Результат пошуку "IRF1010E" : 19

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF1010EPBF IRF1010EPBF
Код товару: 72223
Додати до обраних Обраний товар

IR irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883 description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 84 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/
Монтаж: THT
у наявності: 129 шт
91 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Харків
11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+54.00 грн
10+49.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010E International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 285 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+37.11 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010E JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010E JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010e.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 151 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.51 грн
10+73.56 грн
50+59.20 грн
100+53.08 грн
200+47.65 грн
250+46.19 грн
500+45.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTR International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ES, IRF1010ESTRL IRF1010ES smd TIRF1010es
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+66.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 330A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+126.45 грн
10+103.80 грн
50+84.43 грн
100+78.60 грн
250+71.81 грн
500+66.96 грн
800+63.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010ez.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 222 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.42 грн
10+54.12 грн
50+48.71 грн
500+43.57 грн
2000+40.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF International Rectifier Corporation irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883 description TO-220
на замовлення 90 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ES IR TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ES-VB VBsemi 60V 150A 220W 4mOhm@10V 4V@250uA 1 N-Channel TO-263(D2PAK) MOSFETs IRF1010ES-VB TO-263 VBsemi Elec TIRF1010es VBS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRPBF
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZS IR irf1010ez.pdf TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZSPBF irf1010ezpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da68861885
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1010EZS International Rectifier IRSDS10898-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw auirf1010ez.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a891b01360 MOSFET N-CH 60V 84A Automotive AUIRF1010EZS International Rectifier TAUIRF1010ezs
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
6+94.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010E
Код товару: 24949
Додати до обраних Обраний товар

IR Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 84 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/130
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF
Код товару: 72223
Додати до обраних Обраний товар

description irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883
IRF1010EPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 84 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/
Монтаж: THT
у наявності: 129 шт
91 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Харків
11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+54.00 грн
10+49.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010E
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 285 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+37.11 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010E
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010E
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf1010e.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 151 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.51 грн
10+73.56 грн
50+59.20 грн
100+53.08 грн
200+47.65 грн
250+46.19 грн
500+45.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTR
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ES, IRF1010ESTRL IRF1010ES smd TIRF1010es
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+66.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBF Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 330A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.45 грн
10+103.80 грн
50+84.43 грн
100+78.60 грн
250+71.81 грн
500+66.96 грн
800+63.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF description irf1010ez.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 222 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.42 грн
10+54.12 грн
50+48.71 грн
500+43.57 грн
2000+40.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883
Виробник: International Rectifier Corporation
TO-220
на замовлення 90 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ES
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ES-VB
Виробник: VBsemi
60V 150A 220W 4mOhm@10V 4V@250uA 1 N-Channel TO-263(D2PAK) MOSFETs IRF1010ES-VB TO-263 VBsemi Elec TIRF1010es VBS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRPBF
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZS irf1010ez.pdf
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZSPBF irf1010ezpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da68861885
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1010EZS IRSDS10898-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw auirf1010ez.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a891b01360
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 60V 84A Automotive AUIRF1010EZS International Rectifier TAUIRF1010ezs
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+94.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010E
Код товару: 24949
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 84 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/130
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.