Результат пошуку "40n03" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
BSO040N03MS G BSO040N03MS G Infineon Technologies BSO040N03MS_rev1_1-3360640.pdf MOSFET N-Ch 30V 20A DSO-8 OptiMOS 3M
на замовлення 12740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.89 грн
10+ 88.1 грн
100+ 59.14 грн
500+ 50.1 грн
1000+ 40.79 грн
2500+ 38.37 грн
5000+ 36.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MSGXUMA1 Infineon Technologies BSO040N03MS_rev1_1-3360640.pdf MOSFET N-Ch 30V 20A DSO-8 OptiMOS 3M
на замовлення 19421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.89 грн
10+ 85.71 грн
100+ 59.08 грн
500+ 50.03 грн
1000+ 40.79 грн
2500+ 38.37 грн
5000+ 36.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MSGXUMA1 Infineon Technologies BSO040N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d4dfc657dd7 Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.25 грн
5000+ 37.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MSGXUMA1 Infineon Technologies bso040n03ms_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MSGXUMA1 Infineon Technologies BSO040N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d4dfc657dd7 Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
на замовлення 7338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+100.04 грн
10+ 78.57 грн
100+ 61.11 грн
500+ 48.61 грн
1000+ 39.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
DI040N03PT-AQ DI040N03PT-AQ Diotec Semiconductor Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 30V, 40A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000
DI040N03PT-AQ DI040N03PT-AQ Diotec Semiconductor Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 30V, 40A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.05 грн
10+ 35.94 грн
100+ 25.02 грн
500+ 18.34 грн
1000+ 14.9 грн
2000+ 13.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPB240N03S4LR8ATMA1 IPB240N03S4LR8ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB240N03S4L-R8-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46249a28d750149a3697fda0476 Description: MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPB240N03S4LR8ATMA1 IPB240N03S4LR8ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB240N03S4L-R8-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46249a28d750149a3697fda0476 Description: MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.63 грн
10+ 281.73 грн
100+ 227.92 грн
500+ 190.13 грн
IPB240N03S4LR8ATMA1 IPB240N03S4LR8ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB240N03S4L_R8_DS_v01_01_EN-1731652.pdf MOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+379.23 грн
10+ 313.49 грн
100+ 220.84 грн
500+ 196.69 грн
1000+ 167.7 грн
2000+ 158.04 грн
IPB240N03S4LR9ATMA1 IPB240N03S4LR9ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB240N03S4L-R9-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46249a28d750149a36984b60479 Description: MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+195.73 грн
Мінімальне замовлення: 106
IPD040N03L G IPD040N03L G Infineon Technologies Infineon_IPD040N03LG_DS_v01_02_en-1227077.pdf MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 2621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.76 грн
10+ 71.19 грн
100+ 48.17 грн
500+ 40.79 грн
1000+ 34.85 грн
2500+ 29.61 грн
10000+ 29.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD040N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+72.77 грн
7+ 51.62 грн
22+ 39.54 грн
59+ 37.38 грн
500+ 36.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD040N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+87.33 грн
5+ 64.32 грн
22+ 47.45 грн
59+ 44.86 грн
500+ 44.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 Infineon Technologies IPD040N03LG_rev1.01.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.37 грн
10+ 64.05 грн
100+ 49.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 Infineon Technologies ipd040n03lg_rev11.02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD40N03S4L08ATMA1 IPD40N03S4L08ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD40N03S4L_08-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e2b3ad6c04d78 Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-31
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
482+42.73 грн
Мінімальне замовлення: 482
ISZ040N03L5ISATMA1 ISZ040N03L5ISATMA1 Infineon Technologies Infineon_ISZ040N03L5IS_DataSheet_v02_00_EN-3363641.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 2768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.97 грн
10+ 34.13 грн
100+ 22.43 грн
500+ 19.88 грн
1000+ 16.63 грн
Мінімальне замовлення: 9
ISZ040N03L5ISATMA1 ISZ040N03L5ISATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISZ040N03L5IS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8d91c970997 Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.72 грн
10000+ 16.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
ISZ040N03L5ISATMA1 ISZ040N03L5ISATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISZ040N03L5IS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8d91c970997 Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 19765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.51 грн
10+ 43.42 грн
100+ 30.04 грн
500+ 23.56 грн
1000+ 20.05 грн
2000+ 17.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
MCAC40N03A-TP MCAC40N03A-TP Micro Commercial Co MCAC40N03A(DFN5060).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET, DFN5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 15 V
на замовлення 3811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.57 грн
10+ 32.64 грн
100+ 22.62 грн
500+ 17.74 грн
1000+ 15.1 грн
2000+ 13.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTD40N03R-001 NTD40N03R-001 onsemi ntd40n03r-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
на замовлення 3540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 2219
NTD40N03R-1G NTD40N03R-1G onsemi ntd40n03r-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
на замовлення 351580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1402+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 1402
NTD40N03RT4 NTD40N03RT4 onsemi ntd40n03r-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
на замовлення 6670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 2219
OSX040N03-C OSX040N03-C ATGBICS mmo_87099552_1651680612_1852_22205.pdf Description: 10GBASE-SR SFP+ 850nm 300m
Packaging: Retail Package
Connector Type: LC
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Pluggable, SFP+
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Ethernet
Data Rate: 10Gbps
Part Status: Active
на замовлення 8071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1970.85 грн
50+ 1805.19 грн
150+ 1712.28 грн
1000+ 1519.71 грн
RTR040N03HZGTL RTR040N03HZGTL ROHM Semiconductor datasheet?p=RTR040N03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET Nch 30V 4A Small Signal MOSFET for Automotive. RTR040N03HZG is a low on-resistance MOSFET for automotive, suitable for swithing applications.
