Результат пошуку "4n6" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPU04N60C3 TO-251-3
Код товару: 161246
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
1+60.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW24N60C3 SPW24N60C3
Код товару: 37627
Додати до обраних Обраний товар

Infineon Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: PG-TO247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 24,3 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
Монтаж: THT
у наявності: 19 шт
10 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+285.00 грн
10+269.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSS4N60B SSS4N60B
Код товару: 27298
Додати до обраних Обраний товар

FS ssp4n60b.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Uds,V: 600 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 79 шт
17 шт - склад
28 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Одеса
24 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+22.00 грн
10+18.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
4N60 to-220/f AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
4N60 AAT TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
420 V; d14мм; (HEL-14N681K); Классиф. напряж.: 680V; Напряж.срабатывания: 420VAC; ±10%; 0,6 Вт (шт)
на замовлення 110 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
80+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
AOD4N60 ALPHA&OMEGA TO252.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+47.22 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AOT4N60 ALPHA&OMEGA AOT4N60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF4N60 AOTF4N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR TO220F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF4N60 ALPHA&OMEGA TO220F.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+29.88 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BXP4N65D BXP4N65D BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4459 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.59 грн
13+22.73 грн
25+19.52 грн
99+11.27 грн
271+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BXP4N65F BXP4N65F BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1743 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+30.61 грн
13+23.81 грн
30+20.47 грн
81+13.83 грн
222+13.08 грн
960+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BXP4N65U BXP4N65U BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+27.55 грн
14+21.15 грн
25+18.19 грн
75+15.25 грн
106+10.61 грн
290+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
D DL4N-680 PASSIVE TECH SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 560 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
D DL4N-680 PASSIVE TECH SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
D DL4N-680 PASSIVE TECH SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
D DL4N-680 PASSIVE TECH SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1283 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
D DL4N-680 PASSIVE TECH SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 510 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
D DL4N-680 PASSIVE TECH SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 510 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
D DL4N-680 PASSIVE TECH SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
D DL4N-680 PASSIVE TECH SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 730 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM ONSEMI fcd4n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+177.54 грн
10+116.10 грн
15+75.80 грн
41+71.06 грн
250+69.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F FCH104N60F ONSEMI fch104n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+488.75 грн
3+442.76 грн
8+405.52 грн
30+404.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Gate charge: 145nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+654.05 грн
3+506.71 грн
7+461.42 грн
10+457.63 грн
30+443.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 ON-Semicoductor fqa24n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+231.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGU04N60TAKMA1 IGU04N60TAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB911564631820&compId=IGU04N60T.pdf?ci_sign=79c5db7457acfb90f2cffa20ce08bfdc7e4fa5bb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 151 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+92.85 грн
10+74.78 грн
22+51.64 грн
60+48.89 грн
1800+46.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60R Infineon IK%28D%2CU%2904N60R.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;   IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+41.05 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE22916DB05820&compId=IKP04N60T.pdf?ci_sign=79887e35e97dee3f47a5ed0ea9755ace78373099 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+140.81 грн
10+112.17 грн
14+85.27 грн
37+80.54 грн
50+76.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60X IXFA24N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCC6B1B94E3820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)24N60X.pdf?ci_sign=fad810321484d2e57c7f5777ead2ee8525f48c2f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+503.03 грн
3+436.86 грн
4+334.46 грн
10+316.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N60X IXYS IXFH24N60X THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+634.66 грн
3+405.52 грн
8+382.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2850059F7229820&compId=IXFH34N60X2A.pdf?ci_sign=670b82a0339a408baa8b89dce5ae98931a570f1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+611.19 грн
