Результат пошуку "IRF9Z34N" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF9Z34N IRF9Z34N
Код товару: 1336
Додати до обраних Обраний товар
IR irf9z34n.pdf description Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 19 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
у наявності: 30 шт
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+22.00 грн
10+19.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF
Код товару: 31477
Додати до обраних Обраний товар
IR irf9z34npbf-datasheet.pdf description Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 19 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
у наявності: 240 шт
  • 196 шт - склад
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+26.00 грн
10+22.40 грн
100+19.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBF
Код товару: 33403
1 Додати до обраних Обраний товар
IR irf9z34nspbf-datasheet.pdf description Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 19 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,10 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 620/35
Монтаж: SMD
у наявності: 127 шт
  • 69 шт - склад
  • 29 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 20 шт
  • 20 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+39.00 грн
10+34.70 грн
100+30.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34N IRF9Z34N International Rectifier info-tirf9z34n.pdf description P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34N IRF9Z34N International Rectifier info-tirf9z34n.pdf description P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34N IRF9Z34N International Rectifier info-tirf9z34n.pdf description P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34N IRF9Z34N JSMicro Semiconductor TIRF9Z34n_JSM_0001.pdf description Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 20A; 20W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9Z34; IRF9Z34N; IRF9Z34N JSMICRO TIRF9Z34n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.83 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34N IRF9Z34N UMW TIRF9Z34n_UMW_UMW_0001.pdf description Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 102mOhm; 19A; 68W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9Z34; IRF9Z34N; IRF9Z34N UMW TIRF9Z34n UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NLPBF IRF9Z34NLPBF Infineon Technologies irf9z34nspbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+142.30 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NLPBF IRF9Z34NLPBF Infineon Technologies irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 description Description: PLANAR 40<-<100V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+103.51 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+65.55 грн
2000+60.58 грн
5000+55.21 грн
10000+50.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+212.42 грн
50+102.72 грн
100+91.98 грн
500+70.54 грн
1000+59.92 грн
2000+53.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF INFINEON INFN-S-A0012826292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF9Z34NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 56W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 7847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+207.50 грн
141+100.34 грн
158+89.86 грн
500+68.91 грн
1000+58.53 грн
2000+51.92 грн
5000+47.32 грн
10000+44.47 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF9Z34N_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC
на замовлення 24150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+103.35 грн
153+92.55 грн
500+73.61 грн
1000+65.11 грн
2000+55.72 грн
5000+48.74 грн
10000+45.80 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+65.55 грн
2000+60.58 грн
5000+55.21 грн
10000+50.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.50 грн
50+100.34 грн
100+89.86 грн
500+68.91 грн
1000+58.53 грн
2000+51.92 грн
5000+47.32 грн
10000+44.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+211.65 грн
138+102.34 грн
154+91.65 грн
500+70.29 грн
1000+59.70 грн
2000+52.96 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.37 грн
100+92.57 грн
500+73.63 грн
1000+65.12 грн
2000+55.73 грн
5000+48.75 грн
10000+45.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies irf9z34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561220af1ddd description Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 38953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.25 грн
50+67.72 грн
100+60.61 грн
500+45.16 грн
1000+41.40 грн
2000+38.23 грн
5000+34.23 грн
10000+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBF International Rectifier/Infineon IRF9Z34NSPBF_IR.pdf description P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 19 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 35 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
50+25.55 грн
100+21.90 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTR IRF9Z34NSTR Infineon info-tirf9z34ns.pdf P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34NS IRF9Z34NS IRF9Z34NSTRR IRF9Z34NSTRL IRF9Z34NS smd TIRF9Z34ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 345 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+42.19 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies irf9z34ns.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 43200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+113.44 грн
1600+105.21 грн
2400+101.02 грн
4000+92.87 грн
5600+83.50 грн
8000+77.84 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies irf9z34ns.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+123.99 грн
115+122.75 грн
163+87.08 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies irf9z34ns.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+111.48 грн
1600+103.39 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies irf9z34ns.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+242.61 грн
85+167.06 грн
145+97.66 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies irf9z34ns.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+257.44 грн
10+123.99 грн
25+122.75 грн
100+83.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF9Z34NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -55V 19A 100mOhm 23.3nC
на замовлення 5637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+82.62 грн
1600+74.01 грн
2400+71.17 грн
4000+63.81 грн
5600+63.05 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies irf9z34ns.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.66 грн
10+167.09 грн
100+97.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 3364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 14529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.75 грн
10+148.89 грн
100+103.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 3364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies irf9z34ns.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 43200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+113.51 грн
1600+105.27 грн
2400+101.07 грн
4000+92.92 грн
5600+83.55 грн
8000+77.89 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies irf9z34ns.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+111.48 грн
1600+103.39 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBF IRF9Z34NSTRRPBF Infineon Technologies irf9z34nspbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+77.56 грн
506+69.81 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBF International Rectifier HiRel Products irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 IRF9Z34NSTRRPBF
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+77.56 грн
506+69.81 грн
1000+64.38 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBF IRF9Z34NSTRRPBF Infineon Technologies irf9z34nspbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 118620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+77.56 грн
