Результат пошуку "IRF9Z34N" : 44
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 248
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 293
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 323
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 18
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 333
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 18
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 108
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 142
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 455
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 455
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 455
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF9Z34N Код товару: 1336
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові P-канальніКорпус: TO-220AB Uds,V: 55 V Id,A: 19 A Rds(on),Om: 0,1 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 620/35 Монтаж: THT |
у наявності: 50 шт
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
|
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NPBF Код товару: 31477
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові P-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 55 V Id,A: 19 A Rds(on),Om: 0,1 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 620/35 Монтаж: THT |
у наявності: 247 шт
200 шт - склад
30 шт - РАДІОМАГ-Київ 9 шт - РАДІОМАГ-Харків 8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NSPBF Код товару: 33403
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові P-канальніКорпус: D-Pak Uds,V: 55 V Id,A: 19 A Rds(on),Om: 0,10 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 620/35 Монтаж: SMD |
у наявності: 129 шт
69 шт - склад
29 шт - РАДІОМАГ-Київ 10 шт - РАДІОМАГ-Харків 21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9Z34N | International Rectifier |
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34nкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1750 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9Z34N | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 102mOhm; 19A; 68W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9Z34; IRF9Z34N; IRF9Z34N UMW TIRF9Z34n UMWкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9Z34N | International Rectifier |
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34nкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 37 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9Z34N | International Rectifier |
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34nкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9Z34N | JSMicro Semiconductor |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 20A; 20W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9Z34; IRF9Z34N; IRF9Z34N JSMICRO TIRF9Z34n JSMкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 93 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -19A Power dissipation: 68W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 23.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 860 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC |
на замовлення 8663 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9Z34NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 56W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 8469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 16562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 10307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 13541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 13524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 10307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF9Z34NSPBF | International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 19 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 35 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IRF9Z34NSTR | Infineon |
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34NS IRF9Z34NS IRF9Z34NSTRR IRF9Z34NSTRL IRF9Z34NS smd TIRF9Z34nsкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 345 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 15200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 15200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NSTRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -55V 19A 100mOhm 23.3nC |
на замовлення 6577 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NSTRRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 118620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NSTRRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF9Z34NSTRRPBF | International Rectifier HiRel Products |
IRF9Z34NSTRRPBF |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF9Z34NLPBF | IR |
08+ |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF9Z34NPBF |
IRF9Z34NPBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 4643 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF9Z34NSPBF |
IRF9Z34NSPBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 98 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
AUIRF9Z34N | International Rectifier |
MOSFET P-CH 55V 19A Automotive AUIRF9Z34N International Rectifier TAUIRF9Z34nкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| Транзистор IRF9Z34NPBF | IR | Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-17A; Pdmax=56W; Rds=0,10 Ohm (аналог IRF9Z34N только Pb free) |
на замовлення 426 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| Транзистор IRF9Z34NSPBF | IR | Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2Pack Udss=-55V; Id=-19A; Pdmax=68W; Rds=0,10 Ohm (Pb free) |
