Результат пошуку "F3808" : 57

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRF3808PBF IRF3808PBF
Код товару: 33009
IR irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Idd,A: 140 A
Rds(on), Ohm: 0,007 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
Монтаж: THT
у наявності: 66 шт
1+74 грн
10+ 68 грн
AUIRF3808 AUIRF3808 International Rectifier IRSDS12029-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+130.08 грн
Мінімальне замовлення: 151
DF38086RLP10V Renesas rej09b0182h838086r.pdf Description: IC MCU 16BIT 52KB FLASH 85TFLGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 85-TFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 10MHz
Program Memory Size: 52KB (52K x 8)
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 75°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: H8/300H
Data Converters: A/D 3x10b, 2x14bSAR
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, IrDA, SCI
Peripherals: LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 85-TFLGA (7x7)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 55
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+688.12 грн
Мінімальне замовлення: 29
DF38086RLP10WV DF38086RLP10WV Renesas Electronics Corporation h838086r-group-hardware-manual Description: IC MCU 16BIT 52KB FLASH 85TFLGA
Packaging: Tray
Package / Case: 85-TFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 10MHz
Program Memory Size: 52KB (52K x 8)
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: H8/300H
Data Converters: A/D 3x10b, 2x14b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, IrDA, SCI
Peripherals: LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 85-TFLGA (7x7)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 55
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+805.77 грн
10+ 712.99 грн
25+ 683.42 грн
80+ 565.1 грн
230+ 537.37 грн
440+ 502.7 грн
DF38086RW10WV Renesas rej09b0182h838086r.pdf Description: IC MCU 16BIT 52KB FLASH 80TQFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 80-TQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 10MHz
Program Memory Size: 52KB (52K x 8)
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: H8/300H
Data Converters: A/D 3x10b, 2x14bSAR
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, IrDA, SCI
Peripherals: LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 80-TQFP (12x12)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 55
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+688.12 грн
Мінімальне замовлення: 29
IRF3808PBF IRF3808PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3808.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.02 грн
10+ 86.14 грн
26+ 81.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3808PBF IRF3808PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3808.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 119 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+169.17 грн
3+ 147.07 грн
10+ 103.37 грн
26+ 97.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF3808PBF IRF3808PBF Infineon Technologies Infineon_IRF3808_DataSheet_v01_01_EN-3363042.pdf description MOSFET MOSFT 75V 140A 7mOhm 150nC
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+179.28 грн
10+ 154.25 грн
100+ 107.44 грн
500+ 91.16 грн
1000+ 76.18 грн
2000+ 72.93 грн
5000+ 70.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF3808PBF IRF3808PBF Infineon Technologies infineon-irf3808-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF3808PBF IRF3808PBF Infineon Technologies irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a description Description: MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.97 грн
50+ 134.5 грн
100+ 110.67 грн
500+ 87.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF3808SPBF IR irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=75V; Id=140A; Pdmax=330W; Rds=0,007 Ohm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+153.97 грн
10+ 129.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.21 грн
5+ 110.56 грн
10+ 80.03 грн
27+ 75.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 734 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+158.65 грн
5+ 137.77 грн
10+ 96.04 грн
27+ 91.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Infineon Technologies irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Description: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.58 грн
10+ 155.32 грн
100+ 125.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF3808S_DataSheet_v01_01_EN-3362915.pdf MOSFET MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.14 грн
10+ 172.22 грн
25+ 141.95 грн
100+ 121.11 грн
250+ 114.6 грн
500+ 108.09 грн
800+ 91.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Infineon Technologies irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Description: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+115.98 грн
1600+ 95.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3808s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+65.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
ATF-38086-TR1 HP 02+;
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF3808/PBF IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF3808L IR TO-262
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF3808S
Код товару: 48224
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF3808SPBF
Код товару: 129658
irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF3808STRLPBF
Код товару: 148871
irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
59112-F38-08-120LF Amphenol FCI 59112.pdf Headers & Wire Housings Minitek 2.00mm, Board To Board, Unshrouded Vertical Stacking Header, Through Hole, Double Row, 16 Positions.
