Результат пошуку "IRFR9310" : 57

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR9310 IRFR9310
Код товару: 31820
Додати до обраних Обраний товар
IR irfr9310.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 400 В
Струм стоку Id, А: 1,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 7 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 270/13
Монтаж: SMD
на замовлення: 5 шт
  • 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+22.00 грн
10+19.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310 IRFR9310 Siliconix info-tirfr9310.pdf P-MOSFET 1,8A 400V 50W IRFR9310 TIRFR9310
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+27.14 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310 IRFR9310 Siliconix info-tirfr9310.pdf P-MOSFET 1,8A 400V 50W IRFR9310 TIRFR9310
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+27.14 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF VISHAY IRFR9310PBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 503 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+132.15 грн
10+56.29 грн
31+31.92 грн
84+30.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+95.73 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF VISHAY VISH-S-A0013857047-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR9310PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
на замовлення 12950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 3105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.84 грн
10+108.36 грн
75+77.10 грн
150+65.18 грн
525+54.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+181.13 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+70.04 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+97.14 грн
185+80.28 грн
199+74.62 грн
375+64.89 грн
Мінімальне замовлення: 153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.73 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Vishay Semiconductors sihfr931.pdf MOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+174.78 грн
10+85.00 грн
100+66.08 грн
500+53.61 грн
1000+47.91 грн
3000+46.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF IRFR9310TRLPBF Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.84 грн
10+108.36 грн
50+82.21 грн
100+69.23 грн
500+55.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF IRFR9310TRLPBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+61.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF IRFR9310TRLPBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF IRFR9310TRLPBF Vishay Semiconductors sihfr931.pdf MOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
на замовлення 13579 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+174.78 грн
10+90.08 грн
100+63.88 грн
500+51.79 грн
1000+46.46 грн
3000+41.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF-BE3 IRFR9310TRLPBF-BE3 VISHAY sihfr931.pdf Description: VISHAY - IRFR9310TRLPBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF-BE3 IRFR9310TRLPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.84 грн
10+108.36 грн
50+82.21 грн
100+69.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF-BE3 IRFR9310TRLPBF-BE3 VISHAY sihfr931.pdf Description: VISHAY - IRFR9310TRLPBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRFR9310 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF-BE3 IRFR9310TRLPBF-BE3 Vishay / Siliconix sihfr931.pdf MOSFETs TO252 400V 1.8A P-CH MOSFET
на замовлення 18152 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+174.78 грн
10+90.08 грн
100+63.88 грн
500+51.79 грн
1000+46.46 грн
3000+42.81 грн
6000+41.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF VISHAY IRFR9310PBF.pdf IRFR9310TRPBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+159.88 грн
5+105.38 грн
10+92.59 грн
30+33.04 грн
82+31.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+65.18 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 5688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.84 грн
10+108.36 грн
50+82.21 грн
100+69.23 грн
500+55.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.17 грн
25+63.17 грн
100+59.95 грн
250+54.61 грн
500+51.56 грн
1000+50.70 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF VISHAY VISH-S-A0013857047-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
на замовлення 3061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF VISHAY VISH-S-A0013857047-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+66.38 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF VISHAY VISH-S-A0013857047-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
на замовлення 3061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+52.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+52.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+159.74 грн
124+119.80 грн
140+106.12 грн
500+77.42 грн
1000+63.66 грн
2000+54.36 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF Vishay Semiconductors sihfr931.pdf MOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
на замовлення 6921 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+174.78 грн
10+90.08 грн
100+63.88 грн
500+51.79 грн
1000+46.46 грн
2000+43.95 грн
4000+43.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF sihfr931.pdf IRFR9310PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 945 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TR sihfr931.pdf
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310 IRFR9310 Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310 IRFR9310 Vishay / Siliconix sihfr931.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TR IRFR9310TR Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRL IRFR9310TRL Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF IRFR9310TRLPBF VISHAY IRFR9310PBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF IRFR9310TRLPBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF IRFR9310TRLPBF Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF-BE3 IRFR9310TRLPBF-BE3 VISHAY sihfr931.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF-BE3 IRFR9310TRLPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF-BE3 IRFR9310TRLPBF-BE3 Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRR IRFR9310TRR Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRRPBF IRFR9310TRRPBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRRPBF IRFR9310TRRPBF Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRRPBF IRFR9310TRRPBF Vishay / BC Components sihfr931.pdf MOSFETs TO252 400V 1.8A P-CH MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBF Vishay sihfr931.pdf P-CH 400V 1.8A DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRFR9310TR IR Транзистор польовий IRFR9310TR IR IR Транз. Пол. ВП P-HEXFET D-PAK Udss=-400V; Id=-1,8A; Pdmax=50W; Rds=7 Ohm   Транзистори польові
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFR9310-E3 Vishay Siliconix sihfr9310.pdf SiHFR9310-E3 IRFR9310PBF P-CH. 400V 1.8A DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFR9310T-E3 Vishay Siliconix sihfr9310.pdf SiHFR9310T-E3 IRFR9310TRPBF P-CH. 400V 1.8A DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310
Код товару: 31820
Додати до обраних Обраний товар
irfr9310.pdf
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 400 В
Струм стоку Id, А: 1,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 7 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 270/13
Монтаж: SMD
на замовлення: 5 шт
  • 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+22.00 грн
