD49K44G-TL Rohm Semiconductor bd48xxg-e.pdf Description: IC VOLTAGE DETECTOR SSOP3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD65499MUV-E2 BD65499MUV-E2 Rohm Semiconductor bd65499muv-e.pdf Description: IC LENS DVR 1-2CH 28VQFN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD6962FVM-GTR BD6962FVM-GTR Rohm Semiconductor bd6962fvm-e.pdf Description: IC MOTOR DRIVER PWM 8-MSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD6966NUX-GE2 BD6966NUX-GE2 Rohm Semiconductor bd6966nux-e.pdf Description: IC PWM FAN MOTOR DVR 10VSON
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD7673AG-GTR BD7673AG-GTR Rohm Semiconductor bd7673ag-e.pdf Description: IC PWM DC/DC CONVERTER 6SSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD7679G-GTR BD7679G-GTR Rohm Semiconductor bd7679g-e.pdf Description: IC PWM DC/DC CONVERTER 6SSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM1P065FJ-E2 BM1P065FJ-E2 Rohm Semiconductor bm1p065fj-e.pdf Description: IC PWM CTLR AD/DC SOP8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM1P068FJ-E2 BM1P068FJ-E2 Rohm Semiconductor bm1p068fj-e.pdf Description: IC PWM CTLR AD/DC SOP8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P052F-GE2 BM2P052F-GE2 Rohm Semiconductor bm2pxx2f-e.pdf Description: IC CONV DC/DC PWM 650V SOP8
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P053F-GE2 BM2P053F-GE2 Rohm Semiconductor bm2pxx3f-e.pdf Description: IC CONV DC/DC PWM 650V SOP8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM5449MWV-E2 BM5449MWV-E2 Rohm Semiconductor bm5449mwv-e.pdf Description: IC SPEAKER AMP DGTL DSP 56UQFN
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BR24A04FJ-WME2 BR24A04FJ-WME2 Rohm Semiconductor br24axxx-wm-e.pdf Description: IC EEPROM 4K I2C 400KHZ 8SOPJ
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BR24T02FVM-WGTR BR24T02FVM-WGTR Rohm Semiconductor br24t02-w-e.pdf Description: IC EEPROM 2KBIT 400KHZ 8MSOP
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BR24T02F-WGE2 BR24T02F-WGE2 Rohm Semiconductor br24t02-w-e.pdf Description: IC EEPROM 2KBIT 400KHZ SOP8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BR25G640F-3GE2 BR25G640F-3GE2 Rohm Semiconductor br25g640xxx-3-e.pdf Description: IC EEPROM 64K SPI 20MHZ 8SOP
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BR25G640FVM-3GTR BR25G640FVM-3GTR Rohm Semiconductor br25g640xxx-3-e.pdf Description: IC EEPROM 64K SPI 20MHZ 8MSOP
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BR25H010F-2CE2 BR25H010F-2CE2 Rohm Semiconductor br25h010-2c-e.pdf Description: IC EEPROM 1KB SPI BUS SOP8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BR25H160FJ-WCE2 BR25H160FJ-WCE2 Rohm Semiconductor br25hxxx-wc-e.pdf Description: IC EEPROM 16KB SPI BUS SOP-J8
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BR93G86F-3AGTE2 BR93G86F-3AGTE2 Rohm Semiconductor br93g86-3a-e.pdf Description: IC EEPROM BUS 16KBIT SOP8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BR93G86FJ-3GTE2 BR93G86FJ-3GTE2 Rohm Semiconductor br93g86xxx-3-e.pdf Description: IC EEPROM BUS 16KBIT SOP8J
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU11TD3WG-GTR BU11TD3WG-GTR Rohm Semiconductor buxxtd3wg-e.pdf Description: IC REG LDO 1.1V 0.2A 5SSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU13TD3WG-GTR BU13TD3WG-GTR Rohm Semiconductor buxxtd3wg-e.pdf Description: IC REG LDO 1.3V 0.2A 5SSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU28UC3WG-TR BU28UC3WG-TR Rohm Semiconductor buxxuc3wg-e.pdf Description: IC REG LINEAR 2.8V 300MA 5SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU5255SHFV-TR BU5255SHFV-TR Rohm Semiconductor bu5255xxx-e.pdf Description: IC COMPARATOR P-P HVSOF5
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU6909AGFT-TL BU6909AGFT-TL Rohm Semiconductor bu6909agft-e.pdf Description: IC FAN MOTOR DRIVER TSSOF6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU7250SG-TR BU7250SG-TR Rohm Semiconductor bu7250g-e.pdf Description: IC COMPARATOR OPEN DRAIN 5SSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU7253SF-E2 BU7253SF-E2 Rohm Semiconductor bu7250g-e.pdf Description: IC COMPARATOR OPEN DRAIN 8SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU97530KVT-E2 BU97530KVT-E2 Rohm Semiconductor bu97530kvt-e.pdf Description: IC LCD DVR MULTIFUNCTION 100TQFP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RB886CST2RA rb886cst2ra-e.pdf
RB886CST2RA
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 15V 10MA VMN2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.8pF @ 1V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 5V
Supplier Device Package: VMN2 (SOD-923)
Part Status: Not For New Designs
Current - Max: 10 mA
на замовлення 12367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.86 грн
14+22.46 грн
100+13.43 грн
500+11.68 грн
1000+7.94 грн
2000+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RBE05SM20AT2R rbe05sm20a.pdf
RBE05SM20AT2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA EMD2
на замовлення 7369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RBE07V20ATE-17 rbe07v20a.pdf
RBE07V20ATE-17
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 700MA UMD2
на замовлення 5570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF01VM2STE-17 datasheet?p=RF01VM2S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF01VM2STE-17
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 250V 100MA UMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: UMD2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 250 V
на замовлення 42825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF101L2SDDTE25 datasheet?p=RF101L2SDD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF101L2SDDTE25
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PMDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.48 грн
10+33.33 грн
100+21.48 грн