товар відсутній
59112-F38-08-120LF Amphenol ICC (FCI) 59112.pdf Description: CONN HDR STACK
Packaging: Bag
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Pitch: 0.079" (2.00mm)
Row Spacing: 0.079" (2.000mm)
Termination: Solder
Contact Finish - Post (Mating): Gold
Contact Finish Thickness - Post (Mating): 8.00µin (0.203µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Number of Positions: 16
Length - Overall Pin: 0.752" (19.100mm)
Length - Post (Mating): 0.181" (4.597mm)
Length - Stack Height: 0.472" (11.989mm)
Length - Tail: 0.098" (2.50mm)
товар відсутній
59202-F38-08-120LF Amphenol ICC (FCI) Description: CONN HDR STACK SMD
Packaging: Bag
Color: Black
Mounting Type: Surface Mount
Pitch: 0.079" (2.00mm)
Row Spacing: 0.079" (2.000mm)
Termination: Solder
Contact Finish - Post (Mating): Gold
Contact Finish Thickness - Post (Mating): 8.00µin (0.203µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Number of Positions: 16
Length - Overall Pin: 0.685" (17.400mm)
Length - Post (Mating): 0.213" (5.400mm)
Length - Stack Height: 0.472" (11.989mm)
товар відсутній
59202-F38-08-120LF Amphenol FCI Board to Board & Mezzanine Connectors Minitek 2.00mm, Board to Board Connector, Unshrouded Stacking Header - Surface Mount - Double row - 16 Positions - 2mm (0.079inch) - Vertical.
товар відсутній
AMF38-08001800-28-20P L3 Narda-MITEQ Description: AMPLIFIER
Packaging: Box
Part Status: Active
товар відсутній
AUIRF3808 AUIRF3808 Infineon Technologies auirf3808.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
AUIRF3808S AUIRF3808S Infineon Technologies AUIRF3808S.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
товар відсутній
AUIRF3808S AUIRF3808S Infineon Technologies 4571120216002624auirf3808s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
AUIRF3808STRL AUIRF3808STRL Infineon Technologies 4571120216002624auirf3808s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
DF38086RH10V DF38086RH10V Renesas Electronics Corporation h838086r-group-hardware-manual Description: IC MCU 16BIT 52KB FLASH 80QFP
Packaging: Tray
Package / Case: 80-BQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 10MHz
Program Memory Size: 52KB (52K x 8)
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 75°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: H8/300H
Data Converters: A/D 3x10b, 2x14b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, IrDA, SCI
Peripherals: LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 80-QFP (14x14)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 55
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
DF38086RH10V DF38086RH10V Renesas rej09b0182_h838086r.pdf MCU 16-bit H8/300H CISC 52KB Flash 2.5V/3.3V 80-Pin PQFP
товар відсутній
DF38086RH4V DF38086RH4V Renesas Electronics Corporation h838086r-group-hardware-manual Description: IC MCU 16BIT 52KB FLASH 80QFP
Packaging: Tray
Package / Case: 80-BQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 4MHz
Program Memory Size: 52KB (52K x 8)
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 75°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: H8/300H
Data Converters: A/D 3x10b, 2x14b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, IrDA, SCI
Peripherals: LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 80-QFP (14x14)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 55
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
DF38086RLP4V DF38086RLP4V Renesas Electronics Corporation h838086r-group-hardware-manual Description: IC MCU 16BIT 52KB FLASH 85TFLGA
Packaging: Tray
Package / Case: 85-TFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 4MHz
Program Memory Size: 52KB (52K x 8)
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 75°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: H8/300H
Data Converters: A/D 3x10b, 2x14b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, IrDA, SCI
Peripherals: LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 85-TFLGA (7x7)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 55
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
DF38086RW10V DF38086RW10V Renesas rej09b0182_h838086r.pdf MCU 16-bit H8/300H CISC 52KB Flash 2.5V/3.3V 80-Pin TQFP
товар відсутній
DF38086RW10V DF38086RW10V Renesas Electronics Corporation h838086r-group-hardware-manual Description: IC MCU 16BIT 52KB FLASH 80TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 80-TQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 10MHz
Program Memory Size: 52KB (52K x 8)
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 75°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: H8/300H
Data Converters: A/D 3x10b, 2x14b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, IrDA, SCI
Peripherals: LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 80-TQFP (12x12)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 55
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
DF38086RW10WV DF38086RW10WV Renesas Electronics Corporation h838086r-group-hardware-manual Description: IC MCU 16BIT 52KB FLASH 80TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 80-TQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 10MHz
Program Memory Size: 52KB (52K x 8)
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: H8/300H
Data Converters: A/D 3x10b, 2x14b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, IrDA, SCI
Peripherals: LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 80-TQFP (12x12)
Number of I/O: 55
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
