Результат пошуку "BUZ11" : 44

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
BUZ11-NR4941
Код товару: 184234
buz11-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 50 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/
Монтаж: THT
у наявності: 15 шт
1+54 грн
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 ON Semiconductor 4513925598849966buz11.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 ON Semiconductor 4513925598849966buz11.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+69.43 грн
10+ 58.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 onsemi / Fairchild BUZ11_D-2310469.pdf MOSFET N-Channel 50V 33A
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 176-185 дні (днів)
4+79.76 грн
10+ 64.1 грн
100+ 44.15 грн
500+ 37.37 грн
1000+ 29.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
BUZ111S BUZ111S Infineon Technologies INFNS23677-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
353+55.28 грн
Мінімальне замовлення: 353
BUZ111SL-E3045A BUZ111SL-E3045A Infineon Technologies INFNS23676-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
353+55.28 грн
Мінімальне замовлення: 353
BUZ111SLE3045A BUZ111SLE3045A Siemens INFNS23676-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 50V 80A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+55.28 грн
Мінімальне замовлення: 355
BUZ11S2537 BUZ11S2537 Harris Corporation BUZ11.pdf?t.download=true&u=ovmfp3 Description: N CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TRANS
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+32.52 грн
Мінімальне замовлення: 606
BUZ11 STMicroelectronics NV N-кан. MOSFET 50V, 33A, 90Вт, 0.03Ом, -55...+150, TO-220 (STripFET MOSFET)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
BUZ11-NR4941 ON-Semicoductor buz11-d.pdf N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
BUZ110S INFINEON 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUZ110SL INFINEON 09+ DIP-3
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUZ110SL INFINEON 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUZ111S INFINEON INFNS23677-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUZ111SL INFINEON 09+ TO-263
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUZ111SL INFINEON
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUZ111SL INFINEON 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUZ11ACHIP
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUZ11AL
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUZ11CHIP
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUZ11CHP
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUZ11FIPS2FI
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUZ11S2
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75345P3 HUF75345P3 ONSEMI 2303923.pdf Description: ONSEMI - HUF75345P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.006 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 215W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.46 грн
10+ 135.86 грн
100+ 109.57 грн
500+ 82.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFIZ44NPBF IRFIZ44NPBF INFINEON INFN-S-A0003068458-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFIZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.024 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 2207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.53 грн
10+ 78.89 грн
100+ 60.77 грн
500+ 51.95 грн
1000+ 39.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF INFINEON 140096.pdf Description: INFINEON - IRFZ34NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
MSL: -
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 68W
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
на замовлення 57176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+73.77 грн
13+ 57.7 грн
100+ 41.34 грн
500+ 32.42 грн
1000+ 22.98 грн
5000+ 21.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
BUZ11
Код товару: 30902
Fairchild Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 50 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/ -
Монтаж: THT
товар відсутній
BUZ111SL
Код товару: 118789
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BUZ11A BUZ11A
Код товару: 77764
ST mtyujtztsvtmyj.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 50 V
Idd,A: 26 A
Rds(on), Ohm: 0,055 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/
Монтаж: THT
товар відсутній
BUZ11 BUZ11 STMicroelectronics MOSFET TO-220 N-CH 50V 33A
товар відсутній
BUZ11 BUZ11 onsemi / Fairchild fairchild semiconductor_buz11.pdf MOSFET FET 50V 40.0 MOHM TO220
товар відсутній
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 ONSEMI BUZ11.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 ONSEMI BUZ11.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 ON Semiconductor 4513925598849966buz11.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 ON Semiconductor 4513925598849966buz11.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 onsemi buz11-d.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товар відсутній
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 ON Semiconductor 4513925598849966buz11.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 ON Semiconductor 4513925598849966buz11.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
BUZ11-R4941 BUZ11-R4941 ON Semiconductor buz11.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
BUZ11A BUZ11A STMicroelectronics 2948.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
BUZ11_R4941 BUZ11_R4941 onsemi BUZ11.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFZ44ZPBF IRFZ44ZPBF INFINEON INFN-S-A0012838807-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFZ44ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.0139 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товар відсутній
NTE2389 NTE2389 NTE Electronics nte2389.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 152A; 125W; TO220
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 152A
Mounting: THT
Case: TO220
товар відсутній
BUZ11-NR4941
Код товару: 184234
buz11-d.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 50 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/
Монтаж: THT
