Результат пошуку "60nf06" : 52

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STP60NF06 STP60NF06
Код товару: 2993
4 Додати до обраних Обраний товар
ST STP60NF06.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 60 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,014 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1800/49
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
у наявності: 160 шт
  • 80 шт - склад
  • 13 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 25 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+46.50 грн
10+41.60 грн
100+37.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06L STP60NF06L
Код товару: 105102
Додати до обраних Обраний товар
ST stp60nf06l.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 60 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,012 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2000/35
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
у наявності: 33 шт
  • 14 шт - склад
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+60.50 грн
10+54.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
60NF06 IR 09+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 STMicroelectronics STB60NF06LT4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+199.60 грн
10+105.67 грн
50+82.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 STMicroelectronics en.CD00002907.pdf MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 13146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 STMicroelectronics en.CD00002907.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+67.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 STMicroelectronics en.CD00002907.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.01 грн
10+126.65 грн
50+96.85 грн
100+81.88 грн
500+66.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06T4 STB60NF06T4 STMicroelectronics STB60NF06T4.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+164.38 грн
10+86.38 грн
25+80.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06T4 STB60NF06T4 STMicroelectronics en.CD00002319.pdf description Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.38 грн
10+101.97 грн
50+77.37 грн
100+65.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06T4 STB60NF06T4 STMicroelectronics en.CD00002319.pdf description MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4 STD60NF06T4 STMicroelectronics STD60NF06.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+194.18 грн
5+123.28 грн
10+107.01 грн
50+79.67 грн
100+70.87 грн
250+61.22 грн
500+53.84 грн
1000+47.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4 STD60NF06T4 STMicroelectronics std60nf06t4.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.66 грн
10+124.92 грн
50+95.47 грн
100+80.68 грн
500+65.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4 STD60NF06T4 STMicroelectronics std60nf06t4.pdf MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06 STP60NF06 STMicroelectronics STP60NF06.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 491 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+159.86 грн
5+111.54 грн
10+96.44 грн
50+70.45 грн
100+63.74 грн
200+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06 JSMSEMI en.CD00002318.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6mOhm; 110A; 358W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: STP60NF06 STMicroelectronics; STP60NF06 JSMICRO TSTP60NF06 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+29.53 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06FP STP60NF06FP STMicroelectronics en.CD00154892.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.22 грн
10+88.76 грн
50+67.01 грн
100+56.29 грн
500+44.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06FP STP60NF06FP STMicroelectronics en.CD00154892.pdf MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06L STP60NF06L STMicroelectronics STB60NF06LT4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+149.02 грн
5+110.03 грн
10+100.64 грн
50+80.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06L STP60NF06L STMicroelectronics en.CD00002907.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.82 грн
10+138.28 грн
50+106.09 грн
100+89.82 грн
500+72.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06L STP60NF06L STMicroelectronics en.CD00002907.pdf MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 1453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06L ST en.CD00002907.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 15V; 16mOhm; 60A; 110W; -65°C ~ 175°C; STP60NF06L TSTP60NF06L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+41.43 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий STP60NF06 60A 60V N-ch TO-220
на замовлення 6 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
6+108.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P60NF06 ST 09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
P60NF06FP
на замовлення 506 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
P60NF06L ST TO220 03+
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06 ST 07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06L ST 07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4G
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06 ST TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06-T4
на замовлення 10080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06-TR
на замовлення 68500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06LT4
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06 en.CD00002318.pdf description
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06 ST en.CD00002318.pdf description N-MOSFET 60A 60V 150W 0.012Ω STP60NF06 TSTP60NF06
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06(MOR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06-E-P ST 08+;
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06LFP
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPS60NF06
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4
Код товару: 62112
Додати до обраних Обраний товар
ST af8493cd4b7bbc988bd36719be904eac.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 60 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,014 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2000/35
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+31.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4
Код товару: 165661
Додати до обраних Обраний товар
std60nf06t4.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06FP MOSFET
Код товару: 222785
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
360MA060NF0603 Glenair Circular MIL Spec Backshells STRAIN RELIEF BACKSHELL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06T4 STB60NF06T4 STMicroelectronics en.CD00002319.pdf description Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4 STD60NF06T4 STMicroelectronics std60nf06t4.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06 STP60NF06 STMicroelectronics en.CD00002318.pdf description Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06 STP60NF06 STMicroelectronics en.CD00002318.pdf description MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 STM stb60nf06l.pdf TO-263 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4 STM STD60NF06.PDF MOSFET N-CH 60V 60A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06 STM stp60nf06.pdf description N-кан., 60V, 0.014 Ом, 60A, TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06FP STM en.CD00154892.pdf Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06L STM stp60nf06l.pdf (MFET,N-CH,150W,55V,98A,TO-220AB) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06