DF38086RW10WV DF38086RW10WV Renesas rej09b0182_h838086r.pdf MCU 16-bit H8/300H CISC 52KB Flash 2.5V/3.3V 80-Pin TQFP
товар відсутній
DF38086RW4V DF38086RW4V Renesas Electronics Corporation h838086r-group-hardware-manual Description: IC MCU 16BIT 52KB FLASH 80TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 80-TQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 4MHz
Program Memory Size: 52KB (52K x 8)
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 75°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: H8/300H
Data Converters: A/D 3x10b, 2x14b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, IrDA, SCI
Peripherals: LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 80-TQFP (12x12)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 55
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
IRF3808LPBF IRF3808LPBF Infineon Technologies irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Description: MOSFET N-CH 75V 106A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
IRF3808S IRF3808S Infineon Technologies irf3808s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF3808SHR IRF3808SHR International Rectifier HiRel Products irf3808s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A Automotive 3-Pin(2+Tab)
товар відсутній
IRF3808SPBF IRF3808SPBF Infineon Technologies infineon-irf3808s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
IRF3808SPBF IRF3808SPBF Infineon Technologies irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Description: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF3808STRR IRF3808STRR Infineon Technologies irf3808s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF3808STRRPBF IRF3808STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF3808STRRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 106A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 106A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF3808STRRPBF IRF3808STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF3808STRRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 106A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 106A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF3808STRRPBF IRF3808STRRPBF Infineon Technologies irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Description: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
IRF3808STRRPBF IRF3808STRRPBF Infineon Technologies 1159irf3808spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
UPD70F3808GB-GAH-AX Renesas UPD70F3808GB-GAH-AX NECHIEMCUBRC
кількість в упаковці: 300 шт
товар відсутній
V0603MHS03H V0603MHS03H Littelfuse Inc. media?resourcetype=datasheets&itemid=e9aede4e-5d62-4e33-87c7-a57fc96da91c&filename=littelfuse-varistor-mhs-datasheet Description: VARISTOR 135V 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount, MLCV
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Energy: 0.005J
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
Maximum AC Volts: 30 V
Maximum DC Volts: 42 V
Capacitance @ Frequency: 3 pF @ 1 MHz
товар відсутній
V0603MHS03H V0603MHS03H Littelfuse Inc. media?resourcetype=datasheets&itemid=e9aede4e-5d62-4e33-87c7-a57fc96da91c&filename=littelfuse-varistor-mhs-datasheet Description: VARISTOR 135V 0603
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount, MLCV
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Energy: 0.005J
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
Maximum AC Volts: 30 V
Maximum DC Volts: 42 V
Capacitance @ Frequency: 3 pF @ 1 MHz
товар відсутній
IRF3808PBF
Код товару: 33009
description irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a
IRF3808PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Idd,A: 140 A
Rds(on), Ohm: 0,007 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
Монтаж: THT
у наявності: 66 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+74 грн
10+ 68 грн
AUIRF3808 IRSDS12029-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRF3808
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
151+130.08 грн
Мінімальне замовлення: 151
DF38086RLP10V rej09b0182h838086r.pdf
Виробник: Renesas
Description: IC MCU 16BIT 52KB FLASH 85TFLGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 85-TFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 10MHz
Program Memory Size: 52KB (52K x 8)
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 75°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: H8/300H
Data Converters: A/D 3x10b, 2x14bSAR
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, IrDA, SCI
Peripherals: LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 85-TFLGA (7x7)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 55
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+688.12 грн
Мінімальне замовлення: 29
DF38086RLP10WV h838086r-group-hardware-manual
DF38086RLP10WV
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC MCU 16BIT 52KB FLASH 85TFLGA
Packaging: Tray
Package / Case: 85-TFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 10MHz
Program Memory Size: 52KB (52K x 8)
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: H8/300H
Data Converters: A/D 3x10b, 2x14b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, IrDA, SCI
Peripherals: LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 85-TFLGA (7x7)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 55
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+805.77 грн
10+ 712.99 грн
25+ 683.42 грн
80+ 565.1 грн
230+ 537.37 грн
