Результат пошуку "IRF1010E" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRF1010EPBF IRF1010EPBF
Код товару: 72223 		IR irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883 description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 84 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/
Монтаж: THT
у наявності: 99 шт
1+54 грн
10+ 49 грн
IRF1010E JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+27.71 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF1010E JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+27.71 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF1010E International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+37.36 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF1010E International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+37.36 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF1010EPBF IRF1010EPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010e.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+90.78 грн
10+ 73.81 грн
21+ 42.15 грн
56+ 39.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1010EPBF IRF1010EPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010e.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+108.94 грн
10+ 91.98 грн
21+ 50.58 грн
56+ 47.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies Infineon_IRF1010E_DataSheet_v01_01_EN-3362725.pdf description MOSFETs MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.91 грн
10+ 64.82 грн
100+ 42.93 грн
500+ 39.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1010EPBF IRF1010EPBF INFINEON IRSDS11091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF1010EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.57 грн
12+ 69.39 грн
100+ 49.18 грн
500+ 44.93 грн
1000+ 40.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883 description Description: MOSFET N-CH 60V 84A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.64 грн
50+ 59.58 грн
100+ 47.21 грн
500+ 37.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+33.93 грн
100+ 32.09 грн
Мінімальне замовлення: 18
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+50.92 грн
278+ 43.93 грн
500+ 40.57 грн
Мінімальне замовлення: 240
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.8 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+64.67 грн
11+ 55.06 грн
100+ 44.64 грн
500+ 38.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+87.87 грн
146+ 83.94 грн
250+ 80.58 грн
500+ 74.9 грн
1000+ 67.08 грн
Мінімальне замовлення: 139
IRF1010EPBF ROCHESTER ELECTRONICS irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883 description Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1010EPBF - IRF1010E 20V-30V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
432+56.13 грн
Мінімальне замовлення: 432
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+58.63 грн
Мінімальне замовлення: 209
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
305+40.06 грн
Мінімальне замовлення: 305
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+52.51 грн
13+ 47.28 грн
100+ 40.79 грн
500+ 36.33 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRF1010ESTRL International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ES, IRF1010ESTRL IRF1010ES smd TIRF1010es
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+65.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+93.15 грн
19+ 46.91 грн
51+ 43.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 619 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+111.78 грн
19+ 58.46 грн
51+ 52.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b Description: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 2694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.7 грн
10+ 92.43 грн
100+ 73.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Infineon Technologies irf1010es.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+36.86 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Infineon Technologies irf1010es.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Infineon Technologies irf1010es.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+55.16 грн
25+ 54.61 грн
100+ 52.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Infineon Technologies irf1010es.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+57.52 грн
2400+ 54.77 грн
4800+ 53.96 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Infineon Technologies irf1010es.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+58.04 грн
2400+ 55.29 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Infineon Technologies irf1010es.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+52.92 грн
2400+ 50.39 грн
4800+ 49.65 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Infineon Technologies irf1010es.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+53.89 грн
2400+ 51.35 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732048-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1010ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.012 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732048-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1010ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.012 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.41 грн
10+ 93.15 грн
100+ 72.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b Description: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+64.61 грн
1600+ 52.79 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF1010ES_DataSheet_v01_00_EN-3362867.pdf MOSFETs MOSFT 60V 83A 12mOhm 86.6nC
на замовлення 764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.55 грн
10+ 90.64 грн
100+ 64.74 грн
250+ 64.32 грн
500+ 64.25 грн
800+ 49.68 грн
2400+ 46.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010ez.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.26 грн
10+ 69.49 грн
20+ 42.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010ez.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+102.31 грн
10+ 86.6 грн
20+ 51.37 грн
55+ 48.56 грн
5000+ 46.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+53.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+73.38 грн
211+ 57.91 грн
500+ 44 грн
1000+ 40.54 грн
2000+ 37.16 грн
5000+ 35.32 грн
Мінімальне замовлення: 167
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+77 грн
10+ 67.52 грн
100+ 53.29 грн
500+ 39.04 грн
1000+ 34.54 грн
2000+ 32.82 грн
5000+ 32.5 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies Infineon_IRF1010EZ_DataSheet_v01_01_EN-3363037.pdf description MOSFETs MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.22 грн
10+ 94.68 грн
100+ 63.68 грн
500+ 50.67 грн
1000+ 45.88 грн
2000+ 43.77 грн
