Результат пошуку "IRFBG30" : 21

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFBG30PBF IRFBG30PBF
Код товару: 29889
Додати до обраних Обраний товар

Siliconix irfbg30pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
у наявності: 41 шт
36 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+46.00 грн
10+41.40 грн
100+37.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30 Vishay irl620.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 20V; 5Ohm; 3,1A; 125W; -55°C ~ 150°C; IRFBG30 TIRFBG30
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+56.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF VISHAY IRFBG30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.55 грн
18+50.58 грн
49+47.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF VISHAY IRFBG30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 999 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+178.26 грн
18+63.03 грн
49+57.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF VISHAY VISH-S-A0013856971-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBG30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.1 A, 5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.97 грн
10+178.26 грн
100+119.67 грн
500+98.86 грн
1000+73.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Vishay Siliconix irfbg30.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.18 грн
50+109.95 грн
100+107.43 грн
500+88.99 грн
1000+77.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+88.83 грн
139+87.94 грн
155+79.04 грн
500+75.45 грн
1000+61.80 грн
Мінімальне замовлення: 138
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+117.91 грн
Мінімальне замовлення: 104
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+81.92 грн
50+81.10 грн
100+72.89 грн
500+69.58 грн
1000+56.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+109.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF-BE3 IRFBG30PBF-BE3 Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+98.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF-BE3 IRFBG30PBF-BE3 VISHAY VISH-S-A0001108824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBG30PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 1KV, 3.1A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRFBG30 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+231.90 грн
10+139.47 грн
25+134.52 грн
50+120.31 грн
100+106.82 грн
500+89.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF-BE3 IRFBG30PBF-BE3 Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+128.72 грн
99+123.82 грн
102+119.62 грн
250+111.85 грн
500+100.75 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF-BE3 IRFBG30PBF-BE3 Vishay Siliconix irfbg30.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.85 грн
50+115.36 грн
100+102.38 грн
500+83.14 грн
1000+77.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF irfbg30.pdf IRFBG30PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30 IRFBG30
Код товару: 18004
Додати до обраних Обраний товар

IR datasheetsd876bf87entdyueitbd87e6t78d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 3,1 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+35.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30 (Транзистор)
Код товару: 51783
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30 IRFBG30 Vishay Siliconix irl620.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF-BE3 IRFBG30PBF-BE3 Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF
Код товару: 29889
Додати до обраних Обраний товар

irfbg30pbf-datasheet.pdf
IRFBG30PBF
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
у наявності: 41 шт
36 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+46.00 грн
10+41.40 грн
100+37.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30 irl620.pdf
Виробник: Vishay
Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 20V; 5Ohm; 3,1A; 125W; -55°C ~ 150°C; IRFBG30 TIRFBG30
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+56.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF.pdf
IRFBG30PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.55 грн
18+50.58 грн
49+47.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF.pdf
IRFBG30PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 999 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.26 грн
18+63.03 грн
49+57.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF VISH-S-A0013856971-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFBG30PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBG30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.1 A, 5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+207.97 грн
10+178.26 грн
100+119.67 грн
500+98.86 грн
1000+73.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF irfbg30.pdf
IRFBG30PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.18 грн
50+109.95 грн
100+107.43 грн
500+88.99 грн
1000+77.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF irfbg30.pdf
IRFBG30PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
138+88.83 грн
139+87.94 грн
155+79.04 грн
500+75.45 грн
1000+61.80 грн
Мінімальне замовлення: 138
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF irfbg30.pdf
IRFBG30PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
104+117.91 грн
Мінімальне замовлення: 104
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF irfbg30.pdf
IRFBG30PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+81.92 грн
50+81.10 грн
100+72.89 грн
500+69.58 грн
1000+56.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF irfbg30.pdf
IRFBG30PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+109.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF-BE3 irfbg30.pdf
IRFBG30PBF-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+98.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF-BE3 VISH-S-A0001108824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFBG30PBF-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBG30PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 1KV, 3.1A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRFBG30 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+231.90 грн
10+139.47 грн
25+134.52 грн
50+120.31 грн
100+106.82 грн
500+89.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF-BE3 irfbg30.pdf
IRFBG30PBF-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
95+128.72 грн
99+123.82 грн
102+119.62 грн
250+111.85 грн
500+100.75 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF-BE3 irfbg30.pdf
IRFBG30PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.85 грн
50+115.36 грн
100+102.38 грн
500+83.14 грн
1000+77.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF irfbg30.pdf
IRFBG30PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30
Код товару: 18004
Додати до обраних Обраний товар

datasheetsd876bf87entdyueitbd87e6t78d.pdf
IRFBG30
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 3,1 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+35.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30 (Транзистор)
Код товару: 51783
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30 irl620.pdf
IRFBG30
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF irfbg30.pdf
IRFBG30PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF-BE3 irfbg30.pdf
IRFBG30PBF-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.