440+ 502.7 грн
DF38086RW10WV rej09b0182h838086r.pdf
Виробник: Renesas
Description: IC MCU 16BIT 52KB FLASH 80TQFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 80-TQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 10MHz
Program Memory Size: 52KB (52K x 8)
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: H8/300H
Data Converters: A/D 3x10b, 2x14bSAR
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, IrDA, SCI
Peripherals: LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 80-TQFP (12x12)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 55
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+688.12 грн
Мінімальне замовлення: 29
IRF3808PBF description irf3808.pdf
IRF3808PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.02 грн
10+ 86.14 грн
26+ 81.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3808PBF description irf3808.pdf
IRF3808PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 119 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+169.17 грн
3+ 147.07 грн
10+ 103.37 грн
26+ 97.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF3808PBF description Infineon_IRF3808_DataSheet_v01_01_EN-3363042.pdf
IRF3808PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 75V 140A 7mOhm 150nC
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+179.28 грн
10+ 154.25 грн
100+ 107.44 грн
500+ 91.16 грн
1000+ 76.18 грн
2000+ 72.93 грн
5000+ 70.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF3808PBF description infineon-irf3808-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3808PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF3808PBF description irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a
IRF3808PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+173.97 грн
50+ 134.5 грн
100+ 110.67 грн
500+ 87.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF3808SPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=75V; Id=140A; Pdmax=330W; Rds=0,007 Ohm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+153.97 грн
10+ 129.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF3808STRLPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
IRF3808STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+132.21 грн
5+ 110.56 грн
10+ 80.03 грн
27+ 75.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3808STRLPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
IRF3808STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 734 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+158.65 грн
5+ 137.77 грн
10+ 96.04 грн
27+ 91.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF3808STRLPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
IRF3808STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+191.58 грн
10+ 155.32 грн
100+ 125.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF3808STRLPBF Infineon_IRF3808S_DataSheet_v01_01_EN-3362915.pdf
IRF3808STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+208.14 грн
10+ 172.22 грн
25+ 141.95 грн
100+ 121.11 грн
250+ 114.6 грн
500+ 108.09 грн
800+ 91.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF3808STRLPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
IRF3808STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+115.98 грн
1600+ 95.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF3808STRLPBF infineon-irf3808s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3808STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+65.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
ATF-38086-TR1
Виробник: HP
02+;
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF3808/PBF
Виробник: IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF3808L
Виробник: IR
TO-262
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF3808S
Код товару: 48224
товар відсутній
IRF3808SPBF
Код товару: 129658
irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
товар відсутній
IRF3808STRLPBF
Код товару: 148871
irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
товар відсутній
59112-F38-08-120LF 59112.pdf
Виробник: Amphenol FCI
Headers & Wire Housings Minitek 2.00mm, Board To Board, Unshrouded Vertical Stacking Header, Through Hole, Double Row, 16 Positions.
товар відсутній
59112-F38-08-120LF 59112.pdf
Виробник: Amphenol ICC (FCI)
Description: CONN HDR STACK
Packaging: Bag
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Pitch: 0.079" (2.00mm)
Row Spacing: 0.079" (2.000mm)
Termination: Solder
Contact Finish - Post (Mating): Gold
Contact Finish Thickness - Post (Mating): 8.00µin (0.203µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Number of Positions: 16
Length - Overall Pin: 0.752" (19.100mm)
Length - Post (Mating): 0.181" (4.597mm)
Length - Stack Height: 0.472" (11.989mm)
Length - Tail: 0.098" (2.50mm)
товар відсутній
59202-F38-08-120LF
Виробник: Amphenol ICC (FCI)
Description: CONN HDR STACK SMD
Packaging: Bag
Color: Black
Mounting Type: Surface Mount
Pitch: 0.079" (2.00mm)
Row Spacing: 0.079" (2.000mm)
Termination: Solder
Contact Finish - Post (Mating): Gold
Contact Finish Thickness - Post (Mating): 8.00µin (0.203µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Number of Positions: 16
Length - Overall Pin: 0.685" (17.400mm)
Length - Post (Mating): 0.213" (5.400mm)
Length - Stack Height: 0.472" (11.989mm)
товар відсутній
59202-F38-08-120LF
Виробник: Amphenol FCI
Board to Board & Mezzanine Connectors Minitek 2.00mm, Board to Board Connector, Unshrouded Stacking Header - Surface Mount - Double row - 16 Positions - 2mm (0.079inch) - Vertical.
