Результат пошуку "4n6" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPU04N60C3 TO-251-3
Код товару: 161246
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
1+60.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW24N60C3 SPW24N60C3
Код товару: 37627
Додати до обраних Обраний товар

Infineon Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: PG-TO247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 24,3 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
Монтаж: THT
у наявності: 12 шт
1 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+285.00 грн
10+269.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSS4N60B SSS4N60B
Код товару: 27298
Додати до обраних Обраний товар

FS ssp4n60b.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Uds,V: 600 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 41 шт
9 шт - склад
23 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+22.00 грн
10+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
4N60 to-220/f AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
4N60 AAT TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
420 V; d14мм; (HEL-14N681K); Классиф. напряж.: 680V; Напряж.срабатывания: 420VAC; ±10%; 0,6 Вт (шт)
на замовлення 108 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
34+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
AOD4N60 ALPHA&OMEGA TO252.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+48.37 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AOT4N60 AOT4N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT4N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.7A; 104W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 104W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 963 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+107.64 грн
10+59.36 грн
100+50.17 грн
250+45.71 грн
500+43.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOT4N60 ALPHA&OMEGA AOT4N60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF4N60 ALPHA&OMEGA TO220F.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+30.60 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BXP4N60D BXP4N60D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+38.67 грн
11+29.83 грн
25+25.62 грн
100+21.54 грн
250+19.41 грн
500+17.08 грн
1000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BXP4N65D BXP4N65D BRIDGELUX BXP4N65.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+28.22 грн
14+21.77 грн
25+18.73 грн
100+15.72 грн
250+14.17 грн
500+12.52 грн
1000+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BXP4N65F BXP4N65F BRIDGELUX BXP4N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+30.31 грн
14+22.88 грн
30+19.70 грн
120+16.59 грн
240+14.85 грн
480+13.20 грн
960+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BXP4N65U BXP4N65U BRIDGELUX BXP4N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+26.13 грн
15+20.36 грн
25+17.47 грн
75+14.75 грн
225+13.20 грн
525+11.64 грн
975+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
D DL4N-680 PASSIVE TECH SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 560 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
D DL4N-680 PASSIVE TECH SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1283 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
D DL4N-680 PASSIVE TECH SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 510 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
D DL4N-680 PASSIVE TECH SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
D DL4N-680 PASSIVE TECH SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
D DL4N-680 PASSIVE TECH SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
D DL4N-680 PASSIVE TECH SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 730 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
D DL4N-680 PASSIVE TECH SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 510 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM ONSEMI fcd4n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+168.25 грн
10+109.84 грн
100+72.78 грн
250+70.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F FCH104N60F ONSEMI fch104n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+464.01 грн
3+420.23 грн
30+398.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60 ONSEMI FQA24N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+566.42 грн
5+471.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 ON-Semicoductor fqa24n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+237.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGU04N60TAKMA1 IGU04N60TAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGU04N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+89.88 грн
10+72.56 грн
75+64.63 грн
300+57.64 грн
900+50.66 грн
1800+48.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60R Infineon IK%28D%2CU%2904N60R.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;   IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+42.05 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD04N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+120.18 грн
10+73.77 грн
100+46.87 грн
500+36.97 грн
1000+36.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60X IXFA24N60X IXYS IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+477.59 грн
3+414.18 грн
10+352.26 грн
50+316.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A IXYS IXFH34N60X2A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+580.01 грн
3+528.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 IXYS IXF_34N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+580.01 грн
10+463.56 грн
30+417.28 грн
120+397.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS IXF_64N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1260.34 грн
5+1060.14 грн
10+928.68 грн
25+873.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3 IXFK64N60Q3 IXYS IXFK(X)64N60Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1195.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2 IXFP34N65X2 IXYS IXF_34N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 257 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+555.97 грн
10+393.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N65X2 IXTA4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+173.48 грн
