Результат пошуку "IRF1010E" : 39

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF1010EPBF IRF1010EPBF
Код товару: 72223
1 Додати до обраних Обраний товар
IR irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883 description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 84 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 12 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3210/
Монтаж: THT
у наявності: 81 шт
  • 50 шт - склад
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 5 шт
  • 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+54.00 грн
10+49.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010E IRF1010E JSMicro Semiconductor TIRF1010_JSM_JSMSEMI_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.11 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010E IRF1010E JSMicro Semiconductor TIRF1010_JSM_JSMSEMI_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.11 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010E IRF1010E International Rectifier TIRF1010_JSM_JSMSEMI_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 235 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+37.95 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010e.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+85.61 грн
10+55.90 грн
50+50.37 грн
100+46.94 грн
250+43.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+60.70 грн
2000+60.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+90.48 грн
158+89.58 грн
176+80.34 грн
500+62.08 грн
1000+54.99 грн
2000+50.96 грн
5000+48.77 грн
10000+47.47 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
390+90.63 грн
Мінімальне замовлення: 390 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+83.31 грн
172+82.47 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.31 грн
50+82.47 грн
100+74.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+104.37 грн
142+99.71 грн
250+95.71 грн
500+88.96 грн
1000+79.68 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+60.70 грн
2000+60.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.50 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies Infineon_IRF1010E_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.68 грн
50+89.78 грн
100+80.53 грн
500+62.22 грн
1000+55.12 грн
2000+51.08 грн
5000+48.88 грн
10000+47.59 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF INFINEON IRSDS11091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF1010EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
390+90.63 грн
500+81.56 грн
Мінімальне замовлення: 390 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ES-VB IRF1010ES-VB VBsemi TIRF1010es_VBS_x_VBSEMI.pdf 60V 150A 220W 4mOhm@10V 4V@250uA 1 N-Channel TO-263(D2PAK) MOSFETs IRF1010ES-VB TO-263 VBsemi Elec TIRF1010es VBS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+41.97 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTR International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ES, IRF1010ESTRL IRF1010ES smd TIRF1010es
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+71.87 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Infineon Technologies irf1010es.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+108.78 грн
500+97.90 грн
1000+90.30 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Infineon Technologies irf1010es.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 83675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+108.78 грн
500+97.90 грн
1000+90.30 грн
10000+77.62 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Infineon Technologies irf1010es.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+108.78 грн
500+97.90 грн
1000+90.30 грн
10000+77.62 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010ez.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 140W
Gate charge: 58nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 84A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.49 грн
10+44.94 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies irf1010ezpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.18 грн
10+90.92 грн
100+82.40 грн
500+63.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies Infineon_IRF1010EZ_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies irf1010ezpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+165.18 грн
156+90.92 грн
172+82.40 грн
500+63.28 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF INFINEON INFN-S-A0012838805-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF1010EZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 8500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 1531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ES IR TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRPBF
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZS IR irf1010ez.pdf TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZSPBF irf1010ezpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da68861885
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010E
Код товару: 24949
Додати до обраних Обраний товар
IR Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 84 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,012 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3210/130
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF International Rectifier/Infineon irf1010epbf_IR.pdf description N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 84 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3210 @ 25, Qg, нКл = 130 @ 10 В, Rds = 12 мОм @ 50 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF International Rectifier irf1010epbf.pdf description TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESPBF International Rectifier irf1010espbf.pdf description D2PAK (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF International Rectifier irf1010ezpbf.pdf description TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZSPBF International Rectifier irf1010ezpbf.pdf D2PAK (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF
Код товару: 72223
1 Додати до обраних Обраний товар
description irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883
IRF1010EPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 84 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 12 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3210/
Монтаж: THT
у наявності: 81 шт
  • 50 шт - склад
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 5 шт
  • 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+54.00 грн
10+49.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010E TIRF1010_JSM_JSMSEMI_0001.pdf
IRF1010E
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+30.11 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010E TIRF1010_JSM_JSMSEMI_0001.pdf
IRF1010E
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+30.11 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010E TIRF1010_JSM_JSMSEMI_0001.pdf
IRF1010E
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 235 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+37.95 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf1010e.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+85.61 грн
10+55.90 грн
50+50.37 грн
100+46.94 грн
250+43.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+60.70 грн
2000+60.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
156+90.48 грн
158+89.58 грн
176+80.34 грн
500+62.08 грн
1000+54.99 грн
2000+50.96 грн
5000+48.77 грн
10000+47.47 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
390+90.63 грн
Мінімальне замовлення: 390 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
170+83.31 грн
172+82.47 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+83.31 грн
50+82.47 грн
100+74.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
136+104.37 грн
142+99.71 грн
250+95.71 грн
500+88.96 грн
1000+79.68 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+60.70 грн
2000+60.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+60.50 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description Infineon_IRF1010E_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+90.68 грн
50+89.78 грн
100+80.53 грн
500+62.22 грн
1000+55.12 грн
2000+51.08 грн
5000+48.88 грн
10000+47.59 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description IRSDS11091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1010EPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
390+90.63 грн
500+81.56 грн
Мінімальне замовлення: 390 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ES-VB TIRF1010es_VBS_x_VBSEMI.pdf
IRF1010ES-VB
Виробник: VBsemi
60V 150A 220W 4mOhm@10V 4V@250uA 1 N-Channel TO-263(D2PAK) MOSFETs IRF1010ES-VB TO-263 VBsemi Elec TIRF1010es VBS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+41.97 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTR
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ES, IRF1010ESTRL IRF1010ES smd TIRF1010es
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+71.87 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBF irf1010es.pdf
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
325+108.78 грн
500+97.90 грн
1000+90.30 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBF irf1010es.pdf
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 83675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
325+108.78 грн
500+97.90 грн
1000+90.30 грн
10000+77.62 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBF irf1010es.pdf
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
325+108.78 грн
500+97.90 грн
1000+90.30 грн
10000+77.62 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF description irf1010ez.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 140W
Gate charge: 58nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 84A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+68.49 грн
10+44.94 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF description irf1010ezpbf.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+165.18 грн
10+90.92 грн
100+82.40 грн
500+63.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF description Infineon_IRF1010EZ_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF description irf1010ezpbf.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
86+165.18 грн
156+90.92 грн
172+82.40 грн
500+63.28 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF description INFN-S-A0012838805-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1010EZPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010EZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 8500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 1531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ES
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRPBF
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZS irf1010ez.pdf
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZSPBF irf1010ezpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da68861885
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010E
Код товару: 24949
Додати до обраних Обраний товар
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 84 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,012 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3210/130
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf1010epbf_IR.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 84 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3210 @ 25, Qg, нКл = 130 @ 10 В, Rds = 12 мОм @ 50 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf1010epbf.pdf
Виробник: International Rectifier
TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESPBF description irf1010espbf.pdf
Виробник: International Rectifier
D2PAK (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF description irf1010ezpbf.pdf
Виробник: International Rectifier
TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZSPBF irf1010ezpbf.pdf
Виробник: International Rectifier
D2PAK (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.