Результат пошуку "IRF63" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRF630NPBF IRF630NPBF
Код товару: 15961 		IR irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6 description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
у наявності: 146 шт
1+18 грн
10+ 15.9 грн
100+ 14.1 грн
IRF630 IRF630 STMicroelectronics irf630.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.97 грн
5+ 88.42 грн
10+ 81.95 грн
25+ 34.51 грн
68+ 32.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF630 IR en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=9,5A; Pdmax=50W; Rds=0,3 Ohm
на замовлення 51 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+68.38 грн
10+ 58.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF630 ST MICROELECTRONICS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
на замовлення 41 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+48.6 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF630 IRF630 STMicroelectronics irf630.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 869 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+110.19 грн
10+ 98.34 грн
25+ 41.41 грн
68+ 38.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF630 IRF630 STMicroelectronics irf630-1849162.pdf description MOSFET N-Ch 200 Volt 10 Amp
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.72 грн
10+ 86.51 грн
100+ 59.83 грн
500+ 50.93 грн
1000+ 42.37 грн
2000+ 39.89 грн
5000+ 38.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF630 IRF630 STMicroelectronics cd0000070.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+73.44 грн
10+ 62.19 грн
100+ 52.64 грн
500+ 35.01 грн
1000+ 31.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.CD00000701.pdf description Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 13392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.75 грн
50+ 82.83 грн
100+ 65.64 грн
500+ 52.21 грн
1000+ 42.54 грн
2000+ 40.04 грн
5000+ 37.51 грн
10000+ 35.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF630 IRF630 STMicroelectronics cd0000070.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRF630 IRF630 Harris Corporation HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 22729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
353+59.41 грн
Мінімальне замовлення: 353
IRF630 IRF630 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0007136914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.87 грн
10+ 92.9 грн
100+ 70.37 грн
500+ 55.07 грн
1000+ 39.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF630 IRF630 STMicroelectronics cd0000070.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+66.76 грн
212+ 56.51 грн
500+ 38.98 грн
1000+ 36.57 грн
Мінімальне замовлення: 180
IRF630 Siliconix en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 165 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+27.88 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF630; 9A; 200V; 75W; 0,4R; N-канальный; корпус: ТО220; ISC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+683.76 грн
IRF630A_CP001 Fairchild Semiconductor Description: MOSFET N-CH 200V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 223430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+30.06 грн
Мінімальне замовлення: 701
IRF630A_CP001 ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - IRF630A_CP001 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 223430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
844+30.74 грн
Мінімальне замовлення: 844
IRF630N International Rectifier description N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf630n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF630NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.16 грн
12+ 67.74 грн
100+ 50.94 грн
500+ 39.04 грн
1000+ 32.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+29.92 грн
21+ 28.87 грн
100+ 27.93 грн
500+ 25.82 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+46.11 грн
289+ 41.41 грн
500+ 36.44 грн
1000+ 31.04 грн
2000+ 28.45 грн
5000+ 27.03 грн
Мінімальне замовлення: 260
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 110324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+16.99 грн
Мінімальне замовлення: 19
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+31.09 грн
398+ 30.07 грн
500+ 28.84 грн
Мінімальне замовлення: 385
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+48.62 грн
14+ 42.81 грн
100+ 38.45 грн
500+ 32.63 грн
1000+ 26.69 грн
2000+ 25.37 грн
5000+ 25.1 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF630N_DataSheet_v01_01_EN-3362906.pdf description MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.62 грн
10+ 60 грн
100+ 43.69 грн
500+ 35.47 грн
1000+ 30.92 грн
2000+ 29.26 грн
5000+ 28.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+21.32 грн
100+ 20.81 грн
500+ 19.44 грн
1000+ 17.39 грн
2000+ 16.53 грн
Мінімальне замовлення: 28
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 110320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
296+40.44 грн
Мінімальне замовлення: 296
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6 description Description: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
на замовлення 7751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.13 грн
50+ 60.95 грн