10+141.08 грн
50+111.60 грн
100+100.92 грн
250+86.37 грн
500+75.69 грн
1000+73.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2 IXTP14N60X2 IXYS ixty2n65x2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+483.86 грн
10+338.60 грн
50+246.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2 IXTP24N65X2 IXYS IXT_24N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+593.59 грн
50+313.41 грн
100+285.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M IXYS IXTP24N65X2M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+372.04 грн
10+240.85 грн
50+223.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+223.64 грн
10+122.94 грн
50+109.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ34N65X2M IXTQ34N65X2M IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtq34n65x2m_datasheet.pdf?assetguid=9e2804bf-85d4-45e2-ba6f-de4ee48d3cec Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+782.75 грн
3+678.21 грн
10+577.40 грн
30+522.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+226.78 грн
10+137.05 грн
25+123.24 грн
70+113.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP24N60C3 Infineon description Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 340mOhm; 24,3A; 240W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP24N60C3XKSA1; SPP24N60C3 TSPP24n60c3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+187.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60DM2 STB24N60DM2 STMicroelectronics STB24N60DM2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperMesh™
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 979 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+291.57 грн
10+186.43 грн
50+150.41 грн
100+145.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N60M2 STF24N60M2 STMicroelectronics STx24N60M2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ || Plus
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+152.58 грн
10+130.00 грн
50+112.57 грн
100+107.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N60M2 ST en.DM00071944.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP STF24N60M2 TSTF24n60m2
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+98.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N65M2 STF24N65M2 STMicroelectronics en.DM00121015.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 64A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+188.11 грн
10+158.21 грн
25+144.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STI4N62K3 STI4N62K3 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E95A3DC85EE745&compId=STD4N62K3.pdf?ci_sign=6dfa425ea571eea9705ad043b988cf974ef7f395 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 620V; 2A; 70W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH3™
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 2A
Power dissipation: 70W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+42.85 грн
12+25.50 грн
14+21.74 грн
50+19.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N60M2 STP24N60M2 STMicroelectronics STx24N60M2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ || Plus
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+253.95 грн
3+217.67 грн
10+164.97 грн
50+151.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW24N60M2 STW24N60M2 STMicroelectronics STx24N60M2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 168mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ || Plus
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+226.78 грн
5+172.32 грн
10+135.86 грн
30+131.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMF04N65C2 WMF04N65C2 WAYON WMF04N65C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 4.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+34.49 грн
11+29.93 грн
12+24.26 грн
25+21.25 грн
100+19.70 грн
250+19.02 грн
500+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
WMK14N60C2 WMK14N60C2 WAYON WMx14N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 425 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+119.92 грн
10+92.19 грн
50+68.90 грн
100+62.11 грн
250+57.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMK4N65D1B WMK4N65D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 112W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 112W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+23.30 грн
18+16.93 грн
50+14.46 грн
250+12.91 грн
500+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
WML04N60PC4 WML04N60PC4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 1.6A; Idm: 7A; 18W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 7A
Power dissipation: 18W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 973 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.88 грн
9+37.49 грн
25+21.54 грн
100+18.53 грн
500+15.43 грн
1000+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WML14N60C4 WML14N60C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 6A; Idm: 26A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 249 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+111.82 грн
4+96.74 грн
10+77.63 грн
25+69.87 грн
100+65.02 грн
250+62.11 грн
500+57.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WML14N65C4 WML14N65C4 WAYON WMx14N65C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 26A
Gate charge: 13nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 494 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.65 грн
5+73.56 грн
25+62.11 грн
100+55.31 грн
500+54.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WMM14N60C2 WMM14N60C2 WAYON WMx14N60C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+52.25 грн
7+44.94 грн
25+38.23 грн
100+34.26 грн
800+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WMO14N60C2 WMO14N60C2 WAYON WMx14N60C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.35 грн
11+30.03 грн
25+28.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
WMP04N65C2 WMP04N65C2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 358 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+63.75 грн
14+22.98 грн
25+19.80 грн
80+17.66 грн
480+16.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMP14N60C2 WMP14N60C2 WAYON WMx14N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+52.20 грн
