Результат пошуку "60nf06" : 58

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP60NF06 STP60NF06
Код товару: 2993
Додати до обраних Обраний товар

ST STP60NF06.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/49
Монтаж: THT
у наявності: 285 шт
216 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Львів
41 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+46.50 грн
10+41.60 грн
100+37.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06L STP60NF06L
Код товару: 105102
Додати до обраних Обраний товар

ST stp60nf06l.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/35
Монтаж: THT
у наявності: 69 шт
25 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+60.50 грн
10+54.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
60NF06 IR 09+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E943018C3A8745&compId=STB60NF06LT4.pdf?ci_sign=a054ff38f5db14e499a34668544132cd5557d2df Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.49 грн
10+104.21 грн
50+80.34 грн
100+77.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E943018C3A8745&compId=STB60NF06LT4.pdf?ci_sign=a054ff38f5db14e499a34668544132cd5557d2df Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 677 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+175.79 грн
10+129.86 грн
50+96.41 грн
100+93.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 STMicroelectronics en.CD00002907.pdf MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 15175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.54 грн
10+124.71 грн
100+74.84 грн
500+59.49 грн
1000+54.83 грн
2000+53.38 грн
5000+52.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 STMicroelectronics en.CD00002907.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.57 грн
10+113.20 грн
100+77.50 грн
500+58.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06T4 STB60NF06T4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E94B1202182745&compId=STB60NF06T4.pdf?ci_sign=b597fdf8adb4d3b60f50d372ef7b2d5119d6ac3a description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+109.66 грн
5+90.69 грн
25+81.14 грн
100+76.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06T4 STB60NF06T4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E94B1202182745&compId=STB60NF06T4.pdf?ci_sign=b597fdf8adb4d3b60f50d372ef7b2d5119d6ac3a description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 821 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+131.59 грн
5+113.01 грн
25+97.37 грн
100+91.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06T4 STB60NF06T4 STMicroelectronics en.CD00002319.pdf description Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.57 грн
10+113.52 грн
100+77.71 грн
500+58.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06T4 STB60NF06T4 STMicroelectronics en.CD00002319.pdf description MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 4665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.09 грн
10+72.54 грн
100+60.79 грн
500+59.72 грн
1000+54.91 грн
2000+52.16 грн
5000+50.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06T4 STB60NF06T4 STMicroelectronics en.CD00002319.pdf description Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+59.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4 STD60NF06T4 STMicroelectronics std60nf06t4.pdf MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+180.86 грн
10+129.10 грн
100+82.48 грн
500+66.97 грн
1000+64.07 грн
2500+56.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4 STD60NF06T4 STMicroelectronics std60nf06t4.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.09 грн
10+124.18 грн
100+85.43 грн
500+65.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06 STP60NF06 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AE4B970BEA8E745&compId=STP60NF06.pdf?ci_sign=f4e885580f6d4c2f72bc63bda61d3e716c93a052 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+133.64 грн
10+66.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06 STP60NF06 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AE4B970BEA8E745&compId=STP60NF06.pdf?ci_sign=f4e885580f6d4c2f72bc63bda61d3e716c93a052 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+160.37 грн
10+82.87 грн
50+65.77 грн
100+60.90 грн
500+51.36 грн
1000+47.92 грн
1250+46.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06 STP60NF06 STMicroelectronics en.CD00002318.pdf description MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 2384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+166.61 грн
10+67.80 грн
100+55.21 грн
500+46.28 грн
1000+46.20 грн
2000+42.77 грн
5000+40.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06 STP60NF06 STMicroelectronics en.CD00002318.pdf description Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 1862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.48 грн
50+72.23 грн
100+64.75 грн
500+48.43 грн
1000+44.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06 JSMSEMI en.CD00002318.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6mOhm; 110A; 358W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: STP60NF06 STMicroelectronics; STP60NF06 JSMICRO TSTP60NF06 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+27.31 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06FP STP60NF06FP STMicroelectronics en.CD00154892.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.74 грн
50+66.58 грн
100+59.61 грн
500+44.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06FP STP60NF06FP STMicroelectronics en.CD00154892.pdf MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.92 грн
10+72.98 грн
100+58.42 грн
500+45.29 грн
1000+39.02 грн
2000+37.73 грн
5000+36.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06L STP60NF06L STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E943018C3A8745&compId=STB60NF06LT4.pdf?ci_sign=a054ff38f5db14e499a34668544132cd5557d2df Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.07 грн
5+104.21 грн
10+92.28 грн
25+78.75 грн
50+70.00 грн
100+62.84 грн
500+50.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06L STP60NF06L STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E943018C3A8745&compId=STB60NF06LT4.pdf?ci_sign=a054ff38f5db14e499a34668544132cd5557d2df Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 540 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+171.68 грн
5+129.86 грн
10+110.73 грн
25+94.50 грн
50+84.00 грн
100+75.41 грн
500+61.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06L STP60NF06L STMicroelectronics en.CD00002907.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.74 грн
50+86.01 грн
100+77.31 грн
500+58.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06L STP60NF06L STMicroelectronics en.CD00002907.pdf MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 2776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+181.75 грн
10+93.97 грн
100+75.53 грн
500+60.86 грн
1000+54.07 грн
2000+53.84 грн
5000+50.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06L ST en.CD00002907.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 15V; 16mOhm; 60A; 110W; -65°C ~ 175°C; STP60NF06L TSTP60NF06L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий STP60NF06 60A 60V N-ch TO-220
на замовлення 21 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
11+60.92 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
P60NF06 ST 09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
P60NF06FP
на замовлення 506 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
P60NF06L ST TO220 03+
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06 ST TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06 ST 07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06L ST 07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06L ST TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4G
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06 ST TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06 STM SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06-T4
на замовлення 10080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06-TR
на замовлення 68500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06LT4
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06 en.CD00002318.pdf description
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06 ST en.CD00002318.pdf description N-MOSFET 60A 60V 150W 0.012Ω STP60NF06 TSTP60NF06
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06(MOR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06-E-P ST 08+;
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06LFP
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPS60NF06
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4
Код товару: 62112
Додати до обраних Обраний товар