500+15.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E075ATTCR datasheet?p=RF4E075AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4E075ATTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 7.5A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.7mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 10534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.06 грн
10+43.51 грн
100+28.42 грн
500+20.57 грн
1000+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RFN3BM2SFHTL datasheet?p=RFN3BM2SFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN3BM2SFHTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.44 грн
10+77.47 грн
100+60.25 грн
500+47.93 грн
1000+39.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RFN6BM2DTL rfn6bm2d-e
RFN6BM2DTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 200V 3A TO252
на замовлення 2467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFNL5BM6STL rfnl5bm6s.pdf
RFNL5BM6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.46 грн
10+65.66 грн
100+50.36 грн
500+37.36 грн
1000+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RFU02VSM6STR datasheet?p=RFU02VSM6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFU02VSM6STR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GP 600V 200MA TUMD2SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: TUMD2SM
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 11575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.66 грн
17+18.34 грн
100+11.54 грн
500+8.07 грн
1000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RFUH10NS4STL rfuh10ns4s.pdf
RFUH10NS4STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 430V 10A LPDS
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN242CST2RA rn242cs.pdf
RN242CST2RA
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMN2
на замовлення 7950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E180AJTB rq3e180ajtb-e.pdf
RQ3E180AJTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V
на замовлення 13613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.48 грн
10+44.60 грн
100+34.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E040AJTCL datasheet?p=RQ5E040AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ5E040AJTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 15 V
на замовлення 3723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.77 грн
12+27.27 грн
100+20.27 грн
500+15.45 грн
1000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E055BNTCR datasheet?p=RQ6E055BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6E055BNTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 15 V
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.08 грн
10+47.48 грн
100+31.01 грн
500+22.45 грн
1000+20.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RR2L4SDDTE25 rr2l4sdd
RR2L4SDDTE25
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A PMDS
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RR2L6SDDTE25 rr2l6sdd
RR2L6SDDTE25
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A PMDS
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRE02VS4SGTR rre02vs4s.pdf
RRE02VS4SGTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 200MA TUMD2S
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRE02VSM4STR datasheet?p=RRE02VSM4S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RRE02VSM4STR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GP 400V 200MA TUMD2SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: TUMD2SM
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 17167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.05 грн
18+17.48 грн
100+10.97 грн
500+7.66 грн
1000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RRE07VSM4STR rre07vsm4s.pdf
RRE07VSM4STR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GP 400V 700MA TUMD2SM
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E350BNTB rs1e350bntb-e.pdf
RS1E350BNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.47 грн
10+128.21 грн
100+103.09 грн
500+79.49 грн
1000+65.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RS3E075ATTB SOP8_TB_taping.pdf
RS3E075ATTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP-J
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V
на замовлення 11173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.43 грн
10+61.93 грн
100+47.48 грн
500+35.22 грн
1000+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RSA30LDDTE25 rsa30l.pdf
RSA30LDDTE25
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TVS DIODE 25.6VWM 41.4VC PMDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 14.4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 25.6V
Supplier Device Package: PMDS
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 41.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSB6.8SMT2N rsb6.8sm.pdf
RSB6.8SMT2N
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TVS DIODE 3.5VWM EMD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSH070N05GZETB rsh070n05-e.pdf
RSH070N05GZETB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 45V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.91 грн
10+79.33 грн
100+53.14 грн
500+39.30 грн
1000+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RSH070P05GZETB rsh070p05-e.pdf
RSH070P05GZETB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.45 грн
10+117.41 грн
100+98.73 грн
500+77.32 грн
1000+70.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSX201VAM30TR datasheet?p=RSX201VAM30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RSX201VAM30TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A TUMD2M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TUMD2M
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
на замовлення 46825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.56 грн
36+8.86 грн
100+7.23 грн
500+5.48 грн
