Результат пошуку "BUZ11" : 48
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 192
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 219
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 301
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 301
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 240
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 301
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 240
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 242
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 303
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 194
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BUZ11 Код товару: 30902
Додати до обраних
Обраний товар
|
Fairchild |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 50 V Idd,A: 30 A Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1500/ - Монтаж: THT |
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
|
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
BUZ11-NR4941 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 30A Power dissipation: 75W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUZ11-NR4941 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 30A Power dissipation: 75W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1380 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUZ11-NR4941 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Channel 50V 33A |
на замовлення 3073 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUZ11-NR4941 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V |
на замовлення 5020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUZ11-NR4941 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUZ11-NR4941 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BUZ11-NR4941 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 30 A, 0.04 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 53986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUZ11-NR4941 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUZ11-NR4941 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BUZ11-NR4941 | ON-Semicoductor |
N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BUZ11-NR4941 | ON-Semicoductor |
N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 598 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BUZ11-NR4941 | ON-Semicoductor |
N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BUZ11-NR4941 | ON-Semicoductor |
N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BUZ111S | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 2182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUZ111S | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUZ111S | Infineon Technologies |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V |
на замовлення 2182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BUZ111SL-E3045A | Infineon Technologies |
BUZ111SL-E3045A |
на замовлення 1830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BUZ111SL-E3045A | Infineon Technologies |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A Power Dissipation (Max): 300W Supplier Device Package: TO-263 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V |
на замовлення 1830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUZ111SLE3045A | Siemens |
Description: MOSFET N-CH 50V 80A TO263Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A Power Dissipation (Max): 300W Supplier Device Package: TO-263 Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BUZ111SLE3045A | Siemens Wireless Modules |
BUZ111SLE3045A |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BUZ11S2537 | Harris Corporation |
Description: N CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TRANSPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BUZ11 | STMicroelectronics NV | N-кан. MOSFET 50V, 33A, 90Вт, 0.03Ом, -55...+150, TO-220 (STripFET MOSFET) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BUZ11-NR4941 | ON-Semicoductor |
N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BUZ11-NR4941 | ON-Semicoductor |
N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11 |
на замовлення 490 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BUZ110S | INFINEON | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BUZ110SL | INFINEON | 09+ DIP-3 |
на замовлення 2003 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BUZ110SL | INFINEON | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BUZ111S | INFINEON |
09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BUZ111SL | INFINEON | 09+ TO-263 |
на замовлення 2135 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BUZ111SL | INFINEON |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUZ111SL | INFINEON | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BUZ11ACHIP |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BUZ11AL |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BUZ11CHIP |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BUZ11CHP |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BUZ11FIPS2FI |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BUZ11S2 |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
BUZ11-NR4941 Код товару: 184234
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220AB |
товару немає в наявності
|
|
|||||||||||||||
|
BUZ111SL Код товару: 118789
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BUZ11A Код товару: 77764
Додати до обраних
Обраний товар
|
ST |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 50 V Idd,A: 26 A Rds(on), Ohm: 0,055 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1400/ Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
|
BUZ11 | STMicroelectronics | MOSFETs TO-220 N-CH 50V 33A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BUZ11 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs FET 50V 40.0 MOHM TO220 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BUZ11-NR4941 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BUZ11-NR4941 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BUZ11-NR4941 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BUZ11-NR4941 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BUZ11_R4941 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| BUZ11 Код товару: 30902
