Результат пошуку "IRF9Z34N" : > 60

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF9Z34N IRF9Z34N
Код товару: 1336
1 Додати до обраних Обраний товар
IR irf9z34n.pdf description Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 19 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
у наявності: 12 шт
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+22.00 грн
10+19.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF
Код товару: 31477
1 Додати до обраних Обраний товар
IR irf9z34npbf-datasheet.pdf description Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 19 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
у наявності: 91 шт
  • 54 шт - склад
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+26.00 грн
10+22.40 грн
100+19.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBF
Код товару: 33403
1 Додати до обраних Обраний товар
IR irf9z34nspbf-datasheet.pdf description Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 19 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,10 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 620/35
Монтаж: SMD
у наявності: 137 шт
  • 69 шт - склад
  • 44 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 5 шт
  • 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+39.00 грн
10+34.70 грн
100+30.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34N IRF9Z34N International Rectifier info-tirf9z34n.pdf description P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.15 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34N IRF9Z34N International Rectifier info-tirf9z34n.pdf description P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.15 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34N IRF9Z34N International Rectifier info-tirf9z34n.pdf description P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.15 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34N JSMICRO JSMicro Semiconductor Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 20A; 20W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9Z34; IRF9Z34N; IRF9Z34N TIRF9Z34n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.08 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34N UMW UMW Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 102mOhm; 19A; 68W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9Z34; IRF9Z34N; IRF9Z34N TIRF9Z34n UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NLPBF IRF9Z34NLPBF Infineon Technologies irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 description Description: PLANAR 40<-<100V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+112.39 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NLPBF IRF9Z34NLPBF Infineon Technologies irf9z34nspbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+143.88 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9z34n.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+70.37 грн
10+57.57 грн
25+52.93 грн
37+26.14 грн
100+24.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies irf9z34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561220af1ddd description Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 37567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.56 грн
10+88.88 грн
50+67.06 грн
100+56.32 грн
500+44.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+208.29 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.40 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 22646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+69.86 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+37.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+37.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF INFINEON INFN-S-A0012826292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF9Z34NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 56W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 6468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 22647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.59 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+62.40 грн
Мінімальне замовлення: 229 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineon_irf9z34n_datasheet_en.pdf description MOSFETs MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC
на замовлення 22429 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+79.44 грн
10+52.60 грн
100+36.57 грн
500+30.12 грн
1000+26.39 грн
2000+23.89 грн
5000+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NS smd Infineon P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34NS IRF9Z34NS IRF9Z34NSTRR IRF9Z34NSTRL IRF9Z34NSTR TIRF9Z34ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 339 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+42.66 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBF International Rectifier/Infineon IRF9Z34NSPBF_IR.pdf description P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 19 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 35 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
50+25.55 грн
100+21.90 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies irf9z34ns.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 33600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+87.04 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies irf9z34ns.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+276.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies irf9z34ns.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 33600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+86.69 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies irf9z34ns.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+147.08 грн
120+119.28 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 18400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+86.72 грн
2400+74.70 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies irf9z34ns.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.08 грн
10+119.28 грн
25+88.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 19085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.69 грн
10+156.32 грн
50+120.16 грн
100+101.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 4844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies irf9z34ns.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+276.74 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 4844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF9Z34NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -55V 19A 100mOhm 23.3nC
на замовлення 5395 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+262.52 грн
10+129.80 грн
100+101.88 грн
500+87.95 грн
