Результат пошуку "BUZ11" : 45

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BUZ11 BUZ11 STM BUZ11.pdf N-кан. MOSFET 50V, 33A, 90Вт, 0.03Ом, -55...+150, TO-220 (STripFET MOSFET) Транзистори
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+390.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-CN BUZ11-CN CHIPNOBO TBUZ11_CNB_CHIPNOBO_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 25mOhm; 48A; 100W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: BUZ11-NR4941; BUZ11_NR4941; BUZ11-CN CHIPNOBO TBUZ11 CNB
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 225 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 ONSEMI BUZ11.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+110.84 грн
6+79.66 грн
10+69.03 грн
50+49.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 onsemi BUZ11-D.PDF Description: MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 5350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.50 грн
10+94.36 грн
50+71.56 грн
100+60.27 грн
500+48.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 ON Semiconductor 4513925598849966buz11.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.36 грн
12+63.48 грн
100+56.64 грн
500+45.26 грн
1600+41.49 грн
3200+37.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 onsemi BUZ11-D.PDF MOSFETs N-Channel 50V 33A
на замовлення 6059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 ON Semiconductor 4513925598849966buz11.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
572+61.76 грн
1000+56.96 грн
Мінімальне замовлення: 572 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 ON Semiconductor 4513925598849966buz11.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+63.51 грн
250+56.67 грн
500+46.97 грн
1600+44.83 грн
3200+38.57 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 ONSEMI ONSM-S-A0013178684-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BUZ11-NR4941 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 30 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 119467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 ON-Semiconductor TBUZ11_0012.pdf N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 ON-Semiconductor TBUZ11_0012.pdf N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 ON-Semiconductor TBUZ11_0012.pdf N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 ON-Semiconductor TBUZ11_0012.pdf N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 ON-Semiconductor TBUZ11_0012.pdf N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 ON-Semiconductor TBUZ11_0012.pdf N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ111S BUZ111S Infineon Technologies buz111s.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+117.51 грн
500+105.76 грн
1000+97.52 грн
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ111S BUZ111S Infineon Technologies buz111s.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+117.51 грн
500+105.76 грн
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ111S BUZ111S Infineon Technologies INFNS23677-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+85.48 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ111SL-E3045A BUZ111SL-E3045A Infineon Technologies INFNS23676-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+85.48 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ111SLE3045A BUZ111SLE3045A Siemens INFNS23676-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 50V 80A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+84.80 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ111SLE3045A Siemens Wireless Modules INFNS23676-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw BUZ111SLE3045A
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
303+116.55 грн
500+104.89 грн
1000+96.72 грн
Мінімальне замовлення: 303 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ111SLE3045A Infineon Technologies INFNS23676-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw BUZ111SL-E3045A
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+117.51 грн
500+105.76 грн
1000+97.52 грн
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11S2537 BUZ11S2537 Harris Corporation BUZ11.pdf?t.download=true&u=ovmfp3 Description: N CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TRANS
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+105.99 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ110S INFINEON 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ110SL INFINEON 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ111S INFINEON INFNS23677-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ111SL INFINEON 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11ACHIP
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11AL
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11CHIP
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11CHP
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11FIPS2FI
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11S2
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RDH11N06UB RDH11N06UB Createk Microelectronics TBUZ11_CRE_CREATEK_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8mOhm; 80A; 115W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: BUZ11-NR4941; BUZ11_NR4941; RDH11N06UB CREATEK TBUZ11 CRE
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11
Код товару: 30902
Додати до обраних Обраний товар
Fairchild Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Idd, А: 30 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,04 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1500/ -
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941
Код товару: 184234
Додати до обраних Обраний товар
BUZ11-D.PDF Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Idd, А: 30 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,04 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1500/
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+54.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ111SL
Код товару: 118789
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11A BUZ11A
Код товару: 77764
Додати до обраних Обраний товар
ST mtyujtztsvtmyj.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Idd, А: 26 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,055 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1400/
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+69.50 грн
10+62.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11 BUZ11 STMicroelectronics MOSFETs TO-220 N-CH 50V 33A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 ONSEMI BUZ11-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 50V; 30A; 75W; TO220; single transistor
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: N
