Результат пошуку "4n6" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SPU04N60C3 TO-251-3
Код товару: 161246 		Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
1+60 грн
SPW24N60C3 SPW24N60C3
Код товару: 37627 		Infineon Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: PG-TO247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 24,3 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
Монтаж: THT
у наявності: 34 шт
1+285 грн
10+ 269 грн
SSS4N60B SSS4N60B
Код товару: 27298 		FS ssp4n60b.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 104 шт
2+35 грн
10+ 31.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
4N60 to-220/f AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N60 AAT TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
385 V; d14мм; (JVR-14N621K); Классиф. напряж.: 620V; Напряж.срабатывания: 385VAC; ±10%; 0,6 Вт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+232.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
420 V; d14мм; (HEL-14N681K); Классиф. напряж.: 680V; Напряж.срабатывания: 420VAC; ±10%; 0,6 Вт
на замовлення 138 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
80+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 80
AOD4N60 ALPHA&OMEGA AOD403_2.jpg Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+43.8 грн
Мінімальне замовлення: 20
AOT4N60 ALPHA&OMEGA AOT4N60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.45 грн
Мінімальне замовлення: 50
AOTF4N60 AOTF4N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR TO220F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 216 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+71.99 грн
8+ 35.81 грн
25+ 30.61 грн
39+ 26.56 грн
107+ 25.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOTF4N60 ALPHA&OMEGA TO220F.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+27.71 грн
Мінімальне замовлення: 25
BXP4N60D BXP4N60D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 783 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+37.89 грн
10+ 29.14 грн
25+ 25.07 грн
59+ 17.68 грн
160+ 16.71 грн
1000+ 16.1 грн
Мінімальне замовлення: 8
BXP4N65D BXP4N65D BRIDGELUX BXP4N65.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+29.37 грн
12+ 22.93 грн
25+ 19.7 грн
86+ 11.96 грн
236+ 11.35 грн
2500+ 11 грн
Мінімальне замовлення: 10
D DL4N-680 BOCHEN SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 510 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 200
D DL4N-680 BOCHEN SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 560 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 200
D DL4N-680 BOCHEN SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1283 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 200
D DL4N-680 BOCHEN SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 730 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 200
D DL4N-680 BOCHEN SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 200
D DL4N-680 BOCHEN SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 510 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 200
D DL4N-680 BOCHEN SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 200
D DL4N-680 BOCHEN SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 200
FQA24N60 FQA24N60 ONSEMI FQA24N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQA24N60 ON-Semicoductor fqa24n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+236.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
IGU04N60TAKMA1 IGU04N60TAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGU04N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 935 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+86.2 грн
10+ 69.42 грн
22+ 47.94 грн
59+ 45.39 грн
1800+ 43.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKD04N60R Infineon IK%28D%2CU%2904N60R.pdf 8A; 600V; 75W; IGBT w/ Diode   IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+41.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP04N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 27nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+119.36 грн
10+ 93.17 грн
14+ 78.29 грн
37+ 73.89 грн
50+ 71.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXFA24N60X IXFA24N60X IXYS IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+467.01 грн
3+ 405.57 грн
4+ 309.63 грн
10+ 292.91 грн
IXFH24N60X IXFH24N60X IXYS IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+559.84 грн
3+ 389.13 грн
8+ 353.61 грн
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A IXYS IXFH34N60X2A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Application: automotive industry
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+567.42 грн
3+ 492.35 грн
6+ 471.48 грн
10+ 453 грн
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 IXYS IXF_34N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+624.26 грн
3+ 443.02 грн
7+ 402.87 грн
510+ 387.91 грн
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS IXF_64N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1205.89 грн
2+ 940.85 грн
4+ 855.87 грн
500+ 823.32 грн
IXFK64N60Q3 IXFK64N60Q3 IXYS IXFK(X)64N60Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2508.4 грн
2+ 2287.28 грн
25+ 2163.86 грн
IXFN64N60P IXFN64N60P IXYS IXFN64N60P.pdf description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 700W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 96mΩ
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2544.4 грн
2+ 2319.25 грн
IXFP14N60P IXFP14N60P IXYS IXFA(H,P)14N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+334.39 грн
5+ 228.36 грн
13+ 208.47 грн
250+ 207.59 грн
1000+ 200.55 грн
IXTA4N65X2 IXTA4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+223.56 грн
9+ 124.23 грн
24+ 113.47 грн
1000+ 109.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP14N60X2 IXTP14N60X2 IXYS IXTP14N60X2_DS_1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 180W
