Результат пошуку "4n6" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SPU04N60C3 TO-251-3
Код товару: 161246
Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
1+60 грн
SPW24N60C3 SPW24N60C3
Код товару: 37627
Infineon Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: PG-TO247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 24,3 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
Монтаж: THT
у наявності: 40 шт
1+285 грн
10+ 269 грн
SSS4N60B SSS4N60B
Код товару: 27298
FS ssp4n60b.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 21 шт
очікується: 17 шт
1+35 грн
10+ 31.1 грн
4N60 to-220/f AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N60 AAT TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
385 V; d14мм; (JVR-14N621K); Классиф. напряж.: 620V; Напряж.срабатывания: 385VAC; ±10%; 0,6 Вт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+215.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
420 V; d14мм; (HEL-14N681K); Классиф. напряж.: 680V; Напряж.срабатывания: 420VAC; ±10%; 0,6 Вт
на замовлення 138 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
80+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 80
AOD4N60 AOD4N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOD4N60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.6A; 104W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 104W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+92.03 грн
5+ 50.71 грн
25+ 40.7 грн
27+ 35.32 грн
74+ 33.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOD4N60 ALPHA&OMEGA AOD4N60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.53 грн
Мінімальне замовлення: 20
AOT4N60 ALPHA&OMEGA AOT4N60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+21.67 грн
Мінімальне замовлення: 25
AOTF4N60 AOTF4N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF4N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+61.36 грн
9+ 30.43 грн
25+ 26.05 грн
42+ 22.55 грн
116+ 21.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOTF4N60 ALPHA&OMEGA AOTF4N60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+25.64 грн
Мінімальне замовлення: 25
BXP4N60D BXP4N60D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 845 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
15+25.59 грн
25+ 22.23 грн
60+ 16.21 грн
165+ 15.33 грн
2500+ 14.73 грн
Мінімальне замовлення: 15
BXP4N65F BXP4N65F BRIDGELUX BXP4N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
12+23.4 грн
25+ 20.37 грн
67+ 14.24 грн
183+ 13.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
BXP4N65U BXP4N65U BRIDGELUX BXP4N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 245 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+14.11 грн
25+ 12.85 грн
105+ 9.28 грн
280+ 8.79 грн
4500+ 8.55 грн
Мінімальне замовлення: 20
D DL4N-680 BOCHEN SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1283 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 200
D DL4N-680 BOCHEN SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 200
D DL4N-680 BOCHEN SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 730 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 200
D DL4N-680 BOCHEN SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 560 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 200
D DL4N-680 BOCHEN SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 200
D DL4N-680 BOCHEN SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 510 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 200
D DL4N-680 BOCHEN SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 510 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 200
D DL4N-680 BOCHEN SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 200
FCH104N60F FCH104N60F ONSEMI fch104n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+605.68 грн
3+ 382.04 грн
8+ 348.35 грн
FQA24N60 ON-Semicoductor fqa24n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+255.4 грн
Мінімальне замовлення: 4
IGU04N60TAKMA1 IGU04N60TAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGU04N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+84.15 грн
10+ 67.62 грн
22+ 44.44 грн
59+ 42 грн
1800+ 40.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKD04N60R Infineon IK%28D%2CU%2904N60R.pdf 8A; 600V; 75W; IGBT w/ Diode   IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+42.18 грн
Мінімальне замовлення: 20
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP04N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 407 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+97.2 грн
10+ 83.02 грн
14+ 71.62 грн
37+ 67.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXFA24N60X IXFA24N60X IXYS IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+454.91 грн
3+ 394.72 грн
4+ 287.31 грн
9+ 271.85 грн
IXFH14N60P IXFH14N60P IXYS IXFA(H,P)14N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+349.73 грн
3+ 297.52 грн
4+ 245.8 грн
11+ 231.97 грн
IXFH24N60X IXFH24N60X IXYS IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+545.2 грн
3+ 357.53 грн
8+ 325.57 грн
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A IXYS IXFH34N60X2A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.1Ω
Reverse recovery time: 164ns
Mounting: THT
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 34A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+553.09 грн
3+ 472.48 грн
6+ 430.56 грн
30+ 415.1 грн
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 IXYS IXF_34N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 229 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+603.92 грн
3+ 407.39 грн
7+ 370.33 грн
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_64n60p3_datasheet.pdf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1130W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 100mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 63 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1165.77 грн
