Результат пошуку "BC856" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 14
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 14
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 77
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 13762
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 125
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 175
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 72
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 47
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 77
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 84
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 19737
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 19737
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 19737
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 56
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 19737
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 19737
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 19737
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 19737
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 28
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 45
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 225
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 16
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 15152
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 15152
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5495
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 15
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 56
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4919
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 30613
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 30613
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 86
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 176
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 30613
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 30613
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 15
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 24
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 12
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC856B Код товару: 2029
Додати до обраних
Обраний товар
|
Infineon |
Транзистори > Біполярні PNPКорпус: SOT-23 fT: 100 MHz Uке, В: 65 V Uкб, В: 80 V Iк, А: 0,1 A h21,max: 475 |
у наявності: 2215 шт
1905 шт - склад
79 шт - РАДІОМАГ-Київ 98 шт - РАДІОМАГ-Львів 92 шт - РАДІОМАГ-Харків 41 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||||
|
BC856BW Код товару: 160571
Додати до обраних
Обраний товар
|
Yangjie |
Транзистори > Біполярні PNPКорпус: SOT-323 fT: 100 MHz Uке, В: 65 V Uкб, В: 80 V Iк, А: 0,1 A h21,max: 475 |
у наявності: 2303 шт
1831 шт - склад
40 шт - РАДІОМАГ-Львів 432 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC856S.115 Код товару: 35780
Додати до обраних
Обраний товар
|
NXP |
Транзистори > Біполярні PNPКорпус: SOT-363 fT: 100 MHz Uке, В: 65 V Uкб, В: 80 V Iк, А: 0,1 A h21,max: 300 |
у наявності: 42 шт
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
35 шт - РАДІОМАГ-Харків 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||||
|
BC856 | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - BC856 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
на замовлення 5719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BC856 | HT Jinyu Semiconductor | BC856 |
на замовлення 315000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
BC856,215 | Nexperia |
Tranzystor PNP; 475; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC846; BC856,215; BC856-CDI; BC856.215; BC856 SOT23 NEXPERIA TBC856кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856-QR | NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 125...475 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Application: automotive industry |
на замовлення 454 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.2W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 125...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 250mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Current gain: 180 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 32427 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BC856A | Diotec Semiconductor |
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 65, Ic = 200 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 125/250 @ 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
BC856A | Diotec Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 65V, 100mA, PNP |
на замовлення 8866 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856A | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - BC856A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
на замовлення 930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC856A | DIOTEC |
Tranzystor PNP; Bipolar; 125; 65V; 5V; 100MHz; 100mA; 250mW; -55°C~150°C; BC856A-DIO; BC856A TBC856a DIOTECкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC856A | MOT- |
Transistor PNP; 250; 200mW, 65V; 100mA; 100MHz, -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC856A,215; BC856ALT1G; BC856ALT3G; BC856A-E6327; BC856A RFG; BC856A-7-F; BC856A-TP; BC856A SOT23 MOT TBC856a MOTкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC856A | MERRY |
Transistor PNP; 250; 200mW, 65V; 100mA; 100MHz, -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC856A,215; BC856ALT1G; BC856ALT3G; BC856A-E6327; BC856A RFG; BC856A-7-F; BC856A-TP; BC856A MERRY TBC856a MERкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BC856A 3A | LMSEMI |
Transistor PNP; 220; 200mW, 65V; 100mA; 100MHz, -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC856A,215; BC856ALT1G; BC856ALT3G; BC856A-E6327; BC856A RFG; BC856A-7-F; BC856A-TP; BC856A LMSEMI TBC856a LMS кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| BC856A SY | HT SEMI |
Tranzystor PNP; Bipolar; 250; 65V; 5V; 100MHz; 100mA; 250mW; -55°C~150°C; BC856A SOT23 HT SEMI TBC856a HTSEMI кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
BC856A,215 | NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 125...250 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape |
на замовлення 25250 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BC856A,215 | NXP/Nexperia/We-En |
Транзистор PNP, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 125 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мА, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 1479 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
BC856A,215 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
BC856A,215 | NXP Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 95530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856A,215 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
