Результат пошуку "BUZ11" : 45
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 572 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 303 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BUZ11 | STM |
N-кан. MOSFET 50V, 33A, 90Вт, 0.03Ом, -55...+150, TO-220 (STripFET MOSFET) Транзистори |
на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BUZ11-CN | CHIPNOBO |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 25mOhm; 48A; 100W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: BUZ11-NR4941; BUZ11_NR4941; BUZ11-CN CHIPNOBO TBUZ11 CNBкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 225 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BUZ11-NR4941 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 30A Power dissipation: 75W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube |
на замовлення 84 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BUZ11-NR4941 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V |
на замовлення 5350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BUZ11-NR4941 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 4550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BUZ11-NR4941 | onsemi |
MOSFETs N-Channel 50V 33A |
на замовлення 6059 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BUZ11-NR4941 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BUZ11-NR4941 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 4550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BUZ11-NR4941 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BUZ11-NR4941 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 30 A, 0.04 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 75W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm |
на замовлення 119467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
BUZ11-NR4941 | ON-Semiconductor |
N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BUZ11-NR4941 | ON-Semiconductor |
N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BUZ11-NR4941 | ON-Semiconductor |
N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BUZ11-NR4941 | ON-Semiconductor |
N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BUZ11-NR4941 | ON-Semiconductor |
N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 600 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BUZ11-NR4941 | ON-Semiconductor |
N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BUZ111S | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BUZ111S | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BUZ111S | Infineon Technologies |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V |
на замовлення 1942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BUZ111SL-E3045A | Infineon Technologies |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A Power Dissipation (Max): 300W Supplier Device Package: TO-263 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V |
на замовлення 1830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BUZ111SLE3045A | Siemens |
Description: MOSFET N-CH 50V 80A TO263Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A Power Dissipation (Max): 300W Supplier Device Package: TO-263 Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| BUZ111SLE3045A | Siemens Wireless Modules |
BUZ111SLE3045A |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| BUZ111SLE3045A | Infineon Technologies |
BUZ111SL-E3045A |
на замовлення 1830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
BUZ11S2537 | Harris Corporation |
Description: N CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TRANSPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| BUZ110S | INFINEON | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| BUZ110SL | INFINEON | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| BUZ111S | INFINEON |
09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| BUZ111SL | INFINEON | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| BUZ11ACHIP |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BUZ11AL |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BUZ11CHIP |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BUZ11CHP |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BUZ11FIPS2FI |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BUZ11S2 |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
RDH11N06UB | Createk Microelectronics |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8mOhm; 80A; 115W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: BUZ11-NR4941; BUZ11_NR4941; RDH11N06UB CREATEK TBUZ11 CREкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BUZ11 Код товару: 30902
Додати до обраних
Обраний товар
|
Fairchild |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, В: 50 В Струм стоку Idd, А: 30 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,04 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1500/ - Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
BUZ11-NR4941 Код товару: 184234
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220AB Напруга сток-витік Uds, В: 50 В Струм стоку Idd, А: 30 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,04 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1500/ Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
|||||||||||||
|
BUZ111SL Код товару: 118789
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BUZ11A Код товару: 77764
Додати до обраних
Обраний товар
|
ST |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, В: 50 В Струм стоку Idd, А: 26 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,055 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1400/ Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||
|
BUZ11 | STMicroelectronics | MOSFETs TO-220 N-CH 50V 33A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BUZ11-NR4941 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; N; 50V; 30A; 75W; TO220; single transistor Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: N Drain-source voltage: 50V Drain current: 30A Power dissipation: 75W Case: TO220 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 200ns |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BUZ11-NR4941 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BUZ11-NR4941 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BUZ11-NR4941 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BUZ11_R4941 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUZ11_NR4941 | ONS/FAI |
TO220 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| BUZ11 |
![]() |
Виробник: STM
N-кан. MOSFET 50V, 33A, 90Вт, 0.03Ом, -55...+150, TO-220 (STripFET MOSFET) Транзистори