2+ 769.99 грн
3+ 740.66 грн
4+ 700.78 грн
IXFK64N60Q3 IXFK64N60Q3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_64n60q3_datasheet.pdf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1250W
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 190nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2327.17 грн
2+ 2122.34 грн
3+ 2042.92 грн
IXFP14N60P IXFP14N60P IXYS IXFA(H,P)14N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+322.56 грн
3+ 279.77 грн
5+ 203.48 грн
13+ 192.9 грн
IXTA4N65X2 IXTA4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+157.77 грн
3+ 135.23 грн
9+ 110.69 грн
24+ 104.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP14N60X2 IXTP14N60X2 IXYS IXTP14N60X2_DS_1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+359.37 грн
3+ 311.89 грн
5+ 227.08 грн
12+ 214.87 грн
IXTP24N65X2 IXTP24N65X2 IXYS IXT_24N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+396.19 грн
3+ 343.16 грн
4+ 258.01 грн
11+ 243.36 грн
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M IXYS IXTP24N65X2M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+312.92 грн
3+ 271.31 грн
5+ 199.41 грн
13+ 188.83 грн
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 586 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+164.79 грн
3+ 142 грн
9+ 108.25 грн
25+ 102.55 грн
300+ 101.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTQ34N65X2M IXTQ34N65X2M IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+745.92 грн
2+ 489.38 грн
6+ 446.02 грн
IXTY14N60X2 IXTY14N60X2 IXYS IXTY14N60X2_DS_1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+331.33 грн
5+ 217.22 грн
13+ 198.59 грн
IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+142 грн
5+ 121.71 грн
10+ 103.37 грн
26+ 97.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP24N60C3 Infineon description Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 340mOhm; 24,3A; 240W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP24N60C3XKSA1; SPP24N60C3 TSPP24n60c3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+201.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF24N60DM2 STF24N60DM2 STMicroelectronics STB24N60DM2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; unipolar; 600V; 11A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+220.88 грн
3+ 191.86 грн
8+ 134.3 грн
20+ 126.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF24N60M2 STF24N60M2 STMicroelectronics STx24N60M2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 68 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+222.64 грн
3+ 193.55 грн
7+ 143.25 грн
19+ 135.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
STI4N62K3 STI4N62K3 STMicroelectronics STD4N62K3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 620V; 2A; 70W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 2A
Power dissipation: 70W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2000mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 210 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+48.21 грн
9+ 28.46 грн
11+ 24.25 грн
50+ 22.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
STP24N60M2 STP24N60M2 STMicroelectronics STx24N60M2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+230.53 грн
3+ 199.47 грн
7+ 139.99 грн
19+ 132.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
WMF04N65C2 WMF04N65C2 WAYON WMF04N65C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 4.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+38.39 грн
8+ 33.47 грн
10+ 27.1 грн
25+ 23.85 грн
54+ 17.58 грн
149+ 16.6 грн
Мінімальне замовлення: 7
WMK14N60C2 WMK14N60C2 WAYON WMx14N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WML04N60C2 WML04N60C2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 3A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 446 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+64.86 грн
8+ 35.16 грн
25+ 30.11 грн
39+ 24.74 грн
106+ 23.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
WMM14N60C2 WMM14N60C2 WAYON WMx14N60C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+78.89 грн
5+ 67.62 грн
20+ 47.21 грн
55+ 44.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMN14N60C2 WMN14N60C2 WAYON WMx14N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+70.56 грн
5+ 59.42 грн
20+ 47.37 грн
55+ 44.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMO14N60C2 WMO14N60C2 WAYON WMx14N60C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+55.53 грн
22+ 43.22 грн
60+ 40.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
WMP04N65C2 WMP04N65C2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 598 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+64.6 грн
11+ 23.33 грн
25+ 20.27 грн
58+ 16.52 грн
158+ 15.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
WMP14N60C2 WMP14N60C2 WAYON WMx14N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 448 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+67.93 грн
5+ 59.25 грн
23+ 41.43 грн
25+ 41.35 грн
63+ 39.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMP14N65C2 WMP14N65C2 WAYON WMx14N65C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 11A; 85W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+69.42 грн
5+ 59.93 грн
23+ 42.32 грн
62+ 39.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
Транзистор польовий FDPF4N60NZ 3.8A 600V N-ch TO-220F
на замовлення 19 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
7+25.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
Транзистор польовий STD4N62K3 3.8A 620V N-ch DPAK
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5+31.1 грн
Мінімальне замовлення: 5
SPU04N60C3 TO-251-3
Код товару: 161246
у наявності: 1 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+60 грн
