Результат пошуку "nsc-2" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSC2010UCB NSC2010UCB
Код товару: 99174
Додати до обраних Обраний товар

NS
ZFx86
у наявності: 2 шт
2 шт - склад
1+1510.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSC2-332
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSC2-561
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSC2003
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ALLIED VISION LENS C-25-1.8-10MP-2.3 ALLIED VISION LENS C-25-1.8-10MP-2.3 Allied Vision, Inc. Description: C-MOUNT 10MP TYPE 2/3 F=25MM F1.
Packaging: Box
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17487.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ALLIED VISION LENS C-25-2.4-25MP-1.2 ALLIED VISION LENS C-25-2.4-25MP-1.2 Allied Vision, Inc. Description: C-MOUNT 25MP TYPE 1.2 F=25MM F2.
Packaging: Box
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+42454.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BES M08MI-NSC20B-S49G BES M08MI-NSC20B-S49G BALLUFF GLOBAL-EN.pdf GLOBAL-DE.pdf Category: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷2mm; 12÷30VDC; M8; IP67; 200mA
IP rating: IP67
Number of pins: 3
Overall length: 59mm
Max. operating current: 200mA
Switching frequency max: 700Hz
Switch housing: M8
Range: 0...2mm
Output configuration: NPN / NO
Connection: connector M8
Kind of forehead: embedded
Type of sensor: inductive
Operating temperature: -25...70°C
Supply voltage: 12...30V DC
Body material: nickel plated brass
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3882.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BES M08MI-NSC20B-S49G BES M08MI-NSC20B-S49G BALLUFF GLOBAL-EN.pdf GLOBAL-DE.pdf Category: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷2mm; 12÷30VDC; M8; IP67; 200mA
IP rating: IP67
Number of pins: 3
Overall length: 59mm
Max. operating current: 200mA
Switching frequency max: 700Hz
Switch housing: M8
Range: 0...2mm
Output configuration: NPN / NO
Connection: connector M8
Kind of forehead: embedded
Type of sensor: inductive
Operating temperature: -25...70°C
Supply voltage: 12...30V DC
Body material: nickel plated brass
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4659.19 грн
10+4320.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BESM08MI-NSC20B-BV03 BESM08MI-NSC20B-BV03 BALLUFF 46854.pdf Description: BALLUFF - BESM08MI-NSC20B-BV03 - Induktiver Näherungssensor, zylindrisch, Baureihe BES, M8, 2mm, NPN, 12V bis 30V, vorverdrahtet
tariffCode: 90318080
Erfassungsreichweite, max.: 2mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M8
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Sensorausgang: NPN
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5097.85 грн
5+4995.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FD4010B24W5-71-2NSC2 FD4010B24W5-71-2NSC2 Cooltron Industrial Supply 1892761595530530818.pdf Description: DC Axial Fan 40x40x10mm 24VDC
Packaging: Bulk
Voltage - Rated: 24VDC
Size / Dimension: Square - 40mm L x 40mm H
Bearing Type: Ball
RPM: 5400 RPM
Air Flow: 5.7 CFM (0.157m³/min)
Width: 10.00mm
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads With Connector
Approval Agency: CE, cUL, TUV, UL
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 24.5dB(A)
Static Pressure: 0.098 in H2O (24.5 Pa)
Power (Watts): 1.44 W
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+1396.06 грн
10+1209.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650DJ WNSC2D04650DJ WeEn Semiconductors WNSC2D04650D.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650DJ WNSC2D04650DJ WeEn Semiconductors WNSC2D04650D.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 4667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.20 грн
10+79.58 грн
100+53.53 грн
500+39.77 грн
1000+36.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650TJ WNSC2D04650TJ WeEn Semiconductors WNSC2D04650T.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650TJ WNSC2D04650TJ WeEn Semiconductors WNSC2D04650T.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 10503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.49 грн
10+88.83 грн
100+60.11 грн
500+44.87 грн
1000+41.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650XQ WNSC2D04650XQ WeEn Semiconductors Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.34 грн
50+63.53 грн
100+56.84 грн
500+42.33 грн
1000+38.79 грн
2000+35.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650DJ WNSC2D06650DJ WeEn Semiconductors WNSC2D06650D.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650DJ WNSC2D06650DJ WeEn Semiconductors WNSC2D06650D.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 6497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.66 грн
10+108.02 грн
100+73.86 грн
500+55.60 грн
1000+51.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650TJ WNSC2D06650TJ WeEn Semiconductors Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.12 грн
10+119.34 грн
100+82.05 грн
500+62.04 грн
1000+57.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650DJ WNSC2D08650DJ WeEn Semiconductors WNSC2D08650D.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650DJ WNSC2D08650DJ WeEn Semiconductors WNSC2D08650D.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 7463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.41 грн
10+128.97 грн
100+89.09 грн
500+67.59 грн
1000+62.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650Q WNSC2D08650Q WeEn Semiconductors WNSC2D08650.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.98 грн
50+96.43 грн
100+87.95 грн
500+68.39 грн
1000+63.78 грн
2000+63.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200WQ WNSC2D101200WQ WeEn Semiconductors WNSC2D101200W.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 490pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+331.05 грн
