Результат пошуку "IRF5210" : 54

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF5210PBF IRF5210PBF
Код товару: 113380
1 Додати до обраних Обраний товар
IR irf5210pbf-221443.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 100 V
Струм стоку Id, A: 40 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,06 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 2700/180
Монтаж: THT
у наявності: 194 шт
  • 188 шт - склад
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+93.00 грн
10+88.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210 JSMSEMI description Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210; SP001559642; IRF5210 JSMICRO TIRF5210 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+51.92 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210 International Rectifier description Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+57.13 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210 International Rectifier description Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+57.13 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210LPBF International Rectifier/Infineon irf5210spbf.pdf description P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 38 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25, Qg, нКл = 230 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I2PAK-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
100+76.90 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3413 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+196.88 грн
10+122.15 грн
25+106.36 грн
50+97.22 грн
100+88.08 грн
500+73.96 грн
1000+68.97 грн
1250+67.31 грн
2000+63.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+183.59 грн
81+176.59 грн
100+170.60 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 70699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.02 грн
50+110.42 грн
100+97.76 грн
500+93.32 грн
1000+79.30 грн
2000+75.35 грн
5000+74.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies Infineon_IRF5210_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC
на замовлення 11215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.14 грн
10+167.51 грн
100+101.48 грн
500+85.60 грн
1000+78.70 грн
2000+74.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 70699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+121.26 грн
128+111.57 грн
144+98.77 грн
500+94.29 грн
1000+80.11 грн
2000+76.14 грн
5000+75.37 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.47 грн
500+144.11 грн
1000+132.30 грн
10000+113.80 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.59 грн
50+132.23 грн
100+113.17 грн
500+108.04 грн
1000+89.67 грн
2000+85.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+147.59 грн
108+132.23 грн
126+113.17 грн
500+108.04 грн
1000+89.67 грн
2000+85.23 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF INFINEON INFN-S-A0012838248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 3697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+228.73 грн
10+114.37 грн
100+103.90 грн
500+76.28 грн
1000+68.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210S IRF5210S MULTICOMP PRO 4419348.pdf Description: MULTICOMP PRO - IRF5210S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.64 грн
500+49.58 грн
1000+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210S IRF5210S MULTICOMP PRO 4419348.pdf Description: MULTICOMP PRO - IRF5210S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.00 грн
10+95.84 грн
100+65.64 грн
500+49.58 грн
1000+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRL Infineon Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 38A; 170W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF5210STRL; IRF5210S; IRF5210STRR; IRF5210S-GURT; IRF5 IRF5210STRL TIRF5210s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 590 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+112.53 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRL-CN CHIPNOBO Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 65mOhm; 30A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210S; IRF5210STRL; IRF5210STRR; SP001570130; SP001554020; SP001561786; IRF5210STRL-CN CHIPNOBO TIRF5210s CNB
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+58.44 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210spbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 604 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+229.09 грн
5+174.50 грн
10+155.39 грн
25+134.62 грн
100+111.35 грн
500+103.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Infineon Technologies irf7749l1pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 82400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+137.39 грн
1600+134.24 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837963-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 18047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+320.55 грн
10+198.13 грн
100+150.61 грн
500+137.61 грн
1000+100.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Infineon Technologies irf7749l1pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+167.95 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Infineon Technologies irf7749l1pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+321.89 грн
10+220.80 грн
25+218.60 грн
50+208.68 грн
100+156.09 грн
250+148.36 грн
500+120.23 грн
1600+117.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Infineon Technologies irf7749l1pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 82400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+135.99 грн
1600+132.87 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Infineon Technologies irf7749l1pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+386.03 грн
59+240.50 грн
100+178.79 грн
250+163.86 грн
500+120.61 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Infineon Technologies irf7749l1pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+386.03 грн
10+242.96 грн
25+240.50 грн
100+178.79 грн
250+163.86 грн
500+120.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837963-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 18230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+150.61 грн
500+137.61 грн
1000+100.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Infineon Technologies irf7749l1pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+321.89 грн
65+218.60 грн
66+208.68 грн
100+156.09 грн
250+148.36 грн
500+120.23 грн
1600+117.11 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Infineon Technologies irf7749l1pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+167.95 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF5210S_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+328.60 грн
10+211.97 грн
100+138.07 грн
500+115.29 грн
800+107.00 грн
2400+100.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF IRF5210STRRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF5210S_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 60mOhms 120nC
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.42 грн
10+174.66 грн
100+111.14 грн
500+92.51 грн
800+86.29 грн
2400+81.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF IRF5210STRRPBF Infineon Technologies irf7749l1pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+189.00 грн
500+170.10 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF International Rectifier HiRel Products irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e IRF5210STRRPBF
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+189.00 грн
500+170.10 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF IRF5210STRRPBF Infineon Technologies irf7749l1pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+189.00 грн
500+170.10 грн
1000+157.11 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210SPBF irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e IRF5210SPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 108 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRR IR irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210 IRF5210
Код товару: 21990
