Результат пошуку "IRF5210" : 42
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 142
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 54
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 72
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 71
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 72
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 188
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF5210PBF Код товару: 113380
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові P-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 100 V Id,A: 40 A Rds(on),Om: 0,06 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2700/180 Монтаж: THT |
у наявності: 110 шт
75 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||
| IRF5210 | International Rectifier |
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF5210 | JSMSEMI |
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210; SP001559642; IRF5210 JSMICRO TIRF5210 JSMкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF5210 | International Rectifier |
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF5210 | International Rectifier |
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 42 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRF5210PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -40A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.12µC On-state resistance: 60mΩ Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 1866 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF5210PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -40A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.12µC On-state resistance: 60mΩ Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1866 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF5210PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 44490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF5210PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF5210PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF5210PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF5210PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF5210PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF5210PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 44490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF5210STRL | International Rectifier |
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 38A; 170W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF5210STRL; IRF5210S; IRF5210STRR; IRF5210S-GURT; IRF5 IRF5210STRL TIRF5210s кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF5210STRL | Infineon |
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 38A; 170W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF5210STRL; IRF5210S; IRF5210STRR; IRF5210S-GURT; IRF5 IRF5210STRL TIRF5210s кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF5210STRL-CN | CHIPNOBO |
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 65mOhm; 30A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210S; IRF5210STRL; IRF5210STRR; SP001570130; SP001554020; SP001561786; IRF5210STRL-CN CHIPNOBO TIRF5210s CNB кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRF5210STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -40A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
на замовлення 773 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF5210STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -40A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 773 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF5210STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 96800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF5210STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF5210STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 96800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF5210STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF5210STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF5210STRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC |
на замовлення 9346 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF5210STRRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF5210LPBF | International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 38 А; Ptot, Вт = 3,1; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25; Qg, нКл = 230 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; I2PAK-3 |
на замовлення 11 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF5210PBF | International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 40 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 2700 @ 25; Qg, нКл = 180 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 24 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB |
на замовлення 14 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF5210SPBF |
IRF5210SPBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 108 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF5210STRLPBF | International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 38 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25; Qg, нКл = 230 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D2PAK |
на замовлення 25 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF5210STRR | IR |
|
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| Транзистор IRF5210STRLPBF | Infineon | MOSFET MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC , TO-263-3 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRF5210 Код товару: 21990
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові P-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 100 V Id,A: 40 A Rds(on),Om: 0,06 Ohm Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||
|
IRF5210LPBF Код товару: 85148
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
IRF5210SPBF Код товару: 37137
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові P-канальніКорпус: D2Pak Uds,V: 100 V Id,A: 38 A Rds(on),Om: 0,06 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2780/150 Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||
|
IRF5210STRLPBF Код товару: 199795
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
IRF5210PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF5210STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF5210STRRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -40A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF5210PBF Код товару: 113380
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 40 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2700/180
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 40 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2700/180
Монтаж: THT
у наявності: 110 шт
75 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 93.00 грн |
| 10+ | 88.70 грн |
| IRF5210 | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 51.55 грн |
| IRF5210 | ![]() |
Виробник: JSMSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210; SP001559642; IRF5210 JSMICRO TIRF5210 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210; SP001559642; IRF5210 JSMICRO TIRF5210 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 46.84 грн |
| IRF5210 | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 51.55 грн |
| IRF5210 | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 51.55 грн |
| IRF5210PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 141.02 грн |
| 10+ | 104.76 грн |
| 25+ | 95.23 грн |
| 50+ | 87.30 грн |