25+44.35 грн
72+44.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SPU04N60C3 TO-251-3
Код товару: 161246
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
Кількість Ціна
1+60.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW24N60C3
Код товару: 37627
Додати до обраних Обраний товар

SPW24N60C3
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: PG-TO247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 24,3 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
Монтаж: THT
у наявності: 12 шт
1 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+285.00 грн
10+269.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSS4N60B
Код товару: 27298
Додати до обраних Обраний товар

ssp4n60b.pdf
SSS4N60B
Виробник: FS
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Uds,V: 600 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 41 шт
9 шт - склад
23 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+22.00 грн
10+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
4N60
Виробник: to-220/f
AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
4N60 AAT
TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
420 V; d14мм; (HEL-14N681K); Классиф. напряж.: 680V; Напряж.срабатывания: 420VAC; ±10%; 0,6 Вт (шт)
на замовлення 108 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
34+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
AOD4N60 TO252.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+48.37 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AOT4N60 AOT4N60.pdf
AOT4N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.7A; 104W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 104W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 963 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.64 грн
10+59.36 грн
100+50.17 грн
250+45.71 грн
500+43.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOT4N60 AOT4N60.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF4N60 TO220F.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+30.60 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BXP4N60D
BXP4N60D
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.67 грн
11+29.83 грн
25+25.62 грн
100+21.54 грн
250+19.41 грн
500+17.08 грн
1000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BXP4N65D BXP4N65.pdf
BXP4N65D
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.22 грн
14+21.77 грн
25+18.73 грн
100+15.72 грн
250+14.17 грн
500+12.52 грн
1000+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BXP4N65F BXP4N65.pdf
BXP4N65F
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.31 грн
14+22.88 грн
30+19.70 грн
120+16.59 грн
240+14.85 грн
480+13.20 грн
960+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BXP4N65U BXP4N65.pdf
BXP4N65U
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.13 грн
15+20.36 грн
25+17.47 грн
75+14.75 грн
225+13.20 грн
525+11.64 грн
975+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
D DL4N-680
Виробник: PASSIVE TECH
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 560 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
D DL4N-680
Виробник: PASSIVE TECH
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1283 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
D DL4N-680
Виробник: PASSIVE TECH
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 510 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
D DL4N-680
Виробник: PASSIVE TECH
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
D DL4N-680
Виробник: PASSIVE TECH
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
D DL4N-680
Виробник: PASSIVE TECH
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
D DL4N-680
Виробник: PASSIVE TECH
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 730 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
D DL4N-680
Виробник: PASSIVE TECH
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 510 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.25 грн
10+109.84 грн
100+72.78 грн
250+70.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F fch104n60f-d.pdf
FCH104N60F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+464.01 грн
3+420.23 грн
30+398.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60.pdf
FQA24N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+566.42 грн
5+471.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 fqa24n60-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+237.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGU04N60TAKMA1 IGU04N60T.pdf
IGU04N60TAKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.88 грн
10+72.56 грн
75+64.63 грн
300+57.64 грн
900+50.66 грн
1800+48.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60R IK%28D%2CU%2904N60R.pdf
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;   IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+42.05 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 IKD04N60R.pdf
IKD04N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.18 грн
10+73.77 грн
100+46.87 грн
500+36.97 грн
1000+36.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60X IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf
IXFA24N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+477.59 грн
3+414.18 грн
10+352.26 грн
50+316.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A.pdf
IXFH34N60X2A
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+580.01 грн
3+528.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N65X2 IXF_34N65X2.pdf
IXFH34N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+580.01 грн
10+463.56 грн
30+417.28 грн
120+397.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXF_64N60P3.pdf
IXFK64N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1260.34 грн
5+1060.14 грн
10+928.68 грн
25+873.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3 IXFK(X)64N60Q3.pdf
IXFK64N60Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1195.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2 IXF_34N65X2.pdf
IXFP34N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 257 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+555.97 грн
10+393.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTA4N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.48 грн
10+141.08 грн
50+111.60 грн