5000+ 41.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF INFINEON INFN-S-A0012838805-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF1010EZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.0085 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.67 грн
10+ 97.1 грн
100+ 71.68 грн
500+ 53 грн
1000+ 42.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+99.85 грн
172+ 71.02 грн
500+ 49.37 грн
Мінімальне замовлення: 123
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+99.84 грн
130+ 94.15 грн
160+ 76.66 грн
200+ 70.49 грн
500+ 52.75 грн
Мінімальне замовлення: 123
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.63 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+113.22 грн
10+ 92.72 грн
100+ 65.95 грн
500+ 44.2 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies irf1010ezpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da68861885 description Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
на замовлення 9545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.94 грн
50+ 88.87 грн
100+ 70.43 грн
500+ 56.02 грн
1000+ 45.64 грн
2000+ 42.96 грн
5000+ 40.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010EZSTRLP IRF1010EZSTRLP INFINEON 1309657.pdf Description: INFINEON - IRF1010EZSTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.36 грн
10+ 103.41 грн
50+ 92.36 грн
100+ 74.77 грн
250+ 66.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1010EZSTRLP IRF1010EZSTRLP INFINEON 1309657.pdf Description: INFINEON - IRF1010EZSTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.77 грн
250+ 66.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1010EPBF International Rectifier Corporation irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883 description TO-220
на замовлення 150 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF1010ES IR TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010ESTRPBF
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010EZS IR irf1010ez.pdf TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010EZSPBF irf1010ezpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da68861885
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AUIRF1010EZ AUIRF1010EZ International Rectifier INFN-S-A0003615100-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+89.44 грн
Мінімальне замовлення: 239
AUIRF1010EZS AUIRF1010EZS Infineon Technologies IRSDS10898-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUIRF1010 - 55V-60V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
241+88.73 грн
Мінімальне замовлення: 241
AUIRF1010EZS International Rectifier IRSDS10898-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw auirf1010ez.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a891b01360 MOSFET N-CH 60V 84A Automotive AUIRF1010EZS International Rectifier TAUIRF1010ezs
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
6+92.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1010ZPBF IRF1010ZPBF International Rectifier IRSDS11094-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: IRF1010 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+66.72 грн
Мінімальне замовлення: 350
IRF1010EPBF
Код товару: 72223		 description irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883
IRF1010EPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 84 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/
Монтаж: THT
у наявності: 99 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+54 грн
10+ 49 грн
IRF1010E
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+27.71 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF1010E
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+27.71 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF1010E
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+37.36 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF1010E
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+37.36 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF1010EPBF description irf1010e.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+90.78 грн
10+ 73.81 грн
21+ 42.15 грн
56+ 39.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1010EPBF description irf1010e.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.94 грн
10+ 91.98 грн
21+ 50.58 грн
56+ 47.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010EPBF description Infineon_IRF1010E_DataSheet_v01_01_EN-3362725.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+77.91 грн
10+ 64.82 грн
100+ 42.93 грн
500+ 39.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1010EPBF description IRSDS11091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1010EPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+91.57 грн
12+ 69.39 грн
100+ 49.18 грн
500+ 44.93 грн
1000+ 40.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF1010EPBF description irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 84A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+77.64 грн
50+ 59.58 грн
100+ 47.21 грн
500+ 37.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+33.93 грн
100+ 32.09 грн
Мінімальне замовлення: 18
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
240+50.92 грн
278+ 43.93 грн
500+ 40.57 грн
Мінімальне замовлення: 240
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+29.8 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+64.67 грн
11+ 55.06 грн
100+ 44.64 грн
500+ 38.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
139+87.87 грн
146+ 83.94 грн
250+ 80.58 грн
500+ 74.9 грн
1000+ 67.08 грн
Мінімальне замовлення: 139
IRF1010EPBF description irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1010EPBF - IRF1010E 20V-30V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
432+56.13 грн
Мінімальне замовлення: 432
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
209+58.63 грн
Мінімальне замовлення: 209
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
305+40.06 грн
Мінімальне замовлення: 305
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+52.51 грн
13+ 47.28 грн
100+ 40.79 грн
500+ 36.33 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRF1010ESTRL
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ES, IRF1010ESTRL IRF1010ES smd TIRF1010es
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+65.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1010ESTRLPBF Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+93.15 грн
19+ 46.91 грн
51+ 43.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1010ESTRLPBF Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 619 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.78 грн
19+ 58.46 грн
51+ 52.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010ESTRLPBF Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 2694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.7 грн
10+ 92.43 грн
100+ 73.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010ESTRLPBF irf1010es.pdf
