Результат пошуку "IRF1010E" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRF1010EPBF IRF1010EPBF
Код товару: 72223
IR irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883 description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 84 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/
Монтаж: THT
у наявності: 209 шт
1+54 грн
10+ 49 грн
IRF1010E International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.66 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF1010E International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.66 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF1010EPBF IRF1010EPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010e.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.24 грн
10+ 68 грн
20+ 39.44 грн
55+ 37.4 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1010EPBF IRF1010EPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010e.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 194 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+100 грн
10+ 81.6 грн
20+ 47.33 грн
55+ 44.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+37.83 грн
16+ 36.21 грн
100+ 32.96 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.3 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883 description Description: MOSFET N-CH 60V 84A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 3391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+100.28 грн
50+ 77.85 грн
100+ 61.69 грн
500+ 49.07 грн
1000+ 39.98 грн
2000+ 37.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+37.35 грн
320+ 35.38 грн
500+ 34.95 грн
1000+ 32.74 грн
Мінімальне замовлення: 304
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+76.28 грн
10+ 64.69 грн
100+ 48.18 грн
500+ 45.99 грн
1000+ 34.65 грн
2000+ 32.93 грн
5000+ 31.58 грн
10000+ 31.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+82.55 грн
144+ 78.86 грн
250+ 75.7 грн
500+ 70.36 грн
1000+ 63.02 грн
Мінімальне замовлення: 138
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+55.15 грн
12+ 50.09 грн
100+ 41.31 грн
500+ 39.64 грн
1000+ 31.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies Infineon_IRF1010E_DataSheet_v01_01_EN-3362725.pdf description MOSFET MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+102.06 грн
10+ 80.33 грн
100+ 55.03 грн
500+ 47.59 грн
1000+ 39.76 грн
2000+ 38.71 грн
5000+ 36.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+96.21 грн
128+ 89 грн
130+ 87.46 грн
200+ 79.98 грн
500+ 67.69 грн
Мінімальне замовлення: 118
IRF1010EPBF IRF1010EPBF INFINEON IRSDS11091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF1010EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.37 грн
10+ 90.08 грн
100+ 66.94 грн
500+ 52.7 грн
1000+ 37.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1010ESTRL International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ES, IRF1010ESTRL IRF1010ES smd TIRF1010es
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+61.2 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.8 грн
19+ 43.52 грн
51+ 40.8 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 728 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+83.49 грн
5+ 72.03 грн
19+ 52.23 грн
51+ 48.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Infineon Technologies irf1010es.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+50.38 грн
2400+ 49.57 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Infineon Technologies irf1010es.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+54.92 грн
2400+ 54.3 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732048-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1010ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.012 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b Description: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+59.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF1010ES_DataSheet_v01_00_EN-3362867.pdf MOSFET MOSFT 60V 83A 12mOhm 86.6nC
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.67 грн
10+ 90.09 грн
100+ 63.78 грн
250+ 62.54 грн
500+ 60.26 грн
800+ 46.09 грн
2400+ 44.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732048-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1010ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.012 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+114.98 грн
10+ 88.61 грн
100+ 67.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b Description: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.63 грн
10+ 84.87 грн
100+ 67.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Infineon Technologies irf1010es.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Infineon Technologies irf1010es.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+62.3 грн
10+ 57.72 грн
25+ 57.28 грн
100+ 41.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010ez.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.12 грн
10+ 46.24 грн
20+ 40.05 грн
55+ 37.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies Infineon_IRF1010EZ_DataSheet_v01_01_EN-3363037.pdf description MOSFET MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC
на замовлення 1202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.91 грн
10+ 87.84 грн
100+ 57.64 грн
500+ 50.07 грн
1000+ 41.32 грн
2000+ 40.61 грн
5000+ 38.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+79.35 грн
10+ 68.71 грн
100+ 49.5 грн
500+ 44.07 грн
1000+ 26.28 грн
2000+ 24.96 грн
5000+ 24.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.93 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF INFINEON INFN-S-A0012838805-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF1010EZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.0085 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+125.23 грн
10+ 93.74 грн
100+ 70.16 грн
500+ 55.22 грн
1000+ 39.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+105.69 грн
10+ 86.34 грн
100+ 55.7 грн
500+ 48.7 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+144.32 грн
85+ 133.74 грн
102+ 111.61 грн
200+ 102.05 грн
500+ 86.76 грн
1000+ 69.03 грн
Мінімальне замовлення: 79
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies irf1010ezpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da68861885 description Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
на замовлення 9758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.93 грн
50+ 81.64 грн
100+ 64.7 грн
500+ 51.47 грн
1000+ 41.93 грн
2000+ 39.47 грн
5000+ 36.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 49000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+49.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+92.98 грн
182+ 62.44 грн
500+ 56.86 грн
Мінімальне замовлення: 122
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+68.62 грн
222+ 50.99 грн
500+ 47.26 грн
1000+ 34.09 грн
2000+ 31.24 грн
5000+ 29.69 грн
Мінімальне замовлення: 165
IRF1010EZSTRLP IRF1010EZSTRLP INFINEON 1309657.pdf Description: INFINEON - IRF1010EZSTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
