Результат пошуку "40n03" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 5000
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 106
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 482
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 5000
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 2219
Мінімальне замовлення: 1402
Мінімальне замовлення: 2219
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 200
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 13
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSO040N03MS G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 20A DSO-8 OptiMOS 3M |
на замовлення 12740 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSO040N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSO040N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 20A DSO-8 OptiMOS 3M |
на замовлення 19421 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSO040N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSO040N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V |
на замовлення 7338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DI040N03PT-AQ | Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 30V, 40A, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DI040N03PT-AQ | Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 30V, 40A, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPB240N03S4LR8ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 230µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPB240N03S4LR8ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 230µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26000 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPB240N03S4LR8ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPB240N03S4LR9ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 180µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-3 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20300 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 21485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPD040N03L G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 |
на замовлення 2621 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPD040N03LGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 79A Power dissipation: 94W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPD040N03LGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 79A Power dissipation: 94W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2466 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPD040N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPD040N03LGATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V |
на замовлення 251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPD40N03S4L08ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-31 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 11432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ISZ040N03L5ISATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V |
на замовлення 2768 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ISZ040N03L5ISATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ISZ040N03L5ISATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V |
на замовлення 19765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MCAC40N03A-TP | Micro Commercial Co |
Description: N-CHANNEL MOSFET, DFN5060 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 35W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DFN5060 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 15 V |
на замовлення 3811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTD40N03R-001 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A IPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V |
на замовлення 3540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTD40N03R-1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V |
на замовлення 351580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTD40N03RT4 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V |
на замовлення 6670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
OSX040N03-C | ATGBICS |
Description: 10GBASE-SR SFP+ 850nm 300m Packaging: Retail Package Connector Type: LC Wavelength: 850nm Mounting Type: Pluggable, SFP+ Voltage - Supply: 3.3V Applications: Ethernet Data Rate: 10Gbps Part Status: Active |
на замовлення 8071 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RTR040N03HZGTL | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 30V 4A Small Signal MOSFET for Automotive. RTR040N03HZG is a low on-resistance MOSFET for automotive, suitable for swithing applications. |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RTR040N03HZGTL | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RTR040N03HZGTL | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 14759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
TSM040N03CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
TSM040N03CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
TSM240N03CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.56W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.1A Power dissipation: 1.56W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.1nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 441 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
TSM240N03CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.56W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.1A Power dissipation: 1.56W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.1nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 441 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
TSM240N03CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
TSM240N03CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V |
на замовлення 58167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
TSM240N03CX RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 30V, 6.5A, Single N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 11235 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
TSM240N03CX RFG | TAI-SEM |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 34mOhm; 6,5A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; TSM240N03CX RFG TSM240N03CX TTSM240n03cx кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
TSM240N03CX RFG-ML | MOSLEADER |
Description: N-Channel 30V 6.5A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
TSM240N03CX6 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V |
на замовлення 11512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
TSM240N03CX6 RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 30V, 6.5A, Single N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 11608 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
TSM240N03CX6 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
WMB040N03LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN5060-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Case: PDFN5060-8 Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
WMB040N03LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN5060-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Case: PDFN5060-8 Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
WMQ040N03LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN3030-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Case: PDFN3030-8 Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
