Результат пошуку "60nf06" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
STP60NF06 STP60NF06
Код товару: 2993 		ST STP60NF06.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/49
Монтаж: THT
у наявності: 669 шт
1+46.5 грн
10+ 41.6 грн
100+ 37.8 грн
STP60NF06L STP60NF06L
Код товару: 105102 		ST stp60nf06l.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/35
Монтаж: THT
у наявності: 82 шт
1+60.5 грн
10+ 54.5 грн
60NF06 IR 09+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 STMicroelectronics en.CD00002907.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.25 грн
10+ 110.09 грн
100+ 87.62 грн
500+ 69.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 STMicroelectronics stb60nf06lt4-1850112.pdf MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 6877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.23 грн
10+ 121.07 грн
100+ 84.36 грн
250+ 83.68 грн
500+ 70.86 грн
1000+ 61.21 грн
2000+ 58.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB60NF06T4 STB60NF06T4 STMicroelectronics en.CD00002319.pdf description Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
на замовлення 1343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.25 грн
10+ 109.95 грн
100+ 87.5 грн
500+ 69.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB60NF06T4 STB60NF06T4 STMicroelectronics stb60nf06-1850111.pdf description MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 4696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.46 грн
10+ 102.45 грн
100+ 75.59 грн
250+ 74.91 грн
500+ 62.02 грн
1000+ 55.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB60NF06T4 STB60NF06T4 STMicroelectronics en.CD00002319.pdf description Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+65.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STD60NF06T4 STD60NF06T4 STMicroelectronics std60nf06t4-1850594.pdf MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 2417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.45 грн
10+ 116.42 грн
100+ 80.98 грн
250+ 75.59 грн
500+ 64.05 грн
1000+ 56.69 грн
2500+ 56.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD60NF06T4 STD60NF06T4 STMicroelectronics std60nf06t4.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD60NF06T4 STD60NF06T4 STMicroelectronics std60nf06t4.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
на замовлення 2236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.52 грн
10+ 109.53 грн
100+ 87.19 грн
500+ 69.24 грн
1000+ 58.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP60NF06 STP60NF06 STMicroelectronics STP60NF06.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+72.68 грн
10+ 54.83 грн
24+ 35.85 грн
64+ 33.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
STP60NF06 STP60NF06 STMicroelectronics STP60NF06.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 514 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+87.21 грн
10+ 68.33 грн
24+ 43.02 грн
64+ 40.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP60NF06 STP60NF06 STMicroelectronics stp60nf06-1851601.pdf description MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 3468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.22 грн
10+ 60.77 грн
100+ 46.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
STP60NF06 STP60NF06 STMicroelectronics cd0000231.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.64 грн
Мінімальне замовлення: 12
STP60NF06 STP60NF06 STMicroelectronics en.CD00002318.pdf description Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.07 грн
50+ 89.91 грн
100+ 73.98 грн
500+ 58.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP60NF06 ST en.CD00002318.pdf description N-MOSFET 60A 60V 150W 0.012Ω STP60NF06 TSTP60NF06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+33.95 грн
Мінімальне замовлення: 20
STP60NF06FP STP60NF06FP STMicroelectronics en.CD00154892.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.03 грн
50+ 62.79 грн
100+ 51.66 грн
500+ 43.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP60NF06FP STP60NF06FP STMicroelectronics cd0015489.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.9 грн
Мінімальне замовлення: 13
STP60NF06FP STP60NF06FP STMicroelectronics stp60nf06fp-1851422.pdf MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.4 грн
10+ 65.58 грн
100+ 48.52 грн
250+ 47.11 грн
500+ 46.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP60NF06L STP60NF06L STMicroelectronics STB60NF06LT4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.76 грн
7+ 51.53 грн
10+ 41.55 грн
24+ 35.76 грн
64+ 33.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
STP60NF06L STP60NF06L STMicroelectronics STB60NF06LT4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 830 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+98.12 грн
5+ 64.21 грн
10+ 49.86 грн
24+ 42.91 грн
64+ 40.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP60NF06L STP60NF06L STMicroelectronics stp60nf06l-1851393.pdf MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 5547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.83 грн
10+ 101.67 грн
100+ 70.86 грн
500+ 56.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP60NF06L STP60NF06L STMicroelectronics en.CD00002907.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.63 грн
50+ 109.24 грн
100+ 89.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP60NF06L STP60NF06L STMicroelectronics cd0000290.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
Транзистор польовий STP60NF06 60A 60V N-ch TO-220
на замовлення 42 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3+66.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
P60NF06 ST 09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60NF06FP
на замовлення 506 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60NF06L ST TO220 03+
