Результат пошуку "BD139" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
BD139 BD139
Код товару: 191983 		CJ bd139.pdf bd135-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250
Монтаж: THT
у наявності: 2575 шт
очікується: 50 шт
8+7 грн
10+ 6.3 грн
100+ 5.4 грн
Мінімальне замовлення: 8
BD139 (КТ815Г) BD139 (КТ815Г)
Код товару: 4745 		ST cd00001225.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250
у наявності: 1 шт
1+50 грн
BD139-10 (SOT-32, STM) BD139-10 (SOT-32, STM)
Код товару: 161642 		ST/CDIL Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
Монтаж: THT
у наявності: 246 шт
6+9 грн
10+ 8.1 грн
100+ 7.3 грн
Мінімальне замовлення: 6
BD139-16 BD139-16
Код товару: 182302 		CDIL bd139.pdf description Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-32
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
у наявності: 470 шт
9+6 грн
10+ 5 грн
100+ 4.3 грн
Мінімальне замовлення: 9
BD139 BD139 STMicroelectronics BD139-10-STMicroelectronics.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 25...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
на замовлення 2874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+22.1 грн
22+ 16.71 грн
50+ 13.93 грн
96+ 9.02 грн
262+ 8.52 грн
Мінімальне замовлення: 18
BD139 BD139 STMicroelectronics BD139-10-STMicroelectronics.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 25...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BD139 BD139 STMicroelectronics 5238.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 37863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
936+13.04 грн
Мінімальне замовлення: 936
BD139 BD139 MULTICOMP PRO 4161949.pdf Description: MULTICOMP PRO - BD139 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+36.23 грн
28+ 28.97 грн
100+ 20.68 грн
500+ 13.49 грн
1000+ 8.86 грн
5000+ 7.71 грн
Мінімальне замовлення: 22
BD139 BD139 STMicroelectronics bd135-1848980.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Audio Amplifier
на замовлення 6973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.1 грн
13+ 25.01 грн
100+ 16.11 грн
500+ 12.74 грн
1000+ 12.03 грн
2000+ 10.13 грн
10000+ 7.88 грн
Мінімальне замовлення: 11
BD139 BD139 STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 37914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 51
BD139 BD139 STMicroelectronics bd139.pdf Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.93 грн
50+ 22.18 грн
100+ 16.48 грн
500+ 12.07 грн
1000+ 9.81 грн
2000+ 8.77 грн
Мінімальне замовлення: 11
BD139 BD139 STMicroelectronics 5238.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 37914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+31.25 грн
25+ 24.74 грн
100+ 18.38 грн
500+ 12.13 грн
1000+ 9.31 грн
2500+ 8.35 грн
10000+ 7.48 грн
Мінімальне замовлення: 20
BD139 BD139 STMICROELECTRONICS 2307016.pdf Description: STMICROELECTRONICS - BD139 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 30074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+33.79 грн
31+ 25.73 грн
100+ 17.13 грн
500+ 13.34 грн
1000+ 12.04 грн
5000+ 11.84 грн
Мінімальне замовлення: 24
BD139 ST bd139.pdf bd135-d.pdf NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 BD139 TBD139
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 356 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
BD139-10 BD139-10 STMicroelectronics BD139-10-STMicroelectronics.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 63...160
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+26.05 грн
18+ 21.48 грн
50+ 15.47 грн
89+ 9.68 грн
244+ 9.16 грн
Мінімальне замовлення: 16
BD139-10 STMicroelectronics bd139.pdf Транзистор NPN; Ptot, Вт = 1,25; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 40 @ 150 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA; Тексп, °С = -65...+150; SOT-32-3 (TO-126-3)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
17+36.71 грн
100+ 6.24 грн
Мінімальне замовлення: 17
BD139-10 BD139-10 STMicroelectronics BD139-10-STMicroelectronics.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 63...160
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 908 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.26 грн
11+ 26.76 грн
50+ 18.56 грн
89+ 11.62 грн
244+ 10.99 грн
1000+ 10.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
BD139-10 BD139-10 STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 16736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+7.5 грн
Мінімальне замовлення: 44
BD139-10 BD139-10 STMICROELECTRONICS 2307016.pdf Description: STMICROELECTRONICS - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-32
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+34.65 грн
30+ 26.84 грн
100+ 17.29 грн
500+ 12.75 грн
1000+ 8.59 грн
