Результат пошуку "IRF9Z34N" : 37
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 248
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 132
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 414
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 22
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 9
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 285
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 455
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF9Z34NPBF Код товару: 31477
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() ![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 55 V Id,A: 19 A Rds(on),Om: 0,1 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 620/35 Монтаж: THT |
у наявності: 229 шт
169 шт - склад
21 шт - РАДІОМАГ-Київ 19 шт - РАДІОМАГ-Харків 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF9Z34NSPBF Код товару: 33403
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() ![]() Корпус: D-Pak Uds,V: 55 V Id,A: 19 A Rds(on),Om: 0,10 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 620/35 Монтаж: SMD |
у наявності: 154 шт
77 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Київ 10 шт - РАДІОМАГ-Харків 15 шт - РАДІОМАГ-Одеса 21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
IRF9Z34N | International Rectifier |
![]() ![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF9Z34N | UMW |
![]() ![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF9Z34N | International Rectifier |
![]() ![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF9Z34N | JSMicro Semiconductor |
![]() ![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 93 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF9Z34NLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF9Z34NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -19A Power dissipation: 68W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 23.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 184 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF9Z34NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -19A Power dissipation: 68W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 23.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 184 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF9Z34NPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 5866 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF9Z34NPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 16587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF9Z34NPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 14575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF9Z34NPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 12137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF9Z34NPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 13582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF9Z34NPBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 56W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 15208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF9Z34NPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF9Z34NSTR | Infineon |
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34NS IRF9Z34NS IRF9Z34NSTRR IRF9Z34NSTRL IRF9Z34NS smd TIRF9Z34ns кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 350 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF9Z34NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF9Z34NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF9Z34NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF9Z34NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF9Z34NSTRRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 118620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF9Z34N | International Rectifier |
![]() ![]() |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF9Z34NLPBF | IR |
![]() ![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF9Z34NPBF |
![]() ![]() |
на замовлення 4643 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IRF9Z34NS : IRF9Z34NSTRLPBF | International Rectifier Corporation | IRF9Z34NSPBF MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK |
на замовлення 800 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF9Z34NSPBF |
![]() ![]() |
на замовлення 98 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IRF9Z34NSPBF | International Rectifier/Infineon |
![]() ![]() |
на замовлення 26 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
AUIRF9Z34N | International Rectifier |
![]() ![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
Транзистор IRF9Z34NPBF | IR | Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-17A; Pdmax=56W; Rds=0,10 Ohm (аналог IRF9Z34N только Pb free) |
на замовлення 426 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
Транзистор IRF9Z34NSPBF | IR | Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2Pack Udss=-55V; Id=-19A; Pdmax=68W; Rds=0,10 Ohm (Pb free) |
на замовлення 223 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF9Z34N Код товару: 1336
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() ![]() Корпус: TO-220AB Uds,V: 55 V Id,A: 19 A Rds(on),Om: 0,1 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 620/35 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF9Z34NS Код товару: 19219
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: D2Pak Uds,V: 55 V Id,A: 19 A Rds(on),Om: 0,1 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1100/34 Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
![]() |
IRF9Z34NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF9Z34NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IRF9Z34NPBF Код товару: 31477
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
у наявності: 229 шт
169 шт - склад
21 шт - РАДІОМАГ-Київ
19 шт - РАДІОМАГ-Харків
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
21 шт - РАДІОМАГ-Київ
19 шт - РАДІОМАГ-Харків
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 26.00 грн |
10+ | 22.40 грн |
100+ | 19.90 грн |
IRF9Z34NSPBF Код товару: 33403
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,10 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,10 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
Монтаж: SMD
у наявності: 154 шт
77 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
15 шт - РАДІОМАГ-Одеса
21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
15 шт - РАДІОМАГ-Одеса
21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 39.00 грн |
10+ | 34.70 грн |
100+ | 30.70 грн |
IRF9Z34N | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 21.78 грн |
