Результат пошуку "2SB6" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 201
Мінімальне замовлення: 1110
Мінімальне замовлення: 1336
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 1110
Мінімальне замовлення: 1336
Мінімальне замовлення: 900
Мінімальне замовлення: 1353
Мінімальне замовлення: 1082
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 478
Мінімальне замовлення: 478
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SB649AC Код товару: 39837 |
Hitachi |
Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-126 fT: 140 MHz Uке, В: 120 V Uкб, В: 180 V Iк, А: 1,5 A h21,max: 200 |
у наявності: 368 шт
|
|
|||||||
2SB688 Код товару: 189651 |
SPTech |
Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-247 fT: 10 MHz Uке, В: 120 V Uкб, В: 120 V Iк, А: 8 A h21,max: 160 |
у наявності: 27 шт
|
|
|||||||
2SB688 Код товару: 40771 |
MOSPEC |
Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-247 fT: 10 MHz Uке, В: 120 V Uкб, В: 120 V Iк, А: 8 А h21,max: 160 |
у наявності: 2 шт
|
|
|||||||
2SB600 | NEC | Silicon PNP Power Transistor TO-3 -200V -10A (2SB555) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
2SB601-AZ | Renesas |
Description: 2SB601 - PNP SILICON EPITAXIAL T Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 4453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
2SB631E | onsemi |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 10653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
2SB631E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB631E - 2SB631E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 10653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
2SB631K | Sanyo | Транзистор біполярний TO-126 PNP Uce = -120V; Ic = -1A; h(fe) = 60...320; P= 8Вт (2SD600K) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
2SB631KF | onsemi |
Description: PNP SILICON TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 1 W DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 50mA, 5V |
на замовлення 17198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
2SB631KF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB631KF - 2SB631KF, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 17198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
2SB633E | onsemi |
Description: Power Bipolar Transistor, 6A, 85 Packaging: Bulk |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
2SB637KC93 | Renesas Electronics Corporation |
Description: BIPOLAR PNP TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
2SB637KC93TZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: BIPOLAR PNP TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 21300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
2SB647A | Hitachi | Silicon PNP Epitaxial Transistor TO-92MOD -100V -1A (2SD667A) |
на замовлення 14 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
2SB647CTZ-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 5V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: TO-92MOD Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 900 mW |
на замовлення 3527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
2SB647DTZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 150mA, 5V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: TO-92MOD Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 19950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
2SB60 | NEC | CAN |
на замовлення 675 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SB600 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
2SB601 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
2SB603 | NEC | CAN |
на замовлення 391 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SB604 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
2SB606 | NEC | CAN |
на замовлення 619 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SB606 | NEC |
на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||
2SB607 | NEC | CAN |
на замовлення 371 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SB608 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
2SB60A | TO-39 |
на замовлення 655 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||
2SB60A |
на замовлення 3540 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
2SB61 | NEC | CAN |
на замовлення 865 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SB611 | HIT | 98+ TO-3 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SB612 | HIT | 98+ TO-3 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SB613 | HIT | 98+ TO-3 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SB615 | HIT | 98+ TO-3 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SB619 | NEC | CAN |
на замовлення 648 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SB62 | HIT | 98+ TO-3 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SB620 |
на замовлення 17000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
2SB621 |
на замовлення 17000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
2SB621 | TO-92 |
на замовлення 9280 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||
2SB621-R?TA? | PANASONIC | TO92 |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SB621A-R?TA? | PANASONIC | TO92 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SB622 | NEC | CAN |
на замовлення 913 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SB624 | N/A | 08+ SOT-23 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SB624 | NEC | SOT-23 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SB624 BV5 | NEC | SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SB624(BV3) |
на замовлення 536990 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
2SB624(BV4) | NEC | 09+ |
на замовлення 312968 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SB624(BV5) | NEC | 03+ SOT-23 |
