Результат пошуку "Fr5305" : 44
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 29
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 11
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFR5305PBF Код товару: 2560
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: D-Pak Uds,V: 55 V Id,A: 25 A Rds(on),Om: 0,065 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63 Монтаж: SMD |
у наявності: 472 шт
407 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Львів 23 шт - РАДІОМАГ-Харків 4 шт - РАДІОМАГ-Одеса 18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR5305TR Код товару: 185048
Додати до обраних
Обраний товар
|
Infineon |
![]() Корпус: D-Pak Uds,V: 55 V Id,A: 25 A Rds(on),Om: 0,065 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63 Монтаж: SMD |
у наявності: 982 шт
900 шт - склад
28 шт - РАДІОМАГ-Київ 5 шт - РАДІОМАГ-Львів 10 шт - РАДІОМАГ-Харків 9 шт - РАДІОМАГ-Одеса 30 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
FR5305 | IR | 04+ |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
AUIRFR5305 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AUIRFR5305TRL | Infineon/IR |
![]() |
на замовлення 30 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR5305 | SLKOR |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 50W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305 SLKOR TIRFR5305 SLK кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 95 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR5305 | JSMicro Semiconductor |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 50A; 113W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305 JSMICRO TIRFR5305 JSM кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR5305SPBF; -31A; -55V; 110W; P-MOSFET; HEXFET; Корпус: DPAK; INFINEON |
на замовлення 34 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR5305T | HXY MOSFET |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 20A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305T HXY MOSFET TIRFR5305 HXY кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 140 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR5305TR | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 29440 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR5305TR | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR5305TR | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR5305TR | JGSEMI |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR5305TR | UMW |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR5305TR | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 14930 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR5305TR | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR5305TR IRFR5305TR | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRFR5305TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK Case: DPAK Drain-source voltage: -55V Drain current: -28A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 89W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD |
на замовлення 4051 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR5305TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK Case: DPAK Drain-source voltage: -55V Drain current: -28A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 89W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4051 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR5305TRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR5305TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK Case: DPAK Drain-source voltage: -55V Drain current: -28A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 89W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD |
на замовлення 3842 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRFR5305TRPBF | Infineon |
![]() ![]() |
на замовлення 1420 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRFR5305TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK Case: DPAK Drain-source voltage: -55V Drain current: -28A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 89W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3842 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR5305TRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 55125 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
Транзистор польовий IRFR5305PBF -31A -55V P-ch DPAK |
на замовлення 11 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR5305 | IR | TO-252 |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRFR5305 | IR | 07+ TO-252 |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRFR5305 | IR | 08+ SOD-323 |
на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRFR5305/PBF |
на замовлення 5080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IRFR5305PBF |
![]() |
на замовлення 109 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IRFR5305PBF | International Rectifier/Infineon |
![]() |
на замовлення 200 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRFR5305TRL |
![]() |
на замовлення 1390 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IRFR5305TRPBF | International Rectifier/Infineon |
![]() ![]() |
на замовлення 321 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
HYG450P06LA1D | HUAYI |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20A; 62mOhm; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; IRFR9024N; IRFR9024NTRL; IRFR9024NTR; IRFR9024NTRR; HYG450P06LA1D HUAYI THYG450p06la1d кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 248 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRFR5305TRPBF Код товару: 4177
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() ![]() Корпус: D-Pak Uds,V: 55 V Id,A: 25 A Rds(on),Om: 0,065 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63 Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
![]() |
AUIRFR5305TR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -31A Power dissipation: 110W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
AUIRFR5305TRL | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -22A; Idm: -110A; 110W Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -22A Power dissipation: 110W Case: TO252AA Mounting: SMD Kind of channel: enhancement On-state resistance: 65mΩ Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -110A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
AUIRFR5305TR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -31A Power dissipation: 110W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
AUIRFR5305TRL | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -22A; Idm: -110A; 110W Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -22A Power dissipation: 110W Case: TO252AA Mounting: SMD Kind of channel: enhancement On-state resistance: 65mΩ Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -110A кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IRFR5305PBF Код товару: 2560
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 25 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 25 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
у наявності: 472 шт
407 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
23 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
23 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 44.00 грн |
10+ | 39.60 грн |
100+ | 35.70 грн |
IRFR5305TR Код товару: 185048
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 25 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 25 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
у наявності: 982 шт
900 шт - склад
28 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
9 шт - РАДІОМАГ-Одеса
30 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
28 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
9 шт - РАДІОМАГ-Одеса
30 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 40.00 грн |
10+ | 35.70 грн |
FR5305 |
Виробник: IR
04+
04+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
AUIRFR5305 |
![]() |
Виробник: Infineon
MOSFET P-CH 55V 31A Automotive AUIRFR5305 International Rectifier TAUIRFR5305
кількість в упаковці: 25 шт
MOSFET P-CH 55V 31A Automotive AUIRFR5305 International Rectifier TAUIRFR5305
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 106.21 грн |
AUIRFR5305TRL |
![]() |
Виробник: Infineon/IR
ИМС MOSFET AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 65mOhms
ИМС MOSFET AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 65mOhms
на замовлення 30 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 463.68 грн |