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.91 грн
10+ 41.67 грн
100+ 25.05 грн
500+ 20.91 грн
1000+ 17.81 грн
3000+ 15.53 грн
6000+ 15.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
RTR040N03HZGTL RTR040N03HZGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RTR040N03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.06 грн
6000+ 15.56 грн
9000+ 14.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RTR040N03HZGTL RTR040N03HZGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RTR040N03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.79 грн
10+ 37.53 грн
100+ 25.94 грн
500+ 20.34 грн
1000+ 17.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
RTR040N03TL RTR040N03TL ROHM Semiconductor datasheet?p=RTR040N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key description MOSFET 2.5V Drive N-Chan
на замовлення 5121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.69 грн
11+ 30.48 грн
3000+ 22.5 грн
9000+ 16.29 грн
24000+ 11.94 грн
45000+ 11.39 грн
Мінімальне замовлення: 9
TSM040N03CP ROG TSM040N03CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM040N03CP_B1807.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.56 грн
5000+ 31.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TSM040N03CP ROG TSM040N03CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM040N03CP_B1807.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.61 грн
10+ 65.85 грн
100+ 51.2 грн
500+ 40.72 грн
1000+ 33.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
TSM240N03CX RFG TSM240N03CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM240N03CX_B1811.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.56W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.56W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+51.1 грн
12+ 31.06 грн
25+ 21.71 грн
55+ 15.53 грн
150+ 14.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
TSM240N03CX RFG TSM240N03CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM240N03CX_B1811.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.56W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.56W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 441 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+61.32 грн
7+ 38.7 грн
25+ 26.05 грн
55+ 18.63 грн
150+ 17.6 грн
Мінімальне замовлення: 5
TSM240N03CX RFG TSM240N03CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM240N03CX_B1811.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TSM240N03CX RFG TSM240N03CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM240N03CX_B1811.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 58217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.4 грн
18+ 16.75 грн
100+ 10.05 грн
500+ 8.73 грн
1000+ 6.15 грн
Мінімальне замовлення: 14
TSM240N03CX RFG TSM240N03CX RFG Taiwan Semiconductor TSM240N03CX_B1811.pdf MOSFET 30V, 6.5A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 11235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.72 грн
15+ 21.35 грн
100+ 14.35 грн
1000+ 9.18 грн
3000+ 8.21 грн
9000+ 6.56 грн
Мінімальне замовлення: 14
TSM240N03CX RFG TAI-SEM TSM240N03CX_B1811.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 34mOhm; 6,5A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; TSM240N03CX RFG TSM240N03CX TTSM240n03cx
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
TSM240N03CX RFG-ML TSM240N03CX RFG-ML MOSLEADER Description: N-Channel 30V 6.5A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.41 грн
1000+ 2.27 грн
3000+ 2.11 грн
6000+ 1.94 грн
15000+ 1.89 грн
30000+ 1.81 грн
75000+ 1.67 грн
150000+ 1.5 грн
Мінімальне замовлення: 200
TSM240N03CX6 RFG TSM240N03CX6 RFG Taiwan Semiconductor TSM240N03CX6_B1811.pdf MOSFET 30V, 6.5A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 11608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.48 грн
12+ 26.75 грн
100+ 16.36 грн
500+ 12.84 грн
1000+ 10.49 грн
3000+ 8.76 грн
9000+ 8.7 грн
Мінімальне замовлення: 11
TSM240N03CX6 RFG TSM240N03CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM240N03CX6_B1811.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.84 грн
6000+ 8.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TSM240N03CX6 RFG TSM240N03CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM240N03CX6_B1811.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 11512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.11 грн
12+ 24.01 грн
100+ 16.7 грн
500+ 12.23 грн
1000+ 9.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