800+74.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBF IRF9Z34NSTRRPBF Infineon Technologies irf9z34nspbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 118620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+78.43 грн
506+70.59 грн
1000+65.10 грн
10000+55.96 грн
100000+43.41 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBF IRF9Z34NSTRRPBF Infineon Technologies irf9z34nspbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+78.43 грн
506+70.59 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBF International Rectifier HiRel Products irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 IRF9Z34NSTRRPBF
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+78.43 грн
506+70.59 грн
1000+65.10 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF irf9z34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561220af1ddd description IRF9Z34NPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 4643 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBF irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 description IRF9Z34NSPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 98 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF9Z34N AUIRF9Z34N International Rectifier IRSDS11744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL
на замовлення 11306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+84.12 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF9Z34N AUIRF9Z34N Infineon Technologies auirf9z34n.pdf MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 100mOhms 23.3nC
на замовлення 398 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+207.79 грн
10+131.49 грн
100+68.09 грн
500+60.17 грн
1000+51.09 грн
2000+50.43 грн
5000+48.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF9Z34N International Rectifier International Rectifier MOSFET P-CH 55V 19A Automotive AUIRF9Z34N TAUIRF9Z34n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+64.10 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF9Z34N-INF AUIRF9Z34N-INF Infineon Technologies IRSDS11744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+84.12 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRF9Z34N UMWIRF9Z34N UMW cb75b655e4043df9accbbdc977a2188c.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.94 грн
10+49.43 грн
50+36.59 грн
100+30.44 грн
500+23.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z10PBF IRF9Z10PBF Vishay Semiconductors irf9z10.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
на замовлення 1777 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+168.45 грн
10+81.93 грн
100+63.69 грн
500+50.65 грн
1000+45.74 грн
5000+43.46 грн
10000+42.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14PBF IRF9Z14PBF Vishay Semiconductors 91088.pdf MOSFETs TO220 P-CH 60V 6.7A
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+141.95 грн
10+86.82 грн
100+50.28 грн
500+39.87 грн
1000+38.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14SPBF IRF9Z14SPBF Vishay Semiconductors sihf9z14.pdf MOSFETs TO263 P-CH 60V 6.7A
на замовлення 384 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+180.43 грн
10+95.25 грн
100+67.43 грн
500+60.54 грн
1000+47.79 грн
2000+46.54 грн
5000+46.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Infineon Technologies infineon_irf9z24n_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC
на замовлення 6188 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+95.77 грн
10+59.59 грн
100+34.16 грн
500+26.83 грн
1000+23.53 грн
2000+20.74 грн
5000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBF IRF9Z24PBF Vishay Semiconductors tf-irf9z24pbf.pdf MOSFETs TO220 P-CH 60V 11A
на замовлення 1787 шт:
термін постачання 221-230 дні (днів)
2+211.21 грн
10+102.83 грн
100+80.62 грн
500+64.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Vishay Semiconductors sihf9z24.pdf MOSFETs TO263 P-CH 60V 11A
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+215.49 грн
10+112.95 грн
100+85.75 грн
500+71.83 грн
1000+70.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBF IRF9Z30PBF Vishay Semiconductors irl620.pdf description MOSFETs TO220 P-CH 50V 18A
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+223.18 грн
10+110.42 грн
100+81.36 грн
500+70.00 грн
1000+65.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBF IRF9Z34PBF Vishay Semiconductors IRF9Z34_SiHF9Z34_RevC_5-2-16.pdf MOSFETs TO220 P-CH 60V 18A
на замовлення 122 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+181.28 грн
10+127.28 грн
500+87.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBF-BE3 IRF9Z34PBF-BE3 Vishay / Siliconix IRF9Z34_SiHF9Z34_RevC_5-2-16.pdf MOSFETs TO220 P-CH 60V 18A
на замовлення 5455 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+186.41 грн
10+107.89 грн
100+71.83 грн
500+67.43 грн
1000+53.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBF IRF9Z34SPBF Vishay Semiconductors sihf9z34.pdf MOSFETs P-Chan 60V 18 Amp
на замовлення 1386 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+208.64 грн
10+132.33 грн
100+78.42 грн
500+66.84 грн
1000+66.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBF IRF9Z34STRLPBF Vishay Semiconductors sihf9z34.pdf MOSFETs P-Chan 60V 18 Amp
на замовлення 330 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+211.21 грн
10+102.83 грн
100+80.62 грн
500+61.13 грн
800+54.82 грн
9600+54.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRRPBF IRF9Z34STRRPBF Vishay / Siliconix sihf9z34.pdf MOSFETs TO263 P-CH 60V 18A
на замовлення 142 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+279.62 грн
10+158.46 грн
100+105.54 грн
500+91.62 грн
800+82.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NS IRF9Z34NS
Код товару: 19219
Додати до обраних Обраний товар
IR irf9z34ns.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 19 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1100/34
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
2+18.00 грн
10+16.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34N International Rectifier/Infineon irf9z34npbf.pdf description P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 19 А, Ptot, Вт = 68, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 35 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NL IRF9Z34NL Infineon Technologies irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34N
Код товару: 1336
1 Додати до обраних Обраний товар
description irf9z34n.pdf
IRF9Z34N
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 19 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
у наявності: 12 шт
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+22.00 грн
10+19.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF
