Результат пошуку "F3808" : 22

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF3808PBF IRF3808PBF
Код товару: 33009
Додати до обраних Обраний товар

IR irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 140 A
Rds(on), Ohm: 0,007 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
Монтаж: THT
у наявності: 79 шт
50 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+74.00 грн
10+68.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4.5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3808; SP001563250; IRF3808-ML MOSLEADER TIRF3808 MOS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+50.40 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AE8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3808.pdf?ci_sign=9b75e9d1b7ae4216cd6e064857a08cfc6f4e1820 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+209.48 грн
10+168.21 грн
12+78.92 грн
33+74.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AE8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3808.pdf?ci_sign=9b75e9d1b7ae4216cd6e064857a08cfc6f4e1820 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 496 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+251.38 грн
10+209.62 грн
12+94.71 грн
33+89.92 грн
1000+88.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Infineon Technologies Infineon_IRF3808_DataSheet_v01_01_EN-3363042.pdf description MOSFETs MOSFT 75V 140A 7mOhm 150nC
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.86 грн
10+126.74 грн
100+104.85 грн
500+84.95 грн
1000+78.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808SPBF IR irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=75V; Id=140A; Pdmax=330W; Rds=0,007 Ohm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+188.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+236.95 грн
5+173.79 грн
10+94.07 грн
28+89.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+284.34 грн
5+216.57 грн
10+112.88 грн
28+107.14 грн
800+106.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF3808S_DataSheet_v01_01_EN-3362915.pdf MOSFETs MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+286.61 грн
10+205.07 грн
100+135.46 грн
500+114.03 грн
800+102.55 грн
2400+96.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF3808PBF 140A 75V N-ch TO-220
на замовлення 16 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
9+71.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ATF-38086-TR1 HP 02+;
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808/PBF IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808L IR TO-262
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF International Rectifier Corporation irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc IRF3808SPBF MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
на замовлення 25 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808S
Код товару: 48224
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808SPBF
Код товару: 129658
Додати до обраних Обраний товар

irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF
Код товару: 148871
Додати до обраних Обраний товар

irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc IRF3808STRRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UPD70F3808GB-GAH-AX Renesas UPD70F3808GB-GAH-AX NECHIEMCUBRC
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF
Код товару: 33009
Додати до обраних Обраний товар

description irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a
IRF3808PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 140 A
Rds(on), Ohm: 0,007 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
Монтаж: THT
у наявності: 79 шт
50 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+74.00 грн
10+68.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4.5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3808; SP001563250; IRF3808-ML MOSLEADER TIRF3808 MOS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+50.40 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AE8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3808.pdf?ci_sign=9b75e9d1b7ae4216cd6e064857a08cfc6f4e1820
IRF3808PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+209.48 грн
10+168.21 грн
12+78.92 грн
33+74.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AE8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3808.pdf?ci_sign=9b75e9d1b7ae4216cd6e064857a08cfc6f4e1820
IRF3808PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 496 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.38 грн
10+209.62 грн
12+94.71 грн
33+89.92 грн
1000+88.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF description Infineon_IRF3808_DataSheet_v01_01_EN-3363042.pdf
IRF3808PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 140A 7mOhm 150nC
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.86 грн
10+126.74 грн
100+104.85 грн
500+84.95 грн
1000+78.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808SPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=75V; Id=140A; Pdmax=330W; Rds=0,007 Ohm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
IRF3808STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.95 грн
5+173.79 грн
10+94.07 грн
28+89.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
IRF3808STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.34 грн
5+216.57 грн
10+112.88 грн
28+107.14 грн
800+106.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF Infineon_IRF3808S_DataSheet_v01_01_EN-3362915.pdf
IRF3808STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+286.61 грн
10+205.07 грн
100+135.46 грн
500+114.03 грн
800+102.55 грн
2400+96.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF3808PBF 140A 75V N-ch TO-220
на замовлення 16 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
9+71.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ATF-38086-TR1
Виробник: HP
02+;
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808/PBF
Виробник: IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808L
Виробник: IR
TO-262
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
Виробник: International Rectifier Corporation
IRF3808SPBF MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
на замовлення 25 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808S
Код товару: 48224
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808SPBF
Код товару: 129658
Додати до обраних Обраний товар

irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF
Код товару: 148871
Додати до обраних Обраний товар

irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRRPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF3808STRRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UPD70F3808GB-GAH-AX
Виробник: Renesas
UPD70F3808GB-GAH-AX NECHIEMCUBRC
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.