3+530.33 грн
10+492.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB353D0CCAB8BF&compId=IXF_34N65X2.pdf?ci_sign=be7eb96a01584ff699e1ad5c4f717dbfd125b3d5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+566.30 грн
3+443.74 грн
8+403.62 грн
120+387.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB0ABA0A0DD8BF&compId=IXF_64N60P3.pdf?ci_sign=a8ce04ebb208e064f869f0d2ea995cec98534685 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1312.17 грн
2+974.07 грн
4+886.83 грн
25+852.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3 IXFK64N60Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D463260E2E9820&compId=IXFK(X)64N60Q3.pdf?ci_sign=2b8a7c779d19716f7657570711d367d2c1aaefc9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1158.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP14N60P IXFP14N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDEEAC7F2C1820&compId=IXFA(H%2CP)14N60P.pdf?ci_sign=5aa1a89e4b5aa53af0f76f9a77c0ac0d77456c56 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N65X2 IXTA4N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+169.38 грн
10+137.75 грн
15+79.59 грн
39+74.85 грн
500+73.90 грн
1000+72.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2 IXTP14N60X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+510.18 грн
5+274.51 грн
12+249.18 грн
100+240.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2 IXTP24N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC5FF44FC238BF&compId=IXT_24N65X2.pdf?ci_sign=ca1ded67daf9910d4f25da90b1a96f8fc87d8744 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+594.87 грн
4+316.82 грн
11+288.03 грн
100+277.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC6AF60B9418BF&compId=IXTP24N65X2M.pdf?ci_sign=acf4ac55932da38e66e322ad68acfc5d0d08dc97 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+395.90 грн
5+248.93 грн
13+226.45 грн
100+217.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 501 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+218.36 грн
10+120.04 грн
27+110.85 грн
50+107.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ34N65X2M IXTQ34N65X2M IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtq34n65x2m_datasheet.pdf?assetguid=9e2804bf-85d4-45e2-ba6f-de4ee48d3cec Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+824.45 грн
2+580.51 грн
6+528.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY14N60X2 IXTY14N60X2 IXYS IXTY14N60X2_DS_1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 16.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+239.78 грн
10+126.92 грн
26+115.59 грн
140+112.75 грн
280+110.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP24N60C3 Infineon description Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 340mOhm; 24,3A; 240W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP24N60C3XKSA1; SPP24N60C3 TSPP24n60c3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+183.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N60DM2 STF24N60DM2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E8EB9E7A306745&compId=STB24N60DM2.pdf?ci_sign=04c9e3041ef10b629721e6e10e2d2b0753e04395 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; unipolar; 600V; 11A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: FDmesh™ II Plus
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N60M2 STF24N60M2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7974C9B7A74DE28&compId=STx24N60M2-DTE.pdf?ci_sign=88eaf8686493f39241678339b864e8a98ed3b3e4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ || Plus
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N60M2 ST en.DM00071944.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP STF24N60M2 TSTF24n60m2
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+96.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N65M2 STF24N65M2 STMicroelectronics en.DM00121015.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 64A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+197.95 грн
8+160.38 грн
20+145.91 грн
25+143.07 грн
50+141.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STI4N62K3 STMicroelectronics en.CD00274723.pdf STI4N62K3 THT N channel transistors
на замовлення 202 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.32 грн
39+29.18 грн
50+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N60M2 STP24N60M2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7974C9B7A74DE28&compId=STx24N60M2-DTE.pdf?ci_sign=88eaf8686493f39241678339b864e8a98ed3b3e4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ || Plus
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий FDPF4N60NZ 3.8A 600V N-ch TO-220F
на замовлення 30 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
14+43.12 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий STD4N62K3 3.8A 620V N-ch DPAK
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
15+40.12 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
04N60C2 INFINEON 09+ TO263
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
04N60C3 INFINEON 09+ TO252-2.5
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
04N60S5 INFINEON 09+ TO-252
на замовлення 8130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
04N60S5 INFINEON TO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
24N60C3
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT94N60L2C3 APT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BF94N60 BYD
на замовлення 372 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BGA824N6E6327 Infineon technologies
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPU04N60C3 TO-251-3
Код товару: 161246
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
Кількість Ціна
