Результат пошуку "IRFBG30" : 23

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFBG30PBF IRFBG30PBF
Код товару: 29889
Додати до обраних Обраний товар

Siliconix irfbg30pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
у наявності: 39 шт
25 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+46.00 грн
10+41.40 грн
100+37.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30 Vishay irl620.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 20V; 5Ohm; 3,1A; 125W; -55°C ~ 150°C; IRFBG30 TIRFBG30
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+56.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58C878E5B51486469&compId=IRFBG30PBF.pdf?ci_sign=017abf2218462da0348e8b41e813a76db1b5a06e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.53 грн
18+49.89 грн
50+46.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58C878E5B51486469&compId=IRFBG30PBF.pdf?ci_sign=017abf2218462da0348e8b41e813a76db1b5a06e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 855 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+175.83 грн
18+62.17 грн
50+56.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Vishay Siliconix irfbg30.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.42 грн
50+101.00 грн
100+100.32 грн
500+83.67 грн
1000+73.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF VISHAY VISH-S-A0013856971-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBG30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.1 A, 5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+205.14 грн
10+175.83 грн
100+118.04 грн
500+97.51 грн
1000+72.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+152.77 грн
81+151.24 грн
108+113.66 грн
118+99.69 грн
250+87.77 грн
500+79.93 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Vishay Semiconductors irfbg30.pdf MOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET
на замовлення 6905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+164.24 грн
10+154.38 грн
25+101.59 грн
100+100.14 грн
250+97.24 грн
500+90.71 грн
1000+76.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+141.78 грн
10+139.19 грн
25+105.80 грн
100+92.57 грн
250+81.50 грн
500+74.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF-BE3 IRFBG30PBF-BE3 Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+93.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF-BE3 IRFBG30PBF-BE3 Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+128.41 грн
99+123.52 грн
102+119.33 грн
250+111.58 грн
500+100.50 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF-BE3 IRFBG30PBF-BE3 Vishay Siliconix irfbg30.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.41 грн
50+95.58 грн
100+93.55 грн
500+79.46 грн
1000+73.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF-BE3 IRFBG30PBF-BE3 Vishay / Siliconix irfbg30.pdf MOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET
на замовлення 8565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.33 грн
10+146.04 грн
25+98.69 грн
100+95.06 грн
500+84.18 грн
1000+68.28 грн
2000+64.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF-BE3 IRFBG30PBF-BE3 VISHAY VISH-S-A0001108824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBG30PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 1KV, 3.1A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
MSL: MSL 1 - Unlimited
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+228.75 грн
10+137.57 грн
25+132.69 грн
50+118.68 грн
100+105.36 грн
500+88.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF irfbg30.pdf IRFBG30PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP5NK100Z STP5NK100Z STMicroelectronics stf5nk100z-1850627.pdf MOSFETs N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+292.08 грн
10+277.06 грн
25+161.10 грн
100+152.39 грн
500+131.34 грн
1000+127.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30 IRFBG30
Код товару: 18004
Додати до обраних Обраний товар

IR datasheetsd876bf87entdyueitbd87e6t78d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 3,1 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+35.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30 (Транзистор)
Код товару: 51783
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30 IRFBG30 Vishay / Siliconix irl620.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30 IRFBG30 Vishay Siliconix irl620.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF-BE3 IRFBG30PBF-BE3 Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF
Код товару: 29889
Додати до обраних Обраний товар

irfbg30pbf-datasheet.pdf
IRFBG30PBF
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
у наявності: 39 шт
25 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+46.00 грн
10+41.40 грн
100+37.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30 irl620.pdf
Виробник: Vishay
Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 20V; 5Ohm; 3,1A; 125W; -55°C ~ 150°C; IRFBG30 TIRFBG30
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+56.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58C878E5B51486469&compId=IRFBG30PBF.pdf?ci_sign=017abf2218462da0348e8b41e813a76db1b5a06e
IRFBG30PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.53 грн
18+49.89 грн
50+46.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58C878E5B51486469&compId=IRFBG30PBF.pdf?ci_sign=017abf2218462da0348e8b41e813a76db1b5a06e
IRFBG30PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 855 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.83 грн
18+62.17 грн
50+56.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF irfbg30.pdf
IRFBG30PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.42 грн
50+101.00 грн
100+100.32 грн
500+83.67 грн
1000+73.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF VISH-S-A0013856971-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFBG30PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBG30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.1 A, 5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+205.14 грн
10+175.83 грн
100+118.04 грн
500+97.51 грн
1000+72.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF irfbg30.pdf
IRFBG30PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
80+152.77 грн
81+151.24 грн
108+113.66 грн
118+99.69 грн
250+87.77 грн
500+79.93 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF irfbg30.pdf
IRFBG30PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET
на замовлення 6905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+164.24 грн
10+154.38 грн
25+101.59 грн
100+100.14 грн
250+97.24 грн
500+90.71 грн
1000+76.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF irfbg30.pdf
IRFBG30PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+141.78 грн
10+139.19 грн
25+105.80 грн
100+92.57 грн
250+81.50 грн
500+74.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF-BE3 irfbg30.pdf
IRFBG30PBF-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+93.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF-BE3 irfbg30.pdf
IRFBG30PBF-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
95+128.41 грн
99+123.52 грн
102+119.33 грн
250+111.58 грн
500+100.50 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF-BE3 irfbg30.pdf
IRFBG30PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.41 грн
50+95.58 грн
100+93.55 грн
500+79.46 грн
1000+73.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF-BE3 irfbg30.pdf
IRFBG30PBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET
на замовлення 8565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.33 грн
10+146.04 грн
25+98.69 грн
100+95.06 грн
500+84.18 грн
1000+68.28 грн
2000+64.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF-BE3 VISH-S-A0001108824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFBG30PBF-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBG30PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 1KV, 3.1A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
MSL: MSL 1 - Unlimited
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+228.75 грн
10+137.57 грн
25+132.69 грн
50+118.68 грн
100+105.36 грн
500+88.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF irfbg30.pdf
IRFBG30PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP5NK100Z stf5nk100z-1850627.pdf
STP5NK100Z
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+292.08 грн
10+277.06 грн
25+161.10 грн
100+152.39 грн
500+131.34 грн
1000+127.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30
Код товару: 18004
Додати до обраних Обраний товар

datasheetsd876bf87entdyueitbd87e6t78d.pdf
IRFBG30
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 3,1 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+35.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30 (Транзистор)
Код товару: 51783
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30 irl620.pdf
IRFBG30
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30 irl620.pdf
IRFBG30
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF irfbg30.pdf
IRFBG30PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF-BE3 irfbg30.pdf
IRFBG30PBF-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.