на замовлення 6999 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SB624(BV5) | NEC | 09+ |
на замовлення 211968 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SB624-BV4?BV5 | NEC | 09+ |
на замовлення 111968 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SB624-L/BV2 |
на замовлення 6740 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
2SB624-T1(BV4) |
на замовлення 1774 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
2SB624-T1B | NEC | SOT23 |
на замовлення 209400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SB624-T1B | NEC | SOT23/SOT323 |
на замовлення 2166 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SB624-T1B | NEC | N/A |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SB624-T1B BV3 | NEC | 10+ SOT-23 |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SB624-T1B BV4 | NEC | 10+ SOT-23 |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SB624-T1B-A | NEC | 09+ SOT223 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SB624-T1B-A | NEC | SOT23 |
на замовлення 606 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SB624-T1B/BV1 | NEC | 95+ SOT-23 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SB624/BV1 | NEC | 07+ SOT-23 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SB624/BV4 | NEC |
на замовлення 31365 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
2SB649AC Код товару: 39837 |
Виробник: Hitachi
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-126
fT: 140 MHz
Uке, В: 120 V
Uкб, В: 180 V
Iк, А: 1,5 A
h21,max: 200
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-126
fT: 140 MHz
Uке, В: 120 V
Uкб, В: 180 V
Iк, А: 1,5 A
h21,max: 200
у наявності: 368 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 7 грн |
10+ | 6 грн |
100+ | 5.4 грн |
2SB688 Код товару: 189651 |
Виробник: SPTech
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-247
fT: 10 MHz
Uке, В: 120 V
Uкб, В: 120 V
Iк, А: 8 A
h21,max: 160
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-247
fT: 10 MHz
Uке, В: 120 V
Uкб, В: 120 V
Iк, А: 8 A
h21,max: 160
у наявності: 27 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 85 грн |
10+ | 77 грн |
2SB688 Код товару: 40771 |
Виробник: MOSPEC
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-247
fT: 10 MHz
Uке, В: 120 V
Uкб, В: 120 V
Iк, А: 8 А
h21,max: 160
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-247
fT: 10 MHz
Uке, В: 120 V
Uкб, В: 120 V
Iк, А: 8 А
h21,max: 160
у наявності: 2 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 78 грн |
2SB600 |
Виробник: NEC
Silicon PNP Power Transistor TO-3 -200V -10A (2SB555)
Silicon PNP Power Transistor TO-3 -200V -10A (2SB555)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 249.48 грн |
2SB601-AZ |
Виробник: Renesas
Description: 2SB601 - PNP SILICON EPITAXIAL T
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Description: 2SB601 - PNP SILICON EPITAXIAL T
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 4453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
201+ | 100.92 грн |
2SB631E |
Виробник: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 10653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1110+ | 18.16 грн |
2SB631E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB631E - 2SB631E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SB631E - 2SB631E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1336+ | 18.18 грн |
2SB631K |
Виробник: Sanyo
Транзистор біполярний TO-126 PNP Uce = -120V; Ic = -1A; h(fe) = 60...320; P= 8Вт (2SD600K)
Транзистор біполярний TO-126 PNP Uce = -120V; Ic = -1A; h(fe) = 60...320; P= 8Вт (2SD600K)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 43.24 грн |
10+ | 37.07 грн |
2SB631KF |
Виробник: onsemi
Description: PNP SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1 W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 50mA, 5V
Description: PNP SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1 W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 50mA, 5V
на замовлення 17198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1110+ | 18.16 грн |
2SB631KF |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB631KF - 2SB631KF, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SB631KF - 2SB631KF, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1336+ | 18.18 грн |
2SB633E |
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
900+ | 22.87 грн |
2SB637KC93 |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: BIPOLAR PNP TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: BIPOLAR PNP TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1353+ | 14.8 грн |
2SB637KC93TZ |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: BIPOLAR PNP TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: BIPOLAR PNP TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 21300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1082+ | 18.84 грн |
2SB647A |
Виробник: Hitachi
Silicon PNP Epitaxial Transistor TO-92MOD -100V -1A (2SD667A)
Silicon PNP Epitaxial Transistor TO-92MOD -100V -1A (2SD667A)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 18.53 грн |
2SB647CTZ-E |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 5V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 900 mW
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 5V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 3527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
478+ | 42.39 грн |
2SB647DTZ |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 150mA, 5V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 150mA, 5V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 19950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
478+ | 42.39 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]