506+69.81 грн
1000+64.38 грн
10000+55.34 грн
100000+42.93 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NLPBF IR irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 description 08+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF irf9z34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561220af1ddd description IRF9Z34NPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 4643 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBF irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 description IRF9Z34NSPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 98 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF9Z34N AUIRF9Z34N Infineon Technologies auirf9z34n.pdf MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 100mOhms 23.3nC
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF9Z34N AUIRF9Z34N International Rectifier IRSDS11744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+77.46 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF9Z34N AUIRF9Z34N International Rectifier TAUIRF9Z34n_0001.pdf MOSFET P-CH 55V 19A Automotive AUIRF9Z34N International Rectifier TAUIRF9Z34n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+63.39 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF9Z34N-INF AUIRF9Z34N-INF Infineon Technologies IRSDS11744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+77.46 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRF9Z34N UMWIRF9Z34N UMW cb75b655e4043df9accbbdc977a2188c.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.90 грн
10+49.93 грн
100+32.75 грн
500+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NS IRF9Z34NS
Код товару: 19219
Додати до обраних Обраний товар
IR irf9z34ns.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 19 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1100/34
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+16.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34N International Rectifier/Infineon irf9z34npbf.pdf description P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 19 А, Ptot, Вт = 68, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 35 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NL IRF9Z34NL Infineon Technologies irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NLPBF IRF9Z34NLPBF Infineon Technologies irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 description Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9z34n.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF International Rectifier/Infineon irf9z34npbf.pdf description P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 19 А, Ptot, Вт = 68, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 35 @ 10 В, Rds = 10 мОм @ 10 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBF IRF9Z34NSPBF Infineon Technologies irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 description Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRR IRF9Z34NSTRR Infineon Technologies irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBF IRF9Z34NSTRRPBF Infineon Technologies irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBF IRF9Z34NSPBF International Rectifier irf9z34ns.pdf description MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF International Rectifier irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF9Z34N AUIRF9Z34N Infineon Technologies AUIRF9Z34N.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF9Z34N IR Транзистор польовий IRF9Z34N IR IR силовий МОП-транзистор P-канальний TO-220AB Vси = -55 В, Rоткр = 0.1 Ом, Id(25oC) = -17 A   Транзистори польові
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34N
Код товару: 1336
Додати до обраних Обраний товар
description irf9z34n.pdf
IRF9Z34N
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 19 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
у наявності: 30 шт
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+22.00 грн
10+19.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF
Код товару: 31477
Додати до обраних Обраний товар
description irf9z34npbf-datasheet.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 19 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
у наявності: 240 шт
  • 196 шт - склад
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+26.00 грн
10+22.40 грн
100+19.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBF
Код товару: 33403
1 Додати до обраних Обраний товар
description irf9z34nspbf-datasheet.pdf
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 19 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,10 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 620/35
Монтаж: SMD
у наявності: 127 шт
  • 69 шт - склад
  • 29 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 20 шт
  • 20 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+39.00 грн
10+34.70 грн
100+30.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34N description info-tirf9z34n.pdf
IRF9Z34N
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34N description info-tirf9z34n.pdf
IRF9Z34N
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34N description info-tirf9z34n.pdf
IRF9Z34N
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34N description TIRF9Z34n_JSM_0001.pdf
IRF9Z34N
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 20A; 20W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9Z34; IRF9Z34N; IRF9Z34N JSMICRO TIRF9Z34n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+21.83 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34N description TIRF9Z34n_UMW_UMW_0001.pdf
IRF9Z34N
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 102mOhm; 19A; 68W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9Z34; IRF9Z34N; IRF9Z34N UMW TIRF9Z34n UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NLPBF description irf9z34nspbf.pdf
IRF9Z34NLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
248+142.30 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NLPBF description irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
IRF9Z34NLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: PLANAR 40<-<100V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
198+103.51 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+65.55 грн
2000+60.58 грн
5000+55.21 грн
10000+50.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+212.42 грн
50+102.72 грн
100+91.98 грн
500+70.54 грн
1000+59.92 грн
2000+53.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description INFN-S-A0012826292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9Z34NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9Z34NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 56W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 7847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
69+207.50 грн
141+100.34 грн
158+89.86 грн
500+68.91 грн
1000+58.53 грн
2000+51.92 грн
5000+47.32 грн
10000+44.47 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description Infineon_IRF9Z34N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC
на замовлення 24150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
137+103.35 грн
153+92.55 грн
500+73.61 грн
1000+65.11 грн
2000+55.72 грн
5000+48.74 грн
10000+45.80 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+65.55 грн
2000+60.58 грн
5000+55.21 грн
10000+50.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+207.50 грн
50+100.34 грн
100+89.86 грн
500+68.91 грн
1000+58.53 грн
2000+51.92 грн
5000+47.32 грн
10000+44.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
67+211.65 грн
138+102.34 грн
154+91.65 грн
500+70.29 грн
1000+59.70 грн
2000+52.96 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+103.37 грн
100+92.57 грн
500+73.63 грн
1000+65.12 грн
2000+55.73 грн
5000+48.75 грн