10+222.31 грн
100+164.88 грн
600+134.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650BJ WNSC2D10650BJ WeEn Semiconductors WNSC2D10650B.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+84.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650BJ WNSC2D10650BJ WeEn Semiconductors WNSC2D10650B.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 8768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.22 грн
10+162.15 грн
100+113.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650DJ WNSC2D10650DJ WeEn Semiconductors WNSC2D10650D.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 7085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.72 грн
10+153.05 грн
100+106.70 грн
500+81.56 грн
1000+75.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650DJ WNSC2D10650DJ WeEn Semiconductors WNSC2D10650D.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+78.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650Q WNSC2D10650Q WeEn Semiconductors WNSC2D10650.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.56 грн
50+112.30 грн
100+102.69 грн
500+80.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650TJ WNSC2D10650TJ WeEn Semiconductors WNSC2D10650T.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.11 грн
10+144.95 грн
100+105.32 грн
500+82.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650WQ WNSC2D10650WQ WeEn Semiconductors WNSC2D10650W.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.11 грн
30+123.46 грн
120+102.99 грн
510+82.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D12650TJ WNSC2D12650TJ WeEn Semiconductors WNSC2D12650T.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.78 грн
10+175.45 грн
100+128.62 грн
500+101.41 грн
1000+100.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D151200WQ WNSC2D151200WQ WeEn Semiconductors WNSC2D151200W.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V
на замовлення 4259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+525.56 грн
30+299.76 грн
120+260.61 грн
510+220.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D16650CJQ WNSC2D16650CJQ WeEn Semiconductors WNSC2D16650CJ%20%281%29.pdf Description: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO-3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+322.32 грн
30+185.95 грн
120+157.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200WQ WNSC2D201200WQ WeEn Semiconductors WNSC2D201200W.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+658.93 грн
10+435.07 грн
100+322.51 грн
600+268.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D20650CWQ WNSC2D20650CWQ WeEn Semiconductors WNSC2D20650CW.pdf Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+356.46 грн
30+207.10 грн
120+175.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D30650CWQ WNSC2D30650CWQ WeEn Semiconductors WNSC2D30650CW.pdf Description: DIODE ARRAY SIC 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+389.80 грн
30+235.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D30650WQ WNSC2D30650WQ WeEn Semiconductors WNSC2D30650W.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 980pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+546.99 грн
30+305.41 грн
120+256.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
24C04NSC2.7 ATMEL 02+ SOP8
на замовлення 351 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
24C64NSC27 ST SOP-8
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C02AN-SC27 ATMEL
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C02AN-SC27 ATMEL 09+ SOP8
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C02N-SC2.7 ATMEL SOP8
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C02N-SC25 ATMEL
на замовлення 452 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C02N-SC25 ATMEL 09+ SOP8
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C02N-SC27 ATMEL
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C02N-SC27 ATMEL 09+ SOP8
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C02N-SC27B ATMEL
на замовлення 466 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C02NSC2.5
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C02NSC2.7 ATMEL 02+ SOP
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C02NSC25
на замовлення 530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C02NSC27 AT SO-8
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C04AN-SC27 ATMEL 09+ SOP8
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C04N-SC25 ATMEL
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C04N-SC25 ATMEL 09+ SOP8
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C04N-SC27 ATMEL 09+ SOP8
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C04N-SC27B ATMEL
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C08AN-SC27 ATMEL
на замовлення 3114 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C08AN-SC27 ATMEL 09+ SOP8
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C08N-SC25 ATMEL 09+ SOP8
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C08N-SC25 ATMEL
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C08N-SC27 ATMEL
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSC2010UCB
Код товару: 99174
Додати до обраних Обраний товар

NSC2010UCB
Виробник: NS

ZFx86
у наявності: 2 шт
2 шт - склад
Кількість Ціна
1+1510.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSC2-332
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSC2-561
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSC2003
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ALLIED VISION LENS C-25-1.8-10MP-2.3
ALLIED VISION LENS C-25-1.8-10MP-2.3
Виробник: Allied Vision, Inc.