на замовлення 223 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
IRF9Z34NS Код товару: 19219
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові P-канальніКорпус: D2Pak Uds,V: 55 V Id,A: 19 A Rds(on),Om: 0,1 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1100/34 Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||
| IRF9Z34N | International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 19 А, Ptot, Вт = 68, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 35 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Од.кількість в упаковці: 50 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF9Z34NPBF | International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 19 А, Ptot, Вт = 68, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 35 @ 10 В, Rds = 10 мОм @ 10 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Од. кількість в упаковці: 50 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
IRF9Z34NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF9Z34NSPBF | International Rectifier |
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9Z34NSTRLPBF | International Rectifier |
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF9Z34N Код товару: 1336
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 55 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 55 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
у наявності: 50 шт
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 22.00 грн |
| 10+ | 19.80 грн |
| IRF9Z34NPBF Код товару: 31477
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
у наявності: 247 шт
200 шт - склад
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 26.00 грн |
| 10+ | 22.40 грн |
| 100+ | 19.90 грн |
| IRF9Z34NSPBF Код товару: 33403
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,10 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,10 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
Монтаж: SMD
у наявності: 129 шт
69 шт - склад
29 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
29 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 39.00 грн |
| 10+ | 34.70 грн |
| 100+ | 30.70 грн |
| IRF9Z34N | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 22.94 грн |
| IRF9Z34N | ![]() |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 102mOhm; 19A; 68W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9Z34; IRF9Z34N; IRF9Z34N UMW TIRF9Z34n UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 102mOhm; 19A; 68W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9Z34; IRF9Z34N; IRF9Z34N UMW TIRF9Z34n UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 17.29 грн |
| IRF9Z34N | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 22.94 грн |
| IRF9Z34N | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 22.94 грн |
| IRF9Z34N | ![]() |
![]() |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 20A; 20W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9Z34; IRF9Z34N; IRF9Z34N JSMICRO TIRF9Z34n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 20A; 20W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9Z34; IRF9Z34N; IRF9Z34N JSMICRO TIRF9Z34n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 21.88 грн |
| IRF9Z34NLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 248+ | 130.44 грн |
| IRF9Z34NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 860 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 59.09 грн |
| 12+ | 35.92 грн |
| 25+ | 29.93 грн |
| 50+ | 26.44 грн |
| 100+ | 24.94 грн |
| 250+ | 23.94 грн |
| IRF9Z34NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC
MOSFETs MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC
на замовлення 8663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 99.92 грн |
| 10+ | 46.15 грн |
| 100+ | 34.53 грн |
| 500+ | 27.70 грн |
| 1000+ | 24.59 грн |
| 2000+ | 22.72 грн |
| 5000+ | 20.93 грн |
| IRF9Z34NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9Z34NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRF9Z34NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 113.62 грн |
| 18+ | 45.45 грн |
| 100+ | 39.65 грн |
| 500+ | 30.30 грн |
| 1000+ | 25.62 грн |
| 5000+ | 25.14 грн |
| IRF9Z34NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 25.79 грн |
| IRF9Z34NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 27.64 грн |
| IRF9Z34NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 293+ | 44.22 грн |
| 296+ | 43.78 грн |
| 331+ | 39.08 грн |
| 500+ | 31.59 грн |
| 1000+ | 27.03 грн |
| 2000+ | 25.47 грн |
| 5000+ | 24.00 грн |
| 10000+ | 23.76 грн |
| IRF9Z34NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 323+ | 40.09 грн |
| 326+ | 39.69 грн |
| 360+ | 35.94 грн |
| 500+ | 29.60 грн |
| 1000+ | 25.50 грн |
| 2000+ | 24.08 грн |
| 5000+ | 22.79 грн |
| 10000+ | 22.56 грн |
| IRF9Z34NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 41.39 грн |
| 50+ | 40.96 грн |
| 100+ | 37.47 грн |
| 500+ | 31.24 грн |
| 1000+ | 27.07 грн |
| 2000+ | 25.57 грн |
| 5000+ | 24.31 грн |
| 10000+ | 24.06 грн |
| IRF9Z34NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 333+ | 38.94 грн |
| 336+ | 38.54 грн |
| 368+ | 35.25 грн |
| 500+ | 29.39 грн |
| 1000+ | 25.46 грн |
| 2000+ | 24.05 грн |
| 5000+ | 22.87 грн |
| 10000+ | 22.63 грн |
| IRF9Z34NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 42.96 грн |
| 50+ | 42.52 грн |
| 100+ | 38.51 грн |
| 500+ | 31.71 грн |
| 1000+ | 27.32 грн |
| 2000+ | 25.80 грн |
| 5000+ | 24.42 грн |