100+ 48.29 грн
500+ 38.42 грн
1000+ 31.3 грн
2000+ 29.46 грн
5000+ 27.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
443+27.03 грн
482+ 24.83 грн
498+ 24.04 грн
518+ 22.31 грн
1000+ 19.94 грн
2000+ 18.38 грн
4000+ 17.87 грн
8000+ 17.78 грн
Мінімальне замовлення: 443
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
522+22.96 грн
534+ 22.41 грн
552+ 21.71 грн
1000+ 20.23 грн
2000+ 18.55 грн
Мінімальне замовлення: 522
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 110324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+47.91 грн
15+ 41.6 грн
100+ 36.99 грн
500+ 31.13 грн
1000+ 25.3 грн
2000+ 24.04 грн
5000+ 23.65 грн
10000+ 23.09 грн
25000+ 22.98 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRF630NS International Rectifier irf630n.pdf description N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+31.38 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf630npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+64.26 грн
9+ 43.28 грн
25+ 38.17 грн
26+ 33.28 грн
70+ 31.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf630npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 520 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+77.11 грн
5+ 53.93 грн
25+ 45.81 грн
26+ 39.94 грн
70+ 37.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+54.75 грн
248+ 48.26 грн
249+ 48.06 грн
255+ 45.29 грн
500+ 41.84 грн
1000+ 40.08 грн
Мінімальне замовлення: 219
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF Infineon Technologies irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6 Description: MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.09 грн
10+ 69.23 грн
100+ 53.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+36.08 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+41.23 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF630NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.19 грн
10+ 78.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF630NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+50.45 грн
13+ 46.21 грн
25+ 38.67 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+38.29 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF630PBF IRF630PBF VISHAY IRF630PBF.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+70.45 грн
10+ 41.34 грн
26+ 33 грн
71+ 31.2 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF630PBF IRF630PBF VISHAY IRF630PBF.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 634 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+84.54 грн
10+ 51.51 грн
26+ 39.6 грн
71+ 37.44 грн
1000+ 35.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF630PBF IRF630PBF Vishay Semiconductors irf630.pdf description MOSFET 200V N-CH HEXFET
на замовлення 9486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.54 грн
10+ 66.43 грн
100+ 48.38 грн
500+ 43.13 грн
1000+ 37.13 грн
10000+ 35.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+60.85 грн
12+ 51.73 грн
100+ 45.2 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+70.22 грн
205+ 58.46 грн
500+ 51.16 грн
1000+ 45.92 грн
Мінімальне замовлення: 171
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+82.23 грн
10+ 65.2 грн
100+ 54.28 грн
500+ 45.81 грн
1000+ 39.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF630PBF IRF630PBF VISHAY VISH-S-A0013187852-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: VISHAY - IRF630PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.61 грн
10+ 79.74 грн
100+ 58.99 грн
500+ 46.58 грн
1000+ 37.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF630PBF IRF630PBF Vishay Siliconix irf630.pdf description Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 5210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.02 грн
50+ 79.36 грн
100+ 62.9 грн
500+ 50.04 грн
1000+ 40.76 грн
2000+ 38.37 грн
5000+ 35.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF630PBF IRF630PBF Vishay sihf630p.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.38 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+78.18 грн
Мінімальне замовлення: 154
IRF630PBF-BE3 IRF630PBF-BE3 Vishay / Siliconix irf630.pdf MOSFET 200V N-CH HEXFET
на замовлення 2105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.59 грн
10+ 58.65 грн
100+ 45.48 грн
500+ 43.13 грн
1000+ 37.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF630S International Rectifier sih630s.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+27.7 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF630SPBF IRF630SPBF VISHAY IRF630S.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.74 грн
10+ 46.44 грн
22+ 38.82 грн
61+ 36.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF630SPBF IRF630SPBF VISHAY IRF630S.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 257 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+66.89 грн
10+ 57.87 грн
22+ 46.58 грн
61+ 44 грн
1000+ 42.1 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF630NPBF
Код товару: 15961		 description irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
IRF630NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
у наявності: 146 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+18 грн
10+ 15.9 грн
100+ 14.1 грн
IRF630 description irf630.pdf
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+102.97 грн
