Результат пошуку "60nf06" : 46
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 13
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STP60NF06 Код товару: 2993
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
ST |
  Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 60 V Idd,A: 60 A Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1800/49 Монтаж: THT |
у наявності: 221 шт
146 шт - склад
24 шт - РАДІОМАГ-Київ 7 шт - РАДІОМАГ-Львів 37 шт - РАДІОМАГ-Харків 7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
|
|
STP60NF06L Код товару: 105102
Додати до обраних
Обраний товар
|
ST |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 60 V Idd,A: 60 A Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2000/35 Монтаж: THT |
у наявності: 47 шт
16 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ 5 шт - РАДІОМАГ-Львів 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
| 60NF06 | IR | 09+ |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
STB60NF06LT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 663 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STB60NF06LT4 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp |
на замовлення 4630 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STB60NF06LT4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STB60NF06LT4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
STB60NF06T4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 763 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STB60NF06T4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STB60NF06T4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V |
на замовлення 3327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STB60NF06T4 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp |
на замовлення 4528 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD60NF06T4 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp |
на замовлення 1453 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD60NF06T4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V |
на замовлення 1126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP60NF06 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 256 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP60NF06 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp |
на замовлення 2207 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP60NF06 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V |
на замовлення 2365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP60NF06 | ST |
N-MOSFET 60A 60V 150W 0.012Ω STP60NF06 TSTP60NF06 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP60NF06 | JSMSEMI |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6mOhm; 110A; 358W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: STP60NF06 STMicroelectronics; STP60NF06 JSMICRO TSTP60NF06 JSM кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
STP60NF06FP | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP60NF06FP | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp |
на замовлення 413 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP60NF06L | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 525 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP60NF06L | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp |
на замовлення 1940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP60NF06L | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V |
на замовлення 1280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP60NF06L | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 15V; 16mOhm; 60A; 110W; -65°C ~ 175°C; STP60NF06L TSTP60NF06L кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| Транзистор польовий STP60NF06 60A 60V N-ch TO-220 |
на замовлення 16 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| P60NF06 | ST | 09+ |
на замовлення 1018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P60NF06FP |
на замовлення 506 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| P60NF06L | ST | TO220 03+ |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STB60NF06 | ST | 07+ TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STB60NF06L | ST | 07+ TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STB60NF06LT4G |
на замовлення 790 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STD60NF06 | ST | TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STD60NF06-T4 |
на замовлення 10080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STD60NF06-TR |
на замовлення 68500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STD60NF06LT4 |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STD60NF06T |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STP60NF06 |
|
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STP60NF06(MOR) |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STP60NF06-E-P | ST | 08+; |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STP60NF06LFP |
на замовлення 98000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STPS60NF06 |
на замовлення 37 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
|
STB60NF06LT4 Код товару: 62112
Додати до обраних
Обраний товар
|
ST |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 60 V Idd,A: 60 A Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2000/35 Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
|
STD60NF06T4 Код товару: 165661
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 360MA060NF0603 | Glenair | Circular MIL Spec Backshells STRAIN RELIEF BACKSHELL |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
STD60NF06T4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
STD60NF06T4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| STP60NF06 Код товару: 2993
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
|
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/49
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/49
Монтаж: THT
у наявності: 221 шт
146 шт - склад
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
37 шт - РАДІОМАГ-Харків
7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