WMB040N03LG2 WMB040N03LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PDFN5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+32.52 грн
20+ 18.19 грн
25+ 16.39 грн
66+ 12.87 грн
181+ 12.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
WMB040N03LG2 WMB040N03LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PDFN5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+39.02 грн
12+ 22.66 грн
25+ 19.67 грн
66+ 15.44 грн
181+ 14.58 грн
6000+ 14.06 грн
12000+ 13.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
WMQ040N03LG2 WMQ040N03LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PDFN3030-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+31.74 грн
22+ 17.04 грн
26+ 13.95 грн
77+ 10.93 грн
212+ 10.35 грн
Мінімальне замовлення: 13
WMQ040N03LG2 WMQ040N03LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PDFN3030-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+38.09 грн
13+ 21.23 грн
25+ 16.74 грн
77+ 13.11 грн
212+ 12.42 грн
6000+ 11.9 грн
Мінімальне замовлення: 8
WMQ40N03T1 WMQ40N03T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PDFN3030-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+31.74 грн
29+ 12.8 грн
34+ 10.64 грн
100+ 10.06 грн
108+ 7.84 грн
295+ 7.4 грн
Мінімальне замовлення: 13
AP40N03
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AP40N03GH
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AP40N03H ANPEC
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AP40N03H ANPEC 07+
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AP40N03J ANPEC 07+
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AP40N03J ANPEC
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AP40N03S AP 03+
на замовлення 624 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSO040N03MS G
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSO040N03MSG INF 08+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSO040N03MSGXUMA1 Infineon BSO040N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d4dfc657dd7
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB140N03L fairchild to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB140N03L FAIRCHILD 07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB140N03L FAIRCHILD SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB140N03LTM
на замовлення 545 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSO040N03MS G BSO040N03MS_rev1_1-3360640.pdf
BSO040N03MS G
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 20A DSO-8 OptiMOS 3M
на замовлення 12740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.89 грн
10+ 88.1 грн
100+ 59.14 грн
500+ 50.1 грн
1000+ 40.79 грн
2500+ 38.37 грн
5000+ 36.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MS_rev1_1-3360640.pdf
BSO040N03MSGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 20A DSO-8 OptiMOS 3M
на замовлення 19421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.89 грн
10+ 85.71 грн
100+ 59.08 грн
500+ 50.03 грн
1000+ 40.79 грн
2500+ 38.37 грн
5000+ 36.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d4dfc657dd7
BSO040N03MSGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+41.25 грн
5000+ 37.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BSO040N03MSGXUMA1 bso040n03ms_rev1.0.pdf
BSO040N03MSGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d4dfc657dd7
BSO040N03MSGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
на замовлення 7338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+100.04 грн
10+ 78.57 грн
100+ 61.11 грн
500+ 48.61 грн
1000+ 39.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
DI040N03PT-AQ
DI040N03PT-AQ
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 30V, 40A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000
DI040N03PT-AQ
DI040N03PT-AQ
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 30V, 40A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.05 грн
10+ 35.94 грн
100+ 25.02 грн
500+ 18.34 грн
1000+ 14.9 грн
2000+ 13.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPB240N03S4LR8ATMA1 Infineon-IPB240N03S4L-R8-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46249a28d750149a3697fda0476
IPB240N03S4LR8ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPB240N03S4LR8ATMA1 Infineon-IPB240N03S4L-R8-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46249a28d750149a3697fda0476
IPB240N03S4LR8ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+348.63 грн
10+ 281.73 грн
100+ 227.92 грн
500+ 190.13 грн