Description: C-MOUNT 10MP TYPE 2/3 F=25MM F1.
Packaging: Box
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+17487.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ALLIED VISION LENS C-25-2.4-25MP-1.2
ALLIED VISION LENS C-25-2.4-25MP-1.2
Виробник: Allied Vision, Inc.
Description: C-MOUNT 25MP TYPE 1.2 F=25MM F2.
Packaging: Box
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+42454.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BES M08MI-NSC20B-S49G GLOBAL-EN.pdf GLOBAL-DE.pdf
BES M08MI-NSC20B-S49G
Виробник: BALLUFF
Category: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷2mm; 12÷30VDC; M8; IP67; 200mA
IP rating: IP67
Number of pins: 3
Overall length: 59mm
Max. operating current: 200mA
Switching frequency max: 700Hz
Switch housing: M8
Range: 0...2mm
Output configuration: NPN / NO
Connection: connector M8
Kind of forehead: embedded
Type of sensor: inductive
Operating temperature: -25...70°C
Supply voltage: 12...30V DC
Body material: nickel plated brass
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3882.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BES M08MI-NSC20B-S49G GLOBAL-EN.pdf GLOBAL-DE.pdf
BES M08MI-NSC20B-S49G
Виробник: BALLUFF
Category: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷2mm; 12÷30VDC; M8; IP67; 200mA
IP rating: IP67
Number of pins: 3
Overall length: 59mm
Max. operating current: 200mA
Switching frequency max: 700Hz
Switch housing: M8
Range: 0...2mm
Output configuration: NPN / NO
Connection: connector M8
Kind of forehead: embedded
Type of sensor: inductive
Operating temperature: -25...70°C
Supply voltage: 12...30V DC
Body material: nickel plated brass
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4659.19 грн
10+4320.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BESM08MI-NSC20B-BV03 46854.pdf
BESM08MI-NSC20B-BV03
Виробник: BALLUFF
Description: BALLUFF - BESM08MI-NSC20B-BV03 - Induktiver Näherungssensor, zylindrisch, Baureihe BES, M8, 2mm, NPN, 12V bis 30V, vorverdrahtet
tariffCode: 90318080
Erfassungsreichweite, max.: 2mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M8
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Sensorausgang: NPN
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5097.85 грн
5+4995.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FD4010B24W5-71-2NSC2 1892761595530530818.pdf
FD4010B24W5-71-2NSC2
Виробник: Cooltron Industrial Supply
Description: DC Axial Fan 40x40x10mm 24VDC
Packaging: Bulk
Voltage - Rated: 24VDC
Size / Dimension: Square - 40mm L x 40mm H
Bearing Type: Ball
RPM: 5400 RPM
Air Flow: 5.7 CFM (0.157m³/min)
Width: 10.00mm
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads With Connector
Approval Agency: CE, cUL, TUV, UL
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 24.5dB(A)
Static Pressure: 0.098 in H2O (24.5 Pa)
Power (Watts): 1.44 W
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+1396.06 грн
10+1209.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650DJ WNSC2D04650D.pdf
WNSC2D04650DJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650DJ WNSC2D04650D.pdf
WNSC2D04650DJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 4667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.20 грн
10+79.58 грн
100+53.53 грн
500+39.77 грн
1000+36.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650TJ WNSC2D04650T.pdf
WNSC2D04650TJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+38.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650TJ WNSC2D04650T.pdf
WNSC2D04650TJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 10503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.49 грн
10+88.83 грн
100+60.11 грн
500+44.87 грн
1000+41.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650XQ
WNSC2D04650XQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.34 грн
50+63.53 грн
100+56.84 грн
500+42.33 грн
1000+38.79 грн
2000+35.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650DJ WNSC2D06650D.pdf
WNSC2D06650DJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+51.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650DJ WNSC2D06650D.pdf
WNSC2D06650DJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 6497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.66 грн
10+108.02 грн
100+73.86 грн
500+55.60 грн
1000+51.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650TJ
WNSC2D06650TJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.12 грн
10+119.34 грн
100+82.05 грн
500+62.04 грн
1000+57.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650DJ WNSC2D08650D.pdf
WNSC2D08650DJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+62.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650DJ WNSC2D08650D.pdf
WNSC2D08650DJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 7463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.41 грн
10+128.97 грн
100+89.09 грн
500+67.59 грн
1000+62.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650Q WNSC2D08650.pdf
WNSC2D08650Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.98 грн
50+96.43 грн
100+87.95 грн
500+68.39 грн
1000+63.78 грн
2000+63.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200WQ WNSC2D101200W.pdf
