Результат пошуку "IRF1010E" : 42

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF1010EPBF IRF1010EPBF
Код товару: 72223
Додати до обраних Обраний товар

IR irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883 description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 84 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/
Монтаж: THT
у наявності: 189 шт
105 шт - склад
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
19 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Харків
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+54.00 грн
10+49.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010E International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 345 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+36.58 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010E JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010E JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A41F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1010e.pdf?ci_sign=4e33b918874e4f5bb5c633f1a31b0fc4da8e2c04 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF INFINEON IRSDS11091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF1010EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+105.60 грн
12+75.64 грн
100+64.05 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
390+78.73 грн
Мінімальне замовлення: 390
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+46.11 грн
50+45.07 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
390+78.73 грн
500+70.85 грн
Мінімальне замовлення: 390
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+50.07 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies Infineon_IRF1010E_DataSheet_v01_01_EN-3362725.pdf description MOSFETs MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.43 грн
10+64.60 грн
100+52.35 грн
500+48.29 грн
1000+46.91 грн
2000+41.33 грн
5000+40.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+91.52 грн
141+87.42 грн
250+83.91 грн
500+77.99 грн
1000+69.86 грн
Мінімальне замовлення: 134
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 330A
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+139.94 грн
10+90.08 грн
19+51.82 грн
51+48.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 330A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 331 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+167.93 грн
10+112.26 грн
19+62.18 грн
51+58.36 грн
3200+56.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A4FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1010ez.pdf?ci_sign=ed8bcac49cadd537057bdfcef3363db1c4c84ff7 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies Infineon_IRF1010EZ_DataSheet_v01_01_EN-3363037.pdf description MOSFETs MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC
на замовлення 1923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.98 грн
10+52.89 грн
100+45.69 грн
500+45.38 грн
1000+41.94 грн
2000+41.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
383+80.05 грн
500+72.04 грн
1000+66.44 грн
Мінімальне замовлення: 383
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+78.95 грн
168+73.23 грн
229+53.67 грн
Мінімальне замовлення: 156
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF INFINEON INFN-S-A0012838805-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF1010EZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.0085 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.45 грн
11+79.59 грн
100+58.72 грн
500+53.97 грн
1000+45.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+43.52 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+81.60 грн
10+79.11 грн
25+56.14 грн
100+53.20 грн
250+48.86 грн
500+45.61 грн
1000+45.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
383+80.05 грн
500+72.04 грн
Мінімальне замовлення: 383
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF International Rectifier Corporation irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883 description TO-220
на замовлення 90 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ES IR TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRPBF
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZS IR irf1010ez.pdf TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZSPBF irf1010ezpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da68861885
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1010EZS International Rectifier IRSDS10898-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw auirf1010ez.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a891b01360 MOSFET N-CH 60V 84A Automotive AUIRF1010EZS International Rectifier TAUIRF1010ezs
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
6+93.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010E
Код товару: 24949
Додати до обраних Обраний товар

IR Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 84 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/130
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010E IRF1010E Infineon / IR Infineon_IRF1010E_DataSheet_v01_01_EN-3362725.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A41F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1010e.pdf?ci_sign=4e33b918874e4f5bb5c633f1a31b0fc4da8e2c04 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A4FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1010ez.pdf?ci_sign=ed8bcac49cadd537057bdfcef3363db1c4c84ff7 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF
Код товару: 72223
Додати до обраних Обраний товар

description irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883
IRF1010EPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 84 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/
Монтаж: THT
у наявності: 189 шт
105 шт - склад
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
19 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Харків
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+54.00 грн
10+49.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010E
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 345 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+36.58 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010E
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010E
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A41F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1010e.pdf?ci_sign=4e33b918874e4f5bb5c633f1a31b0fc4da8e2c04
IRF1010EPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description IRSDS11091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1010EPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+105.60 грн
12+75.64 грн
100+64.05 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
390+78.73 грн
Мінімальне замовлення: 390
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+46.11 грн
50+45.07 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
390+78.73 грн
500+70.85 грн
Мінімальне замовлення: 390
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+50.07 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description Infineon_IRF1010E_DataSheet_v01_01_EN-3362725.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.43 грн
10+64.60 грн
100+52.35 грн
500+48.29 грн
1000+46.91 грн
2000+41.33 грн
5000+40.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
134+91.52 грн
141+87.42 грн
250+83.91 грн
500+77.99 грн
1000+69.86 грн
Мінімальне замовлення: 134
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBF Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 330A
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+139.94 грн
10+90.08 грн
19+51.82 грн
51+48.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBF Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 330A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 331 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.93 грн
10+112.26 грн
19+62.18 грн
51+58.36 грн
3200+56.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A4FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1010ez.pdf?ci_sign=ed8bcac49cadd537057bdfcef3363db1c4c84ff7
IRF1010EZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF description Infineon_IRF1010EZ_DataSheet_v01_01_EN-3363037.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC
на замовлення 1923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.98 грн
10+52.89 грн
100+45.69 грн
500+45.38 грн
1000+41.94 грн
2000+41.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF description infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
383+80.05 грн
500+72.04 грн
1000+66.44 грн
Мінімальне замовлення: 383
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF description infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
156+78.95 грн
168+73.23 грн
229+53.67 грн
Мінімальне замовлення: 156
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF description INFN-S-A0012838805-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1010EZPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010EZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.0085 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+100.45 грн
11+79.59 грн
100+58.72 грн
500+53.97 грн
1000+45.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF description infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
278+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF description infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+43.52 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF description infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+81.60 грн
10+79.11 грн
25+56.14 грн
100+53.20 грн
250+48.86 грн
500+45.61 грн
1000+45.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF description infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
383+80.05 грн
500+72.04 грн
Мінімальне замовлення: 383
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF description infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883
Виробник: International Rectifier Corporation
TO-220
на замовлення 90 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ES
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRPBF
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZS irf1010ez.pdf
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZSPBF irf1010ezpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da68861885
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1010EZS IRSDS10898-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw auirf1010ez.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a891b01360
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 60V 84A Automotive AUIRF1010EZS International Rectifier TAUIRF1010ezs
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+93.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010E
Код товару: 24949
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 84 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/130
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010E Infineon_IRF1010E_DataSheet_v01_01_EN-3362725.pdf
IRF1010E
Виробник: Infineon / IR
MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A41F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1010e.pdf?ci_sign=4e33b918874e4f5bb5c633f1a31b0fc4da8e2c04
IRF1010EPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A4FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1010ez.pdf?ci_sign=ed8bcac49cadd537057bdfcef3363db1c4c84ff7
IRF1010EZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF description infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.