Код товару: 31477
1 Додати до обраних Обраний товар
description irf9z34npbf-datasheet.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 19 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
у наявності: 91 шт
  • 54 шт - склад
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
1+26.00 грн
10+22.40 грн
100+19.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBF
Код товару: 33403
1 Додати до обраних Обраний товар
description irf9z34nspbf-datasheet.pdf
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 19 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,10 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 620/35
Монтаж: SMD
у наявності: 137 шт
  • 69 шт - склад
  • 44 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 5 шт
  • 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+39.00 грн
10+34.70 грн
100+30.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34N description info-tirf9z34n.pdf
IRF9Z34N
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+23.15 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34N description info-tirf9z34n.pdf
IRF9Z34N
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+23.15 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34N description info-tirf9z34n.pdf
IRF9Z34N
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+23.15 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34N JSMICRO
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 20A; 20W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9Z34; IRF9Z34N; IRF9Z34N TIRF9Z34n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+22.08 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34N UMW
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 102mOhm; 19A; 68W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9Z34; IRF9Z34N; IRF9Z34N TIRF9Z34n UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NLPBF description irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
IRF9Z34NLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: PLANAR 40<-<100V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
198+112.39 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NLPBF description irf9z34nspbf.pdf
IRF9Z34NLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
248+143.88 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description irf9z34n.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+70.37 грн
10+57.57 грн
25+52.93 грн
37+26.14 грн
100+24.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description irf9z34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561220af1ddd
IRF9Z34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 37567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+144.56 грн
10+88.88 грн
50+67.06 грн
100+56.32 грн
500+44.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
69+208.29 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+62.40 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 22646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
205+69.86 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+37.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+37.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description INFN-S-A0012826292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9Z34NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9Z34NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 56W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 6468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 22647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+69.59 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+207.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
229+62.40 грн
Мінімальне замовлення: 229 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description infineon_irf9z34n_datasheet_en.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC
на замовлення 22429 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.44 грн
10+52.60 грн
100+36.57 грн
500+30.12 грн
1000+26.39 грн
2000+23.89 грн
5000+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NS smd
Виробник: Infineon
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34NS IRF9Z34NS IRF9Z34NSTRR IRF9Z34NSTRL IRF9Z34NSTR TIRF9Z34ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 339 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+42.66 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBF description IRF9Z34NSPBF_IR.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 19 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 35 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+25.55 грн
100+21.90 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF irf9z34ns.pdf
IRF9Z34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 33600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+87.04 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF irf9z34ns.pdf
IRF9Z34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+276.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF irf9z34ns.pdf
IRF9Z34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 33600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+86.69 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF irf9z34ns.pdf
IRF9Z34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
98+147.08 грн
120+119.28 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
IRF9Z34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 18400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+86.72 грн
2400+74.70 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF irf9z34ns.pdf
IRF9Z34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+147.08 грн
10+119.28 грн
25+88.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
IRF9Z34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 19085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+249.69 грн
10+156.32 грн
50+120.16 грн
100+101.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF INFN-S-A0012838205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9Z34NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 4844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF irf9z34ns.pdf
IRF9Z34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
52+276.74 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF INFN-S-A0012838205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9Z34NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 4844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF Infineon_IRF9Z34NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF9Z34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V 19A 100mOhm 23.3nC