100+100.92 грн
250+86.37 грн
500+75.69 грн
1000+73.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2 ixty2n65x2.pdf
IXTP14N60X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+483.86 грн
10+338.60 грн
50+246.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2 IXT_24N65X2.pdf
IXTP24N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+593.59 грн
50+313.41 грн
100+285.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M.pdf
IXTP24N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+372.04 грн
10+240.85 грн
50+223.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTP4N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.64 грн
10+122.94 грн
50+109.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ34N65X2M littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtq34n65x2m_datasheet.pdf?assetguid=9e2804bf-85d4-45e2-ba6f-de4ee48d3cec
IXTQ34N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+782.75 грн
3+678.21 грн
10+577.40 грн
30+522.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTY4N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.78 грн
10+137.05 грн
25+123.24 грн
70+113.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP24N60C3 description
Виробник: Infineon
Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 340mOhm; 24,3A; 240W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP24N60C3XKSA1; SPP24N60C3 TSPP24n60c3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+187.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60DM2 STB24N60DM2.pdf
STB24N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperMesh™
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 979 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+291.57 грн
10+186.43 грн
50+150.41 грн
100+145.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N60M2 STx24N60M2-DTE.pdf
STF24N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ || Plus
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.58 грн
10+130.00 грн
50+112.57 грн
100+107.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N60M2 en.DM00071944.pdf
Виробник: ST
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP STF24N60M2 TSTF24n60m2
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+98.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N65M2 en.DM00121015.pdf
STF24N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 64A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.11 грн
10+158.21 грн
25+144.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STI4N62K3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E95A3DC85EE745&compId=STD4N62K3.pdf?ci_sign=6dfa425ea571eea9705ad043b988cf974ef7f395
STI4N62K3
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 620V; 2A; 70W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH3™
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 2A
Power dissipation: 70W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.85 грн
12+25.50 грн
14+21.74 грн
50+19.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N60M2 STx24N60M2-DTE.pdf
STP24N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ || Plus
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.95 грн
3+217.67 грн
10+164.97 грн
50+151.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW24N60M2 STx24N60M2-DTE.pdf
STW24N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 168mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ || Plus
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.78 грн
5+172.32 грн
10+135.86 грн
30+131.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMF04N65C2 WMF04N65C2.pdf
WMF04N65C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 4.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.49 грн
11+29.93 грн
12+24.26 грн
25+21.25 грн
100+19.70 грн
250+19.02 грн
500+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
WMK14N60C2 WMx14N60C2.pdf
WMK14N60C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 425 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.92 грн
10+92.19 грн
50+68.90 грн
100+62.11 грн
250+57.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMK4N65D1B
WMK4N65D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 112W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 112W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.30 грн
18+16.93 грн
50+14.46 грн
250+12.91 грн
500+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
WML04N60PC4
WML04N60PC4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 1.6A; Idm: 7A; 18W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 7A
Power dissipation: 18W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 973 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.88 грн
9+37.49 грн
25+21.54 грн
100+18.53 грн
500+15.43 грн
1000+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WML14N60C4
WML14N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 6A; Idm: 26A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 249 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.82 грн
4+96.74 грн
10+77.63 грн
25+69.87 грн
100+65.02 грн
250+62.11 грн
500+57.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WML14N65C4 WMx14N65C4.pdf
WML14N65C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 26A
Gate charge: 13nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 494 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.65 грн
5+73.56 грн
25+62.11 грн
100+55.31 грн
500+54.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WMM14N60C2 WMx14N60C2.pdf
WMM14N60C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.25 грн
7+44.94 грн
25+38.23 грн
100+34.26 грн
800+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WMO14N60C2 WMx14N60C2.pdf
WMO14N60C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.35 грн
11+30.03 грн
25+28.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
WMP04N65C2
WMP04N65C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 358 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.75 грн
14+22.98 грн
25+19.80 грн
80+17.66 грн
480+16.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMP14N60C2 WMx14N60C2.pdf
WMP14N60C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.20 грн
25+44.35 грн
72+44.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]