1+60.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW24N60C3
Код товару: 37627
Додати до обраних Обраний товар

SPW24N60C3
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: PG-TO247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 24,3 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
Монтаж: THT
у наявності: 19 шт
10 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+285.00 грн
10+269.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSS4N60B
Код товару: 27298
Додати до обраних Обраний товар

ssp4n60b.pdf
SSS4N60B
Виробник: FS
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Uds,V: 600 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 79 шт
17 шт - склад
28 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Одеса
24 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+22.00 грн
10+18.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
4N60
Виробник: to-220/f
AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
4N60 AAT
TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
420 V; d14мм; (HEL-14N681K); Классиф. напряж.: 680V; Напряж.срабатывания: 420VAC; ±10%; 0,6 Вт (шт)
на замовлення 110 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
80+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
AOD4N60 TO252.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+47.22 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AOT4N60 AOT4N60.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF4N60 TO220F.pdf
AOTF4N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF4N60 TO220F.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+29.88 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BXP4N65D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2
BXP4N65D
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4459 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.59 грн
13+22.73 грн
25+19.52 грн
99+11.27 грн
271+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BXP4N65F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2
BXP4N65F
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1743 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+30.61 грн
13+23.81 грн
30+20.47 грн
81+13.83 грн
222+13.08 грн
960+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BXP4N65U pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2
BXP4N65U
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.55 грн
14+21.15 грн
25+18.19 грн
75+15.25 грн
106+10.61 грн
290+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
D DL4N-680
Виробник: PASSIVE TECH
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 560 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
D DL4N-680
Виробник: PASSIVE TECH
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
D DL4N-680
Виробник: PASSIVE TECH
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
D DL4N-680
Виробник: PASSIVE TECH
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1283 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
D DL4N-680
Виробник: PASSIVE TECH
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 510 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
D DL4N-680
Виробник: PASSIVE TECH
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 510 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
D DL4N-680
Виробник: PASSIVE TECH
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
D DL4N-680
Виробник: PASSIVE TECH
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 730 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.54 грн
10+116.10 грн
15+75.80 грн
41+71.06 грн
250+69.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F fch104n60f-d.pdf
FCH104N60F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+488.75 грн
3+442.76 грн
8+405.52 грн
30+404.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac
FQA24N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Gate charge: 145nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+654.05 грн
3+506.71 грн
7+461.42 грн
10+457.63 грн
30+443.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 fqa24n60-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+231.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGU04N60TAKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB911564631820&compId=IGU04N60T.pdf?ci_sign=79c5db7457acfb90f2cffa20ce08bfdc7e4fa5bb
IGU04N60TAKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 151 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.85 грн
10+74.78 грн
22+51.64 грн
60+48.89 грн
1800+46.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60R IK%28D%2CU%2904N60R.pdf
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;   IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+41.05 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IKP04N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE22916DB05820&compId=IKP04N60T.pdf?ci_sign=79887e35e97dee3f47a5ed0ea9755ace78373099
IKP04N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.81 грн
10+112.17 грн
14+85.27 грн
37+80.54 грн
50+76.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCC6B1B94E3820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)24N60X.pdf?ci_sign=fad810321484d2e57c7f5777ead2ee8525f48c2f
IXFA24N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+503.03 грн
3+436.86 грн
4+334.46 грн
10+316.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N60X
Виробник: IXYS
IXFH24N60X THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+634.66 грн
3+405.52 грн
8+382.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2850059F7229820&compId=IXFH34N60X2A.pdf?ci_sign=670b82a0339a408baa8b89dce5ae98931a570f1b
IXFH34N60X2A
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+611.19 грн