на замовлення 5395 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+262.52 грн
10+129.80 грн
100+101.88 грн
500+87.95 грн
800+74.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBF irf9z34nspbf.pdf
IRF9Z34NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 118620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
455+78.43 грн
506+70.59 грн
1000+65.10 грн
10000+55.96 грн
100000+43.41 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBF irf9z34nspbf.pdf
IRF9Z34NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
455+78.43 грн
506+70.59 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBF irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
Виробник: International Rectifier HiRel Products
IRF9Z34NSTRRPBF
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
455+78.43 грн
506+70.59 грн
1000+65.10 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description irf9z34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561220af1ddd
IRF9Z34NPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 4643 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBF description irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
IRF9Z34NSPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 98 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF9Z34N IRSDS11744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRF9Z34N
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL
на замовлення 11306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
264+84.12 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF9Z34N auirf9z34n.pdf
AUIRF9Z34N
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 100mOhms 23.3nC
на замовлення 398 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+207.79 грн
10+131.49 грн
100+68.09 грн
500+60.17 грн
1000+51.09 грн
2000+50.43 грн
5000+48.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF9Z34N International Rectifier
Виробник: International Rectifier
MOSFET P-CH 55V 19A Automotive AUIRF9Z34N TAUIRF9Z34n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+64.10 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF9Z34N-INF IRSDS11744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRF9Z34N-INF
Виробник: Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
264+84.12 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRF9Z34N cb75b655e4043df9accbbdc977a2188c.pdf
UMWIRF9Z34N
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.94 грн
10+49.43 грн
50+36.59 грн
100+30.44 грн
500+23.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z10PBF irf9z10.pdf
IRF9Z10PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
на замовлення 1777 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+168.45 грн
10+81.93 грн
100+63.69 грн
500+50.65 грн
1000+45.74 грн
5000+43.46 грн
10000+42.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14PBF 91088.pdf
IRF9Z14PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 P-CH 60V 6.7A
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+141.95 грн
10+86.82 грн
100+50.28 грн
500+39.87 грн
1000+38.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14SPBF sihf9z14.pdf
IRF9Z14SPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 P-CH 60V 6.7A
на замовлення 384 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+180.43 грн
10+95.25 грн
100+67.43 грн
500+60.54 грн
1000+47.79 грн
2000+46.54 грн
5000+46.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF infineon_irf9z24n_datasheet_en.pdf
IRF9Z24NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC
на замовлення 6188 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+95.77 грн
10+59.59 грн
100+34.16 грн
500+26.83 грн
1000+23.53 грн
2000+20.74 грн
5000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBF tf-irf9z24pbf.pdf
IRF9Z24PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 P-CH 60V 11A
на замовлення 1787 шт:
термін постачання 221-230 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+211.21 грн
10+102.83 грн
100+80.62 грн
500+64.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF sihf9z24.pdf
IRF9Z24SPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 P-CH 60V 11A
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+215.49 грн
10+112.95 грн
100+85.75 грн
500+71.83 грн
1000+70.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBF description irl620.pdf
IRF9Z30PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 P-CH 50V 18A
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+223.18 грн
10+110.42 грн
100+81.36 грн
500+70.00 грн
1000+65.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBF IRF9Z34_SiHF9Z34_RevC_5-2-16.pdf
IRF9Z34PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 P-CH 60V 18A
на замовлення 122 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+181.28 грн
10+127.28 грн
500+87.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBF-BE3 IRF9Z34_SiHF9Z34_RevC_5-2-16.pdf
IRF9Z34PBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 P-CH 60V 18A
на замовлення 5455 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+186.41 грн
10+107.89 грн
100+71.83 грн
500+67.43 грн
1000+53.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBF sihf9z34.pdf
IRF9Z34SPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-Chan 60V 18 Amp
на замовлення 1386 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+208.64 грн
10+132.33 грн
100+78.42 грн
500+66.84 грн
1000+66.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBF sihf9z34.pdf
IRF9Z34STRLPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-Chan 60V 18 Amp
на замовлення 330 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+211.21 грн
10+102.83 грн
100+80.62 грн
500+61.13 грн
800+54.82 грн
9600+54.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRRPBF sihf9z34.pdf
IRF9Z34STRRPBF
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO263 P-CH 60V 18A
на замовлення 142 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+279.62 грн
10+158.46 грн
100+105.54 грн
500+91.62 грн
800+82.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NS
Код товару: 19219
Додати до обраних Обраний товар
irf9z34ns.pdf
IRF9Z34NS
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 19 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1100/34
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
2+18.00 грн
10+16.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34N description irf9z34npbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 19 А, Ptot, Вт = 68, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 35 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NL irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
IRF9Z34NL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.