Результат пошуку "2N7000" : > 60
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 302 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2324 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 315 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2324 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3087 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 232 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 546 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 901 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 906 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 290 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 308 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N7000 Код товару: 200238
5
Додати до обраних
Обраний товар
|
CJ |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-92 Напруга сток-витік Uds, В: 60 В Струм стоку Idd, А: 0,2 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 60/ Монтаж: THT |
у наявності: 959 шт
очікується: 100 шт
|
|
||||||||||||||||
|
2N7000 Код товару: 20638
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
NXP |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-92 Напруга сток-витік Uds, В: 60 В Струм стоку Idd, А: 0,3 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 60/- Монтаж: THT |
у наявності: 1140 шт
на замовлення: 50 шт
|
|
||||||||||||||||
|
2N7000 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3591 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7000 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
на замовлення 9998 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7000 | LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 On-state resistance: 7.5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
на замовлення 5865 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 2N7000 | Fairchild/ON Semiconductor |
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 200 мА, Ptot, Вт = 0,4, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 2000 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
2N7000 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 131456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7000 | Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7000 | Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A |
на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7000 | Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7000 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 127376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7000 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 131508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7000 | Diotec Semiconductor |
MOSFETs MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N |
на замовлення 22141 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
2N7000 | Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7000 | Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7000 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7000 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7000 | onsemi |
MOSFETs FET 60V 5.0 OHM TO92 |
на замовлення 97625 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
2N7000 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 17656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7000 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 86006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7000 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 6745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7000 | Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 3701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7000 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm |
на замовлення 53095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
2N7000 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 86006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7000 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 6745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7000 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 22750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7000 | Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7000 | LGE |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGEкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 790 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7000 | ZEHUA |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7000BU; 2N7000G; 2N7000-G; 2N7000,126; 2N7000 ZEHUA T2N7000 ZEHкількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 750 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7000 | LGE |
N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 fкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1678 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7000 | DIOTEC |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTECкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7000 | DIOTEC |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTECкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7000-D26Z | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 830 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7000-D26Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7000-D26Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7000-D26Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 4885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7000-D26Z | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 7100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7000-D26Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7000-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm |
на замовлення 5539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
2N7000-D26Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7000-D26Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7000-D26Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7000-D26Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
2N7000-D26Z | onsemi |
MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA |
на замовлення 32123 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
2N7000-D26Z | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 7777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7000-D26Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 4885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7000-D74Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7000-D74Z | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 1172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7000-D74Z | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7000-D74Z | onsemi |
MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA |
на замовлення 15490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
2N7000-D75Z | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1807 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7000-D75Z | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7000-D75Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7000-D75Z | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7000-D75Z | onsemi |
MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA |
на замовлення 3106 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
2N7000-G | Microchip Technology |
MOSFETs 60V 5Ohm |
на замовлення 5729 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
2N7000-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 1974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7000-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 1381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7000-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - 2N7000-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm |
на замовлення 3805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
2N7000-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 1894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7000-G | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
на замовлення 3466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| 2N7000 Код товару: 200238
5
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: CJ
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 0,2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 60/
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 0,2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 60/
Монтаж: THT
у наявності: 959 шт
- 784 шт - склад
- 146 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 29 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 100 шт
- 100 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 3.00 грн |
| 10+ | 2.50 грн |
| 100+ | 2.20 грн |
| 2N7000 Код товару: 20638
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 0,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 60/-