Мінімальне замовлення: 23
BD139-10 BD139-10 STMicroelectronics bd139.pdf Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT32
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 11
BD139-10 BD139-10 STMicroelectronics 5238.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 16736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+28.41 грн
28+ 22.33 грн
100+ 15.23 грн
500+ 12.33 грн
1000+ 9.5 грн
2000+ 7.76 грн
10000+ 6.67 грн
Мінімальне замовлення: 22
BD139-10 BD139-10 STMicroelectronics bd135-1848980.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr
на замовлення 11502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.28 грн
14+ 23.79 грн
100+ 16.4 грн
500+ 12.81 грн
1000+ 10.49 грн
2000+ 8.87 грн
10000+ 8.3 грн
Мінімальне замовлення: 11
BD139-10 BD139-10 MULTICOMP PRO 2861636.pdf Description: MULTICOMP PRO - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+34.89 грн
29+ 27.94 грн
100+ 19.97 грн
500+ 12.97 грн
1000+ 8.53 грн
Мінімальне замовлення: 23
BD139-10 BD139-10 STMicroelectronics 5238.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 16720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
817+14.95 грн
Мінімальне замовлення: 817
BD139-10 ST bd139.pdf Transistor NPN; 250; 12,5W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; BD139-10 TBD13910 STM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.4 грн
Мінімальне замовлення: 100
BD139-10STU STMicroelectronics Транзистор NPN; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; hFE = 63; Р, Вт = 12,5; Тексп, °C = до 150; Тип монт. = вивідний; ізольований; TO-126ISO
на замовлення 100 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
51+12.36 грн
55+ 11.53 грн
100+ 10.7 грн
Мінімальне замовлення: 51
BD139-16 BD139-16 STMicroelectronics BD139-10-STMicroelectronics.pdf description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
на замовлення 14192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+20.52 грн
24+ 15.83 грн
50+ 12.31 грн
100+ 11 грн
111+ 7.76 грн
304+ 7.34 грн
10000+ 7.04 грн
Мінімальне замовлення: 20
BD139-16 STM bd139.pdf description Транз. Бипол. ММ NPN TO126 Uceo=80V; Ic=1,5A; Pdmax=12,5W; hfemin=25
на замовлення 41 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
25+11.62 грн
28+ 9.71 грн
100+ 8.09 грн
Мінімальне замовлення: 25
BD139-16 STMicroelectronics bd139.pdf description Транзистор NPN; Ptot, Вт = 1,25; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Тип монт. = вивідний; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА; Тексп, °С = -65...+150; SOT-32-3 (TO-126-3)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
102+6.18 грн
109+ 5.76 грн
117+ 5.35 грн
Мінімальне замовлення: 102
BD139-16 BD139-16 STMicroelectronics BD139-10-STMicroelectronics.pdf description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14192 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+24.63 грн
14+ 19.73 грн
50+ 14.78 грн
100+ 13.19 грн
111+ 9.32 грн
304+ 8.81 грн
10000+ 8.44 грн
Мінімальне замовлення: 12
BD139-16 BD139-16 STMicroelectronics 5238.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 59253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+33.95 грн
23+ 26.38 грн
100+ 13.67 грн
1000+ 10.06 грн
2000+ 7.63 грн
10000+ 5.63 грн
24000+ 5.57 грн
50000+ 5.52 грн
Мінімальне замовлення: 18
BD139-16 BD139-16 STMicroelectronics 5238.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 59220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1046+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 1046
BD139-16 BD139-16 STMICROELECTRONICS 2307016.pdf description Description: STMICROELECTRONICS - BD139-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-32
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+42.23 грн
26+ 31.1 грн
100+ 16.34 грн
500+ 12.9 грн
1000+ 9.74 грн
Мінімальне замовлення: 19
BD139-16 BD139-16 STMicroelectronics cd0000122.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 59253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 57
BD139-16 BD139-16 STMicroelectronics bd139.pdf description Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.54 грн
50+ 26.02 грн
100+ 16.35 грн
500+ 14.21 грн
1000+ 9.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
BD139-16 BD139-16 MULTICOMP PRO 4161949.pdf description Description: MULTICOMP PRO - BD139-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+36.23 грн
28+ 28.97 грн
100+ 20.68 грн
500+ 13.49 грн
1000+ 8.86 грн
5000+ 7.71 грн
Мінімальне замовлення: 22
BD139-16 BD139-16 STMicroelectronics bd135-1848980.pdf description Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr
на замовлення 8301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.18 грн
12+ 28.08 грн
100+ 13.93 грн
1000+ 9.85 грн