WNSC2D101200WQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 490pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+331.05 грн
10+222.31 грн
100+164.88 грн
600+134.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650BJ WNSC2D10650B.pdf
WNSC2D10650BJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+84.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650BJ WNSC2D10650B.pdf
WNSC2D10650BJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 8768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.22 грн
10+162.15 грн
100+113.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650DJ WNSC2D10650D.pdf
WNSC2D10650DJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 7085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+243.72 грн
10+153.05 грн
100+106.70 грн
500+81.56 грн
1000+75.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650DJ WNSC2D10650D.pdf
WNSC2D10650DJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+78.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650Q WNSC2D10650.pdf
WNSC2D10650Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.56 грн
50+112.30 грн
100+102.69 грн
500+80.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650TJ WNSC2D10650T.pdf
WNSC2D10650TJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.11 грн
10+144.95 грн
100+105.32 грн
500+82.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650WQ WNSC2D10650W.pdf
WNSC2D10650WQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.11 грн
30+123.46 грн
120+102.99 грн
510+82.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D12650TJ WNSC2D12650T.pdf
WNSC2D12650TJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.78 грн
10+175.45 грн
100+128.62 грн
500+101.41 грн
1000+100.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D151200WQ WNSC2D151200W.pdf
WNSC2D151200WQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V
на замовлення 4259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+525.56 грн
30+299.76 грн
120+260.61 грн
510+220.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D16650CJQ WNSC2D16650CJ%20%281%29.pdf
WNSC2D16650CJQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO-3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+322.32 грн
30+185.95 грн
120+157.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200WQ WNSC2D201200W.pdf
WNSC2D201200WQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+658.93 грн
10+435.07 грн
100+322.51 грн
600+268.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D20650CWQ WNSC2D20650CW.pdf
WNSC2D20650CWQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+356.46 грн
30+207.10 грн
120+175.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D30650CWQ WNSC2D30650CW.pdf
WNSC2D30650CWQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+389.80 грн
30+235.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D30650WQ WNSC2D30650W.pdf
WNSC2D30650WQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 980pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+546.99 грн
30+305.41 грн
120+256.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
24C04NSC2.7
Виробник: ATMEL
02+ SOP8
на замовлення 351 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
24C64NSC27
Виробник: ST
SOP-8
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C02AN-SC27
Виробник: ATMEL
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C02AN-SC27
Виробник: ATMEL
09+ SOP8
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C02N-SC2.7
Виробник: ATMEL
SOP8
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C02N-SC25
Виробник: ATMEL
на замовлення 452 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C02N-SC25
Виробник: ATMEL
09+ SOP8
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C02N-SC27
Виробник: ATMEL
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C02N-SC27
Виробник: ATMEL
09+ SOP8
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C02N-SC27B
Виробник: ATMEL
на замовлення 466 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C02NSC2.5
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C02NSC2.7
Виробник: ATMEL
02+ SOP
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C02NSC25
на замовлення 530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C02NSC27
Виробник: AT
SO-8
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C04AN-SC27
Виробник: ATMEL
09+ SOP8
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C04N-SC25
Виробник: ATMEL
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C04N-SC25
Виробник: ATMEL
09+ SOP8
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C04N-SC27
Виробник: ATMEL
09+ SOP8
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C04N-SC27B
Виробник: ATMEL
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C08AN-SC27
Виробник: ATMEL
на замовлення 3114 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C08AN-SC27
Виробник: ATMEL
09+ SOP8
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C08N-SC25
Виробник: ATMEL
09+ SOP8
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C08N-SC25
Виробник: ATMEL
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C08N-SC27
Виробник: ATMEL
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]