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+36.86 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ESTRLPBF irf1010es.pdf
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1010ESTRLPBF irf1010es.pdf
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+55.16 грн
25+ 54.61 грн
100+ 52.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF1010ESTRLPBF irf1010es.pdf
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+57.52 грн
2400+ 54.77 грн
4800+ 53.96 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ESTRLPBF irf1010es.pdf
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+58.04 грн
2400+ 55.29 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ESTRLPBF irf1010es.pdf
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+52.92 грн
2400+ 50.39 грн
4800+ 49.65 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ESTRLPBF irf1010es.pdf
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+53.89 грн
2400+ 51.35 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ESTRLPBF INFN-S-A0012732048-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.012 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+72.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1010ESTRLPBF INFN-S-A0012732048-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.012 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+118.41 грн
10+ 93.15 грн
100+ 72.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1010ESTRLPBF Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+64.61 грн
1600+ 52.79 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ESTRLPBF Infineon_IRF1010ES_DataSheet_v01_00_EN-3362867.pdf
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 83A 12mOhm 86.6nC
на замовлення 764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+107.55 грн
10+ 90.64 грн
100+ 64.74 грн
250+ 64.32 грн
500+ 64.25 грн
800+ 49.68 грн
2400+ 46.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1010EZPBF description irf1010ez.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+85.26 грн
10+ 69.49 грн
20+ 42.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1010EZPBF description irf1010ez.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+102.31 грн
10+ 86.6 грн
20+ 51.37 грн
55+ 48.56 грн
5000+ 46.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010EZPBF description infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+53.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IRF1010EZPBF description infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
167+73.38 грн
211+ 57.91 грн
500+ 44 грн
1000+ 40.54 грн
2000+ 37.16 грн
5000+ 35.32 грн
Мінімальне замовлення: 167
IRF1010EZPBF description infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+77 грн
10+ 67.52 грн
100+ 53.29 грн
500+ 39.04 грн
1000+ 34.54 грн
2000+ 32.82 грн
5000+ 32.5 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF1010EZPBF description Infineon_IRF1010EZ_DataSheet_v01_01_EN-3363037.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.22 грн
10+ 94.68 грн
100+ 63.68 грн
500+ 50.67 грн
1000+ 45.88 грн
2000+ 43.77 грн
5000+ 41.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010EZPBF description INFN-S-A0012838805-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1010EZPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010EZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.0085 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+128.67 грн
10+ 97.1 грн
100+ 71.68 грн
500+ 53 грн
1000+ 42.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1010EZPBF description infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
123+99.85 грн
172+ 71.02 грн
500+ 49.37 грн
Мінімальне замовлення: 123
IRF1010EZPBF description infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
123+99.84 грн
130+ 94.15 грн
160+ 76.66 грн
200+ 70.49 грн
500+ 52.75 грн
Мінімальне замовлення: 123
IRF1010EZPBF description infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+24.63 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRF1010EZPBF description infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+113.22 грн
10+ 92.72 грн
100+ 65.95 грн
500+ 44.2 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1010EZPBF description irf1010ezpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da68861885
IRF1010EZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
на замовлення 9545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.94 грн
50+ 88.87 грн
100+ 70.43 грн
500+ 56.02 грн
1000+ 45.64 грн
2000+ 42.96 грн
5000+ 40.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010EZSTRLP 1309657.pdf
IRF1010EZSTRLP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010EZSTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+137.36 грн
10+ 103.41 грн
50+ 92.36 грн
100+ 74.77 грн
250+ 66.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1010EZSTRLP 1309657.pdf
IRF1010EZSTRLP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010EZSTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+74.77 грн
250+ 66.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1010EPBF description irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883
Виробник: International Rectifier Corporation
TO-220
на замовлення 150 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF1010ES
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010ESTRPBF
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010EZS irf1010ez.pdf
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010EZSPBF irf1010ezpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da68861885
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AUIRF1010EZ INFN-S-A0003615100-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRF1010EZ
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
239+89.44 грн
Мінімальне замовлення: 239
AUIRF1010EZS IRSDS10898-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRF1010EZS
Виробник: Infineon Technologies
Description: AUIRF1010 - 55V-60V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
241+88.73 грн
Мінімальне замовлення: 241
AUIRF1010EZS IRSDS10898-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw auirf1010ez.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a891b01360
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 60V 84A Automotive AUIRF1010EZS International Rectifier TAUIRF1010ezs
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+92.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1010ZPBF description IRSDS11094-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF1010ZPBF
Виробник: International Rectifier
Description: IRF1010 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
350+66.72 грн
Мінімальне замовлення: 350
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]