| 100+ | 80.95 грн |
| 500+ | 66.66 грн |
| 1000+ | 61.90 грн |
| 1250+ | 60.31 грн |
| IRF5210PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 169.22 грн |
| 10+ | 130.54 грн |
| 25+ | 114.28 грн |
| 50+ | 104.76 грн |
| 100+ | 97.14 грн |
| 500+ | 80.00 грн |
| 1000+ | 74.28 грн |
| IRF5210PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 44490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 142+ | 87.16 грн |
| IRF5210PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC
MOSFETs MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 236.43 грн |
| 10+ | 119.15 грн |
| 100+ | 94.47 грн |
| 500+ | 76.95 грн |
| 1000+ | 69.48 грн |
| 2000+ | 67.65 грн |
| IRF5210PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 54+ | 228.85 грн |
| 106+ | 116.89 грн |
| 121+ | 102.08 грн |
| 500+ | 96.84 грн |
| 1000+ | 70.12 грн |
| 2000+ | 62.17 грн |
| IRF5210PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 92.96 грн |
| IRF5210PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 72+ | 172.33 грн |
| 75+ | 165.77 грн |
| 100+ | 160.14 грн |
| IRF5210PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 86.77 грн |
| IRF5210PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 44490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 156.41 грн |
| 10+ | 107.90 грн |
| 100+ | 97.12 грн |
| 500+ | 82.51 грн |
| 1000+ | 71.85 грн |
| 2000+ | 64.79 грн |
| 10000+ | 64.14 грн |
| IRF5210STRL |
Виробник: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 38A; 170W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF5210STRL; IRF5210S; IRF5210STRR; IRF5210S-GURT; IRF5 IRF5210STRL TIRF5210s
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 38A; 170W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF5210STRL; IRF5210S; IRF5210STRR; IRF5210S-GURT; IRF5 IRF5210STRL TIRF5210s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 95.06 грн |
| IRF5210STRL |
Виробник: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 38A; 170W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF5210STRL; IRF5210S; IRF5210STRR; IRF5210S-GURT; IRF5 IRF5210STRL TIRF5210s
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 38A; 170W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF5210STRL; IRF5210S; IRF5210STRR; IRF5210S-GURT; IRF5 IRF5210STRL TIRF5210s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 95.06 грн |
| IRF5210STRL-CN |
Виробник: CHIPNOBO
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 65mOhm; 30A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210S; IRF5210STRL; IRF5210STRR; SP001570130; SP001554020; SP001561786; IRF5210STRL-CN CHIPNOBO TIRF5210s CNB
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 65mOhm; 30A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210S; IRF5210STRL; IRF5210STRR; SP001570130; SP001554020; SP001561786; IRF5210STRL-CN CHIPNOBO TIRF5210s CNB
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 52.72 грн |
| IRF5210STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 222.21 грн |
| 5+ | 153.96 грн |
| 10+ | 129.36 грн |
| 100+ | 107.93 грн |
| IRF5210STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 773 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 266.65 грн |
| 5+ | 191.86 грн |
| 10+ | 155.23 грн |
| 100+ | 129.52 грн |
| IRF5210STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 96800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 105.95 грн |
| 1600+ | 104.89 грн |
| IRF5210STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 71+ | 176.16 грн |
| 93+ | 132.78 грн |
| 100+ | 125.50 грн |
| 250+ | 97.46 грн |
| IRF5210STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 96800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 112.80 грн |
| 1600+ | 111.69 грн |
| IRF5210STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 188.75 грн |
| 10+ | 143.68 грн |
| 25+ | 142.27 грн |
| 100+ | 134.46 грн |
| 250+ | 104.42 грн |
| IRF5210STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 72+ | 172.05 грн |
| 95+ | 130.89 грн |
| 100+ | 130.07 грн |
| 500+ | 122.25 грн |
| 1600+ | 96.28 грн |
| IRF5210STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC
MOSFETs MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC
на замовлення 9346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 264.87 грн |
| 10+ | 123.54 грн |
| 100+ | 104.37 грн |
| 500+ | 101.33 грн |
| 800+ | 91.42 грн |
| IRF5210STRRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 188+ | 164.64 грн |
| 500+ | 148.18 грн |
| 1000+ | 136.86 грн |
| IRF5210LPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 38 А; Ptot, Вт = 3,1; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25; Qg, нКл = 230 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; I2PAK-3
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 38 А; Ptot, Вт = 3,1; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25; Qg, нКл = 230 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; I2PAK-3
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF5210PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 40 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 2700 @ 25; Qg, нКл = 180 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 24 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 40 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 2700 @ 25; Qg, нКл = 180 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 24 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 14 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF5210SPBF |
![]() |
IRF5210SPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 108 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF5210STRLPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 38 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25; Qg, нКл = 230 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D2PAK
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 38 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25; Qg, нКл = 230 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D2PAK
на замовлення 25 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF5210STRR |
![]() |
Виробник: IR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Транзистор IRF5210STRLPBF |
Виробник: Infineon
MOSFET MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC , TO-263-3
MOSFET MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC , TO-263-3
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 235.20 грн |
| 10+ | 191.10 грн |
| 100+ | 163.80 грн |
| IRF5210 Код товару: 21990
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 40 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 40 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 35.50 грн |
| 10+ | 33.00 грн |
| IRF5210LPBF Код товару: 85148
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF5210SPBF Код товару: 37137
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 38 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2780/150
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 38 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2780/150
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 39.00 грн |
| 10+ | 34.70 грн |
| IRF5210STRLPBF Код товару: 199795
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF5210PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF5210STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF5210STRRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.