товар відсутній
AMF38-08001800-28-20P
Виробник: L3 Narda-MITEQ
Description: AMPLIFIER
Packaging: Box
Part Status: Active
товар відсутній
AUIRF3808 auirf3808.pdf
AUIRF3808
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
AUIRF3808S AUIRF3808S.pdf
AUIRF3808S
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
товар відсутній
AUIRF3808S 4571120216002624auirf3808s.pdf
AUIRF3808S
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
AUIRF3808STRL 4571120216002624auirf3808s.pdf
AUIRF3808STRL
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
DF38086RH10V h838086r-group-hardware-manual
DF38086RH10V
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC MCU 16BIT 52KB FLASH 80QFP
Packaging: Tray
Package / Case: 80-BQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 10MHz
Program Memory Size: 52KB (52K x 8)
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 75°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: H8/300H
Data Converters: A/D 3x10b, 2x14b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, IrDA, SCI
Peripherals: LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 80-QFP (14x14)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 55
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
DF38086RH10V rej09b0182_h838086r.pdf
DF38086RH10V
Виробник: Renesas
MCU 16-bit H8/300H CISC 52KB Flash 2.5V/3.3V 80-Pin PQFP
товар відсутній
DF38086RH4V h838086r-group-hardware-manual
DF38086RH4V
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC MCU 16BIT 52KB FLASH 80QFP
Packaging: Tray
Package / Case: 80-BQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 4MHz
Program Memory Size: 52KB (52K x 8)
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 75°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: H8/300H
Data Converters: A/D 3x10b, 2x14b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, IrDA, SCI
Peripherals: LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 80-QFP (14x14)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 55
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
DF38086RLP4V h838086r-group-hardware-manual
DF38086RLP4V
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC MCU 16BIT 52KB FLASH 85TFLGA
Packaging: Tray
Package / Case: 85-TFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 4MHz
Program Memory Size: 52KB (52K x 8)
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 75°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: H8/300H
Data Converters: A/D 3x10b, 2x14b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, IrDA, SCI
Peripherals: LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 85-TFLGA (7x7)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 55
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
DF38086RW10V rej09b0182_h838086r.pdf
DF38086RW10V
Виробник: Renesas
MCU 16-bit H8/300H CISC 52KB Flash 2.5V/3.3V 80-Pin TQFP
товар відсутній
DF38086RW10V h838086r-group-hardware-manual
DF38086RW10V
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC MCU 16BIT 52KB FLASH 80TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 80-TQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 10MHz
Program Memory Size: 52KB (52K x 8)
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 75°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: H8/300H
Data Converters: A/D 3x10b, 2x14b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, IrDA, SCI
Peripherals: LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 80-TQFP (12x12)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 55
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
DF38086RW10WV h838086r-group-hardware-manual
DF38086RW10WV
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC MCU 16BIT 52KB FLASH 80TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 80-TQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 10MHz
Program Memory Size: 52KB (52K x 8)
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: H8/300H
Data Converters: A/D 3x10b, 2x14b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, IrDA, SCI
Peripherals: LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 80-TQFP (12x12)
Number of I/O: 55
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
DF38086RW10WV rej09b0182_h838086r.pdf
DF38086RW10WV
Виробник: Renesas
MCU 16-bit H8/300H CISC 52KB Flash 2.5V/3.3V 80-Pin TQFP
товар відсутній
DF38086RW4V h838086r-group-hardware-manual
DF38086RW4V
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC MCU 16BIT 52KB FLASH 80TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 80-TQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 4MHz
Program Memory Size: 52KB (52K x 8)
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 75°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: H8/300H
Data Converters: A/D 3x10b, 2x14b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, IrDA, SCI
Peripherals: LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 80-TQFP (12x12)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 55
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
IRF3808LPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
IRF3808LPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 106A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
IRF3808S irf3808s.pdf
IRF3808S
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF3808SHR irf3808s.pdf
IRF3808SHR
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A Automotive 3-Pin(2+Tab)
товар відсутній
IRF3808SPBF infineon-irf3808s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3808SPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
IRF3808SPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
IRF3808SPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF3808STRR irf3808s.pdf
IRF3808STRR
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF3808STRRPBF IRF3808STRRPBF.pdf
IRF3808STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 106A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 106A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF3808STRRPBF IRF3808STRRPBF.pdf
IRF3808STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 106A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 106A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF3808STRRPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
IRF3808STRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
IRF3808STRRPBF 1159irf3808spbf.pdf
IRF3808STRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
UPD70F3808GB-GAH-AX
Виробник: Renesas
UPD70F3808GB-GAH-AX NECHIEMCUBRC
кількість в упаковці: 300 шт
товар відсутній
V0603MHS03H media?resourcetype=datasheets&itemid=e9aede4e-5d62-4e33-87c7-a57fc96da91c&filename=littelfuse-varistor-mhs-datasheet
V0603MHS03H
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: VARISTOR 135V 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount, MLCV
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Energy: 0.005J
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
Maximum AC Volts: 30 V
Maximum DC Volts: 42 V
Capacitance @ Frequency: 3 pF @ 1 MHz
товар відсутній
V0603MHS03H media?resourcetype=datasheets&itemid=e9aede4e-5d62-4e33-87c7-a57fc96da91c&filename=littelfuse-varistor-mhs-datasheet
V0603MHS03H
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: VARISTOR 135V 0603
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount, MLCV
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Energy: 0.005J
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
Maximum AC Volts: 30 V
Maximum DC Volts: 42 V
Capacitance @ Frequency: 3 pF @ 1 MHz
товар відсутній