Результат пошуку "2sd7" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 1025
Мінімальне замовлення: 1233
Мінімальне замовлення: 1025
Мінімальне замовлення: 1233
Мінімальне замовлення: 2671
Мінімальне замовлення: 2219
Мінімальне замовлення: 6662
Мінімальне замовлення: 8013
Мінімальне замовлення: 163
Мінімальне замовлення: 40
Мінімальне замовлення: 1159
Мінімальне замовлення: 902
Мінімальне замовлення: 902
Мінімальне замовлення: 1623
Мінімальне замовлення: 1623
Мінімальне замовлення: 1623
Мінімальне замовлення: 378
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SD756A Код товару: 79282 |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-92MOD Uceo,V: 120 V Ucbo,V: 120 V Ic,A: 0,05 A Монтаж: THT |
у наявності: 13 шт
|
|
||||||
2SD774 Код товару: 79785 |
NEC |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SP-8 fT: 95 MHz Uceo,V: 50 V Ucbo,V: 100 V Ic,A: 1 А Монтаж: THT |
у наявності: 26 шт
|
|
|||||
2SD734E | onsemi |
Description: 2SD734 - NPN EPITAXIAL PLANAR SI Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: 3-NP Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 600 mW |
на замовлення 30260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
2SD734E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD734E - 2SD734E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 30260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
2SD734E-AA | onsemi |
Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: 3-NP Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 600 mW |
на замовлення 307500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
2SD734E-AA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD734E-AA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 700 mA, 600 mW, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 700mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 600mW Bauform - Transistor: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 307500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
2SD734F | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD734F - 2SD734F, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 39500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
2SD734F | onsemi |
Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: 3-NP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 600 mW |
на замовлення 39500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
2SD734F-AA | onsemi |
Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: 3-NP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 600 mW |
на замовлення 160500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
2SD734F-AA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD734F-AA - 2SD734F-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 160500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
2SD768K01-E#00 | Renesas Electronics Corporation |
Description: NPN BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V Supplier Device Package: TO-220AB Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 40 W |
на замовлення 2679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
2SD773 | NEC |
NPN 2A 20V 1W 110MHz 2SD773 T2SD773 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 58 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
2SD773-T-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN Packaging: Bulk Package / Case: 3-SSIP Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 110MHz Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 16 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
2SD774-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: 3-SSIP Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 95MHz Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 6117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
2SD774-T-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: 3-SSIP Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 95MHz Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 17966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
2SD789D-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 5049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
2SD789E-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
2SD789ETZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
2SD794A-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 150mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 3268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
2SD700 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SD700D |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SD702 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SD703 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SD704 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SD705 | TOS | 01+ TO-3 |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
2SD706 | TOS | 01+ TO-3 |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
2SD707 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SD708 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SD709 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SD710 | TOS | 01+ TO-3 |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
2SD711 | TOS | 01+ TO-3 |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
2SD711A | FUJITSU |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||
2SD712 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SD712A |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SD713 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SD715 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SD716 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SD717 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SD718 | TOSHIBA | 2002 TO-3P |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
2SD718 | TOSHIBA |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||
2SD72 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SD72 | TO-39 |
на замовлення 697 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||
2SD720 | TOS | 01+ TO-3 |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
2SD721 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SD722 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SD723 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SD724 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SD725 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SD726 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SD727 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SD729 | TOS | 01+ TO-3 |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
2SD729H |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SD72K |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SD73 | TOS/HIT | 98+ TO-3 |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
2SD730 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SD731 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SD733 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SD733K |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SD737 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SD738A |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
2SD774 Код товару: 79785 |
Виробник: NEC
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SP-8
fT: 95 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 1 А
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SP-8
fT: 95 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 1 А
Монтаж: THT
у наявності: 26 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 19 грн |
10+ | 14.1 грн |
2SD734E |
Виробник: onsemi
Description: 2SD734 - NPN EPITAXIAL PLANAR SI
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 600 mW
Description: 2SD734 - NPN EPITAXIAL PLANAR SI
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 30260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1025+ | 19.77 грн |
2SD734E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD734E - 2SD734E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD734E - 2SD734E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1233+ | 20.01 грн |
2SD734E-AA |
Виробник: onsemi
Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 600 mW
Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 307500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1025+ | 19.77 грн |
2SD734E-AA |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD734E-AA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 700 mA, 600 mW, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD734E-AA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 700 mA, 600 mW, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 307500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1233+ | 19.79 грн |
2SD734F |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD734F - 2SD734F, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD734F - 2SD734F, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 39500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2671+ | 9.52 грн |
2SD734F |
Виробник: onsemi
Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 600 mW
Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 39500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2219+ | 9.55 грн |
2SD734F-AA |
Виробник: onsemi
Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 600 mW
Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 160500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6662+ | 3.41 грн |
2SD734F-AA |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD734F-AA - 2SD734F-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD734F-AA - 2SD734F-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 160500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8013+ | 3.4 грн |
2SD768K01-E#00 |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: NPN BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 40 W
Description: NPN BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 2679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
163+ | 126.13 грн |
2SD773 |
на замовлення 58 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
40+ | 15.82 грн |
2SD773-T-AZ |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 16 V
Power - Max: 1 W
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 16 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1159+ | 17.73 грн |
2SD774-AZ |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 95MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 95MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 6117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
902+ | 22.5 грн |
2SD774-T-AZ |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 95MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 95MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 17966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
902+ | 22.5 грн |
2SD789D-E |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 5049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1623+ | 12.27 грн |
2SD789E-E |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1623+ | 12.27 грн |
2SD789ETZ |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1623+ | 12.27 грн |
2SD794A-AZ |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 3268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
378+ | 53.86 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]