Додати до обраних Обраний товар
IR irf5210-datasheet.pdf description Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 100 V
Струм стоку Id, A: 40 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,06 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+35.50 грн
10+33.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210LPBF
Код товару: 85148
Додати до обраних Обраний товар
irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e description Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210SPBF IRF5210SPBF
Код товару: 37137
Додати до обраних Обраний товар
IR irf5210spbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Напруга сток-витік Uds, V: 100 V
Струм стоку Id, A: 38 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,06 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 2780/150
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+39.00 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF
Код товару: 199795
Додати до обраних Обраний товар
irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210 International Rectifier/Infineon IRF5210.pdf description P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 40 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2700 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 24 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF International Rectifier/Infineon irf5210pbf.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 40 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2700 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 24 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210SPBF International Rectifier/Infineon irf5210spbf.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 38 A, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25, Qg, нКл = 230 @ 10 В, Rds = 60 мOм @ 38 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF International Rectifier/Infineon irf5210spbf.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 38 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25, Qg, нКл = 230 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D2PAK Очікується: 200 Од. ви
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210LPBF International Rectifier irf5210spbf.pdf description TO-262 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF International Rectifier irf5210pbf.pdf MOSFET P-CH 100V 40A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210SPBF International Rectifier irf5210spbf.pdf P-CH, 100 V, 40A, D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF International Rectifier irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e P-CH, 100 V, 40A, D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF International Rectifier irf5210spbf.pdf P-Channel, 100 V, 170 W, D2PAK-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF5210PBF Infineon Транзистор польовий IRF5210PBF Infineon Infineon Транз. Пол. ВП P-HEXFET TO220AB Udss=-100V; Id=-40A; Pdmax=200W; Rds=0,06 Ohm IRF5210PBF.pdf Транзистори польові
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF5210SPBF Infineon Транзистор польовий IRF5210SPBF Infineon Infineon Транз. Пол. ВП P-HEXFET D2-PAK Udss=-100V; Id=-40A; Pdmax=200W; Rds=0,06 Ohm IRF5210SPBF.pdf Транзистори польові
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF5210STRLPBF Infineon Транзистор польовий IRF5210STRLPBF Infineon Infineon MOSFET MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC , TO-263-3 IRF5210STRLPBF.pdf Транзистори польові
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF
Код товару: 113380
1 Додати до обраних Обраний товар
irf5210pbf-221443.pdf
IRF5210PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 100 V
Струм стоку Id, A: 40 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,06 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 2700/180
Монтаж: THT
у наявності: 194 шт
  • 188 шт - склад
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+93.00 грн
10+88.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210 description
Виробник: JSMSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210; SP001559642; IRF5210 JSMICRO TIRF5210 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+51.92 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210 description
Виробник: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+57.13 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210 description
Виробник: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+57.13 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210LPBF description irf5210spbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 38 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25, Qg, нКл = 230 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I2PAK-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+76.90 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF irf5210.pdf
IRF5210PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3413 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+196.88 грн
10+122.15 грн
25+106.36 грн
50+97.22 грн
100+88.08 грн
500+73.96 грн
1000+68.97 грн
1250+67.31 грн
2000+63.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF infineonirf5210datasheetv0101en.pdf
IRF5210PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
78+183.59 грн
81+176.59 грн
100+170.60 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF infineonirf5210datasheetv0101en.pdf
IRF5210PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 70699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+120.02 грн
50+110.42 грн
100+97.76 грн
500+93.32 грн
1000+79.30 грн
2000+75.35 грн
5000+74.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF Infineon_IRF5210_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF5210PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC
на замовлення 11215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+260.14 грн
10+167.51 грн
100+101.48 грн
500+85.60 грн
1000+78.70 грн
2000+74.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF infineonirf5210datasheetv0101en.pdf
IRF5210PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 70699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
117+121.26 грн
128+111.57 грн
144+98.77 грн
500+94.29 грн
1000+80.11 грн
2000+76.14 грн
5000+75.37 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF infineonirf5210datasheetv0101en.pdf
IRF5210PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
223+159.47 грн
500+144.11 грн
1000+132.30 грн
10000+113.80 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF infineonirf5210datasheetv0101en.pdf
IRF5210PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+147.59 грн
50+132.23 грн
100+113.17 грн
500+108.04 грн
1000+89.67 грн
2000+85.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF infineonirf5210datasheetv0101en.pdf
IRF5210PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
97+147.59 грн
108+132.23 грн
126+113.17 грн
500+108.04 грн
1000+89.67 грн
2000+85.23 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF INFN-S-A0012838248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5210PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 3697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+228.73 грн
10+114.37 грн
100+103.90 грн
500+76.28 грн
1000+68.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210S 4419348.pdf
IRF5210S
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRF5210S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+65.64 грн
500+49.58 грн
1000+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210S 4419348.pdf
IRF5210S
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRF5210S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+149.00 грн
10+95.84 грн
100+65.64 грн
500+49.58 грн
1000+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRL
Виробник: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 38A; 170W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF5210STRL; IRF5210S; IRF5210STRR; IRF5210S-GURT; IRF5 IRF5210STRL TIRF5210s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 590 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+112.53 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRL-CN