WMQ040N03LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN3030-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Case: PDFN3030-8 Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
WMQ40N03T1 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN3030-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Case: PDFN3030-8 Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
AP40N03 |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
AP40N03GH |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
AP40N03H | ANPEC | 07+ |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
AP40N03H | ANPEC |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
AP40N03J | ANPEC |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
AP40N03J | ANPEC | 07+ |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
AP40N03S | AP | 03+ |
на замовлення 624 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BSO040N03MS G |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
BSO040N03MSG | INF | 08+ |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BSO040N03MSGXUMA1 | Infineon |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
FQB140N03L | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FQB140N03L | FAIRCHILD | SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FQB140N03L | fairchild | to-263/d2-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FQB140N03LTM |
на замовлення 545 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
ME40N03 |
на замовлення 45 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
BSO040N03MS G |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 20A DSO-8 OptiMOS 3M
MOSFET N-Ch 30V 20A DSO-8 OptiMOS 3M
на замовлення 12740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 105.24 грн |
10+ | 85.93 грн |
100+ | 57.69 грн |
500+ | 48.87 грн |
1000+ | 39.78 грн |
2500+ | 37.43 грн |
5000+ | 35.61 грн |
BSO040N03MSGXUMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 40.8 грн |
5000+ | 37.42 грн |
BSO040N03MSGXUMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 20A DSO-8 OptiMOS 3M
MOSFET N-Ch 30V 20A DSO-8 OptiMOS 3M
на замовлення 19421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 105.24 грн |
10+ | 83.61 грн |
100+ | 57.62 грн |
500+ | 48.81 грн |
1000+ | 39.78 грн |
2500+ | 37.43 грн |
5000+ | 35.61 грн |
BSO040N03MSGXUMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin DSO T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 27.88 грн |
BSO040N03MSGXUMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
на замовлення 7338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 99.03 грн |
10+ | 77.77 грн |
100+ | 60.45 грн |
500+ | 48.09 грн |
1000+ | 39.17 грн |
DI040N03PT-AQ |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 30V, 40A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 30V, 40A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 13.84 грн |
DI040N03PT-AQ |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 30V, 40A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 30V, 40A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 43.69 грн |
10+ | 35.55 грн |
100+ | 24.76 грн |
500+ | 18.14 грн |
1000+ | 14.75 грн |
2000+ | 13.18 грн |
IPB240N03S4LR8ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 178.21 грн |
IPB240N03S4LR8ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 345.16 грн |
10+ | 278.74 грн |
100+ | 225.47 грн |
500+ | 188.09 грн |
IPB240N03S4LR8ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 369.91 грн |
10+ | 305.79 грн |
100+ | 215.42 грн |
500+ | 191.85 грн |
1000+ | 163.58 грн |
2000+ | 154.16 грн |
IPB240N03S4LR9ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
106+ | 193.63 грн |
IPD040N03L G |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3
MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 2621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 85.61 грн |
10+ | 69.44 грн |
100+ | 46.99 грн |
500+ | 39.78 грн |
1000+ | 34 грн |
2500+ | 28.88 грн |
10000+ | 28.81 грн |
IPD040N03LGATMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 70.99 грн |
7+ | 50.35 грн |
22+ | 38.64 грн |
59+ | 36.53 грн |
500+ | 35.97 грн |
IPD040N03LGATMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 85.18 грн |
5+ | 62.74 грн |
22+ | 46.36 грн |
59+ | 43.84 грн |
500+ | 43.17 грн |
IPD040N03LGATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 20.5 грн |
IPD040N03LGATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 80.1 грн |
10+ | 63.39 грн |
100+ | 49.3 грн |
IPD40N03S4L08ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-31
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-31
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
482+ | 42.27 грн |
ISZ040N03L5ISATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH <= 40V
MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 2768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 38.01 грн |
10+ | 33.29 грн |
100+ | 21.88 грн |
500+ | 19.39 грн |
1000+ | 16.22 грн |
ISZ040N03L5ISATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 18.52 грн |
10000+ | 16.51 грн |
ISZ040N03L5ISATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 19765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 50.97 грн |
10+ | 42.91 грн |
100+ | 29.72 грн |
500+ | 23.3 грн |
1000+ | 19.83 грн |
2000+ | 17.67 грн |
MCAC40N03A-TP |
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET, DFN5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 15 V
Description: N-CHANNEL MOSFET, DFN5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 15 V
на замовлення 3811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 38.59 грн |
10+ | 32.33 грн |
100+ | 22.38 грн |
500+ | 17.55 грн |
1000+ | 14.94 грн |
2000+ | 13.3 грн |
NTD40N03R-001 |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
на замовлення 3540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2219+ | 9.55 грн |
NTD40N03R-1G |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
на замовлення 351580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1402+ | 14.32 грн |
NTD40N03RT4 |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
на замовлення 6670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2219+ | 9.55 грн |
OSX040N03-C |
Виробник: ATGBICS
Description: 10GBASE-SR SFP+ 850nm 300m
Packaging: Retail Package
Connector Type: LC
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Pluggable, SFP+
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Ethernet
Data Rate: 10Gbps
Part Status: Active
Description: 10GBASE-SR SFP+ 850nm 300m
Packaging: Retail Package
Connector Type: LC
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Pluggable, SFP+
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Ethernet
Data Rate: 10Gbps
Part Status: Active
на замовлення 8071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1950.1 грн |
50+ | 1785.83 грн |
150+ | 1693.91 грн |
1000+ | 1503.41 грн |
RTR040N03HZGTL |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Nch 30V 4A Small Signal MOSFET for Automotive. RTR040N03HZG is a low on-resistance MOSFET for automotive, suitable for swithing applications.
MOSFET Nch 30V 4A Small Signal MOSFET for Automotive. RTR040N03HZG is a low on-resistance MOSFET for automotive, suitable for swithing applications.