SPW24N60C3
Код товару: 37627
SPW24N60C3
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: PG-TO247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 24,3 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
Монтаж: THT
у наявності: 40 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+285 грн
10+ 269 грн
SSS4N60B
Код товару: 27298
ssp4n60b.pdf
SSS4N60B
Виробник: FS
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 21 шт
очікується: 17 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+35 грн
10+ 31.1 грн
4N60
Виробник: to-220/f
AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N60 AAT
TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
385 V; d14мм; (JVR-14N621K); Классиф. напряж.: 620V; Напряж.срабатывания: 385VAC; ±10%; 0,6 Вт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+215.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
420 V; d14мм; (HEL-14N681K); Классиф. напряж.: 680V; Напряж.срабатывания: 420VAC; ±10%; 0,6 Вт
на замовлення 138 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
80+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 80
AOD4N60 AOD4N60.pdf
AOD4N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.6A; 104W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 104W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+92.03 грн
5+ 50.71 грн
25+ 40.7 грн
27+ 35.32 грн
74+ 33.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOD4N60 AOD4N60.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+40.53 грн
Мінімальне замовлення: 20
AOT4N60 AOT4N60.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+21.67 грн
Мінімальне замовлення: 25
AOTF4N60 AOTF4N60.pdf
AOTF4N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.36 грн
9+ 30.43 грн
25+ 26.05 грн
42+ 22.55 грн
116+ 21.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOTF4N60 AOTF4N60.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+25.64 грн
Мінімальне замовлення: 25
BXP4N60D
BXP4N60D
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 845 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+25.59 грн
25+ 22.23 грн
60+ 16.21 грн
165+ 15.33 грн
2500+ 14.73 грн
Мінімальне замовлення: 15
BXP4N65F BXP4N65.pdf
BXP4N65F
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+23.4 грн
25+ 20.37 грн
67+ 14.24 грн
183+ 13.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
BXP4N65U BXP4N65.pdf
BXP4N65U
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 245 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+14.11 грн
25+ 12.85 грн
105+ 9.28 грн
280+ 8.79 грн
4500+ 8.55 грн
Мінімальне замовлення: 20
D DL4N-680
Виробник: BOCHEN
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1283 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 200
D DL4N-680
Виробник: BOCHEN
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 200
D DL4N-680
Виробник: BOCHEN
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 730 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 200
D DL4N-680
Виробник: BOCHEN
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 560 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 200
D DL4N-680
Виробник: BOCHEN
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 200
D DL4N-680
Виробник: BOCHEN
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 510 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 200
D DL4N-680
Виробник: BOCHEN
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 510 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 200
D DL4N-680
Виробник: BOCHEN
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 200
FCH104N60F fch104n60f-d.pdf
FCH104N60F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+605.68 грн
3+ 382.04 грн
8+ 348.35 грн
FQA24N60 fqa24n60-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+255.4 грн
Мінімальне замовлення: 4
IGU04N60TAKMA1 IGU04N60T.pdf
IGU04N60TAKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+84.15 грн
10+ 67.62 грн
22+ 44.44 грн
59+ 42 грн
1800+ 40.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKD04N60R IK%28D%2CU%2904N60R.pdf
Виробник: Infineon
8A; 600V; 75W; IGBT w/ Diode   IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+42.18 грн
Мінімальне замовлення: 20
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60T.pdf
IKP04N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 407 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+97.2 грн
10+ 83.02 грн
14+ 71.62 грн
37+ 67.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXFA24N60X IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf
IXFA24N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+454.91 грн
3+ 394.72 грн
4+ 287.31 грн
9+ 271.85 грн
IXFH14N60P IXFA(H,P)14N60P.pdf
IXFH14N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+349.73 грн
3+ 297.52 грн
4+ 245.8 грн
11+ 231.97 грн
IXFH24N60X IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf
IXFH24N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+545.2 грн
3+ 357.53 грн
8+ 325.57 грн
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A.pdf
IXFH34N60X2A
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.1Ω
Reverse recovery time: 164ns
Mounting: THT
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 34A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+553.09 грн
3+ 472.48 грн
6+ 430.56 грн
30+ 415.1 грн
IXFH34N65X2 IXF_34N65X2.pdf
IXFH34N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 229 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+603.92 грн
3+ 407.39 грн
7+ 370.33 грн
IXFK64N60P3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_64n60p3_datasheet.pdf.pdf
IXFK64N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1130W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 100mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 63 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1165.77 грн