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 50 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/ -
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 50 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/ -
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 92.94 грн |
| 6+ | 73.95 грн |
| 10+ | 63.97 грн |
| 50+ | 40.61 грн |
| 100+ | 39.43 грн |
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 111.52 грн |
| 5+ | 92.15 грн |
| 10+ | 76.76 грн |
| 50+ | 48.74 грн |
| 100+ | 47.31 грн |
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel 50V 33A
MOSFETs N-Channel 50V 33A
на замовлення 3073 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 117.05 грн |
| 10+ | 50.17 грн |
| 100+ | 38.84 грн |
| 500+ | 36.41 грн |
| 1000+ | 32.53 грн |
| 5000+ | 32.07 грн |
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 5020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 107.70 грн |
| 50+ | 45.27 грн |
| 100+ | 43.64 грн |
| 500+ | 36.72 грн |
| 1000+ | 33.03 грн |
| 2000+ | 31.15 грн |
| 5000+ | 29.59 грн |
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 130.98 грн |
| 12+ | 60.41 грн |
| 50+ | 59.50 грн |
| 100+ | 53.16 грн |
| 500+ | 43.34 грн |
| 1000+ | 36.81 грн |
| 2000+ | 35.35 грн |
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BUZ11-NR4941 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 30 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BUZ11-NR4941 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 30 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 53986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 127.89 грн |
| 15+ | 57.47 грн |
| 100+ | 53.46 грн |
| 500+ | 42.75 грн |
| 1000+ | 35.74 грн |
| 5000+ | 35.01 грн |
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 192+ | 64.33 грн |
| 250+ | 55.73 грн |
| 1000+ | 47.17 грн |
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 219+ | 56.30 грн |
| 223+ | 55.44 грн |
| 240+ | 51.38 грн |
| 500+ | 43.62 грн |
| 1000+ | 35.74 грн |
| 2000+ | 32.94 грн |
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 41.26 грн |
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
на замовлення 598 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 41.26 грн |
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 41.26 грн |
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 41.26 грн |
| BUZ111S |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 301+ | 102.57 грн |
| 500+ | 92.32 грн |
| 1000+ | 85.13 грн |
| BUZ111S |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 301+ | 102.57 грн |
| 500+ | 92.32 грн |
| BUZ111S |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 240+ | 88.16 грн |
| BUZ111SL-E3045A |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
BUZ111SL-E3045A
BUZ111SL-E3045A
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 301+ | 102.57 грн |
| 500+ | 92.32 грн |
| 1000+ | 85.13 грн |
| BUZ111SL-E3045A |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 240+ | 88.16 грн |
| BUZ111SLE3045A |
![]() |
Виробник: Siemens
Description: MOSFET N-CH 50V 80A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Description: MOSFET N-CH 50V 80A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 242+ | 87.45 грн |
| BUZ111SLE3045A |
![]() |
Виробник: Siemens Wireless Modules
BUZ111SLE3045A
BUZ111SLE3045A
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 303+ | 101.74 грн |
| 500+ | 91.56 грн |
| 1000+ | 84.43 грн |
| BUZ11S2537 |
![]() |
Виробник: Harris Corporation
Description: N CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TRANS
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: N CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TRANS
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 194+ | 51.48 грн |
| BUZ11 |
Виробник: STMicroelectronics NV
N-кан. MOSFET 50V, 33A, 90Вт, 0.03Ом, -55...+150, TO-220 (STripFET MOSFET)
N-кан. MOSFET 50V, 33A, 90Вт, 0.03Ом, -55...+150, TO-220 (STripFET MOSFET)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11
N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11
N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11
на замовлення 490 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BUZ110S |
Виробник: INFINEON
09+
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BUZ110SL |
Виробник: INFINEON
09+ DIP-3
09+ DIP-3
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BUZ110SL |
Виробник: INFINEON
09+
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BUZ111S |
![]() |
Виробник: INFINEON
09+
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BUZ111SL |
Виробник: INFINEON
09+ TO-263
09+ TO-263
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BUZ111SL |
Виробник: INFINEON
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BUZ111SL |
Виробник: INFINEON
09+
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BUZ11-NR4941 Код товару: 184234
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 54.00 грн |
| BUZ111SL Код товару: 118789
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BUZ11A Код товару: 77764
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 50 V
Idd,A: 26 A
Rds(on), Ohm: 0,055 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 50 V
Idd,A: 26 A
Rds(on), Ohm: 0,055 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/
Монтаж: THT
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 69.50 грн |
| 10+ | 62.20 грн |
| BUZ11 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs TO-220 N-CH 50V 33A
MOSFETs TO-220 N-CH 50V 33A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BUZ11 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs FET 50V 40.0 MOHM TO220
MOSFETs FET 50V 40.0 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BUZ11_R4941 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.