BC856A,215 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 241500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856A,215 | NXP Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856A,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC856A,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC856 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 12970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856A,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC856A,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC856 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 12970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856A,215 | NXP Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856A,215 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 262043 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856A,215 | NXP Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 38000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856A,215 | NXP Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 156000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC856A,215 | NXP |
Transistor PNP; 250; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Substitute: BC856A-DIO; BCX71; 2SA1162; BC856A-7-F (DIODES); BC856ALT1G (ON); BC856A.215; BC856A,215; BC856A-DIO; BC856A,215 TBC856aкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2870 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856A-7-F | DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 350mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Current gain: 125...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Quantity in set/package: 3000pcs. |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856A-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC856A-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856A-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC856A-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856A-7-F | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR |
на замовлення 285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856A-7-F | Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
BC856A-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 300mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 125 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Application: automotive industry Pulsed collector current: 0.2A |
на замовлення 450 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856A-T | Rectron |
Bipolar Transistors - BJT Transistor PNP |
на замовлення 1820 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856AE6327 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 33045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856AE6327 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BC856AFSW-7 | Diodes Zetex |
BC856AFSW-7 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| BC856AFSW-7 | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K |
на замовлення 4989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| BC856AFSWQ-7 | Diodes Zetex |
BC856AFSWQ-7 |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
BC856ALT1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 125...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 5829 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856ALT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856ALT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856ALT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85331000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856ALT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 41466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856ALT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85331000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856ALT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856ALT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856ALT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
BC856ALT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856AQC-QZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC856AQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 125hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 450mW euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: DFN1412D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC856xQC-Q Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 100mA Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856AQC-QZ | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT8009 65V .1A PNP GP TRANS |
на замовлення 793 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856AQC-QZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC856AQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: DFN1412D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC856xQC-Q Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856AQCZ | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT8009 65V .1A PNP BJT |
на замовлення 9970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856AQCZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC856AQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: DFN1412D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC856xQC Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856AQCZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC856AQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE hazardous: false DC-Stromverstärkung hFE: 125hFE Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 450mW euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: DFN1412D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC856xQC Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 100mA Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC856AS-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC856AS-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mAtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung, PNP: 200mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 125hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BC856B Код товару: 2029
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uке, В: 65 V
Uкб, В: 80 V
Iк, А: 0,1 A
h21,max: 475
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uке, В: 65 V
Uкб, В: 80 V
Iк, А: 0,1 A
h21,max: 475
у наявності: 2215 шт
1905 шт - склад
79 шт - РАДІОМАГ-Київ
98 шт - РАДІОМАГ-Львів
92 шт - РАДІОМАГ-Харків
41 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
79 шт - РАДІОМАГ-Київ
98 шт - РАДІОМАГ-Львів
92 шт - РАДІОМАГ-Харків
41 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 20+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.60 грн |
| 10000+ | 0.50 грн |
| BC856BW Код товару: 160571
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yangjie
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-323
fT: 100 MHz
Uке, В: 65 V