37 шт - РАДІОМАГ-Харків
7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 46.50 грн |
| 10+ | 41.60 грн |
| 100+ | 37.80 грн |
| STP60NF06L Код товару: 105102
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/35
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/35
Монтаж: THT
у наявності: 47 шт
16 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 60.50 грн |
| 10+ | 54.50 грн |
| 60NF06 |
Виробник: IR
09+
09+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| STB60NF06LT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 663 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 169.92 грн |
| 10+ | 111.62 грн |
| 25+ | 94.00 грн |
| 50+ | 83.09 грн |
| 100+ | 82.25 грн |
| STB60NF06LT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 178.96 грн |
| 10+ | 113.86 грн |
| 100+ | 67.77 грн |
| 500+ | 54.31 грн |
| 1000+ | 50.48 грн |
| STB60NF06LT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 182.76 грн |
| 10+ | 113.15 грн |
| 100+ | 77.48 грн |
| 500+ | 58.40 грн |
| STB60NF06LT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| STB60NF06T4 | |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 763 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 148.23 грн |
| 10+ | 95.68 грн |
| 25+ | 80.57 грн |
| STB60NF06T4 | |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 52.61 грн |
| 2000+ | 46.92 грн |
| 3000+ | 45.01 грн |
| STB60NF06T4 | |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
на замовлення 3327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 163.94 грн |
| 10+ | 101.29 грн |
| 100+ | 68.96 грн |
| 500+ | 51.72 грн |
| STB60NF06T4 | |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 4528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 161.06 грн |
| 10+ | 101.83 грн |
| 100+ | 60.59 грн |
| 500+ | 48.11 грн |
| 1000+ | 42.39 грн |
| 2000+ | 39.67 грн |
| STD60NF06T4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 1453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 195.23 грн |
| 10+ | 125.08 грн |
| 100+ | 75.30 грн |
| 500+ | 61.15 грн |
| 2500+ | 56.96 грн |
| STD60NF06T4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
на замовлення 1126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 199.23 грн |
| 10+ | 124.10 грн |
| 100+ | 85.41 грн |
| 500+ | 64.62 грн |
| 1000+ | 61.30 грн |
| STP60NF06 | |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 141.90 грн |
| 10+ | 67.98 грн |
| 50+ | 56.90 грн |
| 100+ | 52.96 грн |
| 200+ | 49.35 грн |
| STP60NF06 | |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 2207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 162.69 грн |
| 10+ | 77.94 грн |
| 100+ | 56.55 грн |
| 500+ | 46.51 грн |
| 1000+ | 42.18 грн |
| 2000+ | 40.23 грн |
| 5000+ | 37.30 грн |
| STP60NF06 | |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 154.52 грн |
| 50+ | 72.21 грн |
| 100+ | 64.73 грн |
| 500+ | 48.42 грн |
| 1000+ | 44.46 грн |
| 2000+ | 41.12 грн |
| STP60NF06 | |
|
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 38.36 грн |
| STP60NF06 | |
|
Виробник: JSMSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6mOhm; 110A; 358W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: STP60NF06 STMicroelectronics; STP60NF06 JSMICRO TSTP60NF06 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6mOhm; 110A; 358W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: STP60NF06 STMicroelectronics; STP60NF06 JSMICRO TSTP60NF06 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 29.46 грн |
| STP60NF06FP |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 143.54 грн |
| 50+ | 66.58 грн |
| 100+ | 59.60 грн |
| 500+ | 44.43 грн |
| STP60NF06FP |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 140.73 грн |
| 10+ | 66.87 грн |
| 100+ | 52.01 грн |
| 500+ | 41.35 грн |
| 1000+ | 37.86 грн |
| 2000+ | 36.26 грн |
| STP60NF06L |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 525 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 150.94 грн |
| 5+ | 109.10 грн |
| 10+ | 95.34 грн |
| 25+ | 80.07 грн |
| 50+ | 71.09 грн |
| 100+ | 62.44 грн |
| 500+ | 50.19 грн |
| STP60NF06L |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 162.69 грн |
| 10+ | 80.98 грн |
| 100+ | 63.59 грн |
| 500+ | 51.80 грн |
| 1000+ | 50.34 грн |
| STP60NF06L |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 181.98 грн |
| 50+ | 85.99 грн |
| 100+ | 77.30 грн |
| 500+ | 58.25 грн |
| 1000+ | 53.65 грн |
| STP60NF06L |
|
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 15V; 16mOhm; 60A; 110W; -65°C ~ 175°C; STP60NF06L TSTP60NF06L
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 15V; 16mOhm; 60A; 110W; -65°C ~ 175°C; STP60NF06L TSTP60NF06L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 41.32 грн |
| Транзистор польовий STP60NF06 60A 60V N-ch TO-220 |
на замовлення 16 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 50.80 грн |
| P60NF06 |
Виробник: ST
09+
09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| P60NF06L |
Виробник: ST
TO220 03+
TO220 03+
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| STB60NF06 |
Виробник: ST
07+ TO-263/D2-PAK
07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| STB60NF06L |
Виробник: ST
07+ TO-263/D2-PAK
07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| STD60NF06 |
Виробник: ST
TO-252/D-PAK
TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| STP60NF06-E-P |
Виробник: ST
08+;
08+;
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| STB60NF06LT4 Код товару: 62112
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/35
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/35
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 31.50 грн |
| STD60NF06T4 Код товару: 165661
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 360MA060NF0603 |
Виробник: Glenair
Circular MIL Spec Backshells STRAIN RELIEF BACKSHELL
Circular MIL Spec Backshells STRAIN RELIEF BACKSHELL
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| STD60NF06T4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| STD60NF06T4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.