IPB240N03S4LR8ATMA1 Infineon_IPB240N03S4L_R8_DS_v01_01_EN-1731652.pdf
IPB240N03S4LR8ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+379.23 грн
10+ 313.49 грн
100+ 220.84 грн
500+ 196.69 грн
1000+ 167.7 грн
2000+ 158.04 грн
IPB240N03S4LR9ATMA1 Infineon-IPB240N03S4L-R9-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46249a28d750149a36984b60479
IPB240N03S4LR9ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
106+195.73 грн
Мінімальне замовлення: 106
IPD040N03L G Infineon_IPD040N03LG_DS_v01_02_en-1227077.pdf
IPD040N03L G
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 2621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87.76 грн
10+ 71.19 грн
100+ 48.17 грн
500+ 40.79 грн
1000+ 34.85 грн
2500+ 29.61 грн
10000+ 29.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LG-DTE.pdf
IPD040N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+72.77 грн
7+ 51.62 грн
22+ 39.54 грн
59+ 37.38 грн
500+ 36.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LG-DTE.pdf
IPD040N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87.33 грн
5+ 64.32 грн
22+ 47.45 грн
59+ 44.86 грн
500+ 44.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LG_rev1.01.pdf
IPD040N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.37 грн
10+ 64.05 грн
100+ 49.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD040N03LGATMA1 ipd040n03lg_rev11.02.pdf
IPD040N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD40N03S4L08ATMA1 Infineon-IPD40N03S4L_08-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e2b3ad6c04d78
IPD40N03S4L08ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-31
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
482+42.73 грн
Мінімальне замовлення: 482
ISZ040N03L5ISATMA1 Infineon_ISZ040N03L5IS_DataSheet_v02_00_EN-3363641.pdf
ISZ040N03L5ISATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 2768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+38.97 грн
10+ 34.13 грн
100+ 22.43 грн
500+ 19.88 грн
1000+ 16.63 грн
Мінімальне замовлення: 9
ISZ040N03L5ISATMA1 Infineon-ISZ040N03L5IS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8d91c970997
ISZ040N03L5ISATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+18.72 грн
10000+ 16.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
ISZ040N03L5ISATMA1 Infineon-ISZ040N03L5IS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8d91c970997
ISZ040N03L5ISATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 19765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.51 грн
10+ 43.42 грн
100+ 30.04 грн
500+ 23.56 грн
1000+ 20.05 грн
2000+ 17.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
MCAC40N03A-TP MCAC40N03A(DFN5060).pdf
MCAC40N03A-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET, DFN5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 15 V
на замовлення 3811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.57 грн
10+ 32.64 грн
100+ 22.62 грн
500+ 17.74 грн
1000+ 15.1 грн
2000+ 13.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTD40N03R-001 ntd40n03r-d.pdf
NTD40N03R-001
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
на замовлення 3540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2219+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 2219
NTD40N03R-1G ntd40n03r-d.pdf
NTD40N03R-1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
на замовлення 351580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1402+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 1402
NTD40N03RT4 ntd40n03r-d.pdf
NTD40N03RT4
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
на замовлення 6670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2219+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 2219
OSX040N03-C mmo_87099552_1651680612_1852_22205.pdf
OSX040N03-C
Виробник: ATGBICS
Description: 10GBASE-SR SFP+ 850nm 300m
Packaging: Retail Package
Connector Type: LC
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Pluggable, SFP+
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Ethernet
Data Rate: 10Gbps
Part Status: Active
на замовлення 8071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1970.85 грн
50+ 1805.19 грн
150+ 1712.28 грн
1000+ 1519.71 грн
RTR040N03HZGTL datasheet?p=RTR040N03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RTR040N03HZGTL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Nch 30V 4A Small Signal MOSFET for Automotive. RTR040N03HZG is a low on-resistance MOSFET for automotive, suitable for swithing applications.