5+ 88.42 грн
10+ 81.95 грн
25+ 34.51 грн
68+ 32.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=9,5A; Pdmax=50W; Rds=0,3 Ohm
на замовлення 51 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.38 грн
10+ 58.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ST MICROELECTRONICS
N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
на замовлення 41 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+48.6 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF630 description irf630.pdf
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 869 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.19 грн
10+ 98.34 грн
25+ 41.41 грн
68+ 38.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF630 description irf630-1849162.pdf
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 200 Volt 10 Amp
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.72 грн
10+ 86.51 грн
100+ 59.83 грн
500+ 50.93 грн
1000+ 42.37 грн
2000+ 39.89 грн
5000+ 38.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF630 description cd0000070.pdf
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+73.44 грн
10+ 62.19 грн
100+ 52.64 грн
500+ 35.01 грн
1000+ 31.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF630 description en.CD00000701.pdf
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 13392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+106.75 грн
50+ 82.83 грн
100+ 65.64 грн
500+ 52.21 грн
1000+ 42.54 грн
2000+ 40.04 грн
5000+ 37.51 грн
10000+ 35.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF630 description cd0000070.pdf
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRF630 description HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF630
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 22729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
353+59.41 грн
Мінімальне замовлення: 353
IRF630 description SGST-S-A0007136914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF630
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+123.87 грн
10+ 92.9 грн
100+ 70.37 грн
500+ 55.07 грн
1000+ 39.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF630 description cd0000070.pdf
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
180+66.76 грн
212+ 56.51 грн
500+ 38.98 грн
1000+ 36.57 грн
Мінімальне замовлення: 180
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 165 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+27.88 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF630; 9A; 200V; 75W; 0,4R; N-канальный; корпус: ТО220; ISC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+683.76 грн
IRF630A_CP001
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 223430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
701+30.06 грн
Мінімальне замовлення: 701
IRF630A_CP001 nd_datasheet
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRF630A_CP001 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 223430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
844+30.74 грн
Мінімальне замовлення: 844
IRF630N description
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF630NPBF description irf630n.pdf
IRF630NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF630NPBF description INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF630NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF630NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+85.16 грн
12+ 67.74 грн
100+ 50.94 грн
500+ 39.04 грн
1000+ 32.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+29.92 грн
21+ 28.87 грн
100+ 27.93 грн
500+ 25.82 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
260+46.11 грн
289+ 41.41 грн
500+ 36.44 грн
1000+ 31.04 грн
2000+ 28.45 грн
5000+ 27.03 грн
Мінімальне замовлення: 260
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 110324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+16.99 грн
Мінімальне замовлення: 19
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
385+31.09 грн
398+ 30.07 грн
500+ 28.84 грн
Мінімальне замовлення: 385
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+48.62 грн
14+ 42.81 грн
100+ 38.45 грн
500+ 32.63 грн
1000+ 26.69 грн
2000+ 25.37 грн
5000+ 25.1 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRF630NPBF description Infineon_IRF630N_DataSheet_v01_01_EN-3362906.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.62 грн
10+ 60 грн
100+ 43.69 грн
500+ 35.47 грн
1000+ 30.92 грн
2000+ 29.26 грн
5000+ 28.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
28+21.32 грн
100+ 20.81 грн
500+ 19.44 грн
1000+ 17.39 грн
2000+ 16.53 грн
Мінімальне замовлення: 28
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 110320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
296+40.44 грн
Мінімальне замовлення: 296
IRF630NPBF description irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
на замовлення 7751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.13 грн
50+ 60.95 грн
100+ 48.29 грн
500+ 38.42 грн
1000+ 31.3 грн
2000+ 29.46 грн
5000+ 27.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
443+27.03 грн
482+ 24.83 грн
498+ 24.04 грн
518+ 22.31 грн
1000+ 19.94 грн
2000+ 18.38 грн
4000+ 17.87 грн
8000+ 17.78 грн
Мінімальне замовлення: 443
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
522+22.96 грн
534+ 22.41 грн