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB60NF06 ST 07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB60NF06 ST TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB60NF06L ST TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB60NF06L ST 07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB60NF06LT4G
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STD60NF06 STM SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STD60NF06 ST TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STD60NF06-T4
на замовлення 10080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STD60NF06-TR
на замовлення 68500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STD60NF06LT4
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STD60NF06T
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP60NF06 en.CD00002318.pdf description
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
STP60NF06(MOR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP60NF06-E-P ST 08+;
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP60NF06LFP
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STPS60NF06
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTE2996 NTE2996 NTE Electronics nte2996.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 200W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.11 грн
3+ 166.61 грн
6+ 153.25 грн
10+ 147.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4
Код товару: 62112 		ST af8493cd4b7bbc988bd36719be904eac.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/35
Монтаж: SMD
товар відсутній
STD60NF06T4
Код товару: 165661 		std60nf06t4.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
360MA060NF0603 Glenair Circular MIL Spec Backshells COMMERCIAL
товар відсутній
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 STMicroelectronics STB60NF06LT4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 STMicroelectronics STB60NF06LT4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 STMicroelectronics en.CD00002907.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товар відсутній
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 STMicroelectronics cd0000290.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB60NF06T4 STB60NF06T4 STMicroelectronics STB60NF06T4.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
STB60NF06T4 STB60NF06T4 STMicroelectronics STB60NF06T4.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STB60NF06T4 STB60NF06T4 STMicroelectronics cd0000231.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB60NF06T4 STMicroelectronics cd0000231.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STD60NF06T4 STD60NF06T4 STMicroelectronics STD60NF06.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
STD60NF06T4 STD60NF06T4 STMicroelectronics STD60NF06.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STD60NF06T4 STMicroelectronics std60nf06t4.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
STP60NF06
Код товару: 2993		 description STP60NF06.pdf
STP60NF06
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/49
Монтаж: THT
у наявності: 669 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+46.5 грн
10+ 41.6 грн
100+ 37.8 грн
STP60NF06L
Код товару: 105102		 stp60nf06l.pdf
STP60NF06L
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/35
Монтаж: THT
у наявності: 82 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+60.5 грн
10+ 54.5 грн
60NF06
Виробник: IR
09+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB60NF06LT4 en.CD00002907.pdf
STB60NF06LT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+137.25 грн
10+ 110.09 грн
100+ 87.62 грн
500+ 69.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB60NF06LT4 stb60nf06lt4-1850112.pdf
STB60NF06LT4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 6877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+147.23 грн
10+ 121.07 грн
100+ 84.36 грн
250+ 83.68 грн
500+ 70.86 грн
1000+ 61.21 грн
2000+ 58.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB60NF06T4 description en.CD00002319.pdf
STB60NF06T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
на замовлення 1343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+137.25 грн
10+ 109.95 грн
100+ 87.5 грн
500+ 69.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB60NF06T4 description stb60nf06-1850111.pdf
STB60NF06T4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 4696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+120.46 грн
10+ 102.45 грн
100+ 75.59 грн
250+ 74.91 грн
500+ 62.02 грн
1000+ 55.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB60NF06T4 description en.CD00002319.pdf
STB60NF06T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+65.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STD60NF06T4 std60nf06t4-1850594.pdf
STD60NF06T4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 2417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+146.45 грн
10+ 116.42 грн
100+ 80.98 грн
250+ 75.59 грн
500+ 64.05 грн
1000+ 56.69 грн
2500+ 56.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD60NF06T4 std60nf06t4.pdf
STD60NF06T4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+24.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD60NF06T4 std60nf06t4.pdf
STD60NF06T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
на замовлення 2236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+136.52 грн
10+ 109.53 грн
100+ 87.19 грн
500+ 69.24 грн
1000+ 58.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP60NF06 description STP60NF06.pdf
STP60NF06
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+72.68 грн
10+ 54.83 грн
24+ 35.85 грн
64+ 33.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
STP60NF06 description STP60NF06.pdf
STP60NF06