2000+ 9.43 грн
10000+ 7.67 грн
24000+ 7.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
BD139-16 LGE bd139.pdf description NPN 1,5A 80V 12,5W 100 < beta < 250 BD139-16 TBD13916 LGE
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3496 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 200
BD139-16 ST bd139.pdf description Transistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TBD13916
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
BD139-16 JSMicro Semiconductor bd139.pdf description Transistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BD13916S; BD13916STU; BD139-16-CDI; BD139-16 JSMICRO TBD13916 JSM
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 200
BD139-16 ST bd139.pdf description Transistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TBD13916
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
BD139-16 LGE bd139.pdf description NPN 1,5A 80V 12,5W 100 < beta < 250 BD139-16 TBD13916 LGE
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 923 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 200
BD139-16 ST bd139.pdf description Transistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TBD13916
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
BD13910S BD13910S Fairchild Semiconductor FAIRS45235-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 1.5A,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 3112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1219+17.75 грн
Мінімальне замовлення: 1219
BD13910S ONSEMI FAIRS45235-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BD13910S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BD13910S BD13910S onsemi BD135%2C137%2C139.pdf Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.43 грн
10+ 38.19 грн
100+ 26.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
BD13910STU BD13910STU ONSEMI BD135_137_139.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+42.63 грн
11+ 35.11 грн
38+ 22.87 грн
104+ 21.62 грн
300+ 21.55 грн
540+ 20.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
BD13910STU BD13910STU ONSEMI BD135_137_139.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 887 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+51.15 грн
10+ 43.75 грн
38+ 27.44 грн
104+ 25.95 грн
300+ 25.86 грн
540+ 24.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
BD13910STU BD13910STU onsemi / Fairchild BD139_D-2310463.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 4498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.67 грн
10+ 41.35 грн
100+ 26.04 грн
500+ 21.74 грн
1000+ 18.51 грн
1920+ 15.62 грн
5760+ 14.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
BD13910STU BD13910STU ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1920+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 1920
BD13910STU BD13910STU ONSEMI ONSM-S-A0013178725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD13910STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.71 грн
17+ 47.05 грн
100+ 29.05 грн
500+ 22.58 грн
1000+ 15.49 грн
Мінімальне замовлення: 15
BD13910STU BD13910STU ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 3040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
282+43.32 грн
390+ 31.35 грн
500+ 25.99 грн
1000+ 21.2 грн
1920+ 16.44 грн
Мінімальне замовлення: 282
BD13910STU BD13910STU ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1920+19.1 грн
Мінімальне замовлення: 1920
BD13910STU BD13910STU onsemi BD135,137,139.pdf Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.19 грн
60+ 37.52 грн
120+ 27.23 грн
540+ 21.35 грн
1020+ 18.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
BD13910STU BD13910STU ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+23.82 грн
28+ 22.37 грн
Мінімальне замовлення: 26
BD13910STU BD13910STU ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 3040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+47.83 грн
16+ 40.23 грн
100+ 29.11 грн
500+ 23.27 грн
1000+ 18.23 грн
1920+ 14.66 грн
Мінімальне замовлення: 13
BD13910STU BD13910STU ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1920+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 1920
BD13916S BD13916S ONSEMI 2299531.pdf Description: ONSEMI - BD13916S - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BD13916STU BD13916STU ONSEMI BD135_137_139.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+43.42 грн
11+ 34.6 грн
41+ 21.33 грн
111+ 20.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
BD13916STU BD13916STU ONSEMI BD135_137_139.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+52.1 грн
10+ 43.11 грн
41+ 25.6 грн
111+ 24.19 грн
540+ 24.1 грн
1020+ 23.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
BD139
Код товару: 191983		 bd139.pdf bd135-d.pdf