IRF9Z34N | ![]() |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 102mOhm; 19A; 68W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9Z34; IRF9Z34N; IRF9Z34N UMW TIRF9Z34n UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 102mOhm; 19A; 68W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9Z34; IRF9Z34N; IRF9Z34N UMW TIRF9Z34n UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 15.69 грн |
IRF9Z34N | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 21.78 грн |
IRF9Z34N | ![]() |
![]() |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 20A; 20W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9Z34; IRF9Z34N; IRF9Z34N JSMICRO TIRF9Z34n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 20A; 20W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9Z34; IRF9Z34N; IRF9Z34N JSMICRO TIRF9Z34n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 19.85 грн |
IRF9Z34NLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
248+ | 122.43 грн |
IRF9Z34NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 79.93 грн |
10+ | 59.37 грн |
25+ | 43.50 грн |
38+ | 24.95 грн |
100+ | 22.74 грн |
103+ | 22.66 грн |
IRF9Z34NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 95.91 грн |
10+ | 73.99 грн |
25+ | 52.21 грн |
38+ | 29.94 грн |
100+ | 27.29 грн |
103+ | 27.19 грн |
IRF9Z34NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC
MOSFETs MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC
на замовлення 5866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 87.46 грн |
12+ | 30.42 грн |
100+ | 24.94 грн |
500+ | 21.37 грн |
1000+ | 20.62 грн |
IRF9Z34NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
132+ | 92.28 грн |
371+ | 32.78 грн |
500+ | 30.84 грн |
IRF9Z34NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
414+ | 29.37 грн |
418+ | 29.08 грн |
433+ | 28.06 грн |
500+ | 24.06 грн |
1000+ | 21.58 грн |
2000+ | 19.64 грн |
5000+ | 18.49 грн |
IRF9Z34NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 16.82 грн |
2000+ | 16.70 грн |
5000+ | 15.81 грн |
IRF9Z34NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
22+ | 31.57 грн |
50+ | 31.26 грн |
100+ | 30.16 грн |
500+ | 25.86 грн |
1000+ | 23.20 грн |
2000+ | 21.11 грн |
5000+ | 19.87 грн |
IRF9Z34NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9Z34NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF9Z34NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 96.93 грн |
25+ | 34.35 грн |
100+ | 32.31 грн |
500+ | 25.82 грн |
1000+ | 22.81 грн |
5000+ | 22.08 грн |
IRF9Z34NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 15.70 грн |
2000+ | 15.59 грн |
5000+ | 15.30 грн |
IRF9Z34NSTR |
Виробник: Infineon
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34NS IRF9Z34NS IRF9Z34NSTRR IRF9Z34NSTRL IRF9Z34NS smd TIRF9Z34ns
кількість в упаковці: 10 шт
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34NS IRF9Z34NS IRF9Z34NSTRR IRF9Z34NSTRL IRF9Z34NS smd TIRF9Z34ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 38.36 грн |
IRF9Z34NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 43.62 грн |
IRF9Z34NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 40.58 грн |
IRF9Z34NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF9Z34NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
285+ | 42.74 грн |
286+ | 42.50 грн |
288+ | 42.25 грн |
1000+ | 40.67 грн |
IRF9Z34NSTRRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 118620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
455+ | 66.74 грн |
506+ | 60.06 грн |
1000+ | 55.40 грн |
10000+ | 47.62 грн |
100000+ | 36.95 грн |
IRF9Z34N | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF9Z34NLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: IR
08+
08+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF9Z34NPBF | ![]() |
![]() |
IRF9Z34NPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 4643 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF9Z34NS : IRF9Z34NSTRLPBF |
Виробник: International Rectifier Corporation
IRF9Z34NSPBF MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
IRF9Z34NSPBF MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF9Z34NSPBF | ![]() |
![]() |
IRF9Z34NSPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 98 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF9Z34NSPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 19 А; Ptot, Вт = 3,8; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25; Qg, нКл = 35 @ 10 В; Rds = 100 мОм @ 10 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 19 А; Ptot, Вт = 3,8; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25; Qg, нКл = 35 @ 10 В; Rds = 100 мОм @ 10 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
на замовлення 26 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
AUIRF9Z34N |
![]() ![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET P-CH 55V 19A Automotive AUIRF9Z34N International Rectifier TAUIRF9Z34n
кількість в упаковці: 10 шт
MOSFET P-CH 55V 19A Automotive AUIRF9Z34N International Rectifier TAUIRF9Z34n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 57.63 грн |
Транзистор IRF9Z34NPBF |
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-17A; Pdmax=56W; Rds=0,10 Ohm (аналог IRF9Z34N только Pb free)
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-17A; Pdmax=56W; Rds=0,10 Ohm (аналог IRF9Z34N только Pb free)
на замовлення 426 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 28.91 грн |
11+ | 25.77 грн |
100+ | 21.48 грн |
Транзистор IRF9Z34NSPBF |
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2Pack Udss=-55V; Id=-19A; Pdmax=68W; Rds=0,10 Ohm (Pb free)
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2Pack Udss=-55V; Id=-19A; Pdmax=68W; Rds=0,10 Ohm (Pb free)
на замовлення 223 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 42.79 грн |
10+ | 35.44 грн |
100+ | 32.21 грн |
IRF9Z34N Код товару: 1336
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 55 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 55 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF9Z34NS Код товару: 19219
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1100/34
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1100/34
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 18.00 грн |
10+ | 16.00 грн |
IRF9Z34NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF9Z34NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V 19A 100mOhm 23.3nC
MOSFETs MOSFT PCh -55V 19A 100mOhm 23.3nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.