Результат пошуку "IRF1010E" : 34

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF1010EPBF IRF1010EPBF
Код товару: 72223
1 Додати до обраних Обраний товар
IR irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883 description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 84 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/
Монтаж: THT
у наявності: 86 шт
50 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+54.00 грн
10+49.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010E IRF1010E International Rectifier TIRF1010_JSM_JSMSEMI_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 245 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+39.93 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010E IRF1010E JSMicro Semiconductor TIRF1010_JSM_JSMSEMI_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.16 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010E IRF1010E JSMicro Semiconductor TIRF1010_JSM_JSMSEMI_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.16 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010e.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 417 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.85 грн
10+55.85 грн
50+41.97 грн
100+39.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF International Rectifier irf1010epbf.pdf description TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
7+51.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+95.67 грн
142+91.40 грн
250+87.73 грн
500+81.55 грн
1000+73.04 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies Infineon_IRF1010E_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC
на замовлення 1826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.96 грн
10+66.46 грн
100+52.62 грн
500+40.81 грн
1000+38.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
390+83.07 грн
500+74.76 грн
Мінімальне замовлення: 390
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.08 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
390+83.07 грн
Мінімальне замовлення: 390
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.51 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ES-VB IRF1010ES-VB VBsemi TIRF1010es_VBS_x_VBSEMI.pdf 60V 150A 220W 4mOhm@10V 4V@250uA 1 N-Channel TO-263(D2PAK) MOSFETs IRF1010ES-VB TO-263 VBsemi Elec TIRF1010es VBS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+42.06 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTR International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ES, IRF1010ESTRL IRF1010ES smd TIRF1010es
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+72.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Infineon Technologies irf1010es.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+99.72 грн
500+89.74 грн
1000+82.77 грн
Мінімальне замовлення: 325
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Infineon Technologies irf1010es.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 84475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+99.72 грн
500+89.74 грн
1000+82.77 грн
10000+71.15 грн
Мінімальне замовлення: 325
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Infineon Technologies irf1010es.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+99.72 грн
500+89.74 грн
1000+82.77 грн
10000+71.15 грн
Мінімальне замовлення: 325
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010ez.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.85 грн
10+45.17 грн
50+42.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies irf1010ezpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+53.71 грн
3000+53.17 грн
10000+52.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies irf1010ezpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+57.27 грн
3000+56.70 грн
10000+56.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ES IR TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRPBF
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZS IR irf1010ez.pdf TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZSPBF irf1010ezpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da68861885
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010E
Код товару: 24949
Додати до обраних Обраний товар
IR Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 84 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/130
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF International Rectifier/Infineon irf1010epbf_IR.pdf description N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 84 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3210 @ 25, Qg, нКл = 130 @ 10 В, Rds = 12 мОм @ 50 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB О
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESPBF International Rectifier irf1010espbf.pdf description D2PAK (SMD) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF International Rectifier irf1010ezpbf.pdf description TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZSPBF International Rectifier irf1010ezpbf.pdf D2PAK (SMD) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF
Код товару: 72223
1 Додати до обраних Обраний товар
description irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883
IRF1010EPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 84 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/
Монтаж: THT
у наявності: 86 шт
50 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+54.00 грн
10+49.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010E TIRF1010_JSM_JSMSEMI_0001.pdf
IRF1010E
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 245 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+39.93 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010E TIRF1010_JSM_JSMSEMI_0001.pdf
IRF1010E
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+30.16 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010E TIRF1010_JSM_JSMSEMI_0001.pdf
IRF1010E
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+30.16 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf1010e.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 417 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+68.85 грн
10+55.85 грн
50+41.97 грн
100+39.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf1010epbf.pdf
Виробник: International Rectifier
TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
136+95.67 грн
142+91.40 грн
250+87.73 грн
500+81.55 грн
1000+73.04 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description Infineon_IRF1010E_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC
на замовлення 1826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.96 грн
10+66.46 грн
100+52.62 грн
500+40.81 грн
1000+38.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
390+83.07 грн
500+74.76 грн
Мінімальне замовлення: 390
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+45.08 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
390+83.07 грн
Мінімальне замовлення: 390
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+59.51 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ES-VB TIRF1010es_VBS_x_VBSEMI.pdf
IRF1010ES-VB
Виробник: VBsemi
60V 150A 220W 4mOhm@10V 4V@250uA 1 N-Channel TO-263(D2PAK) MOSFETs IRF1010ES-VB TO-263 VBsemi Elec TIRF1010es VBS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+42.06 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTR
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ES, IRF1010ESTRL IRF1010ES smd TIRF1010es
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+72.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBF irf1010es.pdf
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
325+99.72 грн
500+89.74 грн
1000+82.77 грн
Мінімальне замовлення: 325
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBF irf1010es.pdf
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 84475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
325+99.72 грн
500+89.74 грн
1000+82.77 грн
10000+71.15 грн
Мінімальне замовлення: 325
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBF irf1010es.pdf
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
325+99.72 грн
500+89.74 грн
1000+82.77 грн
10000+71.15 грн
Мінімальне замовлення: 325
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF description irf1010ez.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+68.85 грн
10+45.17 грн
50+42.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF description irf1010ezpbf.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+53.71 грн
3000+53.17 грн
10000+52.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF description irf1010ezpbf.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+57.27 грн
3000+56.70 грн
10000+56.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ES
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRPBF
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZS irf1010ez.pdf
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZSPBF irf1010ezpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da68861885
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010E
Код товару: 24949
Додати до обраних Обраний товар
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 84 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/130
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf1010epbf_IR.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 84 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3210 @ 25, Qg, нКл = 130 @ 10 В, Rds = 12 мОм @ 50 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB О
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESPBF description irf1010espbf.pdf
Виробник: International Rectifier
D2PAK (SMD) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF description irf1010ezpbf.pdf
Виробник: International Rectifier
TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZSPBF irf1010ezpbf.pdf
Виробник: International Rectifier
D2PAK (SMD) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.