у наявності: 15 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+54 грн
BUZ11-NR4941 4513925598849966buz11.pdf
BUZ11-NR4941
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BUZ11-NR4941 4513925598849966buz11.pdf
BUZ11-NR4941
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+69.43 грн
10+ 58.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
BUZ11-NR4941 BUZ11_D-2310469.pdf
BUZ11-NR4941
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Channel 50V 33A
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 176-185 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.76 грн
10+ 64.1 грн
100+ 44.15 грн
500+ 37.37 грн
1000+ 29.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
BUZ111S INFNS23677-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BUZ111S
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
353+55.28 грн
Мінімальне замовлення: 353
BUZ111SL-E3045A INFNS23676-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BUZ111SL-E3045A
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
353+55.28 грн
Мінімальне замовлення: 353
BUZ111SLE3045A INFNS23676-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BUZ111SLE3045A
Виробник: Siemens
Description: MOSFET N-CH 50V 80A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
355+55.28 грн
Мінімальне замовлення: 355
BUZ11S2537 BUZ11.pdf?t.download=true&u=ovmfp3
BUZ11S2537
Виробник: Harris Corporation
Description: N CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TRANS
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
606+32.52 грн
Мінімальне замовлення: 606
BUZ11
Виробник: STMicroelectronics NV
N-кан. MOSFET 50V, 33A, 90Вт, 0.03Ом, -55...+150, TO-220 (STripFET MOSFET)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
BUZ11-NR4941 buz11-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
BUZ110S
Виробник: INFINEON
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUZ110SL
Виробник: INFINEON
09+ DIP-3
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUZ110SL
Виробник: INFINEON
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUZ111S INFNS23677-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUZ111SL
Виробник: INFINEON
09+ TO-263
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUZ111SL
Виробник: INFINEON
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUZ111SL
Виробник: INFINEON
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUZ11ACHIP
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUZ11AL
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUZ11CHIP
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUZ11CHP
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUZ11FIPS2FI
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUZ11S2
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75345P3 2303923.pdf
HUF75345P3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75345P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.006 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 215W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+169.46 грн
10+ 135.86 грн
100+ 109.57 грн
500+ 82.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFIZ44NPBF INFN-S-A0003068458-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFIZ44NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFIZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.024 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 2207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+101.53 грн
10+ 78.89 грн
100+ 60.77 грн
500+ 51.95 грн
1000+ 39.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFZ34NPBF 140096.pdf
IRFZ34NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ34NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
MSL: -
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 68W
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
на замовлення 57176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+73.77 грн
13+ 57.7 грн
100+ 41.34 грн
500+ 32.42 грн
1000+ 22.98 грн
5000+ 21.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
BUZ11
Код товару: 30902
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 50 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/ -
Монтаж: THT
товар відсутній
BUZ111SL
Код товару: 118789
товар відсутній
BUZ11A
Код товару: 77764
mtyujtztsvtmyj.pdf
BUZ11A
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 50 V
Idd,A: 26 A
Rds(on), Ohm: 0,055 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/
Монтаж: THT
товар відсутній
BUZ11
BUZ11
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET TO-220 N-CH 50V 33A
товар відсутній
BUZ11 fairchild semiconductor_buz11.pdf
BUZ11
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET FET 50V 40.0 MOHM TO220
товар відсутній
BUZ11-NR4941 BUZ11.pdf
BUZ11-NR4941
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BUZ11-NR4941 BUZ11.pdf
BUZ11-NR4941
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BUZ11-NR4941 4513925598849966buz11.pdf
BUZ11-NR4941
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
BUZ11-NR4941 4513925598849966buz11.pdf
BUZ11-NR4941
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
BUZ11-NR4941 buz11-d.pdf
BUZ11-NR4941
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товар відсутній
BUZ11-NR4941 4513925598849966buz11.pdf
BUZ11-NR4941
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
BUZ11-NR4941 4513925598849966buz11.pdf
BUZ11-NR4941
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
BUZ11-R4941 buz11.pdf
BUZ11-R4941
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
BUZ11A 2948.pdf
BUZ11A
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 50V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
BUZ11_R4941 BUZ11.pdf
BUZ11_R4941
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFZ44ZPBF description INFN-S-A0012838807-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ44ZPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ44ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.0139 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товар відсутній
NTE2389 nte2389.pdf
NTE2389
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 152A; 125W; TO220
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 152A
Mounting: THT
Case: TO220
товар відсутній