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.91 грн
10+ 41.67 грн
100+ 25.05 грн
500+ 20.91 грн
1000+ 17.81 грн
3000+ 15.53 грн
6000+ 15.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
RTR040N03HZGTL datasheet?p=RTR040N03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RTR040N03HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+17.06 грн
6000+ 15.56 грн
9000+ 14.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RTR040N03HZGTL datasheet?p=RTR040N03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RTR040N03HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.79 грн
10+ 37.53 грн
100+ 25.94 грн
500+ 20.34 грн
1000+ 17.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
RTR040N03TL description datasheet?p=RTR040N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RTR040N03TL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET 2.5V Drive N-Chan
на замовлення 5121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+39.69 грн
11+ 30.48 грн
3000+ 22.5 грн
9000+ 16.29 грн
24000+ 11.94 грн
45000+ 11.39 грн
Мінімальне замовлення: 9
TSM040N03CP ROG TSM040N03CP_B1807.pdf
TSM040N03CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+34.56 грн
5000+ 31.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TSM040N03CP ROG TSM040N03CP_B1807.pdf
TSM040N03CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+83.61 грн
10+ 65.85 грн
100+ 51.2 грн
500+ 40.72 грн
1000+ 33.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
TSM240N03CX RFG TSM240N03CX_B1811.pdf
TSM240N03CX RFG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.56W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.56W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+51.1 грн
12+ 31.06 грн
25+ 21.71 грн
55+ 15.53 грн
150+ 14.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
TSM240N03CX RFG TSM240N03CX_B1811.pdf
TSM240N03CX RFG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.56W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.56W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 441 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.32 грн
7+ 38.7 грн
25+ 26.05 грн
55+ 18.63 грн
150+ 17.6 грн
Мінімальне замовлення: 5
TSM240N03CX RFG TSM240N03CX_B1811.pdf
TSM240N03CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TSM240N03CX RFG TSM240N03CX_B1811.pdf
TSM240N03CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 58217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+22.4 грн
18+ 16.75 грн
100+ 10.05 грн
500+ 8.73 грн
1000+ 6.15 грн
Мінімальне замовлення: 14
TSM240N03CX RFG TSM240N03CX_B1811.pdf
TSM240N03CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFET 30V, 6.5A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 11235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+24.72 грн
15+ 21.35 грн
100+ 14.35 грн
1000+ 9.18 грн
3000+ 8.21 грн
9000+ 6.56 грн
Мінімальне замовлення: 14
TSM240N03CX RFG TSM240N03CX_B1811.pdf
Виробник: TAI-SEM
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 34mOhm; 6,5A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; TSM240N03CX RFG TSM240N03CX TTSM240n03cx
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
TSM240N03CX RFG-ML
TSM240N03CX RFG-ML
Виробник: MOSLEADER
Description: N-Channel 30V 6.5A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+2.41 грн
1000+ 2.27 грн
3000+ 2.11 грн
6000+ 1.94 грн
15000+ 1.89 грн
30000+ 1.81 грн
75000+ 1.67 грн
150000+ 1.5 грн
Мінімальне замовлення: 200
TSM240N03CX6 RFG TSM240N03CX6_B1811.pdf
TSM240N03CX6 RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFET 30V, 6.5A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 11608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+31.48 грн
12+ 26.75 грн
100+ 16.36 грн
500+ 12.84 грн
1000+ 10.49 грн
3000+ 8.76 грн
9000+ 8.7 грн
Мінімальне замовлення: 11
TSM240N03CX6 RFG TSM240N03CX6_B1811.pdf
TSM240N03CX6 RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.84 грн
6000+ 8.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TSM240N03CX6 RFG TSM240N03CX6_B1811.pdf
TSM240N03CX6 RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 11512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.11 грн
12+ 24.01 грн
100+ 16.7 грн
500+ 12.23 грн
1000+ 9.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
WMB040N03LG2
WMB040N03LG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PDFN5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+32.52 грн
20+ 18.19 грн
25+ 16.39 грн
66+ 12.87 грн
181+ 12.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
WMB040N03LG2
WMB040N03LG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PDFN5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.02 грн
12+ 22.66 грн
25+ 19.67 грн
66+ 15.44 грн
181+ 14.58 грн
6000+ 14.06 грн
12000+ 13.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
WMQ040N03LG2
WMQ040N03LG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PDFN3030-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+31.74 грн
22+ 17.04 грн
26+ 13.95 грн
77+ 10.93 грн
212+ 10.35 грн
Мінімальне замовлення: 13
WMQ040N03LG2
WMQ040N03LG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PDFN3030-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.09 грн
13+ 21.23 грн
25+ 16.74 грн
77+ 13.11 грн
212+ 12.42 грн
6000+ 11.9 грн
Мінімальне замовлення: 8
WMQ40N03T1
WMQ40N03T1
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PDFN3030-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+31.74 грн
29+ 12.8 грн
34+ 10.64 грн
100+ 10.06 грн
108+ 7.84 грн
295+ 7.4 грн
Мінімальне замовлення: 13
AP40N03
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AP40N03GH
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AP40N03H
Виробник: ANPEC
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AP40N03H
Виробник: ANPEC
07+
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AP40N03J
Виробник: ANPEC
07+
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AP40N03J
Виробник: ANPEC
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AP40N03S
Виробник: AP
03+
на замовлення 624 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSO040N03MS G
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSO040N03MSG
Виробник: INF
08+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d4dfc657dd7
Виробник: Infineon
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB140N03L
Виробник: fairchild
to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB140N03L
Виробник: FAIRCHILD
07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB140N03L
Виробник: FAIRCHILD
SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB140N03LTM
на замовлення 545 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]