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 18A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+368.49 грн
3+ 320.62 грн
5+ 244.53 грн
12+ 231.34 грн
IXTP24N65X2 IXTP24N65X2 IXYS IXT_24N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+406.38 грн
3+ 352.59 грн
4+ 281.48 грн
10+ 280.6 грн
11+ 265.65 грн
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M IXYS IXTP24N65X2M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 173 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+290.82 грн
5+ 229.28 грн
13+ 209.35 грн
50+ 204.07 грн
100+ 201.43 грн
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 525 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+151.57 грн
9+ 122.4 грн
25+ 110.83 грн
50+ 109.07 грн
100+ 106.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTQ34N65X2M IXTQ34N65X2M IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=9e2804bf-85d4-45e2-ba6f-de4ee48d3cec&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtq34n65x2m_datasheet.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+765.4 грн
2+ 535.28 грн
6+ 487.31 грн
IXTY14N60X2 IXTY14N60X2 IXYS IXTY14N60X2_DS_1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+305.02 грн
5+ 235.67 грн
13+ 213.75 грн
70+ 205.83 грн
IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+145.88 грн
5+ 125.14 грн
10+ 112.59 грн
20+ 109.07 грн
26+ 106.43 грн
70+ 102.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP24N60C3 Infineon description Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 340mOhm; 24,3A; 240W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP24N60C3XKSA1; SPP24N60C3 TSPP24n60c3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+186.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF24N60DM2 STF24N60DM2 STMicroelectronics STB24N60DM2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; unipolar; 600V; 11A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+226.4 грн
3+ 197.31 грн
8+ 145.14 грн
20+ 137.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF24N60M2 STF24N60M2 STMicroelectronics STx24N60M2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+228.3 грн
3+ 199.13 грн
7+ 148.66 грн
19+ 139.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF24N65M2 STF24N65M2 STMicroelectronics en.DM00121015.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+233.98 грн
8+ 147.98 грн
20+ 134.58 грн
500+ 131.06 грн
1000+ 130.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
STI4N62K3 STI4N62K3 STMicroelectronics STD4N62K3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 620V; 2A; 70W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 2A
Power dissipation: 70W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2000mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+52.1 грн
9+ 30.76 грн
11+ 26.21 грн
50+ 24.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
STP24N60M2 STP24N60M2 STMicroelectronics STx24N60M2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+236.82 грн
3+ 204.61 грн
7+ 150.41 грн
19+ 142.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
WMF04N65C2 WMF04N65C2 WAYON WMF04N65C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 4.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+34.44 грн
10+ 27.88 грн
25+ 24.45 грн
55+ 18.91 грн
150+ 17.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
WMK14N60C2 WMK14N60C2 WAYON WMx14N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 496 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+156.3 грн
3+ 126.06 грн
10+ 96.76 грн
20+ 51.9 грн
55+ 49.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
WML04N60C2 WML04N60C2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 3A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 494 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.31 грн
8+ 35.99 грн
25+ 30.79 грн
39+ 26.65 грн
106+ 25.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
WML14N60C4 WML14N60C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 6A; Idm: 26A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+102.31 грн
10+ 82.33 грн
19+ 56.74 грн
50+ 53.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
WMM14N60C2 WMM14N60C2 WAYON WMx14N60C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.52 грн
5+ 69.42 грн
21+ 51.02 грн
56+ 48.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMN14N60C2 WMN14N60C2 WAYON WMx14N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+71.99 грн
5+ 60.65 грн
21+ 51.11 грн
56+ 48.38 грн
500+ 46.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMO14N60C2 WMO14N60C2 WAYON WMx14N60C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+56.82 грн
22+ 46.71 грн
61+ 44.16 грн
2500+ 42.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
WMP04N65C2 WMP04N65C2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 598 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.31 грн
12+ 23.93 грн
25+ 20.76 грн
58+ 17.77 грн
159+ 16.8 грн
Мінімальне замовлення: 5
WMP14N60C2 WMP14N60C2 WAYON WMx14N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 441 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+60.65 грн
23+ 45.12 грн
63+ 42.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
WMP14N65C2 WMP14N65C2 WAYON WMx14N65C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 11A; 85W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+71.05 грн
5+ 61.57 грн
23+ 45.74 грн
62+ 43.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
Транзистор польовий FDPF4N60NZ 3.8A 600V N-ch TO-220F
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
7+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
Транзистор польовий STD4N62K3 3.8A 620V N-ch DPAK
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5+33.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
SPU04N60C3 TO-251-3
Код товару: 161246
Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+60 грн
SPW24N60C3
Код товару: 37627
SPW24N60C3
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: PG-TO247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 24,3 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
Монтаж: THT
у наявності: 34 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+285 грн
10+ 269 грн
SSS4N60B
Код товару: 27298		 ssp4n60b.pdf
SSS4N60B
Виробник: FS
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 104 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+35 грн
10+ 31.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
4N60
Виробник: to-220/f
AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N60 AAT
TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
385 V; d14мм; (JVR-14N621K); Классиф. напряж.: 620V; Напряж.срабатывания: 385VAC; ±10%; 0,6 Вт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+232.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
420 V; d14мм; (HEL-14N681K); Классиф. напряж.: 680V; Напряж.срабатывания: 420VAC; ±10%; 0,6 Вт
на замовлення 138 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
80+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 80
AOD4N60 AOD403_2.jpg
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+43.8 грн
Мінімальне замовлення: 20
AOT4N60 AOT4N60.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+21.45 грн
Мінімальне замовлення: 50
AOTF4N60 TO220F.pdf
AOTF4N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 216 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+71.99 грн
8+ 35.81 грн
25+ 30.61 грн
39+ 26.56 грн
107+ 25.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOTF4N60 TO220F.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+27.71 грн
Мінімальне замовлення: 25
BXP4N60D
BXP4N60D
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 783 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.89 грн
10+ 29.14 грн
25+ 25.07 грн
59+ 17.68 грн
160+ 16.71 грн
1000+ 16.1 грн
Мінімальне замовлення: 8
BXP4N65D BXP4N65.pdf
BXP4N65D
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.37 грн
12+ 22.93 грн
25+ 19.7 грн
86+ 11.96 грн
236+ 11.35 грн
2500+ 11 грн
Мінімальне замовлення: 10
D DL4N-680
Виробник: BOCHEN
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 510 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 200
D DL4N-680
Виробник: BOCHEN
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 560 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 200
D DL4N-680
Виробник: BOCHEN
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1283 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 200
D DL4N-680
Виробник: BOCHEN
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 730 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 200
D DL4N-680
Виробник: BOCHEN
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 200
D DL4N-680
Виробник: BOCHEN
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 510 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 200
D DL4N-680
Виробник: BOCHEN
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 200
D DL4N-680
Виробник: BOCHEN
SMD power inductor; inductance: 680uH; 20%; current: 130mA; resistance: 11.7R; dimensions: 4.5x3.2x2.6mm SMD Power Inductor; 680uH  D DL4N-680
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 200
FQA24N60 FQA24N60.pdf
FQA24N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQA24N60 fqa24n60-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+236.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
IGU04N60TAKMA1 IGU04N60T.pdf
IGU04N60TAKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 935 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+86.2 грн
10+ 69.42 грн
22+ 47.94 грн
59+ 45.39 грн
1800+ 43.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKD04N60R IK%28D%2CU%2904N60R.pdf
Виробник: Infineon
8A; 600V; 75W; IGBT w/ Diode   IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+41.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60T.pdf
IKP04N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 27nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.36 грн
10+ 93.17 грн
14+ 78.29 грн
37+ 73.89 грн
50+ 71.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXFA24N60X IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf
IXFA24N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+467.01 грн
3+ 405.57 грн
4+ 309.63 грн
10+ 292.91 грн
IXFH24N60X IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf
IXFH24N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+559.84 грн
3+ 389.13 грн
8+ 353.61 грн
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A.pdf
IXFH34N60X2A
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Application: automotive industry
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+567.42 грн
3+ 492.35 грн
6+ 471.48 грн
10+ 453 грн
IXFH34N65X2 IXF_34N65X2.pdf
IXFH34N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+624.26 грн
3+ 443.02 грн
7+ 402.87 грн
510+ 387.91 грн
IXFK64N60P3 IXF_64N60P3.pdf
IXFK64N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1205.89 грн
2+ 940.85 грн
4+ 855.87 грн
500+ 823.32 грн
IXFK64N60Q3 IXFK(X)64N60Q3.pdf
IXFK64N60Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2508.4 грн
2+ 2287.28 грн
25+ 2163.86 грн
IXFN64N60P description IXFN64N60P.pdf
IXFN64N60P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 700W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 96mΩ
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2544.4 грн
2+ 2319.25 грн
IXFP14N60P IXFA(H,P)14N60P.pdf
IXFP14N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+334.39 грн
5+ 228.36 грн
13+ 208.47 грн
250+ 207.59 грн
1000+ 200.55 грн
IXTA4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTA4N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+223.56 грн
9+ 124.23 грн
24+ 113.47 грн