10000+45.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description irf9z34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561220af1ddd
IRF9Z34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 38953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+146.25 грн
50+67.72 грн
100+60.61 грн
500+45.16 грн
1000+41.40 грн
2000+38.23 грн
5000+34.23 грн
10000+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBF description IRF9Z34NSPBF_IR.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 19 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 35 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+25.55 грн
100+21.90 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTR info-tirf9z34ns.pdf
IRF9Z34NSTR
Виробник: Infineon
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34NS IRF9Z34NS IRF9Z34NSTRR IRF9Z34NSTRL IRF9Z34NS smd TIRF9Z34ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 345 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+42.19 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF irf9z34ns.pdf
IRF9Z34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 43200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+113.44 грн
1600+105.21 грн
2400+101.02 грн
4000+92.87 грн
5600+83.50 грн
8000+77.84 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF irf9z34ns.pdf
IRF9Z34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
114+123.99 грн
115+122.75 грн
163+87.08 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF irf9z34ns.pdf
IRF9Z34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+111.48 грн
1600+103.39 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF irf9z34ns.pdf
IRF9Z34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
59+242.61 грн
85+167.06 грн
145+97.66 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF irf9z34ns.pdf
IRF9Z34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+257.44 грн
10+123.99 грн
25+122.75 грн
100+83.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF Infineon_IRF9Z34NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF9Z34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V 19A 100mOhm 23.3nC
на замовлення 5637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
IRF9Z34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+82.62 грн
1600+74.01 грн
2400+71.17 грн
4000+63.81 грн
5600+63.05 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF irf9z34ns.pdf
IRF9Z34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+242.66 грн
10+167.09 грн
100+97.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF INFN-S-A0012838205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9Z34NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 3364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
IRF9Z34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 14529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+237.75 грн
10+148.89 грн
100+103.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF INFN-S-A0012838205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9Z34NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 3364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF irf9z34ns.pdf
IRF9Z34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 43200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+113.51 грн
1600+105.27 грн
2400+101.07 грн
4000+92.92 грн
5600+83.55 грн
8000+77.89 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF irf9z34ns.pdf
IRF9Z34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+111.48 грн
1600+103.39 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBF irf9z34nspbf.pdf
IRF9Z34NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
455+77.56 грн
506+69.81 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBF irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
Виробник: International Rectifier HiRel Products
IRF9Z34NSTRRPBF
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
455+77.56 грн
506+69.81 грн
1000+64.38 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBF irf9z34nspbf.pdf
IRF9Z34NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 118620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
455+77.56 грн
506+69.81 грн
1000+64.38 грн
10000+55.34 грн
100000+42.93 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NLPBF description irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
Виробник: IR
08+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description irf9z34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561220af1ddd
IRF9Z34NPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 4643 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBF description irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
IRF9Z34NSPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 98 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF9Z34N auirf9z34n.pdf
AUIRF9Z34N
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 100mOhms 23.3nC
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF9Z34N IRSDS11744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRF9Z34N
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
264+77.46 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF9Z34N TAUIRF9Z34n_0001.pdf
AUIRF9Z34N
Виробник: International Rectifier
MOSFET P-CH 55V 19A Automotive AUIRF9Z34N International Rectifier TAUIRF9Z34n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+63.39 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF9Z34N-INF IRSDS11744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRF9Z34N-INF
Виробник: Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
264+77.46 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRF9Z34N cb75b655e4043df9accbbdc977a2188c.pdf
UMWIRF9Z34N
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+82.90 грн
10+49.93 грн
100+32.75 грн
500+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NS
Код товару: 19219
Додати до обраних Обраний товар
irf9z34ns.pdf
IRF9Z34NS
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 19 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1100/34
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+16.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34N description irf9z34npbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 19 А, Ptot, Вт = 68, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 35 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NL irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
IRF9Z34NL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NLPBF description irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
IRF9Z34NLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description irf9z34n.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description irf9z34npbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 19 А, Ptot, Вт = 68, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 35 @ 10 В, Rds = 10 мОм @ 10 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBF description irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
IRF9Z34NSPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRR irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
IRF9Z34NSTRR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBF irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
IRF9Z34NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBF description irf9z34ns.pdf
IRF9Z34NSPBF
Виробник: International Rectifier
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
Виробник: International Rectifier
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF9Z34N AUIRF9Z34N.pdf
AUIRF9Z34N
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF9Z34N IR
Транзистор польовий IRF9Z34N IR
Виробник: IR
силовий МОП-транзистор P-канальний TO-220AB Vси = -55 В, Rоткр = 0.1 Ом, Id(25oC) = -17 A   Транзистори польові
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]