ST af8493cd4b7bbc988bd36719be904eac.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/35
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+31.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4
Код товару: 165661
Додати до обраних Обраний товар

std60nf06t4.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
360MA060NF0603 Glenair Circular MIL Spec Backshells STRAIN RELIEF BACKSHELL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 STMicroelectronics en.CD00002907.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4 STD60NF06T4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E94771128EE745&compId=STD60NF06.pdf?ci_sign=54de11fa6ea14908542d6e2cc145ded37c9ff70d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4 STD60NF06T4 STMicroelectronics std60nf06t4.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06
Код товару: 2993
Додати до обраних Обраний товар

description STP60NF06.pdf
STP60NF06
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/49
Монтаж: THT
у наявності: 285 шт
216 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Львів
41 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+46.50 грн
10+41.60 грн
100+37.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06L
Код товару: 105102
Додати до обраних Обраний товар

stp60nf06l.pdf
STP60NF06L
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/35
Монтаж: THT
у наявності: 69 шт
25 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+60.50 грн
10+54.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
60NF06
Виробник: IR
09+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E943018C3A8745&compId=STB60NF06LT4.pdf?ci_sign=a054ff38f5db14e499a34668544132cd5557d2df
STB60NF06LT4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.49 грн
10+104.21 грн
50+80.34 грн
100+77.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E943018C3A8745&compId=STB60NF06LT4.pdf?ci_sign=a054ff38f5db14e499a34668544132cd5557d2df
STB60NF06LT4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 677 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.79 грн
10+129.86 грн
50+96.41 грн
100+93.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 en.CD00002907.pdf
STB60NF06LT4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 15175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.54 грн
10+124.71 грн
100+74.84 грн
500+59.49 грн
1000+54.83 грн
2000+53.38 грн
5000+52.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 en.CD00002907.pdf
STB60NF06LT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.57 грн
10+113.20 грн
100+77.50 грн
500+58.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06T4 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E94B1202182745&compId=STB60NF06T4.pdf?ci_sign=b597fdf8adb4d3b60f50d372ef7b2d5119d6ac3a
STB60NF06T4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.66 грн
5+90.69 грн
25+81.14 грн
100+76.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06T4 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E94B1202182745&compId=STB60NF06T4.pdf?ci_sign=b597fdf8adb4d3b60f50d372ef7b2d5119d6ac3a
STB60NF06T4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 821 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.59 грн
5+113.01 грн
25+97.37 грн
100+91.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06T4 description en.CD00002319.pdf
STB60NF06T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.57 грн
10+113.52 грн
100+77.71 грн
500+58.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06T4 description en.CD00002319.pdf
STB60NF06T4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 4665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.09 грн
10+72.54 грн
100+60.79 грн
500+59.72 грн
1000+54.91 грн
2000+52.16 грн
5000+50.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06T4 description en.CD00002319.pdf
STB60NF06T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+59.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4 std60nf06t4.pdf
STD60NF06T4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.86 грн
10+129.10 грн
100+82.48 грн
500+66.97 грн
1000+64.07 грн
2500+56.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4 std60nf06t4.pdf
STD60NF06T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.09 грн
10+124.18 грн
100+85.43 грн
500+65.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AE4B970BEA8E745&compId=STP60NF06.pdf?ci_sign=f4e885580f6d4c2f72bc63bda61d3e716c93a052
STP60NF06
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+133.64 грн
10+66.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AE4B970BEA8E745&compId=STP60NF06.pdf?ci_sign=f4e885580f6d4c2f72bc63bda61d3e716c93a052
STP60NF06
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.37 грн
10+82.87 грн
50+65.77 грн
100+60.90 грн
500+51.36 грн
1000+47.92 грн
1250+46.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06 description en.CD00002318.pdf
STP60NF06
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 2384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+166.61 грн