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 46.73 грн |
10+ | 40.64 грн |
100+ | 24.44 грн |
500+ | 20.4 грн |
1000+ | 17.37 грн |
3000+ | 15.15 грн |
6000+ | 14.68 грн |
RTR040N03HZGTL |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 16.88 грн |
6000+ | 15.4 грн |
9000+ | 14.26 грн |
RTR040N03HZGTL |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 44.42 грн |
10+ | 37.09 грн |
100+ | 25.66 грн |
500+ | 20.12 грн |
1000+ | 17.13 грн |
TSM040N03CP ROG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 34.19 грн |
5000+ | 31.35 грн |
TSM040N03CP ROG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 82.29 грн |
10+ | 65.14 грн |
100+ | 50.65 грн |
500+ | 40.29 грн |
1000+ | 32.82 грн |
TSM240N03CX RFG |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.56W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.56W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.56W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.56W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 49.84 грн |
12+ | 30.29 грн |
25+ | 21.18 грн |
55+ | 15.22 грн |
150+ | 14.38 грн |
TSM240N03CX RFG |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.56W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.56W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.56W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.56W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 441 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 59.81 грн |
7+ | 37.75 грн |
25+ | 25.41 грн |
55+ | 18.26 грн |
150+ | 17.25 грн |
TSM240N03CX RFG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 6.73 грн |
TSM240N03CX RFG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 58167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 22.57 грн |
17+ | 16.55 грн |
100+ | 9.94 грн |
500+ | 8.64 грн |
1000+ | 6.08 грн |
TSM240N03CX RFG |
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFET 30V, 6.5A, Single N-Channel Power MOSFET
MOSFET 30V, 6.5A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 11235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 33.61 грн |
12+ | 25.86 грн |
100+ | 12.52 грн |
1000+ | 8.48 грн |
3000+ | 7.47 грн |
9000+ | 6.73 грн |
24000+ | 6.66 грн |
TSM240N03CX RFG |
Виробник: TAI-SEM
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 34mOhm; 6,5A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; TSM240N03CX RFG TSM240N03CX TTSM240n03cx
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 34mOhm; 6,5A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; TSM240N03CX RFG TSM240N03CX TTSM240n03cx
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 6.82 грн |
TSM240N03CX RFG-ML |
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
200+ | 2.38 грн |
1000+ | 2.24 грн |
3000+ | 2.09 грн |
6000+ | 1.92 грн |
15000+ | 1.87 грн |
30000+ | 1.79 грн |
75000+ | 1.65 грн |
150000+ | 1.48 грн |
TSM240N03CX6 RFG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 11512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 28.4 грн |
12+ | 23.77 грн |
100+ | 16.52 грн |
500+ | 12.1 грн |
1000+ | 9.84 грн |
TSM240N03CX6 RFG |
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFET 30V, 6.5A, Single N-Channel Power MOSFET
MOSFET 30V, 6.5A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 11608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 30.71 грн |
12+ | 26.09 грн |
100+ | 15.75 грн |
500+ | 12.32 грн |
1000+ | 10.03 грн |
3000+ | 8.48 грн |
9000+ | 7.81 грн |
TSM240N03CX6 RFG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 9.73 грн |
6000+ | 8.89 грн |
WMB040N03LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PDFN5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PDFN5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 31.72 грн |
20+ | 17.74 грн |
25+ | 15.92 грн |
66+ | 12.55 грн |
181+ | 11.85 грн |
WMB040N03LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PDFN5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PDFN5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 38.06 грн |
12+ | 22.11 грн |
25+ | 19.1 грн |
66+ | 15.06 грн |
181+ | 14.22 грн |
6000+ | 13.72 грн |
12000+ | 13.63 грн |
WMQ040N03LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PDFN3030-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PDFN3030-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 30.96 грн |
22+ | 16.62 грн |
26+ | 13.6 грн |
78+ | 10.66 грн |
212+ | 10.1 грн |
WMQ040N03LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PDFN3030-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PDFN3030-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 37.15 грн |
13+ | 20.71 грн |
25+ | 16.32 грн |
78+ | 12.79 грн |
212+ | 12.12 грн |
6000+ | 11.61 грн |
WMQ40N03T1 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PDFN3030-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PDFN3030-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 30.96 грн |
29+ | 12.48 грн |
34+ | 10.38 грн |
100+ | 9.82 грн |
108+ | 7.64 грн |
295+ | 7.29 грн |
FQB140N03L |
Виробник: fairchild
to-263/d2-pak
to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]