Результат пошуку "IRFR9310" : 40
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 136
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 340
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 233
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 242
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 14
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 506
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 15
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFR9310 | Siliconix |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR9310 | Siliconix |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 350 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRFR9310PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -400V Drain current: -1.1A Pulsed drain current: -7.2A Power dissipation: 50W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR9310PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -400V Drain current: -1.1A Pulsed drain current: -7.2A Power dissipation: 50W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 745 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR9310PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR9310PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 2184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR9310PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 2921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR9310PBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 5146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR9310PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 2921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR9310PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 2433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR9310PBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 16475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR9310PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 2433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR9310PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 2204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR9310TRLPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR9310TRLPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 13819 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR9310TRLPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR9310TRLPBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 23899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR9310TRPBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -400V Drain current: -1.1A Pulsed drain current: -7.2A Power dissipation: 50W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2238 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR9310TRPBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -400V Drain current: -1.1A Pulsed drain current: -7.2A Power dissipation: 50W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2238 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR9310TRPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR9310TRPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR9310TRPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 1525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR9310TRPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR9310TRPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 1525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR9310TRPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 19592 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR9310TRPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRFR9310PBF |
![]() |
на замовлення 945 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IRFR9310TR |
![]() |
на замовлення 6800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRFR9310 Код товару: 31820
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: D-Pak Uds,V: 400 V Id,A: 1,8 A Rds(on),Om: 7 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 270/13 Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR9310 | Vishay / Siliconix |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRFR9310TRLPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -400V Drain current: -1.1A Pulsed drain current: -7.2A Power dissipation: 50W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRFR9310TRLPBF | Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRFR9310TRLPBF | Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRFR9310TRLPBF-BE3 | Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRFR9310TRPBF | Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRFR9310TRRPBF | Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRFR9310TRLPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -400V Drain current: -1.1A Pulsed drain current: -7.2A Power dissipation: 50W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IRFR9310 |
![]() |
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 23.51 грн |
IRFR9310 |
![]() |
на замовлення 350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 23.51 грн |
IRFR9310PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 111.39 грн |
10+ | 55.03 грн |
32+ | 29.37 грн |
88+ | 27.71 грн |
IRFR9310PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 745 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 133.67 грн |
10+ | 68.58 грн |
32+ | 35.25 грн |
88+ | 33.26 грн |
IRFR9310PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
136+ | 89.85 грн |
IRFR9310PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
340+ | 35.75 грн |
343+ | 35.41 грн |
500+ | 35.25 грн |
1000+ | 33.23 грн |
IRFR9310PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 120.61 грн |
13+ | 55.99 грн |
100+ | 54.85 грн |
500+ | 52.40 грн |
1000+ | 46.32 грн |
IRFR9310PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
MOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
на замовлення 5146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 107.89 грн |
10+ | 48.64 грн |
100+ | 41.69 грн |
500+ | 41.61 грн |
3000+ | 41.54 грн |
9000+ | 41.46 грн |
IRFR9310PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
233+ | 52.26 грн |
238+ | 51.19 грн |
500+ | 50.72 грн |
1000+ | 46.69 грн |
IRFR9310PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 96.59 грн |
13+ | 53.86 грн |
100+ | 52.95 грн |
500+ | 50.66 грн |
1000+ | 45.66 грн |
IRFR9310PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR9310PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRFR9310PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 16475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 109.69 грн |
17+ | 51.61 грн |
100+ | 51.27 грн |
500+ | 47.29 грн |
1000+ | 43.58 грн |
5000+ | 41.98 грн |
IRFR9310PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
242+ | 50.27 грн |
246+ | 49.42 грн |
500+ | 49.04 грн |
1000+ | 46.03 грн |
IRFR9310PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 51.67 грн |
19+ | 38.53 грн |
100+ | 38.14 грн |
500+ | 36.62 грн |
1000+ | 33.15 грн |
IRFR9310TRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 40.04 грн |
IRFR9310TRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
MOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
на замовлення 13819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 59.34 грн |
10+ | 48.55 грн |
100+ | 40.63 грн |
500+ | 39.49 грн |
1000+ | 37.37 грн |
IRFR9310TRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 37.16 грн |
IRFR9310TRLPBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO252 400V 1.8A P-CH MOSFET
MOSFETs TO252 400V 1.8A P-CH MOSFET
на замовлення 23899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 132.65 грн |
10+ | 99.37 грн |
100+ | 60.87 грн |
500+ | 51.62 грн |
1000+ | 43.05 грн |
3000+ | 38.66 грн |
6000+ | 37.37 грн |
IRFR9310TRPBF |
![]() ![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 80.78 грн |
7+ | 63.80 грн |
10+ | 59.22 грн |
31+ | 30.40 грн |
85+ | 28.74 грн |
IRFR9310TRPBF |
![]() ![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2238 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 96.93 грн |
5+ | 79.50 грн |
10+ | 71.06 грн |
31+ | 36.48 грн |
85+ | 34.49 грн |
IRFR9310TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRFR9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 62.16 грн |
500+ | 53.61 грн |
1000+ | 48.90 грн |
IRFR9310TRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2000+ | 46.47 грн |
10000+ | 44.80 грн |
IRFR9310TRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
506+ | 23.14 грн |
507+ | 21.42 грн |
1000+ | 20.55 грн |
IRFR9310TRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2000+ | 50.07 грн |
10000+ | 48.27 грн |
IRFR9310TRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 49.00 грн |
26+ | 27.48 грн |
27+ | 24.82 грн |
100+ | 22.98 грн |
250+ | 22.04 грн |
500+ | 22.03 грн |
1000+ | 22.02 грн |
IRFR9310TRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
MOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
на замовлення 19592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 112.31 грн |
10+ | 76.45 грн |
100+ | 37.75 грн |
500+ | 37.37 грн |
IRFR9310TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRFR9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 114.79 грн |
50+ | 78.31 грн |
100+ | 62.16 грн |
500+ | 53.61 грн |
1000+ | 48.90 грн |
IRFR9310PBF |
![]() |
IRFR9310PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 945 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRFR9310 Код товару: 31820
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 400 V
Id,A: 1,8 A
Rds(on),Om: 7 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/13
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 400 V
Id,A: 1,8 A
Rds(on),Om: 7 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/13
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 22.00 грн |
10+ | 19.60 грн |
IRFR9310 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR9310TRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR9310TRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR9310TRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR9310TRLPBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR9310TRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR9310TRRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR9310TRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.