1000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
RUS100N02TB datasheet?p=RUS100N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUS100N02TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.70 грн
10+138.77 грн
100+95.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BA12004BF-E2 ba12003xx-e.pdf
BA12004BF-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 7NPN DARL 60V 0.5A 16SOP
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BA2904WF-E2 ba10358-e.pdf
BA2904WF-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OP AMP GROUND SENSE SOP8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD48K38G-TL bd48xxg-e.pdf
BD48K38G-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC VOLTAGE SUPERVISOR 3SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD49K26G-TL bd48xxg-e.pdf
BD49K26G-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC VOLTAGE DETECTOR SSOP3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD49K44G-TL bd48xxg-e.pdf
BD49K44G-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC VOLTAGE DETECTOR SSOP3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD65499MUV-E2 bd65499muv-e.pdf
BD65499MUV-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC LENS DVR 1-2CH 28VQFN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD6962FVM-GTR bd6962fvm-e.pdf
BD6962FVM-GTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC MOTOR DRIVER PWM 8-MSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD6966NUX-GE2 bd6966nux-e.pdf
BD6966NUX-GE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC PWM FAN MOTOR DVR 10VSON
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD7673AG-GTR bd7673ag-e.pdf
BD7673AG-GTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC PWM DC/DC CONVERTER 6SSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD7679G-GTR bd7679g-e.pdf
BD7679G-GTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC PWM DC/DC CONVERTER 6SSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM1P065FJ-E2 bm1p065fj-e.pdf
BM1P065FJ-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC PWM CTLR AD/DC SOP8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM1P068FJ-E2 bm1p068fj-e.pdf
BM1P068FJ-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC PWM CTLR AD/DC SOP8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P052F-GE2 bm2pxx2f-e.pdf
BM2P052F-GE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC CONV DC/DC PWM 650V SOP8
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P053F-GE2 bm2pxx3f-e.pdf
BM2P053F-GE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC CONV DC/DC PWM 650V SOP8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM5449MWV-E2 bm5449mwv-e.pdf
BM5449MWV-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC SPEAKER AMP DGTL DSP 56UQFN
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BR24A04FJ-WME2 br24axxx-wm-e.pdf
BR24A04FJ-WME2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 4K I2C 400KHZ 8SOPJ
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BR24T02FVM-WGTR br24t02-w-e.pdf
BR24T02FVM-WGTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 2KBIT 400KHZ 8MSOP
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BR24T02F-WGE2 br24t02-w-e.pdf
BR24T02F-WGE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 2KBIT 400KHZ SOP8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BR25G640F-3GE2 br25g640xxx-3-e.pdf
BR25G640F-3GE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 64K SPI 20MHZ 8SOP
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BR25G640FVM-3GTR br25g640xxx-3-e.pdf
BR25G640FVM-3GTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 64K SPI 20MHZ 8MSOP
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BR25H010F-2CE2 br25h010-2c-e.pdf
BR25H010F-2CE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 1KB SPI BUS SOP8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BR25H160FJ-WCE2 br25hxxx-wc-e.pdf
BR25H160FJ-WCE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 16KB SPI BUS SOP-J8
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BR93G86F-3AGTE2 br93g86-3a-e.pdf
BR93G86F-3AGTE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM BUS 16KBIT SOP8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BR93G86FJ-3GTE2 br93g86xxx-3-e.pdf
BR93G86FJ-3GTE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM BUS 16KBIT SOP8J
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU11TD3WG-GTR buxxtd3wg-e.pdf
BU11TD3WG-GTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 1.1V 0.2A 5SSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU13TD3WG-GTR buxxtd3wg-e.pdf
BU13TD3WG-GTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 1.3V 0.2A 5SSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU28UC3WG-TR buxxuc3wg-e.pdf
BU28UC3WG-TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LINEAR 2.8V 300MA 5SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU5255SHFV-TR bu5255xxx-e.pdf
BU5255SHFV-TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC COMPARATOR P-P HVSOF5
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU6909AGFT-TL bu6909agft-e.pdf
BU6909AGFT-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC FAN MOTOR DRIVER TSSOF6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU7250SG-TR bu7250g-e.pdf
BU7250SG-TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC COMPARATOR OPEN DRAIN 5SSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU7253SF-E2 bu7250g-e.pdf
BU7253SF-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC COMPARATOR OPEN DRAIN 8SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU97530KVT-E2 bu97530kvt-e.pdf
BU97530KVT-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC LCD DVR MULTIFUNCTION 100TQFP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 171 342 513 684 757 758 759 760 761 762 763 764 765 766 767 855 1026 1197 1368 1539 1710 1716  [ Наступна Сторінка >> ]