BD139
Виробник: CJ
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250
Монтаж: THT
у наявності: 2575 шт
очікується: 50 шт
Кількість Ціна без ПДВ
8+7 грн
10+ 6.3 грн
100+ 5.4 грн
Мінімальне замовлення: 8
BD139 (КТ815Г)
Код товару: 4745		 cd00001225.pdf
BD139 (КТ815Г)
Виробник: ST
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250
у наявності: 1 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+50 грн
BD139-10 (SOT-32, STM)
Код товару: 161642
BD139-10 (SOT-32, STM)
Виробник: ST/CDIL
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
Монтаж: THT
у наявності: 246 шт
Кількість Ціна без ПДВ
6+9 грн
10+ 8.1 грн
100+ 7.3 грн
Мінімальне замовлення: 6
BD139-16
Код товару: 182302		 description bd139.pdf
BD139-16
Виробник: CDIL
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-32
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
у наявності: 470 шт
Кількість Ціна без ПДВ
9+6 грн
10+ 5 грн
100+ 4.3 грн
Мінімальне замовлення: 9
BD139 BD139-10-STMicroelectronics.pdf
BD139
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 25...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
на замовлення 2874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+22.1 грн
22+ 16.71 грн
50+ 13.93 грн
96+ 9.02 грн
262+ 8.52 грн
Мінімальне замовлення: 18
BD139 BD139-10-STMicroelectronics.pdf
BD139
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 25...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BD139 5238.pdf
BD139
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 37863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
936+13.04 грн
Мінімальне замовлення: 936
BD139 4161949.pdf
BD139
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BD139 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+36.23 грн
28+ 28.97 грн
100+ 20.68 грн
500+ 13.49 грн
1000+ 8.86 грн
5000+ 7.71 грн
Мінімальне замовлення: 22
BD139 bd135-1848980.pdf
BD139
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Audio Amplifier
на замовлення 6973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+32.1 грн
13+ 25.01 грн
100+ 16.11 грн
500+ 12.74 грн
1000+ 12.03 грн
2000+ 10.13 грн
10000+ 7.88 грн
Мінімальне замовлення: 11
BD139 cd0000122.pdf
BD139
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 37914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
51+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 51
BD139 bd139.pdf
BD139
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.93 грн
50+ 22.18 грн
100+ 16.48 грн
500+ 12.07 грн
1000+ 9.81 грн
2000+ 8.77 грн
Мінімальне замовлення: 11
BD139 5238.pdf
BD139
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 37914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+31.25 грн
25+ 24.74 грн
100+ 18.38 грн
500+ 12.13 грн
1000+ 9.31 грн
2500+ 8.35 грн
10000+ 7.48 грн
Мінімальне замовлення: 20
BD139 2307016.pdf
BD139
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BD139 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 30074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+33.79 грн
31+ 25.73 грн
100+ 17.13 грн
500+ 13.34 грн
1000+ 12.04 грн
5000+ 11.84 грн
Мінімальне замовлення: 24
BD139 bd139.pdf bd135-d.pdf
Виробник: ST
NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 BD139 TBD139
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 356 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
BD139-10 BD139-10-STMicroelectronics.pdf
BD139-10
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 63...160
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+26.05 грн
18+ 21.48 грн
50+ 15.47 грн
89+ 9.68 грн
244+ 9.16 грн
Мінімальне замовлення: 16
BD139-10 bd139.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 1,25; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 40 @ 150 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA; Тексп, °С = -65...+150; SOT-32-3 (TO-126-3)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+36.71 грн
100+ 6.24 грн
Мінімальне замовлення: 17
BD139-10 BD139-10-STMicroelectronics.pdf
BD139-10
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 63...160
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 908 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.26 грн
11+ 26.76 грн
50+ 18.56 грн
89+ 11.62 грн
244+ 10.99 грн
1000+ 10.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
BD139-10 cd0000122.pdf
BD139-10
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 16736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
44+7.5 грн
Мінімальне замовлення: 44
BD139-10 2307016.pdf
BD139-10
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-32
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+34.65 грн
30+ 26.84 грн
100+ 17.29 грн
500+ 12.75 грн
1000+ 8.59 грн
Мінімальне замовлення: 23