Uкб, В: 80 V
Iк, А: 0,1 A
h21,max: 475
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-323
fT: 100 MHz
Uке, В: 65 V
Uкб, В: 80 V
Iк, А: 0,1 A
h21,max: 475
у наявності: 2303 шт
1831 шт - склад
40 шт - РАДІОМАГ-Львів
432 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
40 шт - РАДІОМАГ-Львів
432 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 23+ | 0.90 грн |
| 100+ | 0.70 грн |
| BC856S.115 Код товару: 35780
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-363
fT: 100 MHz
Uке, В: 65 V
Uкб, В: 80 V
Iк, А: 0,1 A
h21,max: 300
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-363
fT: 100 MHz
Uке, В: 65 V
Uкб, В: 80 V
Iк, А: 0,1 A
h21,max: 300
у наявності: 42 шт
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
35 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
35 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 8.00 грн |
| 10+ | 7.00 грн |
| BC856 |
![]() |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BC856 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Description: MULTICOMP PRO - BC856 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 5719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 77+ | 10.55 грн |
| 127+ | 6.43 грн |
| 178+ | 4.58 грн |
| 500+ | 3.30 грн |
| 1000+ | 2.69 грн |
| 5000+ | 2.30 грн |
| BC856 |
Виробник: HT Jinyu Semiconductor
BC856
BC856
на замовлення 315000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13762+ | 1.01 грн |
| 60000+ | 0.88 грн |
| 300000+ | 0.78 грн |
| BC856,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Tranzystor PNP; 475; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC846; BC856,215; BC856-CDI; BC856.215; BC856 SOT23 NEXPERIA TBC856
кількість в упаковці: 3000 шт
Tranzystor PNP; 475; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC846; BC856,215; BC856-CDI; BC856.215; BC856 SOT23 NEXPERIA TBC856
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.24 грн |
| BC856-QR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 125...475
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 125...475
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
на замовлення 454 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 125+ | 3.61 грн |
| 152+ | 2.76 грн |
| 248+ | 1.69 грн |
| BC856A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 175+ | 2.91 грн |
| 425+ | 1.02 грн |
| 500+ | 0.90 грн |
| BC856A |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 250mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 180
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 250mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 180
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 32427 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 72+ | 6.31 грн |
| 95+ | 4.44 грн |
| 171+ | 2.45 грн |
| 250+ | 1.94 грн |
| 500+ | 1.65 грн |
| 1000+ | 1.41 грн |
| 3000+ | 1.13 грн |
| 6000+ | 1.00 грн |
| 9000+ | 0.94 грн |
| BC856A |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 65, Ic = 200 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 125/250 @ 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 65, Ic = 200 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 125/250 @ 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.76 грн |
| BC856A |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 65V, 100mA, PNP
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 65V, 100mA, PNP
на замовлення 8866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 47+ | 6.98 грн |
| 77+ | 4.16 грн |
| 100+ | 2.99 грн |
| 500+ | 2.36 грн |
| 1000+ | 2.09 грн |
| 3000+ | 1.53 грн |
| 9000+ | 1.04 грн |
| BC856A |
![]() |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BC856A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Description: MULTICOMP PRO - BC856A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 77+ | 10.55 грн |
| 127+ | 6.43 грн |
| 178+ | 4.58 грн |
| 500+ | 3.30 грн |
| BC856A |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Tranzystor PNP; Bipolar; 125; 65V; 5V; 100MHz; 100mA; 250mW; -55°C~150°C; BC856A-DIO; BC856A TBC856a DIOTEC
кількість в упаковці: 3000 шт
Tranzystor PNP; Bipolar; 125; 65V; 5V; 100MHz; 100mA; 250mW; -55°C~150°C; BC856A-DIO; BC856A TBC856a DIOTEC
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.75 грн |
| BC856A |
![]() |
Виробник: MOT-
Transistor PNP; 250; 200mW, 65V; 100mA; 100MHz, -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC856A,215; BC856ALT1G; BC856ALT3G; BC856A-E6327; BC856A RFG; BC856A-7-F; BC856A-TP; BC856A SOT23 MOT TBC856a MOT
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor PNP; 250; 200mW, 65V; 100mA; 100MHz, -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC856A,215; BC856ALT1G; BC856ALT3G; BC856A-E6327; BC856A RFG; BC856A-7-F; BC856A-TP; BC856A SOT23 MOT TBC856a MOT
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.49 грн |
| BC856A |
![]() |
Виробник: MERRY
Transistor PNP; 250; 200mW, 65V; 100mA; 100MHz, -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC856A,215; BC856ALT1G; BC856ALT3G; BC856A-E6327; BC856A RFG; BC856A-7-F; BC856A-TP; BC856A MERRY TBC856a MER
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor PNP; 250; 200mW, 65V; 100mA; 100MHz, -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC856A,215; BC856ALT1G; BC856ALT3G; BC856A-E6327; BC856A RFG; BC856A-7-F; BC856A-TP; BC856A MERRY TBC856a MER
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.40 грн |
| BC856A 3A |
Виробник: LMSEMI
Transistor PNP; 220; 200mW, 65V; 100mA; 100MHz, -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC856A,215; BC856ALT1G; BC856ALT3G; BC856A-E6327; BC856A RFG; BC856A-7-F; BC856A-TP; BC856A LMSEMI TBC856a LMS
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor PNP; 220; 200mW, 65V; 100mA; 100MHz, -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC856A,215; BC856ALT1G; BC856ALT3G; BC856A-E6327; BC856A RFG; BC856A-7-F; BC856A-TP; BC856A LMSEMI TBC856a LMS
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.39 грн |
| BC856A SY |
Виробник: HT SEMI
Tranzystor PNP; Bipolar; 250; 65V; 5V; 100MHz; 100mA; 250mW; -55°C~150°C; BC856A SOT23 HT SEMI TBC856a HTSEMI
кількість в упаковці: 3000 шт
Tranzystor PNP; Bipolar; 250; 65V; 5V; 100MHz; 100mA; 250mW; -55°C~150°C; BC856A SOT23 HT SEMI TBC856a HTSEMI
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.49 грн |
| BC856A,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 25250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 84+ | 5.41 грн |
| 129+ | 3.26 грн |
| 258+ | 1.62 грн |
| 500+ | 0.97 грн |
| 1000+ | 0.88 грн |
| 3000+ | 0.81 грн |
| 15000+ | 0.77 грн |
| BC856A,215 |
![]() |
Виробник: NXP/Nexperia/We-En
Транзистор PNP, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 125 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мА, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од.