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 514 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87.21 грн
10+ 68.33 грн
24+ 43.02 грн
64+ 40.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP60NF06 description stp60nf06-1851601.pdf
STP60NF06
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 3468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+73.22 грн
10+ 60.77 грн
100+ 46.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
STP60NF06 description cd0000231.pdf
STP60NF06
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.64 грн
Мінімальне замовлення: 12
STP60NF06 description en.CD00002318.pdf
STP60NF06
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.07 грн
50+ 89.91 грн
100+ 73.98 грн
500+ 58.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP60NF06 description en.CD00002318.pdf
Виробник: ST
N-MOSFET 60A 60V 150W 0.012Ω STP60NF06 TSTP60NF06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+33.95 грн
Мінімальне замовлення: 20
STP60NF06FP en.CD00154892.pdf
STP60NF06FP
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.03 грн
50+ 62.79 грн
100+ 51.66 грн
500+ 43.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP60NF06FP cd0015489.pdf
STP60NF06FP
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+25.9 грн
Мінімальне замовлення: 13
STP60NF06FP stp60nf06fp-1851422.pdf
STP60NF06FP
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87.4 грн
10+ 65.58 грн
100+ 48.52 грн
250+ 47.11 грн
500+ 46.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP60NF06L STB60NF06LT4.pdf
STP60NF06L
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+81.76 грн
7+ 51.53 грн
10+ 41.55 грн
24+ 35.76 грн
64+ 33.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
STP60NF06L STB60NF06LT4.pdf
STP60NF06L
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 830 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+98.12 грн
5+ 64.21 грн
10+ 49.86 грн
24+ 42.91 грн
64+ 40.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP60NF06L stp60nf06l-1851393.pdf
STP60NF06L
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 5547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.83 грн
10+ 101.67 грн
100+ 70.86 грн
500+ 56.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP60NF06L en.CD00002907.pdf
STP60NF06L
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+141.63 грн
50+ 109.24 грн
100+ 89.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP60NF06L cd0000290.pdf
STP60NF06L
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
Транзистор польовий STP60NF06 60A 60V N-ch TO-220
на замовлення 42 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+66.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
P60NF06
Виробник: ST
09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60NF06FP
на замовлення 506 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60NF06L
Виробник: ST
TO220 03+
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB60NF06
Виробник: ST
07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB60NF06
Виробник: ST
TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB60NF06L
Виробник: ST
TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB60NF06L
Виробник: ST
07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB60NF06LT4G
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STD60NF06
Виробник: STM
SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STD60NF06
Виробник: ST
TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STD60NF06-T4
на замовлення 10080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STD60NF06-TR
на замовлення 68500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STD60NF06LT4
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STD60NF06T
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP60NF06 description en.CD00002318.pdf
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
STP60NF06(MOR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP60NF06-E-P
Виробник: ST
08+;
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP60NF06LFP
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STPS60NF06
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTE2996 nte2996.pdf
NTE2996
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 200W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+199.11 грн
3+ 166.61 грн
6+ 153.25 грн
10+ 147.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB60NF06LT4
Код товару: 62112		 af8493cd4b7bbc988bd36719be904eac.pdf
STB60NF06LT4
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/35
Монтаж: SMD
товар відсутній
STD60NF06T4
Код товару: 165661		 std60nf06t4.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
360MA060NF0603
Виробник: Glenair
Circular MIL Spec Backshells COMMERCIAL
товар відсутній
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4.pdf
STB60NF06LT4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4.pdf
STB60NF06LT4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STB60NF06LT4 en.CD00002907.pdf
STB60NF06LT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товар відсутній
STB60NF06LT4 cd0000290.pdf
STB60NF06LT4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB60NF06T4 description STB60NF06T4.pdf
STB60NF06T4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
STB60NF06T4 description STB60NF06T4.pdf
STB60NF06T4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STB60NF06T4 description cd0000231.pdf
STB60NF06T4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB60NF06T4 description cd0000231.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STD60NF06T4 STD60NF06.pdf
STD60NF06T4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
STD60NF06T4 STD60NF06.pdf
STD60NF06T4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STD60NF06T4 std60nf06t4.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]