BD139-10 bd139.pdf
BD139-10
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT32
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 11
BD139-10 5238.pdf
BD139-10
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 16736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+28.41 грн
28+ 22.33 грн
100+ 15.23 грн
500+ 12.33 грн
1000+ 9.5 грн
2000+ 7.76 грн
10000+ 6.67 грн
Мінімальне замовлення: 22
BD139-10 bd135-1848980.pdf
BD139-10
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr
на замовлення 11502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+31.28 грн
14+ 23.79 грн
100+ 16.4 грн
500+ 12.81 грн
1000+ 10.49 грн
2000+ 8.87 грн
10000+ 8.3 грн
Мінімальне замовлення: 11
BD139-10 2861636.pdf
BD139-10
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+34.89 грн
29+ 27.94 грн
100+ 19.97 грн
500+ 12.97 грн
1000+ 8.53 грн
Мінімальне замовлення: 23
BD139-10 5238.pdf
BD139-10
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 16720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
817+14.95 грн
Мінімальне замовлення: 817
BD139-10 bd139.pdf
Виробник: ST
Transistor NPN; 250; 12,5W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; BD139-10 TBD13910 STM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+8.4 грн
Мінімальне замовлення: 100
BD139-10STU
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор NPN; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; hFE = 63; Р, Вт = 12,5; Тексп, °C = до 150; Тип монт. = вивідний; ізольований; TO-126ISO
на замовлення 100 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
51+12.36 грн
55+ 11.53 грн
100+ 10.7 грн
Мінімальне замовлення: 51
BD139-16 description BD139-10-STMicroelectronics.pdf
BD139-16
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
на замовлення 14192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+20.52 грн
24+ 15.83 грн
50+ 12.31 грн
100+ 11 грн
111+ 7.76 грн
304+ 7.34 грн
10000+ 7.04 грн
Мінімальне замовлення: 20
BD139-16 description bd139.pdf
Виробник: STM
Транз. Бипол. ММ NPN TO126 Uceo=80V; Ic=1,5A; Pdmax=12,5W; hfemin=25
на замовлення 41 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+11.62 грн
28+ 9.71 грн
100+ 8.09 грн
Мінімальне замовлення: 25
BD139-16 description bd139.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 1,25; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Тип монт. = вивідний; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА; Тексп, °С = -65...+150; SOT-32-3 (TO-126-3)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
102+6.18 грн
109+ 5.76 грн
117+ 5.35 грн
Мінімальне замовлення: 102
BD139-16 description BD139-10-STMicroelectronics.pdf
BD139-16
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14192 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.63 грн
14+ 19.73 грн
50+ 14.78 грн
100+ 13.19 грн
111+ 9.32 грн
304+ 8.81 грн
10000+ 8.44 грн
Мінімальне замовлення: 12
BD139-16 description 5238.pdf
BD139-16
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 59253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+33.95 грн
23+ 26.38 грн
100+ 13.67 грн
1000+ 10.06 грн
2000+ 7.63 грн
10000+ 5.63 грн
24000+ 5.57 грн
50000+ 5.52 грн
Мінімальне замовлення: 18
BD139-16 description 5238.pdf
BD139-16
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 59220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1046+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 1046
BD139-16 description 2307016.pdf
BD139-16
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BD139-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-32
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+42.23 грн
26+ 31.1 грн
100+ 16.34 грн
500+ 12.9 грн
1000+ 9.74 грн
Мінімальне замовлення: 19
BD139-16 description cd0000122.pdf
BD139-16
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 59253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
57+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 57
BD139-16 description bd139.pdf
BD139-16
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.54 грн
50+ 26.02 грн
100+ 16.35 грн
500+ 14.21 грн
1000+ 9.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
BD139-16 description 4161949.pdf
BD139-16
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BD139-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+36.23 грн
28+ 28.97 грн
100+ 20.68 грн
500+ 13.49 грн
1000+ 8.86 грн
5000+ 7.71 грн
Мінімальне замовлення: 22
BD139-16 description bd135-1848980.pdf
BD139-16
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr
на замовлення 8301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+38.18 грн
12+ 28.08 грн
100+ 13.93 грн
1000+ 9.85 грн
2000+ 9.43 грн
10000+ 7.67 грн
24000+ 7.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