10+67.80 грн
100+55.21 грн
500+46.28 грн
1000+46.20 грн
2000+42.77 грн
5000+40.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06 description en.CD00002318.pdf
STP60NF06
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 1862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.48 грн
50+72.23 грн
100+64.75 грн
500+48.43 грн
1000+44.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06 description en.CD00002318.pdf
Виробник: JSMSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6mOhm; 110A; 358W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: STP60NF06 STMicroelectronics; STP60NF06 JSMICRO TSTP60NF06 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+27.31 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06FP en.CD00154892.pdf
STP60NF06FP
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.74 грн
50+66.58 грн
100+59.61 грн
500+44.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06FP en.CD00154892.pdf
STP60NF06FP
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.92 грн
10+72.98 грн
100+58.42 грн
500+45.29 грн
1000+39.02 грн
2000+37.73 грн
5000+36.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E943018C3A8745&compId=STB60NF06LT4.pdf?ci_sign=a054ff38f5db14e499a34668544132cd5557d2df
STP60NF06L
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.07 грн
5+104.21 грн
10+92.28 грн
25+78.75 грн
50+70.00 грн
100+62.84 грн
500+50.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E943018C3A8745&compId=STB60NF06LT4.pdf?ci_sign=a054ff38f5db14e499a34668544132cd5557d2df
STP60NF06L
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 540 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.68 грн
5+129.86 грн
10+110.73 грн
25+94.50 грн
50+84.00 грн
100+75.41 грн
500+61.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06L en.CD00002907.pdf
STP60NF06L
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.74 грн
50+86.01 грн
100+77.31 грн
500+58.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06L en.CD00002907.pdf
STP60NF06L
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 2776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.75 грн
10+93.97 грн
100+75.53 грн
500+60.86 грн
1000+54.07 грн
2000+53.84 грн
5000+50.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06L en.CD00002907.pdf
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 15V; 16mOhm; 60A; 110W; -65°C ~ 175°C; STP60NF06L TSTP60NF06L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+38.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий STP60NF06 60A 60V N-ch TO-220
на замовлення 21 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
11+60.92 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
P60NF06
Виробник: ST
09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
P60NF06FP
на замовлення 506 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
P60NF06L
Виробник: ST
TO220 03+
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06
Виробник: ST
TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06
Виробник: ST
07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06L
Виробник: ST
07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06L
Виробник: ST
TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4G
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06
Виробник: ST
TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06
Виробник: STM
SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06-T4
на замовлення 10080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06-TR
на замовлення 68500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06LT4
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06 description en.CD00002318.pdf
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06 description en.CD00002318.pdf
Виробник: ST
N-MOSFET 60A 60V 150W 0.012Ω STP60NF06 TSTP60NF06
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06(MOR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06-E-P
Виробник: ST
08+;
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06LFP
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPS60NF06
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4
Код товару: 62112
Додати до обраних Обраний товар

af8493cd4b7bbc988bd36719be904eac.pdf
STB60NF06LT4
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/35
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+31.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4
Код товару: 165661
Додати до обраних Обраний товар

std60nf06t4.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
360MA060NF0603
Виробник: Glenair
Circular MIL Spec Backshells STRAIN RELIEF BACKSHELL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 en.CD00002907.pdf
STB60NF06LT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E94771128EE745&compId=STD60NF06.pdf?ci_sign=54de11fa6ea14908542d6e2cc145ded37c9ff70d
STD60NF06T4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4 std60nf06t4.pdf
STD60NF06T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.