552+ 21.71 грн
1000+ 20.23 грн
2000+ 18.55 грн
Мінімальне замовлення: 522
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 110324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+47.91 грн
15+ 41.6 грн
100+ 36.99 грн
500+ 31.13 грн
1000+ 25.3 грн
2000+ 24.04 грн
5000+ 23.65 грн
10000+ 23.09 грн
25000+ 22.98 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRF630NS description irf630n.pdf
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+31.38 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF630NSTRLPBF irf630npbf.pdf
IRF630NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+64.26 грн
9+ 43.28 грн
25+ 38.17 грн
26+ 33.28 грн
70+ 31.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF630NSTRLPBF irf630npbf.pdf
IRF630NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 520 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+77.11 грн
5+ 53.93 грн
25+ 45.81 грн
26+ 39.94 грн
70+ 37.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF630NSTRLPBF infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
219+54.75 грн
248+ 48.26 грн
249+ 48.06 грн
255+ 45.29 грн
500+ 41.84 грн
1000+ 40.08 грн
Мінімальне замовлення: 219
IRF630NSTRLPBF infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF630NSTRLPBF infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF630NSTRLPBF irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
IRF630NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+88.09 грн
10+ 69.23 грн
100+ 53.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF630NSTRLPBF infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+36.08 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF630NSTRLPBF infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+41.23 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF630NSTRLPBF INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF630NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF630NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+102.19 грн
10+ 78.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF630NSTRLPBF infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF630NSTRLPBF INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF630NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF630NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF630NSTRLPBF infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+50.45 грн
13+ 46.21 грн
25+ 38.67 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRF630NSTRLPBF infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+38.29 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF630PBF description IRF630PBF.pdf
IRF630PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+70.45 грн
10+ 41.34 грн
26+ 33 грн
71+ 31.2 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF630PBF description IRF630PBF.pdf
IRF630PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 634 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+84.54 грн
10+ 51.51 грн
26+ 39.6 грн
71+ 37.44 грн
1000+ 35.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 200V N-CH HEXFET
на замовлення 9486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+84.54 грн
10+ 66.43 грн
100+ 48.38 грн
500+ 43.13 грн
1000+ 37.13 грн
10000+ 35.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+60.85 грн
12+ 51.73 грн
100+ 45.2 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
171+70.22 грн
205+ 58.46 грн
500+ 51.16 грн
1000+ 45.92 грн
Мінімальне замовлення: 171
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+82.23 грн
10+ 65.2 грн
100+ 54.28 грн
500+ 45.81 грн
1000+ 39.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF630PBF description VISH-S-A0013187852-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF630PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF630PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+107.61 грн
10+ 79.74 грн
100+ 58.99 грн
500+ 46.58 грн
1000+ 37.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 5210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+103.02 грн
50+ 79.36 грн
100+ 62.9 грн
500+ 50.04 грн
1000+ 40.76 грн
2000+ 38.37 грн
5000+ 35.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF630PBF description sihf630p.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+22.38 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
154+78.18 грн
Мінімальне замовлення: 154
IRF630PBF-BE3 irf630.pdf
IRF630PBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 200V N-CH HEXFET
на замовлення 2105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+92.59 грн
10+ 58.65 грн
100+ 45.48 грн
500+ 43.13 грн
1000+ 37.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF630S sih630s.pdf
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+27.7 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF630SPBF description IRF630S.pdf
IRF630SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+55.74 грн
10+ 46.44 грн
22+ 38.82 грн
61+ 36.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF630SPBF description IRF630S.pdf
IRF630SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 257 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.89 грн
10+ 57.87 грн
22+ 46.58 грн
61+ 44 грн
1000+ 42.1 грн
Мінімальне замовлення: 5
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]