N-кан. MOSFET 50V, 33A, 90Вт, 0.03Ом, -55...+150, TO-220 (STripFET MOSFET) Транзистори
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 390.00 грн |
| BUZ11-CN |
![]() |
Виробник: CHIPNOBO
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 25mOhm; 48A; 100W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: BUZ11-NR4941; BUZ11_NR4941; BUZ11-CN CHIPNOBO TBUZ11 CNB
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 25mOhm; 48A; 100W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: BUZ11-NR4941; BUZ11_NR4941; BUZ11-CN CHIPNOBO TBUZ11 CNB
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 225 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 25.23 грн |
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 110.84 грн |
| 6+ | 79.66 грн |
| 10+ | 69.03 грн |
| 50+ | 49.79 грн |
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 5350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 152.50 грн |
| 10+ | 94.36 грн |
| 50+ | 71.56 грн |
| 100+ | 60.27 грн |
| 500+ | 48.17 грн |
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 142.36 грн |
| 12+ | 63.48 грн |
| 100+ | 56.64 грн |
| 500+ | 45.26 грн |
| 1600+ | 41.49 грн |
| 3200+ | 37.01 грн |
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel 50V 33A
MOSFETs N-Channel 50V 33A
на замовлення 6059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 572+ | 61.76 грн |
| 1000+ | 56.96 грн |
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 223+ | 63.51 грн |
| 250+ | 56.67 грн |
| 500+ | 46.97 грн |
| 1600+ | 44.83 грн |
| 3200+ | 38.57 грн |
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BUZ11-NR4941 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 30 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
Description: ONSEMI - BUZ11-NR4941 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 30 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 119467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 44.74 грн |
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
на замовлення 13 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 44.74 грн |
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 44.74 грн |
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 44.74 грн |
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 44.74 грн |
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 44.74 грн |
| BUZ111S |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 301+ | 117.51 грн |
| 500+ | 105.76 грн |
| 1000+ | 97.52 грн |
| BUZ111S |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 301+ | 117.51 грн |
| 500+ | 105.76 грн |
| BUZ111S |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 240+ | 85.48 грн |
| BUZ111SL-E3045A |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 240+ | 85.48 грн |
| BUZ111SLE3045A |
![]() |
Виробник: Siemens
Description: MOSFET N-CH 50V 80A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Description: MOSFET N-CH 50V 80A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 242+ | 84.80 грн |
| BUZ111SLE3045A |
![]() |
Виробник: Siemens Wireless Modules
BUZ111SLE3045A
BUZ111SLE3045A
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 303+ | 116.55 грн |
| 500+ | 104.89 грн |
| 1000+ | 96.72 грн |
| BUZ111SLE3045A |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
BUZ111SL-E3045A
BUZ111SL-E3045A
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 301+ | 117.51 грн |
| 500+ | 105.76 грн |
| 1000+ | 97.52 грн |
| BUZ11S2537 |
![]() |
Виробник: Harris Corporation
Description: N CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TRANS
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: N CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TRANS
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 194+ | 105.99 грн |
| BUZ110S |
Виробник: INFINEON
09+
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| BUZ110SL |
Виробник: INFINEON
09+
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| BUZ111S |
![]() |
Виробник: INFINEON
09+
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| BUZ111SL |
Виробник: INFINEON
09+
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| RDH11N06UB |
![]() |
Виробник: Createk Microelectronics
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8mOhm; 80A; 115W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: BUZ11-NR4941; BUZ11_NR4941; RDH11N06UB CREATEK TBUZ11 CRE
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8mOhm; 80A; 115W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: BUZ11-NR4941; BUZ11_NR4941; RDH11N06UB CREATEK TBUZ11 CRE
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 27.35 грн |
| BUZ11 Код товару: 30902
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Idd, А: 30 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,04 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1500/ -
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Idd, А: 30 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,04 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1500/ -
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BUZ11-NR4941 Код товару: 184234
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Idd, А: 30 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,04 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1500/
Монтаж: THT
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Idd, А: 30 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,04 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1500/
Монтаж: THT
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 54.00 грн |
| BUZ111SL Код товару: 118789
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BUZ11A Код товару: 77764
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Idd, А: 26 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,055 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1400/
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Idd, А: 26 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,055 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1400/
Монтаж: THT
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 69.50 грн |
| 10+ | 62.20 грн |
| BUZ11 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs TO-220 N-CH 50V 33A
MOSFETs TO-220 N-CH 50V 33A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 50V; 30A; 75W; TO220; single transistor
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: N
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 50V; 30A; 75W; TO220; single transistor
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: N
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BUZ11_R4941 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
