на замовлення 1042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.21 грн
500+ 48.89 грн
1000+ 42.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1010EZSTRLP IRF1010EZSTRLP INFINEON 1309657.pdf Description: INFINEON - IRF1010EZSTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
на замовлення 1042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+127.43 грн
10+ 96.67 грн
100+ 72.21 грн
500+ 48.89 грн
1000+ 42.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1010EPBF International Rectifier Corporation irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883 description TO-220
на замовлення 150 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF1010ES IR TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010ESTRPBF
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010EZS IR irf1010ez.pdf TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010EZSPBF irf1010ezpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da68861885
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AUIRF1010EZ AUIRF1010EZ International Rectifier INFN-S-A0003615100-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
на замовлення 5240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+82.16 грн
Мінімальне замовлення: 239
AUIRF1010EZS AUIRF1010EZS Infineon Technologies IRSDS10898-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUIRF1010 - 55V-60V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
241+81.51 грн
Мінімальне замовлення: 241
AUIRF1010EZS International Rectifier IRSDS10898-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw auirf1010ez.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a891b01360 MOSFET N-CH 60V 84A Automotive AUIRF1010EZS International Rectifier TAUIRF1010ezs
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
6+86.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1010ZPBF IRF1010ZPBF International Rectifier IRSDS11094-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: IRF1010 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+61.3 грн
Мінімальне замовлення: 350
NTE2996 NTE2996 NTE Electronics nte2996.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 200W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.12 грн
3+ 169.33 грн
6+ 146.89 грн
15+ 138.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1010E
Код товару: 24949
IR Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 84 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/130
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF1010E IRF1010E Infineon / IR Infineon_IRF1010E_DataSheet_v01_01_EN-3362725.pdf MOSFET
товар відсутній
IRF1010EL IRF1010EL Infineon Technologies Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b Description: MOSFET N-CH 60V 84A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010ELPBF IRF1010ELPBF Infineon Technologies irf1010es.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1010ESPBF IRF1010ESPBF Infineon Technologies irf1010es.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Infineon Technologies irf1010es.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1010EPBF
Код товару: 72223
description irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883
IRF1010EPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 84 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/
Монтаж: THT
у наявності: 209 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+54 грн
10+ 49 грн
IRF1010E
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+34.66 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF1010E
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+34.66 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF1010EPBF description irf1010e.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+80.24 грн
10+ 68 грн
20+ 39.44 грн
55+ 37.4 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1010EPBF description irf1010e.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 194 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+100 грн
10+ 81.6 грн
20+ 47.33 грн
55+ 44.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+37.83 грн
16+ 36.21 грн
100+ 32.96 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.3 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1010EPBF description irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 84A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 3391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+100.28 грн
50+ 77.85 грн
100+ 61.69 грн
500+ 49.07 грн
1000+ 39.98 грн
2000+ 37.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
304+37.35 грн
320+ 35.38 грн
500+ 34.95 грн
1000+ 32.74 грн
Мінімальне замовлення: 304
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+76.28 грн
10+ 64.69 грн
100+ 48.18 грн
500+ 45.99 грн
1000+ 34.65 грн
2000+ 32.93 грн
5000+ 31.58 грн
10000+ 31.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
138+82.55 грн
144+ 78.86 грн
250+ 75.7 грн
500+ 70.36 грн
1000+ 63.02 грн
Мінімальне замовлення: 138
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+55.15 грн
12+ 50.09 грн
100+ 41.31 грн
500+ 39.64 грн
1000+ 31.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF1010EPBF description Infineon_IRF1010E_DataSheet_v01_01_EN-3362725.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+102.06 грн
10+ 80.33 грн
100+ 55.03 грн
500+ 47.59 грн
1000+ 39.76 грн
2000+ 38.71 грн
5000+ 36.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
118+96.21 грн
128+ 89 грн
130+ 87.46 грн
200+ 79.98 грн
500+ 67.69 грн
Мінімальне замовлення: 118
IRF1010EPBF description IRSDS11091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1010EPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+119.37 грн
10+ 90.08 грн
100+ 66.94 грн
500+ 52.7 грн
1000+ 37.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1010ESTRL
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ES, IRF1010ESTRL IRF1010ES smd TIRF1010es
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+61.2 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1010ESTRLPBF Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+57.8 грн
19+ 43.52 грн
51+ 40.8 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1010ESTRLPBF Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 728 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+83.49 грн
5+ 72.03 грн
19+ 52.23 грн
51+ 48.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1010ESTRLPBF irf1010es.pdf
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+50.38 грн
2400+ 49.57 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ESTRLPBF irf1010es.pdf
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+54.92 грн
2400+ 54.3 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ESTRLPBF INFN-S-A0012732048-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.012 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+67.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1010ESTRLPBF Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+59.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ESTRLPBF Infineon_IRF1010ES_DataSheet_v01_00_EN-3362867.pdf