BD139-16 description bd139.pdf
Виробник: LGE
NPN 1,5A 80V 12,5W 100 < beta < 250 BD139-16 TBD13916 LGE
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3496 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 200
BD139-16 description bd139.pdf
Виробник: ST
Transistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TBD13916
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
BD139-16 description bd139.pdf
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BD13916S; BD13916STU; BD139-16-CDI; BD139-16 JSMICRO TBD13916 JSM
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 200
BD139-16 description bd139.pdf
Виробник: ST
Transistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TBD13916
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
BD139-16 description bd139.pdf
Виробник: LGE
NPN 1,5A 80V 12,5W 100 < beta < 250 BD139-16 TBD13916 LGE
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 923 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 200
BD139-16 description bd139.pdf
Виробник: ST
Transistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TBD13916
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
BD13910S FAIRS45235-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BD13910S
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 1.5A,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 3112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1219+17.75 грн
Мінімальне замовлення: 1219
BD13910S FAIRS45235-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD13910S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BD13910S BD135%2C137%2C139.pdf
BD13910S
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.43 грн
10+ 38.19 грн
100+ 26.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
BD13910STU BD135_137_139.PDF
BD13910STU
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+42.63 грн
11+ 35.11 грн
38+ 22.87 грн
104+ 21.62 грн
300+ 21.55 грн
540+ 20.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
BD13910STU BD135_137_139.PDF
BD13910STU
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 887 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.15 грн
10+ 43.75 грн
38+ 27.44 грн
104+ 25.95 грн
300+ 25.86 грн
540+ 24.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
BD13910STU BD139_D-2310463.pdf
BD13910STU
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 4498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+49.67 грн
10+ 41.35 грн
100+ 26.04 грн
500+ 21.74 грн
1000+ 18.51 грн
1920+ 15.62 грн
5760+ 14.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
BD13910STU bd139-d.pdf
BD13910STU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1920+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 1920
BD13910STU ONSM-S-A0013178725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BD13910STU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD13910STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+54.71 грн
17+ 47.05 грн
100+ 29.05 грн
500+ 22.58 грн
1000+ 15.49 грн
Мінімальне замовлення: 15
BD13910STU bd139-d.pdf
BD13910STU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 3040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
282+43.32 грн
390+ 31.35 грн
500+ 25.99 грн
1000+ 21.2 грн
1920+ 16.44 грн
Мінімальне замовлення: 282
BD13910STU bd139-d.pdf
BD13910STU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1920+19.1 грн
Мінімальне замовлення: 1920
BD13910STU BD135,137,139.pdf
BD13910STU
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.19 грн
60+ 37.52 грн
120+ 27.23 грн
540+ 21.35 грн
1020+ 18.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
BD13910STU bd139-d.pdf
BD13910STU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+23.82 грн
28+ 22.37 грн
Мінімальне замовлення: 26
BD13910STU bd139-d.pdf
BD13910STU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 3040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+47.83 грн
16+ 40.23 грн
100+ 29.11 грн
500+ 23.27 грн
1000+ 18.23 грн
1920+ 14.66 грн
Мінімальне замовлення: 13
BD13910STU bd139-d.pdf
BD13910STU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1920+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 1920
BD13916S 2299531.pdf
BD13916S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD13916S - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BD13916STU BD135_137_139.PDF
BD13916STU
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+43.42 грн
11+ 34.6 грн
41+ 21.33 грн
111+ 20.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
BD13916STU BD135_137_139.PDF
BD13916STU
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.1 грн
10+ 43.11 грн
41+ 25.6 грн
111+ 24.19 грн
540+ 24.1 грн
1020+ 23.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]