кількість в упаковці: 3000 шт
Транзистор PNP, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 125 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мА, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од.
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.64 грн |
| BC856A,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BC856A,215 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 95530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19737+ | 1.77 грн |
| BC856A,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BC856A,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 241500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19737+ | 1.77 грн |
| 100000+ | 1.48 грн |
| BC856A,215 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19737+ | 1.77 грн |
| 100000+ | 1.48 грн |
| BC856A,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC856A,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BC856A,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 14.60 грн |
| 128+ | 6.35 грн |
| 159+ | 5.10 грн |
| 500+ | 3.86 грн |
| 1500+ | 3.48 грн |
| BC856A,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC856A,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BC856A,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 56+ | 14.60 грн |
| 128+ | 6.35 грн |
| 159+ | 5.10 грн |
| 500+ | 3.86 грн |
| 1500+ | 3.48 грн |
| BC856A,215 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19737+ | 1.77 грн |
| BC856A,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 262043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19737+ | 1.77 грн |
| 100000+ | 1.48 грн |
| BC856A,215 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19737+ | 1.77 грн |
| BC856A,215 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19737+ | 1.77 грн |
| 100000+ | 1.48 грн |
| BC856A,215 |
![]() |
Виробник: NXP
Transistor PNP; 250; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Substitute: BC856A-DIO; BCX71; 2SA1162; BC856A-7-F (DIODES); BC856ALT1G (ON); BC856A.215; BC856A,215; BC856A-DIO; BC856A,215 TBC856a
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor PNP; 250; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Substitute: BC856A-DIO; BCX71; 2SA1162; BC856A-7-F (DIODES); BC856ALT1G (ON); BC856A.215; BC856A,215; BC856A-DIO; BC856A,215 TBC856a
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 0.85 грн |
| BC856A-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 350mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 350mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 16.23 грн |
| 42+ | 10.13 грн |
| 100+ | 4.98 грн |
| 500+ | 3.26 грн |
| 1000+ | 2.83 грн |
| 3000+ | 2.37 грн |
| 6000+ | 2.18 грн |
| BC856A-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC856A-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - BC856A-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 45+ | 18.34 грн |
| 72+ | 11.36 грн |
| 115+ | 7.06 грн |
| 500+ | 4.75 грн |
| 1000+ | 3.89 грн |
| BC856A-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC856A-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - BC856A-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 11.36 грн |
| 115+ | 7.06 грн |
| 500+ | 4.75 грн |
| 1000+ | 3.89 грн |
| BC856A-7-F |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR
Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 16.71 грн |
| 34+ | 9.60 грн |
| 100+ | 5.49 грн |
| 500+ | 3.41 грн |
| 1000+ | 2.99 грн |
| 3000+ | 2.43 грн |
| BC856A-7-F |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BC856A-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 300mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 125
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
Pulsed collector current: 0.2A
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 300mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 125
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
Pulsed collector current: 0.2A
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 225+ | 2.09 грн |
| 350+ | 1.25 грн |
| BC856A-T |
![]() |
Виробник: Rectron
Bipolar Transistors - BJT Transistor PNP
Bipolar Transistors - BJT Transistor PNP
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 21.01 грн |
| 23+ | 14.16 грн |
| 100+ | 7.79 грн |
| 500+ | 4.87 грн |
| 1000+ | 4.03 грн |
| 3000+ | 3.55 грн |
| 6000+ | 2.57 грн |
| BC856AE6327 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 33045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15152+ | 2.31 грн |
| BC856AE6327 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15152+ | 2.31 грн |
| BC856AFSW-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
BC856AFSW-7
BC856AFSW-7
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5495+ | 2.54 грн |
| BC856AFSW-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K
Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K
на замовлення 4989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.31 грн |
| 26+ | 12.64 грн |
| 100+ | 6.75 грн |
| 500+ | 4.87 грн |