3+530.33 грн
10+492.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB353D0CCAB8BF&compId=IXF_34N65X2.pdf?ci_sign=be7eb96a01584ff699e1ad5c4f717dbfd125b3d5
IXFH34N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+566.30 грн
3+443.74 грн
8+403.62 грн
120+387.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB0ABA0A0DD8BF&compId=IXF_64N60P3.pdf?ci_sign=a8ce04ebb208e064f869f0d2ea995cec98534685
IXFK64N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1312.17 грн
2+974.07 грн
4+886.83 грн
25+852.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D463260E2E9820&compId=IXFK(X)64N60Q3.pdf?ci_sign=2b8a7c779d19716f7657570711d367d2c1aaefc9
IXFK64N60Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1158.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP14N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDEEAC7F2C1820&compId=IXFA(H%2CP)14N60P.pdf?ci_sign=5aa1a89e4b5aa53af0f76f9a77c0ac0d77456c56
IXFP14N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f
IXTA4N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.38 грн
10+137.75 грн
15+79.59 грн
39+74.85 грн
500+73.90 грн
1000+72.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
IXTP14N60X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+510.18 грн
5+274.51 грн
12+249.18 грн
100+240.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC5FF44FC238BF&compId=IXT_24N65X2.pdf?ci_sign=ca1ded67daf9910d4f25da90b1a96f8fc87d8744
IXTP24N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+594.87 грн
4+316.82 грн
11+288.03 грн
100+277.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC6AF60B9418BF&compId=IXTP24N65X2M.pdf?ci_sign=acf4ac55932da38e66e322ad68acfc5d0d08dc97
IXTP24N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+395.90 грн
5+248.93 грн
13+226.45 грн
100+217.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f
IXTP4N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 501 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.36 грн
10+120.04 грн
27+110.85 грн
50+107.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ34N65X2M littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtq34n65x2m_datasheet.pdf?assetguid=9e2804bf-85d4-45e2-ba6f-de4ee48d3cec
IXTQ34N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+824.45 грн
2+580.51 грн
6+528.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY14N60X2 IXTY14N60X2_DS_1.pdf
IXTY14N60X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 16.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY4N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f
IXTY4N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+239.78 грн
10+126.92 грн
26+115.59 грн
140+112.75 грн
280+110.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP24N60C3 description
Виробник: Infineon
Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 340mOhm; 24,3A; 240W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP24N60C3XKSA1; SPP24N60C3 TSPP24n60c3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+183.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N60DM2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E8EB9E7A306745&compId=STB24N60DM2.pdf?ci_sign=04c9e3041ef10b629721e6e10e2d2b0753e04395
STF24N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; unipolar; 600V; 11A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: FDmesh™ II Plus
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N60M2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7974C9B7A74DE28&compId=STx24N60M2-DTE.pdf?ci_sign=88eaf8686493f39241678339b864e8a98ed3b3e4
STF24N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ || Plus
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N60M2 en.DM00071944.pdf
Виробник: ST
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP STF24N60M2 TSTF24n60m2
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+96.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N65M2 en.DM00121015.pdf
STF24N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 64A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.95 грн
8+160.38 грн
20+145.91 грн
25+143.07 грн
50+141.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STI4N62K3 en.CD00274723.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STI4N62K3 THT N channel transistors
на замовлення 202 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.32 грн
39+29.18 грн
50+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N60M2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7974C9B7A74DE28&compId=STx24N60M2-DTE.pdf?ci_sign=88eaf8686493f39241678339b864e8a98ed3b3e4
STP24N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ || Plus
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий FDPF4N60NZ 3.8A 600V N-ch TO-220F
на замовлення 30 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
14+43.12 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий STD4N62K3 3.8A 620V N-ch DPAK
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
15+40.12 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
04N60C2
Виробник: INFINEON
09+ TO263
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
04N60C3
Виробник: INFINEON
09+ TO252-2.5
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
04N60S5
Виробник: INFINEON
09+ TO-252
на замовлення 8130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
04N60S5
Виробник: INFINEON
TO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
24N60C3
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT94N60L2C3
Виробник: APT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BF94N60
Виробник: BYD
на замовлення 372 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BGA824N6E6327
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]