| 10000+ | 24.17 грн |
| IRF9Z34NSPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 19 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 35 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: ш
кількість в упаковці: 50 шт
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 19 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 35 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: ш
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 24.99 грн |
| 100+ | 21.41 грн |
| IRF9Z34NSTR |
![]() |
Виробник: Infineon
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34NS IRF9Z34NS IRF9Z34NSTRR IRF9Z34NSTRL IRF9Z34NS smd TIRF9Z34ns
кількість в упаковці: 10 шт
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34NS IRF9Z34NS IRF9Z34NSTRR IRF9Z34NSTRL IRF9Z34NS smd TIRF9Z34ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 345 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 42.27 грн |
| IRF9Z34NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 60.04 грн |
| IRF9Z34NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 141.85 грн |
| 10+ | 98.09 грн |
| 25+ | 97.11 грн |
| 100+ | 70.08 грн |
| 250+ | 64.23 грн |
| IRF9Z34NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 108+ | 119.78 грн |
| 150+ | 86.81 грн |
| 196+ | 66.16 грн |
| IRF9Z34NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 170.03 грн |
| 50+ | 109.59 грн |
| 100+ | 72.85 грн |
| 500+ | 63.15 грн |
| 1000+ | 54.01 грн |
| IRF9Z34NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 63.81 грн |
| IRF9Z34NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 72.85 грн |
| 500+ | 63.15 грн |
| 1000+ | 54.01 грн |
| IRF9Z34NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 142+ | 91.55 грн |
| 143+ | 90.64 грн |
| 191+ | 67.83 грн |
| 250+ | 64.75 грн |
| IRF9Z34NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V 19A 100mOhm 23.3nC
MOSFETs MOSFT PCh -55V 19A 100mOhm 23.3nC
на замовлення 6577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 195.81 грн |
| 10+ | 124.71 грн |
| 100+ | 74.60 грн |
| 500+ | 56.64 грн |
| 800+ | 52.42 грн |
| IRF9Z34NSTRRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 118620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 455+ | 71.10 грн |
| 506+ | 63.99 грн |
| 1000+ | 59.01 грн |
| 10000+ | 50.73 грн |
| 100000+ | 39.35 грн |
| IRF9Z34NSTRRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 455+ | 71.10 грн |
| 506+ | 63.99 грн |
| IRF9Z34NSTRRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
IRF9Z34NSTRRPBF
IRF9Z34NSTRRPBF
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 455+ | 71.10 грн |
| 506+ | 63.99 грн |
| 1000+ | 59.01 грн |
| IRF9Z34NLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: IR
08+
08+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF9Z34NPBF | ![]() |
![]() |
IRF9Z34NPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 4643 шт:
термін постачання 4 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF9Z34NSPBF | ![]() |
![]() |
IRF9Z34NSPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 98 шт:
термін постачання 4 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| AUIRF9Z34N |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET P-CH 55V 19A Automotive AUIRF9Z34N International Rectifier TAUIRF9Z34n
кількість в упаковці: 10 шт
MOSFET P-CH 55V 19A Automotive AUIRF9Z34N International Rectifier TAUIRF9Z34n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 63.51 грн |
| Транзистор IRF9Z34NPBF |
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-17A; Pdmax=56W; Rds=0,10 Ohm (аналог IRF9Z34N только Pb free)
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-17A; Pdmax=56W; Rds=0,10 Ohm (аналог IRF9Z34N только Pb free)
на замовлення 426 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Транзистор IRF9Z34NSPBF |
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2Pack Udss=-55V; Id=-19A; Pdmax=68W; Rds=0,10 Ohm (Pb free)
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2Pack Udss=-55V; Id=-19A; Pdmax=68W; Rds=0,10 Ohm (Pb free)
на замовлення 223 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF9Z34NS Код товару: 19219
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1100/34
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1100/34
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 16.00 грн |
| IRF9Z34N | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 19 А, Ptot, Вт = 68, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 35 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Од.
кількість в упаковці: 50 шт
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 19 А, Ptot, Вт = 68, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 35 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Од.
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF9Z34NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 19 А, Ptot, Вт = 68, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 35 @ 10 В, Rds = 10 мОм @ 10 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Од.
кількість в упаковці: 50 шт
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 19 А, Ptot, Вт = 68, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 35 @ 10 В, Rds = 10 мОм @ 10 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Од.
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF9Z34NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF9Z34NSPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF9Z34NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.