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 60V 83A 12mOhm 86.6nC
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.67 грн
10+ 90.09 грн
100+ 63.78 грн
250+ 62.54 грн
500+ 60.26 грн
800+ 46.09 грн
2400+ 44.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010ESTRLPBF INFN-S-A0012732048-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.012 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+114.98 грн
10+ 88.61 грн
100+ 67.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1010ESTRLPBF Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+106.63 грн
10+ 84.87 грн
100+ 67.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010ESTRLPBF irf1010es.pdf
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1010ESTRLPBF irf1010es.pdf
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+62.3 грн
10+ 57.72 грн
25+ 57.28 грн
100+ 41.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF1010EZPBF description irf1010ez.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+57.12 грн
10+ 46.24 грн
20+ 40.05 грн
55+ 37.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1010EZPBF description Infineon_IRF1010EZ_DataSheet_v01_01_EN-3363037.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC
на замовлення 1202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.91 грн
10+ 87.84 грн
100+ 57.64 грн
500+ 50.07 грн
1000+ 41.32 грн
2000+ 40.61 грн
5000+ 38.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010EZPBF description infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+79.35 грн
10+ 68.71 грн
100+ 49.5 грн
500+ 44.07 грн
1000+ 26.28 грн
2000+ 24.96 грн
5000+ 24.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF1010EZPBF description infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.93 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF1010EZPBF description INFN-S-A0012838805-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1010EZPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010EZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.0085 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+125.23 грн
10+ 93.74 грн
100+ 70.16 грн
500+ 55.22 грн
1000+ 39.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1010EZPBF description infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+105.69 грн
10+ 86.34 грн
100+ 55.7 грн
500+ 48.7 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1010EZPBF description infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
79+144.32 грн
85+ 133.74 грн
102+ 111.61 грн
200+ 102.05 грн
500+ 86.76 грн
1000+ 69.03 грн
Мінімальне замовлення: 79
IRF1010EZPBF description irf1010ezpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da68861885
IRF1010EZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
на замовлення 9758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.93 грн
50+ 81.64 грн
100+ 64.7 грн
500+ 51.47 грн
1000+ 41.93 грн
2000+ 39.47 грн
5000+ 36.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010EZPBF description infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 49000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+49.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IRF1010EZPBF description infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
122+92.98 грн
182+ 62.44 грн
500+ 56.86 грн
Мінімальне замовлення: 122
IRF1010EZPBF description infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
165+68.62 грн
222+ 50.99 грн
500+ 47.26 грн
1000+ 34.09 грн
2000+ 31.24 грн
5000+ 29.69 грн
Мінімальне замовлення: 165
IRF1010EZSTRLP 1309657.pdf
IRF1010EZSTRLP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010EZSTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
на замовлення 1042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+72.21 грн
500+ 48.89 грн
1000+ 42.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1010EZSTRLP 1309657.pdf
IRF1010EZSTRLP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010EZSTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
на замовлення 1042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+127.43 грн
10+ 96.67 грн
100+ 72.21 грн
500+ 48.89 грн
1000+ 42.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1010EPBF description irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883
Виробник: International Rectifier Corporation
TO-220
на замовлення 150 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF1010ES
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010ESTRPBF
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010EZS irf1010ez.pdf
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010EZSPBF irf1010ezpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da68861885
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AUIRF1010EZ INFN-S-A0003615100-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRF1010EZ
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
на замовлення 5240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
239+82.16 грн
Мінімальне замовлення: 239
AUIRF1010EZS IRSDS10898-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRF1010EZS
Виробник: Infineon Technologies
Description: AUIRF1010 - 55V-60V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
241+81.51 грн
Мінімальне замовлення: 241
AUIRF1010EZS IRSDS10898-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw auirf1010ez.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a891b01360
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 60V 84A Automotive AUIRF1010EZS International Rectifier TAUIRF1010ezs
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+86.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1010ZPBF description IRSDS11094-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF1010ZPBF
Виробник: International Rectifier
Description: IRF1010 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
350+61.3 грн
Мінімальне замовлення: 350
NTE2996 nte2996.pdf
NTE2996
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 200W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+202.12 грн
3+ 169.33 грн
6+ 146.89 грн
15+ 138.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1010E
Код товару: 24949
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 84 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/130
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF1010E Infineon_IRF1010E_DataSheet_v01_01_EN-3362725.pdf
IRF1010E
Виробник: Infineon / IR
MOSFET
товар відсутній
IRF1010EL Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b
IRF1010EL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 84A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010ELPBF irf1010es.pdf
IRF1010ELPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1010ESPBF description irf1010es.pdf
IRF1010ESPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRF1010ESTRLPBF irf1010es.pdf
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]