Результат пошуку "IRF1010E" : 16
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF1010EPBF Код товару: 72223
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
  Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, В: 60 В Струм стоку Idd, А: 84 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 12 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3210/ Монтаж: THT |
у наявності: 81 шт
на замовлення: 5 шт
|
|
||||
|
|
IRF1010E | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 210 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
IRF1010E | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
IRF1010E | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
IRF1010ES-VB | VBsemi |
60V 150A 220W 4mOhm@10V 4V@250uA 1 N-Channel TO-263(D2PAK) MOSFETs IRF1010ES-VB TO-263 VBsemi Elec TIRF1010es VBS кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||
| IRF1010ESTR | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ES, IRF1010ESTRL IRF1010ES smd TIRF1010es кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IRF1010ES | IR | TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| IRF1010ESTRPBF |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| IRF1010EZS | IR |
TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| IRF1010EZSPBF |
|
на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
IRF1010E Код товару: 24949
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, В: 60 В Струм стоку Idd, А: 84 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,012 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3210/130 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | |||||
| IRF1010EPBF | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 84 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3210 @ 25, Qg, нКл = 130 @ 10 В, Rds = 12 мОм @ 50 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| IRF1010EPBF | International Rectifier |
TO-220 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| IRF1010ESPBF | International Rectifier |
D2PAK (SMD) Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| IRF1010EZPBF | International Rectifier |
TO-220AB Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| IRF1010EZSPBF | International Rectifier |
D2PAK (SMD) Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF1010EPBF Код товару: 72223
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 84 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 12 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3210/
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 84 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 12 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3210/
Монтаж: THT
у наявності: 81 шт
- 50 шт - склад
- 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 16 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 5 шт
- 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 54.00 грн |
| 10+ | 49.00 грн |
| IRF1010E |
|
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 37.95 грн |
| IRF1010E |
|
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 30.11 грн |
| IRF1010E |
|
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 30.11 грн |
| IRF1010ES-VB |
|
Виробник: VBsemi
60V 150A 220W 4mOhm@10V 4V@250uA 1 N-Channel TO-263(D2PAK) MOSFETs IRF1010ES-VB TO-263 VBsemi Elec TIRF1010es VBS
кількість в упаковці: 50 шт
60V 150A 220W 4mOhm@10V 4V@250uA 1 N-Channel TO-263(D2PAK) MOSFETs IRF1010ES-VB TO-263 VBsemi Elec TIRF1010es VBS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 41.97 грн |
| IRF1010ESTR |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ES, IRF1010ESTRL IRF1010ES smd TIRF1010es
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ES, IRF1010ESTRL IRF1010ES smd TIRF1010es
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 71.87 грн |
| IRF1010ES |
Виробник: IR
TO-263
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| IRF1010EZS |
|
Виробник: IR
TO-263
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| IRF1010E Код товару: 24949
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 84 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,012 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3210/130
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 84 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,012 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3210/130
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF1010EPBF |
|
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 84 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3210 @ 25, Qg, нКл = 130 @ 10 В, Rds = 12 мОм @ 50 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 84 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3210 @ 25, Qg, нКл = 130 @ 10 В, Rds = 12 мОм @ 50 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRF1010EPBF |
|
Виробник: International Rectifier
TO-220 Транзистори
TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF1010ESPBF |
|
Виробник: International Rectifier
D2PAK (SMD) Транзистори
D2PAK (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF1010EZPBF |
|
Виробник: International Rectifier
TO-220AB Транзистори
TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF1010EZSPBF |
|
Виробник: International Rectifier
D2PAK (SMD) Транзистори
D2PAK (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.