Код товару: 2993
4 Додати до обраних Обраний товар
description STP60NF06.pdf
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 60 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,014 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1800/49
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
у наявності: 160 шт
  • 80 шт - склад
  • 13 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 25 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+46.50 грн
10+41.60 грн
100+37.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06L
Код товару: 105102
Додати до обраних Обраний товар
stp60nf06l.pdf
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 60 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,012 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2000/35
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
у наявності: 33 шт
  • 14 шт - склад
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+60.50 грн
10+54.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
60NF06
Виробник: IR
09+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+199.60 грн
10+105.67 грн
50+82.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 en.CD00002907.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 13146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 en.CD00002907.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+67.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 en.CD00002907.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+203.01 грн
10+126.65 грн
50+96.85 грн
100+81.88 грн
500+66.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06T4 description STB60NF06T4.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+164.38 грн
10+86.38 грн
25+80.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06T4 description en.CD00002319.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+165.38 грн
10+101.97 грн
50+77.37 грн
100+65.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06T4 description en.CD00002319.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4 STD60NF06.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+194.18 грн
5+123.28 грн
10+107.01 грн
50+79.67 грн
100+70.87 грн
250+61.22 грн
500+53.84 грн
1000+47.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4 std60nf06t4.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+200.66 грн
10+124.92 грн
50+95.47 грн
100+80.68 грн
500+65.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4 std60nf06t4.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06 description STP60NF06.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 491 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+159.86 грн
5+111.54 грн
10+96.44 грн
50+70.45 грн
100+63.74 грн
200+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06 description en.CD00002318.pdf
Виробник: JSMSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6mOhm; 110A; 358W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: STP60NF06 STMicroelectronics; STP60NF06 JSMICRO TSTP60NF06 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+29.53 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06FP en.CD00154892.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+144.22 грн
10+88.76 грн
50+67.01 грн
100+56.29 грн
500+44.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06FP en.CD00154892.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06L STB60NF06LT4.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+149.02 грн
5+110.03 грн
10+100.64 грн
50+80.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06L en.CD00002907.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+221.82 грн
10+138.28 грн
50+106.09 грн
100+89.82 грн
500+72.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06L en.CD00002907.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 1453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06L en.CD00002907.pdf
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 15V; 16mOhm; 60A; 110W; -65°C ~ 175°C; STP60NF06L TSTP60NF06L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+41.43 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий STP60NF06 60A 60V N-ch TO-220
на замовлення 6 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+108.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P60NF06
Виробник: ST
09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
P60NF06FP
на замовлення 506 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
P60NF06L
Виробник: ST
TO220 03+
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06
Виробник: ST
07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06L
Виробник: ST
07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4G
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06
Виробник: ST
TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06-T4
на замовлення 10080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06-TR
на замовлення 68500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06LT4
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06 description en.CD00002318.pdf
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06 description en.CD00002318.pdf
Виробник: ST
N-MOSFET 60A 60V 150W 0.012Ω STP60NF06 TSTP60NF06
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06(MOR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06-E-P
Виробник: ST
08+;
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06LFP
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPS60NF06
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4
Код товару: 62112
Додати до обраних Обраний товар
af8493cd4b7bbc988bd36719be904eac.pdf
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 60 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,014 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2000/35
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+31.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4
Код товару: 165661
Додати до обраних Обраний товар
std60nf06t4.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06FP MOSFET
Код товару: 222785
Додати до обраних Обраний товар
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
360MA060NF0603
Виробник: Glenair
Circular MIL Spec Backshells STRAIN RELIEF BACKSHELL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06T4 description en.CD00002319.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4 std60nf06t4.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06 description en.CD00002318.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06 description en.CD00002318.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 stb60nf06l.pdf
Виробник: STM
TO-263 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4 STD60NF06.PDF
Виробник: STM
MOSFET N-CH 60V 60A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06 description stp60nf06.pdf
Виробник: STM
N-кан., 60V, 0.014 Ом, 60A, TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06FP en.CD00154892.pdf
Виробник: STM
Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06L stp60nf06l.pdf
Виробник: STM
(MFET,N-CH,150W,55V,98A,TO-220AB) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.