10+ | 403.65 грн |
IRFR5305 |
Виробник: SLKOR
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 50W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305 SLKOR TIRFR5305 SLK
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 50W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305 SLKOR TIRFR5305 SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 17.86 грн |
IRFR5305 |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 50A; 113W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305 JSMICRO TIRFR5305 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 50A; 113W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305 JSMICRO TIRFR5305 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 22.18 грн |
IRFR5305SPBF; -31A; -55V; 110W; P-MOSFET; HEXFET; Корпус: DPAK; INFINEON |
на замовлення 34 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
29+ | 24.34 грн |
IRFR5305T |
Виробник: HXY MOSFET
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 20A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305T HXY MOSFET TIRFR5305 HXY
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 20A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305T HXY MOSFET TIRFR5305 HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 18.03 грн |
IRFR5305TR |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 29440 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 19.74 грн |
IRFR5305TR |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 19.74 грн |
IRFR5305TR |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 19.74 грн |
IRFR5305TR |
![]() |
Виробник: JGSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 20A; 25W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305TR JGSEMI TIRFR5305 JGS
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 20A; 25W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305TR JGSEMI TIRFR5305 JGS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 18.61 грн |
IRFR5305TR |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 17.86 грн |
IRFR5305TR |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 14930 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 19.74 грн |
IRFR5305TR |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 19.74 грн |
IRFR5305TR IRFR5305TR |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 22.26 грн |
IRFR5305TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 89W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 89W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
на замовлення 4051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 95.24 грн |
10+ | 60.55 грн |
35+ | 26.00 грн |
95+ | 24.57 грн |
IRFR5305TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 89W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 89W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4051 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 114.29 грн |
10+ | 75.45 грн |
35+ | 31.20 грн |
95+ | 29.48 грн |
6000+ | 29.12 грн |
IRFR5305TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -28A 65mOhm 42nC
MOSFETs MOSFT PCh -55V -28A 65mOhm 42nC
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 109.21 грн |
10+ | 79.28 грн |
25+ | 67.05 грн |
100+ | 53.48 грн |
250+ | 51.23 грн |
500+ | 42.31 грн |
1000+ | 38.24 грн |
IRFR5305TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 89W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 89W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
на замовлення 3842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 87.92 грн |
10+ | 57.22 грн |
25+ | 45.05 грн |
41+ | 21.85 грн |
113+ | 20.64 грн |
2000+ | 19.88 грн |
IRFR5305TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D-PAK Udss=-55V; Id=31A; Pdmax=110W; Rds=0,065Ohm
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D-PAK Udss=-55V; Id=31A; Pdmax=110W; Rds=0,065Ohm
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 72.45 грн |
10+ | 53.82 грн |
100+ | 43.06 грн |
IRFR5305TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 89W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 89W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3842 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 105.50 грн |
10+ | 71.31 грн |
25+ | 54.06 грн |
41+ | 26.21 грн |
113+ | 24.76 грн |
2000+ | 23.86 грн |
IRFR5305TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC
MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC
на замовлення 55125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 126.99 грн |
10+ | 79.03 грн |
25+ | 58.71 грн |
100+ | 45.86 грн |
500+ | 35.99 грн |
1000+ | 32.80 грн |
2000+ | 30.12 грн |
Транзистор польовий IRFR5305PBF -31A -55V P-ch DPAK |
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 54.63 грн |
IRFR5305 |
Виробник: IR
TO-252
TO-252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRFR5305 |
Виробник: IR
07+ TO-252
07+ TO-252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRFR5305 |
Виробник: IR
08+ SOD-323
08+ SOD-323
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRFR5305PBF |
![]() |
IRFR5305PBF Транзисторы
на замовлення 109 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRFR5305PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 31 А; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 65 мОм @ 16 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D-PAK
P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 31 А; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 65 мОм @ 16 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D-PAK
на замовлення 200 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRFR5305TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 31 A; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 пФ @ 25 В; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 65 мОм @ 16 А; 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; DPAK
P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 31 A; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 пФ @ 25 В; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 65 мОм @ 16 А; 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; DPAK
на замовлення 321 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
HYG450P06LA1D |
Виробник: HUAYI
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20A; 62mOhm; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; IRFR9024N; IRFR9024NTRL; IRFR9024NTR; IRFR9024NTRR; HYG450P06LA1D HUAYI THYG450p06la1d
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20A; 62mOhm; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; IRFR9024N; IRFR9024NTRL; IRFR9024NTR; IRFR9024NTRR; HYG450P06LA1D HUAYI THYG450p06la1d
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 248 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 15.79 грн |
IRFR5305TRPBF Код товару: 4177
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 25 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 25 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 31.00 грн |
10+ | 27.80 грн |
100+ | 24.80 грн |
AUIRFR5305TR |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AUIRFR5305TRL |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -22A; Idm: -110A; 110W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -22A
Power dissipation: 110W
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 65mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -110A
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -22A; Idm: -110A; 110W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -22A
Power dissipation: 110W
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 65mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -110A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AUIRFR5305TR |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AUIRFR5305TRL |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -22A; Idm: -110A; 110W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -22A
Power dissipation: 110W
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 65mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -110A
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -22A; Idm: -110A; 110W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -22A
Power dissipation: 110W
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 65mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -110A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.