1000+ 109.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP14N60X2 IXTP14N60X2_DS_1.pdf
IXTP14N60X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 180W
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 18A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+368.49 грн
3+ 320.62 грн
5+ 244.53 грн
12+ 231.34 грн
IXTP24N65X2 IXT_24N65X2.pdf
IXTP24N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+406.38 грн
3+ 352.59 грн
4+ 281.48 грн
10+ 280.6 грн
11+ 265.65 грн
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M.pdf
IXTP24N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 173 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+290.82 грн
5+ 229.28 грн
13+ 209.35 грн
50+ 204.07 грн
100+ 201.43 грн
IXTP4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTP4N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 525 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+151.57 грн
9+ 122.4 грн
25+ 110.83 грн
50+ 109.07 грн
100+ 106.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTQ34N65X2M media?resourcetype=datasheets&itemid=9e2804bf-85d4-45e2-ba6f-de4ee48d3cec&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtq34n65x2m_datasheet.pdf
IXTQ34N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+765.4 грн
2+ 535.28 грн
6+ 487.31 грн
IXTY14N60X2 IXTY14N60X2_DS_1.pdf
IXTY14N60X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+305.02 грн
5+ 235.67 грн
13+ 213.75 грн
70+ 205.83 грн
IXTY4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTY4N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+145.88 грн
5+ 125.14 грн
10+ 112.59 грн
20+ 109.07 грн
26+ 106.43 грн
70+ 102.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP24N60C3 description
Виробник: Infineon
Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 340mOhm; 24,3A; 240W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP24N60C3XKSA1; SPP24N60C3 TSPP24n60c3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+186.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF24N60DM2 STB24N60DM2.pdf
STF24N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; unipolar; 600V; 11A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+226.4 грн
3+ 197.31 грн
8+ 145.14 грн
20+ 137.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF24N60M2 STx24N60M2-DTE.pdf
STF24N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+228.3 грн
3+ 199.13 грн
7+ 148.66 грн
19+ 139.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF24N65M2 en.DM00121015.pdf
STF24N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+233.98 грн
8+ 147.98 грн
20+ 134.58 грн
500+ 131.06 грн
1000+ 130.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
STI4N62K3 STD4N62K3.pdf
STI4N62K3
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 620V; 2A; 70W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 2A
Power dissipation: 70W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2000mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.1 грн
9+ 30.76 грн
11+ 26.21 грн
50+ 24.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
STP24N60M2 STx24N60M2-DTE.pdf
STP24N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+236.82 грн
3+ 204.61 грн
7+ 150.41 грн
19+ 142.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
WMF04N65C2 WMF04N65C2.pdf
WMF04N65C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 4.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+34.44 грн
10+ 27.88 грн
25+ 24.45 грн
55+ 18.91 грн
150+ 17.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
WMK14N60C2 WMx14N60C2.pdf
WMK14N60C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 496 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+156.3 грн
3+ 126.06 грн
10+ 96.76 грн
20+ 51.9 грн
55+ 49.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
WML04N60C2
WML04N60C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 3A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 494 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.31 грн
8+ 35.99 грн
25+ 30.79 грн
39+ 26.65 грн
106+ 25.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
WML14N60C4
WML14N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 6A; Idm: 26A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+102.31 грн
10+ 82.33 грн
19+ 56.74 грн
50+ 53.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
WMM14N60C2 WMx14N60C2.pdf
WMM14N60C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+80.52 грн
5+ 69.42 грн
21+ 51.02 грн
56+ 48.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMN14N60C2 WMx14N60C2.pdf
WMN14N60C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+71.99 грн
5+ 60.65 грн
21+ 51.11 грн
56+ 48.38 грн
500+ 46.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMO14N60C2 WMx14N60C2.pdf
WMO14N60C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+56.82 грн
22+ 46.71 грн
61+ 44.16 грн
2500+ 42.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
WMP04N65C2
WMP04N65C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 598 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.31 грн
12+ 23.93 грн
25+ 20.76 грн
58+ 17.77 грн
159+ 16.8 грн
Мінімальне замовлення: 5
WMP14N60C2 WMx14N60C2.pdf
WMP14N60C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 441 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+60.65 грн
23+ 45.12 грн
63+ 42.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
WMP14N65C2 WMx14N65C2.pdf
WMP14N65C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 11A; 85W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+71.05 грн
5+ 61.57 грн
23+ 45.74 грн
62+ 43.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
Транзистор польовий FDPF4N60NZ 3.8A 600V N-ch TO-220F
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
Транзистор польовий STD4N62K3 3.8A 620V N-ch DPAK
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+33.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]