Виробник: CHIPNOBO
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 65mOhm; 30A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210S; IRF5210STRL; IRF5210STRR; SP001570130; SP001554020; SP001561786; IRF5210STRL-CN CHIPNOBO TIRF5210s CNB
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+58.44 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF irf5210spbf.pdf
IRF5210STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 604 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+229.09 грн
5+174.50 грн
10+155.39 грн
25+134.62 грн
100+111.35 грн
500+103.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF irf7749l1pbf.pdf
IRF5210STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 82400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+137.39 грн
1600+134.24 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF INFN-S-A0012837963-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5210STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 18047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+320.55 грн
10+198.13 грн
100+150.61 грн
500+137.61 грн
1000+100.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF irf7749l1pbf.pdf
IRF5210STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+167.95 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF irf7749l1pbf.pdf
IRF5210STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+321.89 грн
10+220.80 грн
25+218.60 грн
50+208.68 грн
100+156.09 грн
250+148.36 грн
500+120.23 грн
1600+117.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF irf7749l1pbf.pdf
IRF5210STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 82400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+135.99 грн
1600+132.87 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF irf7749l1pbf.pdf
IRF5210STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+386.03 грн
59+240.50 грн
100+178.79 грн
250+163.86 грн
500+120.61 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF irf7749l1pbf.pdf
IRF5210STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+386.03 грн
10+242.96 грн
25+240.50 грн
100+178.79 грн
250+163.86 грн
500+120.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF INFN-S-A0012837963-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5210STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 18230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+150.61 грн
500+137.61 грн
1000+100.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF irf7749l1pbf.pdf
IRF5210STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
45+321.89 грн
65+218.60 грн
66+208.68 грн
100+156.09 грн
250+148.36 грн
500+120.23 грн
1600+117.11 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF irf7749l1pbf.pdf
IRF5210STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+167.95 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF Infineon_IRF5210S_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF5210STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+328.60 грн
10+211.97 грн
100+138.07 грн
500+115.29 грн
800+107.00 грн
2400+100.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF Infineon_IRF5210S_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF5210STRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 60mOhms 120nC
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+271.42 грн
10+174.66 грн
100+111.14 грн
500+92.51 грн
800+86.29 грн
2400+81.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF irf7749l1pbf.pdf
IRF5210STRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
188+189.00 грн
500+170.10 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e
Виробник: International Rectifier HiRel Products
IRF5210STRRPBF
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
188+189.00 грн
500+170.10 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF irf7749l1pbf.pdf
IRF5210STRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
188+189.00 грн
500+170.10 грн
1000+157.11 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210SPBF irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e
IRF5210SPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 108 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRR irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e
Виробник: IR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210
Код товару: 21990
Додати до обраних Обраний товар
description irf5210-datasheet.pdf
IRF5210
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 100 V
Струм стоку Id, A: 40 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,06 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+35.50 грн
10+33.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210LPBF
Код товару: 85148
Додати до обраних Обраний товар
description irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210SPBF
Код товару: 37137
Додати до обраних Обраний товар
irf5210spbf-datasheet.pdf
IRF5210SPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Напруга сток-витік Uds, V: 100 V
Струм стоку Id, A: 38 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,06 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 2780/150
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+39.00 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF
Код товару: 199795
Додати до обраних Обраний товар
irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210 description IRF5210.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 40 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2700 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 24 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF irf5210pbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 40 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2700 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 24 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF infineonirf5210datasheetv0101en.pdf
IRF5210PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF infineonirf5210datasheetv0101en.pdf
IRF5210PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210SPBF irf5210spbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 38 A, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25, Qg, нКл = 230 @ 10 В, Rds = 60 мOм @ 38 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF irf5210spbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 38 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25, Qg, нКл = 230 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D2PAK Очікується: 200 Од. ви
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210LPBF description irf5210spbf.pdf
Виробник: International Rectifier
TO-262 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF irf5210pbf.pdf
Виробник: International Rectifier
MOSFET P-CH 100V 40A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210SPBF irf5210spbf.pdf
Виробник: International Rectifier
P-CH, 100 V, 40A, D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e
Виробник: International Rectifier
P-CH, 100 V, 40A, D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF irf5210spbf.pdf
Виробник: International Rectifier
P-Channel, 100 V, 170 W, D2PAK-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF5210PBF Infineon
Транзистор польовий IRF5210PBF Infineon
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ВП P-HEXFET TO220AB Udss=-100V; Id=-40A; Pdmax=200W; Rds=0,06 Ohm IRF5210PBF.pdf Транзистори польові
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF5210SPBF Infineon
Транзистор польовий IRF5210SPBF Infineon
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ВП P-HEXFET D2-PAK Udss=-100V; Id=-40A; Pdmax=200W; Rds=0,06 Ohm IRF5210SPBF.pdf Транзистори польові
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF5210STRLPBF Infineon
Транзистор польовий IRF5210STRLPBF Infineon
Виробник: Infineon
MOSFET MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC , TO-263-3 IRF5210STRLPBF.pdf Транзистори польові
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.