Результат пошуку "F3808" : 16
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 9
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF3808PBF Код товару: 33009
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 75 V Idd,A: 140 A Rds(on), Ohm: 0,007 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150 Монтаж: THT |
у наявності: 48 шт
29 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ 5 шт - РАДІОМАГ-Львів 5 шт - РАДІОМАГ-Харків |
|
||||||||||||||
| IRF3808-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4.5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3808; SP001563250; IRF3808-ML MOSLEADER TIRF3808 MOS кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRF3808PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 140A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Gate charge: 150nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 332 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF3808STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 75A Pulsed drain current: 550A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 449 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| Транзистор польовий IRF3808PBF 140A 75V N-ch TO-220 |
на замовлення 15 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| ATF-38086-TR1 | HP | 02+; |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF3808/PBF | IR |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF3808L | IR | TO-262 |
на замовлення 1349 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF3808SPBF | International Rectifier Corporation |
MOSFET N-CH, Udss=75V, Id=106A, D2PAK, -55 to + 175 |
на замовлення 25 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IRF3808S Код товару: 48224
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF3808SPBF Код товару: 129658
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF3808STRLPBF Код товару: 148871
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UPD70F3808GB-GAH-AX | Renesas |
UPD70F3808GB-GAH-AX NECHIEMCUBRC кількість в упаковці: 300 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF3808PBF Код товару: 33009
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 140 A
Rds(on), Ohm: 0,007 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 140 A
Rds(on), Ohm: 0,007 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
Монтаж: THT
у наявності: 48 шт
29 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 74.00 грн |
| 10+ | 68.00 грн |
| IRF3808-ML |
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4.5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3808; SP001563250; IRF3808-ML MOSLEADER TIRF3808 MOS
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4.5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3808; SP001563250; IRF3808-ML MOSLEADER TIRF3808 MOS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 51.00 грн |
| IRF3808PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 332 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 245.25 грн |
| 10+ | 141.10 грн |
| 25+ | 122.48 грн |
| 50+ | 113.87 грн |
| 100+ | 106.21 грн |
| 250+ | 94.73 грн |
| 500+ | 88.03 грн |
| IRF3808STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 449 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 269.98 грн |
| 5+ | 207.68 грн |
| 10+ | 183.72 грн |
| 25+ | 164.58 грн |
| 50+ | 151.18 грн |
| 100+ | 136.83 грн |
| 125+ | 133.96 грн |
| Транзистор польовий IRF3808PBF 140A 75V N-ch TO-220 |
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 72.69 грн |
| ATF-38086-TR1 |
Виробник: HP
02+;
02+;
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF3808/PBF |
Виробник: IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF3808L |
Виробник: IR
TO-262
TO-262
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF3808SPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier Corporation
MOSFET N-CH, Udss=75V, Id=106A, D2PAK, -55 to + 175
MOSFET N-CH, Udss=75V, Id=106A, D2PAK, -55 to + 175
на замовлення 25 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF3808S Код товару: 48224
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF3808SPBF Код товару: 129658
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF3808STRLPBF Код товару: 148871
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.




