Результат пошуку "IRF5210" : 23
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF5210PBF Код товару: 113380
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові P-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 100 V Id,A: 40 A Rds(on),Om: 0,06 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2700/180 Монтаж: THT |
у наявності: 76 шт
55 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Київ 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро очікується:
20 шт
20 шт - очікується
|
|
||||||||||||||
| IRF5210 | International Rectifier |
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF5210 | International Rectifier |
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF5210 | International Rectifier |
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 36 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF5210 | JSMSEMI |
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210; SP001559642; IRF5210 JSMICRO TIRF5210 JSMкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRF5210PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB Polarisation: unipolar Kind of package: tube Case: TO220AB Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Mounting: THT Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -100V Drain current: -40A Gate charge: 0.12µC On-state resistance: 60mΩ Power dissipation: 200W Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1736 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF5210STRL | International Rectifier |
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 38A; 170W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF5210STRL; IRF5210S; IRF5210STRR; IRF5210S-GURT; IRF5 IRF5210STRL TIRF5210s кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF5210STRL | Infineon |
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 38A; 170W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF5210STRL; IRF5210S; IRF5210STRR; IRF5210S-GURT; IRF5 IRF5210STRL TIRF5210s кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF5210STRL-CN | CHIPNOBO |
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 65mOhm; 30A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210S; IRF5210STRL; IRF5210STRR; SP001570130; SP001554020; SP001561786; IRF5210STRL-CN CHIPNOBO TIRF5210s CNB кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRF5210STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK Polarisation: unipolar Kind of package: reel Case: D2PAK Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -100V Drain current: -40A Power dissipation: 3.8W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 558 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF5210LPBF | International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 38 А; Ptot, Вт = 3,1; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25; Qg, нКл = 230 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; I2PAK-3 |
на замовлення 11 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF5210PBF | International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 40 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 2700 @ 25; Qg, нКл = 180 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 24 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB |
на замовлення 14 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF5210SPBF |
IRF5210SPBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 108 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF5210STRLPBF | International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 38 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25; Qg, нКл = 230 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D2PAK |
на замовлення 25 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF5210STRR | IR |
|
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| Транзистор IRF5210STRLPBF | Infineon | MOSFET MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC , TO-263-3 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRF5210 Код товару: 21990
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові P-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 100 V Id,A: 40 A Rds(on),Om: 0,06 Ohm Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
|
IRF5210LPBF Код товару: 85148
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IRF5210SPBF Код товару: 37137
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові P-канальніКорпус: D2Pak Uds,V: 100 V Id,A: 38 A Rds(on),Om: 0,06 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2780/150 Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
|
IRF5210STRLPBF Код товару: 199795
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. |
| IRF5210PBF Код товару: 113380
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 40 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2700/180
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 40 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2700/180
Монтаж: THT
у наявності: 76 шт
55 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
20 шт
20 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 93.00 грн |
| 10+ | 88.70 грн |
| IRF5210 | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 51.80 грн |
| IRF5210 | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 51.80 грн |
| IRF5210 | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 51.80 грн |
| IRF5210 | ![]() |
Виробник: JSMSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210; SP001559642; IRF5210 JSMICRO TIRF5210 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210; SP001559642; IRF5210 JSMICRO TIRF5210 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 47.07 грн |
| IRF5210PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 200W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 200W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1736 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 170.03 грн |
| 10+ | 131.16 грн |
| 25+ | 114.82 грн |
| 50+ | 105.25 грн |
| 100+ | 97.60 грн |
| 500+ | 80.38 грн |
| 1000+ | 74.64 грн |
| IRF5210STRL |
Виробник: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 38A; 170W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF5210STRL; IRF5210S; IRF5210STRR; IRF5210S-GURT; IRF5 IRF5210STRL TIRF5210s
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 38A; 170W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF5210STRL; IRF5210S; IRF5210STRR; IRF5210S-GURT; IRF5 IRF5210STRL TIRF5210s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 95.51 грн |
| IRF5210STRL |
Виробник: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 38A; 170W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF5210STRL; IRF5210S; IRF5210STRR; IRF5210S-GURT; IRF5 IRF5210STRL TIRF5210s
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 38A; 170W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF5210STRL; IRF5210S; IRF5210STRR; IRF5210S-GURT; IRF5 IRF5210STRL TIRF5210s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 95.51 грн |
| IRF5210STRL-CN |
Виробник: CHIPNOBO
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 65mOhm; 30A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210S; IRF5210STRL; IRF5210STRR; SP001570130; SP001554020; SP001561786; IRF5210STRL-CN CHIPNOBO TIRF5210s CNB
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 65mOhm; 30A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210S; IRF5210STRL; IRF5210STRR; SP001570130; SP001554020; SP001561786; IRF5210STRL-CN CHIPNOBO TIRF5210s CNB
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 52.97 грн |
| IRF5210STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 558 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 267.92 грн |
| 5+ | 192.77 грн |
| 10+ | 155.97 грн |
| 100+ | 130.13 грн |
| IRF5210LPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 38 А; Ptot, Вт = 3,1; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25; Qg, нКл = 230 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; I2PAK-3
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 38 А; Ptot, Вт = 3,1; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25; Qg, нКл = 230 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; I2PAK-3
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF5210PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 40 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 2700 @ 25; Qg, нКл = 180 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 24 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 40 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 2700 @ 25; Qg, нКл = 180 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 24 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 14 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF5210SPBF |
![]() |
IRF5210SPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 108 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF5210STRLPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 38 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25; Qg, нКл = 230 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D2PAK
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 38 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25; Qg, нКл = 230 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D2PAK
на замовлення 25 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF5210STRR |
![]() |
Виробник: IR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Транзистор IRF5210STRLPBF |
Виробник: Infineon
MOSFET MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC , TO-263-3
MOSFET MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC , TO-263-3
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 236.32 грн |
| 10+ | 192.01 грн |
| 100+ | 164.58 грн |
| IRF5210 Код товару: 21990
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 40 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 40 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 40.00 грн |
| 10+ | 33.00 грн |
| IRF5210LPBF Код товару: 85148
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF5210SPBF Код товару: 37137
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 38 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2780/150
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 38 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2780/150
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 40.00 грн |
| 10+ | 34.70 грн |
| IRF5210STRLPBF Код товару: 199795
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.