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 0,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 60/-
Монтаж: THT
у наявності: 1140 шт
- 1059 шт - склад
- 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 80 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 50 шт
- 50 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.60 грн |
| 100+ | 3.20 грн |
| 1000+ | 2.80 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3591 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 21.43 грн |
| 28+ | 15.04 грн |
| 31+ | 13.56 грн |
| 50+ | 11.04 грн |
| 100+ | 9.32 грн |
| 347+ | 2.74 грн |
| 953+ | 2.59 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9998 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 35.53 грн |
| 16+ | 26.59 грн |
| 18+ | 23.77 грн |
| 50+ | 17.37 грн |
| 93+ | 10.30 грн |
| 254+ | 9.72 грн |
| 5000+ | 9.47 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5865 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 70+ | 6.59 грн |
| 105+ | 4.01 грн |
| 250+ | 3.61 грн |
| 325+ | 2.94 грн |
| 890+ | 2.78 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 200 мА, Ptot, Вт = 0,4, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 200 мА, Ptot, Вт = 0,4, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 30.66 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 131456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 302+ | 46.95 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 4.12 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 19.42 грн |
| 26+ | 11.52 грн |
| 50+ | 8.24 грн |
| 100+ | 6.73 грн |
| 500+ | 4.95 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 28+ | 27.67 грн |
| 46+ | 16.50 грн |
| 62+ | 12.28 грн |
| 100+ | 10.31 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 127376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2324+ | 15.25 грн |
| 10000+ | 13.60 грн |
| 100000+ | 11.39 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 131508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 46.74 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N
MOSFETs MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N
на замовлення 22141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 4.10 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 3.85 грн |
| 12000+ | 3.15 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 315+ | 45.14 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 45.42 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs FET 60V 5.0 OHM TO92
MOSFETs FET 60V 5.0 OHM TO92
на замовлення 97625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 17656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2324+ | 15.25 грн |
| 10000+ | 13.60 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 86006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 61.30 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 6745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 300+ | 47.25 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 3701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3087+ | 4.59 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 53095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 86006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 232+ | 61.30 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 6745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 47.25 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 22750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 546+ | 26.00 грн |
| 1000+ | 15.50 грн |
| 2500+ | 15.20 грн |
| 5000+ | 14.36 грн |
| 10000+ | 13.17 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 6.77 грн |
| 8000+ | 6.59 грн |
| 12000+ | 5.46 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 790 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 300+ | 2.60 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: ZEHUA
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7000BU; 2N7000G; 2N7000-G; 2N7000,126; 2N7000 ZEHUA T2N7000 ZEH
кількість в упаковці: 250 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7000BU; 2N7000G; 2N7000-G; 2N7000,126; 2N7000 ZEHUA T2N7000 ZEH
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 750 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 2.11 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: LGE
N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f
кількість в упаковці: 100 шт
N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 300+ | 2.87 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 300+ | 2.87 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 300+ | 2.87 грн |
| 2N7000-D26Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 830 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 46.09 грн |
| 24+ | 17.45 грн |
| 50+ | 16.45 грн |
| 100+ | 14.38 грн |
| 111+ | 8.56 грн |
| 306+ | 8.06 грн |
| 2N7000-D26Z |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 7.91 грн |
| 2N7000-D26Z |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 9.36 грн |
| 4000+ | 8.27 грн |
| 2N7000-D26Z |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 26+ | 29.55 грн |
| 42+ | 18.04 грн |
| 49+ | 15.73 грн |
| 100+ | 12.15 грн |
| 250+ | 11.08 грн |
| 500+ | 8.20 грн |
| 1000+ | 8.15 грн |
| 3000+ | 8.10 грн |
| 2N7000-D26Z |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 7100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 9.31 грн |
| 4000+ | 8.14 грн |
| 2N7000-D26Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7000-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
Description: ONSEMI - 2N7000-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 5539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N7000-D26Z |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 7.95 грн |
| 2N7000-D26Z |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 9.36 грн |
| 4000+ | 8.27 грн |
| 2N7000-D26Z |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 12.66 грн |
| 4000+ | 11.49 грн |
| 2N7000-D26Z |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N7000-D26Z |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA
MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA
на замовлення 32123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2N7000-D26Z |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 7777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 42.71 грн |
| 12+ | 25.43 грн |
| 50+ | 18.46 грн |
| 100+ | 15.22 грн |
| 500+ | 11.50 грн |
| 2N7000-D26Z |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 901+ | 15.73 грн |
| 1126+ | 12.60 грн |
| 1143+ | 12.41 грн |
| 1483+ | 9.22 грн |
| 1492+ | 8.49 грн |
| 3000+ | 8.10 грн |
| 2N7000-D74Z |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 906+ | 15.66 грн |
| 2000+ | 13.86 грн |
| 2N7000-D74Z |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 38.83 грн |
| 14+ | 22.81 грн |
| 50+ | 16.57 грн |
| 100+ | 13.65 грн |
| 500+ | 10.31 грн |
| 2N7000-D74Z |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 9.21 грн |
| 4000+ | 8.05 грн |
| 2N7000-D74Z |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA
MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA
на замовлення 15490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2N7000-D75Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 41.16 грн |
| 21+ | 20.44 грн |
| 50+ | 16.45 грн |
| 100+ | 14.87 грн |
| 500+ | 11.38 грн |
| 1000+ | 10.05 грн |
| 2N7000-D75Z |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 43.49 грн |
| 12+ | 25.80 грн |
| 50+ | 18.79 грн |
| 100+ | 15.48 грн |
| 2N7000-D75Z |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 16.38 грн |
| 4000+ | 14.51 грн |
| 6000+ | 14.22 грн |
| 2N7000-D75Z |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 9.48 грн |
| 4000+ | 8.30 грн |
| 2N7000-D75Z |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA
MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA
на замовлення 3106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2N7000-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 60V 5Ohm
MOSFETs 60V 5Ohm
на замовлення 5729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2N7000-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 290+ | 49.02 грн |
| 1000+ | 44.33 грн |
| 2N7000-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 308+ | 46.10 грн |
| 2N7000-G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - 2N7000-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
Description: MICROCHIP - 2N7000-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 3805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N7000-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 44.39 грн |
| 2N7000-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 3466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 33.40 грн |
| 25+ | 26.89 грн |
| 100+ | 23.69 грн |
















