Результат пошуку "IRF5210" : 42
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 133
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 63
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 82
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 98
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 72
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 104
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 188
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF5210PBF Код товару: 113380
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Id,A: 40 A Rds(on),Om: 0,06 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2700/180 Монтаж: THT |
у наявності: 154 шт
154 шт - склад
|
|
||||||||||||||
IRF5210 | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 350 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF5210 | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF5210PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -40A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.12µC On-state resistance: 60mΩ Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF5210PBF | Infineon |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF5210PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -40A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.12µC On-state resistance: 60mΩ Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 790 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF5210PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 21062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF5210PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 11150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF5210PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF5210PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF5210PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 21060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF5210PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF5210PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF5210SPBF | International Rectifier HiRel Products |
![]() |
на замовлення 403 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF5210STRL-CN | CHIPNOBO |
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 65mOhm; 30A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210S; IRF5210STRL; IRF5210STRR; SP001570130; SP001554020; SP001561786; IRF5210STRL-CN CHIPNOBO TIRF5210s CNB кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF5210STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -40A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
на замовлення 454 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF5210STRLPBF | Infineon |
![]() |
на замовлення 18 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF5210STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -40A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 454 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF5210STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF5210STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF5210STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF5210STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF5210STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2504 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF5210STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF5210STRRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF5210 | JSMSEMI |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF5210LPBF | International Rectifier/Infineon |
![]() ![]() |
на замовлення 11 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF5210PBF | International Rectifier/Infineon |
![]() |
на замовлення 14 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF5210SPBF |
![]() |
на замовлення 108 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IRF5210STRLPBF | International Rectifier/Infineon |
![]() |
на замовлення 25 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF5210STRR | IR |
![]() |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRF5210 Код товару: 21990
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() ![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Id,A: 40 A Rds(on),Om: 0,06 Ohm Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
![]() |
IRF5210LPBF Код товару: 85148
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() ![]() |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRF5210SPBF Код товару: 37137
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: D2Pak Uds,V: 100 V Id,A: 38 A Rds(on),Om: 0,06 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2780/150 Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
IRF5210STRLPBF Код товару: 199795
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRF5210PBF | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF5210STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF5210STRRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -40A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF5210STRRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -40A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IRF5210PBF Код товару: 113380
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 40 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2700/180
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 40 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2700/180
Монтаж: THT
у наявності: 154 шт
154 шт - склад
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 93.00 грн |
10+ | 88.70 грн |
IRF5210 | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 67.06 грн |
IRF5210 | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 67.06 грн |
IRF5210PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 170.15 грн |
10+ | 123.41 грн |
15+ | 65.24 грн |
40+ | 62.10 грн |
IRF5210PBF |
![]() |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-100V; Id=-40A; Pdmax=200W; Rds=0,06 Ohm
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-100V; Id=-40A; Pdmax=200W; Rds=0,06 Ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 291.20 грн |
IRF5210PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 204.18 грн |
10+ | 153.79 грн |
15+ | 78.29 грн |
40+ | 74.52 грн |
IRF5210PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 21062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 103.62 грн |
10+ | 86.41 грн |
25+ | 80.91 грн |
100+ | 72.46 грн |
500+ | 62.58 грн |
2000+ | 56.43 грн |
5000+ | 55.82 грн |
IRF5210PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC
MOSFETs MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC
на замовлення 11150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 228.90 грн |
10+ | 204.80 грн |
25+ | 95.83 грн |
100+ | 92.06 грн |
500+ | 75.39 грн |
2000+ | 70.63 грн |
5000+ | 70.18 грн |
IRF5210PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 78.49 грн |
IRF5210PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF5210PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 21060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
133+ | 92.57 грн |
IRF5210PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
63+ | 194.87 грн |
117+ | 105.18 грн |
121+ | 101.10 грн |
500+ | 75.71 грн |
1000+ | 53.73 грн |
IRF5210PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
82+ | 150.41 грн |
85+ | 144.69 грн |
100+ | 139.78 грн |
250+ | 130.70 грн |
IRF5210SPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
98+ | 313.91 грн |
103+ | 298.63 грн |
IRF5210STRL-CN |
Виробник: CHIPNOBO
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 65mOhm; 30A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210S; IRF5210STRL; IRF5210STRR; SP001570130; SP001554020; SP001561786; IRF5210STRL-CN CHIPNOBO TIRF5210s CNB
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 65mOhm; 30A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210S; IRF5210STRL; IRF5210STRR; SP001570130; SP001554020; SP001561786; IRF5210STRL-CN CHIPNOBO TIRF5210s CNB
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 50.81 грн |
IRF5210STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 264.11 грн |
5+ | 180.79 грн |
9+ | 106.90 грн |
24+ | 101.40 грн |
IRF5210STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon
MOSFET MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC , TO-263-3
MOSFET MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC , TO-263-3
на замовлення 18 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 232.96 грн |
IRF5210STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 454 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 316.93 грн |
5+ | 225.29 грн |
9+ | 128.28 грн |
24+ | 121.68 грн |
800+ | 120.74 грн |
1600+ | 119.79 грн |
4800+ | 118.85 грн |
IRF5210STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 158.86 грн |
IRF5210STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
72+ | 170.41 грн |
IRF5210STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 96.78 грн |
1600+ | 94.56 грн |
IRF5210STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 158.24 грн |
10+ | 119.93 грн |
25+ | 118.64 грн |
500+ | 94.25 грн |
IRF5210STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC
MOSFETs MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 293.16 грн |
10+ | 131.04 грн |
800+ | 94.33 грн |
IRF5210STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
104+ | 118.23 грн |
105+ | 117.41 грн |
111+ | 110.89 грн |
500+ | 91.20 грн |
1600+ | 77.90 грн |
3200+ | 70.59 грн |
IRF5210STRRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
188+ | 163.07 грн |
500+ | 146.76 грн |
1000+ | 135.55 грн |
IRF5210 | ![]() |
Виробник: JSMSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210; SP001559642; IRF5210 JSMICRO TIRF5210 JSM
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210; SP001559642; IRF5210 JSMICRO TIRF5210 JSM
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF5210LPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 38 А; Ptot, Вт = 3,1; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25; Qg, нКл = 230 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; I2PAK-3
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 38 А; Ptot, Вт = 3,1; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25; Qg, нКл = 230 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; I2PAK-3
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF5210PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 40 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 2700 @ 25; Qg, нКл = 180 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 24 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 40 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 2700 @ 25; Qg, нКл = 180 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 24 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 14 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF5210SPBF |
![]() |
IRF5210SPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 108 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF5210STRLPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 38 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25; Qg, нКл = 230 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D2PAK
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 38 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25; Qg, нКл = 230 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D2PAK
на замовлення 25 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF5210STRR |
![]() |
Виробник: IR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF5210 Код товару: 21990
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 40 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 40 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 35.50 грн |
10+ | 33.00 грн |
IRF5210LPBF Код товару: 85148
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF5210SPBF Код товару: 37137
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 38 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2780/150
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 38 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2780/150
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 39.00 грн |
10+ | 34.70 грн |
IRF5210STRLPBF Код товару: 199795
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF5210PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF5210STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF5210STRRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF5210STRRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.