| 1000+ | 4.24 грн |
| 2500+ | 3.69 грн |
| 5000+ | 1.74 грн |
| BC856AFSWQ-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
BC856AFSWQ-7
BC856AFSWQ-7
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 2.93 грн |
| BC856ALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 5829 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 56+ | 8.11 грн |
| 82+ | 5.11 грн |
| 122+ | 3.43 грн |
| 146+ | 2.88 грн |
| 500+ | 1.94 грн |
| 1000+ | 1.67 грн |
| 3000+ | 1.32 грн |
| BC856ALT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4919+ | 2.84 грн |
| 9000+ | 2.83 грн |
| BC856ALT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30613+ | 1.14 грн |
| BC856ALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85331000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85331000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 9.49 грн |
| 145+ | 5.61 грн |
| 234+ | 3.47 грн |
| 500+ | 2.35 грн |
| 1500+ | 1.90 грн |
| BC856ALT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 41466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30613+ | 1.14 грн |
| BC856ALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85331000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85331000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 86+ | 9.49 грн |
| 145+ | 5.61 грн |
| 234+ | 3.47 грн |
| 500+ | 2.35 грн |
| 1500+ | 1.90 грн |
| BC856ALT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 176+ | 4.24 грн |
| 297+ | 2.51 грн |
| 373+ | 2.00 грн |
| 480+ | 1.50 грн |
| 520+ | 1.28 грн |
| 656+ | 0.97 грн |
| 1000+ | 0.89 грн |
| BC856ALT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30613+ | 1.14 грн |
| BC856ALT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BC856ALT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30613+ | 1.14 грн |
| BC856AQC-QZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC856AQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 125hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 450mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856xQC-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BC856AQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 125hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 450mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856xQC-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 12.66 грн |
| 500+ | 8.51 грн |
| 1000+ | 6.81 грн |
| BC856AQC-QZ |
![]() |
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT8009 65V .1A PNP GP TRANS
Bipolar Transistors - BJT SOT8009 65V .1A PNP GP TRANS
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.31 грн |
| 25+ | 12.80 грн |
| 100+ | 6.81 грн |
| 500+ | 4.94 грн |
| BC856AQC-QZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC856AQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856xQC-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BC856AQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856xQC-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 35.13 грн |
| 47+ | 17.36 грн |
| 100+ | 12.66 грн |
| 500+ | 8.51 грн |
| 1000+ | 6.81 грн |
| BC856AQCZ |
![]() |
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT8009 65V .1A PNP BJT
Bipolar Transistors - BJT SOT8009 65V .1A PNP BJT
на замовлення 9970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.91 грн |
| 26+ | 12.56 грн |
| 100+ | 8.07 грн |
| 500+ | 6.95 грн |
| 1000+ | 6.05 грн |
| BC856AQCZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC856AQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856xQC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BC856AQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856xQC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 33.67 грн |
| 53+ | 15.50 грн |
| 100+ | 11.52 грн |
| 500+ | 9.49 грн |
| 1000+ | 8.14 грн |
| 5000+ | 7.44 грн |
| BC856AQCZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC856AQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
DC-Stromverstärkung hFE: 125hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 450mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856xQC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BC856AQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
DC-Stromverstärkung hFE: 125hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 450mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856xQC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 11.52 грн |
| 500+ | 9.49 грн |
| 1000+ | 8.14 грн |
| 5000+ | 7.44 грн |
| BC856AS-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC856AS-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 200mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 125hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - BC856AS-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 200mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 125hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.06 грн |
| 131+ | 6.24 грн |
| 500+ | 4.49 грн |
| 1000+ | 4.06 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
