2+ 769.99 грн
3+ 740.66 грн
4+ 700.78 грн
IXFK64N60Q3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_64n60q3_datasheet.pdf.pdf
IXFK64N60Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1250W
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 190nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2327.17 грн
2+ 2122.34 грн
3+ 2042.92 грн
IXFP14N60P IXFA(H,P)14N60P.pdf
IXFP14N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+322.56 грн
3+ 279.77 грн
5+ 203.48 грн
13+ 192.9 грн
IXTA4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTA4N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+157.77 грн
3+ 135.23 грн
9+ 110.69 грн
24+ 104.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP14N60X2 IXTP14N60X2_DS_1.pdf
IXTP14N60X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+359.37 грн
3+ 311.89 грн
5+ 227.08 грн
12+ 214.87 грн
IXTP24N65X2 IXT_24N65X2.pdf
IXTP24N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+396.19 грн
3+ 343.16 грн
4+ 258.01 грн
11+ 243.36 грн
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M.pdf
IXTP24N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+312.92 грн
3+ 271.31 грн
5+ 199.41 грн
13+ 188.83 грн
IXTP4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTP4N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 586 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+164.79 грн
3+ 142 грн
9+ 108.25 грн
25+ 102.55 грн
300+ 101.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTQ34N65X2M
IXTQ34N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+745.92 грн
2+ 489.38 грн
6+ 446.02 грн
IXTY14N60X2 IXTY14N60X2_DS_1.pdf
IXTY14N60X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+331.33 грн
5+ 217.22 грн
13+ 198.59 грн
IXTY4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTY4N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+142 грн
5+ 121.71 грн
10+ 103.37 грн
26+ 97.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP24N60C3 description
Виробник: Infineon
Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 340mOhm; 24,3A; 240W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP24N60C3XKSA1; SPP24N60C3 TSPP24n60c3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+201.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF24N60DM2 STB24N60DM2.pdf
STF24N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; unipolar; 600V; 11A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+220.88 грн
3+ 191.86 грн
8+ 134.3 грн
20+ 126.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF24N60M2 STx24N60M2-DTE.pdf
STF24N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 68 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+222.64 грн
3+ 193.55 грн
7+ 143.25 грн
19+ 135.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
STI4N62K3 STD4N62K3.pdf
STI4N62K3
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 620V; 2A; 70W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 2A
Power dissipation: 70W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2000mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 210 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+48.21 грн
9+ 28.46 грн
11+ 24.25 грн
50+ 22.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
STP24N60M2 STx24N60M2-DTE.pdf
STP24N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+230.53 грн
3+ 199.47 грн
7+ 139.99 грн
19+ 132.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
WMF04N65C2 WMF04N65C2.pdf
WMF04N65C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 4.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+38.39 грн
8+ 33.47 грн
10+ 27.1 грн
25+ 23.85 грн
54+ 17.58 грн
149+ 16.6 грн
Мінімальне замовлення: 7
WMK14N60C2 WMx14N60C2.pdf
WMK14N60C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WML04N60C2
WML04N60C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 3A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 446 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.86 грн
8+ 35.16 грн
25+ 30.11 грн
39+ 24.74 грн
106+ 23.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
WMM14N60C2 WMx14N60C2.pdf
WMM14N60C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+78.89 грн
5+ 67.62 грн
20+ 47.21 грн
55+ 44.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMN14N60C2 WMx14N60C2.pdf
WMN14N60C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+70.56 грн
5+ 59.42 грн
20+ 47.37 грн
55+ 44.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMO14N60C2 WMx14N60C2.pdf
WMO14N60C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+55.53 грн
22+ 43.22 грн
60+ 40.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
WMP04N65C2
WMP04N65C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 598 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.6 грн
11+ 23.33 грн
25+ 20.27 грн
58+ 16.52 грн
158+ 15.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
WMP14N60C2 WMx14N60C2.pdf
WMP14N60C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 448 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+67.93 грн
5+ 59.25 грн
23+ 41.43 грн
25+ 41.35 грн
63+ 39.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMP14N65C2 WMx14N65C2.pdf
WMP14N65C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 11A; 85W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+69.42 грн
5+ 59.93 грн
23+ 42.32 грн
62+ 39.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
Транзистор польовий FDPF4N60NZ 3.8A 600V N-ch TO-220F
на замовлення 19 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+25.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
Транзистор польовий STD4N62K3 3.8A 620V N-ch DPAK
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+31.1 грн
Мінімальне замовлення: 5
Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]