Результат пошуку "F3808" : 21

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF3808PBF IRF3808PBF
Код товару: 33009
Додати до обраних Обраний товар

IR irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 140 A
Rds(on), Ohm: 0,007 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
Монтаж: THT
у наявності: 76 шт
47 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+74.00 грн
10+68.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4.5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3808; SP001563250; IRF3808-ML MOSLEADER TIRF3808 MOS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+49.91 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AE8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3808.pdf?ci_sign=9b75e9d1b7ae4216cd6e064857a08cfc6f4e1820 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+207.47 грн
10+166.60 грн
12+78.17 грн
33+74.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AE8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3808.pdf?ci_sign=9b75e9d1b7ae4216cd6e064857a08cfc6f4e1820 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 481 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+248.97 грн
10+207.61 грн
12+93.80 грн
33+89.06 грн
1000+88.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+234.68 грн
5+172.12 грн
10+93.17 грн
28+88.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 474 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+281.62 грн
5+214.49 грн
10+111.80 грн
28+106.12 грн
800+105.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRF3808S-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+288.28 грн
10+196.13 грн
100+120.52 грн
800+97.02 грн
2400+92.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF3808PBF 140A 75V N-ch TO-220
на замовлення 16 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
9+71.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ATF-38086-TR1 HP 02+;
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808/PBF IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808L IR TO-262
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF International Rectifier Corporation irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc IRF3808SPBF MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
на замовлення 25 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808S
Код товару: 48224
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808SPBF
Код товару: 129658
Додати до обраних Обраний товар

irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF
Код товару: 148871
Додати до обраних Обраний товар

irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF Infineon Technologies Infineon-IRF3808-DataSheet-v01_01-EN.pdf description MOSFETs MOSFT 75V 140A 7mOhm 150nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc IRF3808STRRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UPD70F3808GB-GAH-AX Renesas UPD70F3808GB-GAH-AX NECHIEMCUBRC
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF
Код товару: 33009
Додати до обраних Обраний товар

description irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a
IRF3808PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 140 A
Rds(on), Ohm: 0,007 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
Монтаж: THT
у наявності: 76 шт
47 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+74.00 грн
10+68.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4.5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3808; SP001563250; IRF3808-ML MOSLEADER TIRF3808 MOS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+49.91 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AE8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3808.pdf?ci_sign=9b75e9d1b7ae4216cd6e064857a08cfc6f4e1820
IRF3808PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+207.47 грн
10+166.60 грн
12+78.17 грн
33+74.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AE8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3808.pdf?ci_sign=9b75e9d1b7ae4216cd6e064857a08cfc6f4e1820
IRF3808PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 481 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.97 грн
10+207.61 грн
12+93.80 грн
33+89.06 грн
1000+88.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
IRF3808STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.68 грн
5+172.12 грн
10+93.17 грн
28+88.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
IRF3808STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 474 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+281.62 грн
5+214.49 грн
10+111.80 грн
28+106.12 грн
800+105.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF Infineon-IRF3808S-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF3808STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.28 грн
10+196.13 грн
100+120.52 грн
800+97.02 грн
2400+92.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF3808PBF 140A 75V N-ch TO-220
на замовлення 16 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
9+71.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ATF-38086-TR1
Виробник: HP
02+;
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808/PBF
Виробник: IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808L
Виробник: IR
TO-262
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
Виробник: International Rectifier Corporation
IRF3808SPBF MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
на замовлення 25 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808S
Код товару: 48224
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808SPBF
Код товару: 129658
Додати до обраних Обраний товар

irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF
Код товару: 148871
Додати до обраних Обраний товар

irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF description Infineon-IRF3808-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF3808PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 140A 7mOhm 150nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRRPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF3808STRRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UPD70F3808GB-GAH-AX
Виробник: Renesas
UPD70F3808GB-GAH-AX NECHIEMCUBRC
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.