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 ON Semiconductor 4513925598849966buz11.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 ON Semiconductor 4513925598849966buz11.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 ON Semiconductor 4513925598849966buz11.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11_R4941 BUZ11_R4941 onsemi BUZ11.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11_NR4941 ONS/FAI BUZ11.pdf TO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11 BUZ11.pdf
Виробник: STM
N-кан. MOSFET 50V, 33A, 90Вт, 0.03Ом, -55...+150, TO-220 (STripFET MOSFET) Транзистори
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+390.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-CN TBUZ11_CNB_CHIPNOBO_0001.pdf
Виробник: CHIPNOBO
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 25mOhm; 48A; 100W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: BUZ11-NR4941; BUZ11_NR4941; BUZ11-CN CHIPNOBO TBUZ11 CNB
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 225 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+110.84 грн
6+79.66 грн
10+69.03 грн
50+49.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 5350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+152.50 грн
10+94.36 грн
50+71.56 грн
100+60.27 грн
500+48.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 4513925598849966buz11.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+142.36 грн
12+63.48 грн
100+56.64 грн
500+45.26 грн
1600+41.49 грн
3200+37.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11-D.PDF
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel 50V 33A
на замовлення 6059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 4513925598849966buz11.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
572+61.76 грн
1000+56.96 грн
Мінімальне замовлення: 572 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 4513925598849966buz11.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
223+63.51 грн
250+56.67 грн
500+46.97 грн
1600+44.83 грн
3200+38.57 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 ONSM-S-A0013178684-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BUZ11-NR4941 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 30 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 119467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 TBUZ11_0012.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 TBUZ11_0012.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 TBUZ11_0012.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 TBUZ11_0012.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 TBUZ11_0012.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 TBUZ11_0012.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ111S buz111s.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
301+117.51 грн
500+105.76 грн
1000+97.52 грн
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ111S buz111s.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
301+117.51 грн
500+105.76 грн
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ111S INFNS23677-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+85.48 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ111SL-E3045A INFNS23676-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+85.48 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ111SLE3045A INFNS23676-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Siemens
Description: MOSFET N-CH 50V 80A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
242+84.80 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ111SLE3045A INFNS23676-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Siemens Wireless Modules
BUZ111SLE3045A
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
303+116.55 грн
500+104.89 грн
1000+96.72 грн
Мінімальне замовлення: 303 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ111SLE3045A INFNS23676-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
BUZ111SL-E3045A
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
301+117.51 грн
500+105.76 грн
1000+97.52 грн
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11S2537 BUZ11.pdf?t.download=true&u=ovmfp3
Виробник: Harris Corporation
Description: N CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TRANS
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
194+105.99 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ110S
Виробник: INFINEON
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ110SL
Виробник: INFINEON
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ111S INFNS23677-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ111SL
Виробник: INFINEON
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11ACHIP
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11AL
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11CHIP
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11CHP
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11FIPS2FI
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11S2
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RDH11N06UB TBUZ11_CRE_CREATEK_0001.pdf
Виробник: Createk Microelectronics
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8mOhm; 80A; 115W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: BUZ11-NR4941; BUZ11_NR4941; RDH11N06UB CREATEK TBUZ11 CRE
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11
Код товару: 30902
Додати до обраних Обраний товар
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Idd, А: 30 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,04 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1500/ -
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941
Код товару: 184234
Додати до обраних Обраний товар
BUZ11-D.PDF
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Idd, А: 30 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,04 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1500/
Монтаж: THT
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+54.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ111SL
Код товару: 118789
Додати до обраних Обраний товар
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11A
Код товару: 77764
Додати до обраних Обраний товар
mtyujtztsvtmyj.pdf
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Idd, А: 26 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,055 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1400/
Монтаж: THT
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+69.50 грн
10+62.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs TO-220 N-CH 50V 33A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 50V; 30A; 75W; TO220; single transistor
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: N
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 4513925598849966buz11.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 4513925598849966buz11.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 4513925598849966buz11.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11_R4941 BUZ11.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11_NR4941 BUZ11.pdf
Виробник: ONS/FAI
TO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.