10+19.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310 info-tirfr9310.pdf
Виробник: Siliconix
P-MOSFET 1,8A 400V 50W IRFR9310 TIRFR9310
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+27.14 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310 info-tirfr9310.pdf
Виробник: Siliconix
P-MOSFET 1,8A 400V 50W IRFR9310 TIRFR9310
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+27.14 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 503 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+132.15 грн
10+56.29 грн
31+31.92 грн
84+30.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF sihfr931.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+181.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF sihfr931.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF sihfr931.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+178.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF sihfr931.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
155+95.73 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF VISH-S-A0013857047-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR9310PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
на замовлення 12950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF sihfr931.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 3105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+174.84 грн
10+108.36 грн
75+77.10 грн
150+65.18 грн
525+54.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF sihfr931.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
82+181.13 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF sihfr931.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
212+70.04 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF sihfr931.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
153+97.14 грн
185+80.28 грн
199+74.62 грн
375+64.89 грн
Мінімальне замовлення: 153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF sihfr931.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+165.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF sihfr931.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+95.73 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF sihfr931.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+174.78 грн
10+85.00 грн
100+66.08 грн
500+53.61 грн
1000+47.91 грн
3000+46.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF sihfr931.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+174.84 грн
10+108.36 грн
50+82.21 грн
100+69.23 грн
500+55.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF sihfr931.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+61.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF sihfr931.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+52.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF sihfr931.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
на замовлення 13579 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+174.78 грн
10+90.08 грн
100+63.88 грн
500+51.79 грн
1000+46.46 грн
3000+41.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF-BE3 sihfr931.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR9310TRLPBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF-BE3 sihfr931.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+174.84 грн
10+108.36 грн
50+82.21 грн
100+69.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF-BE3 sihfr931.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR9310TRLPBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRFR9310 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF-BE3 sihfr931.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO252 400V 1.8A P-CH MOSFET
на замовлення 18152 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+174.78 грн
10+90.08 грн
100+63.88 грн
500+51.79 грн
1000+46.46 грн
3000+42.81 грн
6000+41.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBF IRFR9310PBF.pdf IRFR9310TRPBF.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+159.88 грн
5+105.38 грн
10+92.59 грн
30+33.04 грн
82+31.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBF sihfr931.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
228+65.18 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBF sihfr931.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 5688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+174.84 грн
10+108.36 грн
50+82.21 грн
100+69.23 грн
500+55.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBF sihfr931.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+64.17 грн
25+63.17 грн
100+59.95 грн
250+54.61 грн
500+51.56 грн
1000+50.70 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBF VISH-S-A0013857047-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
на замовлення 3061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBF VISH-S-A0013857047-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBF sihfr931.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+66.38 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBF VISH-S-A0013857047-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
на замовлення 3061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBF sihfr931.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+52.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBF sihfr931.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+52.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBF sihfr931.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
93+159.74 грн
124+119.80 грн
140+106.12 грн
500+77.42 грн
1000+63.66 грн
2000+54.36 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBF sihfr931.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
на замовлення 6921 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+174.78 грн
10+90.08 грн
100+63.88 грн
500+51.79 грн
1000+46.46 грн
2000+43.95 грн
4000+43.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF sihfr931.pdf
IRFR9310PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 945 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TR sihfr931.pdf
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310 sihfr931.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310 sihfr931.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TR sihfr931.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRL sihfr931.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF IRFR9310PBF.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF sihfr931.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF sihfr931.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF-BE3 sihfr931.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF-BE3 sihfr931.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF-BE3 sihfr931.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBF sihfr931.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRR sihfr931.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRRPBF sihfr931.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRRPBF sihfr931.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRRPBF sihfr931.pdf
Виробник: Vishay / BC Components
MOSFETs TO252 400V 1.8A P-CH MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBF sihfr931.pdf
Виробник: Vishay
P-CH 400V 1.8A DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRFR9310TR IR
Виробник: IR
Транз. Пол. ВП P-HEXFET D-PAK Udss=-400V; Id=-1,8A; Pdmax=50W; Rds=7 Ohm   Транзистори польові
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFR9310-E3 sihfr9310.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
SiHFR9310-E3 IRFR9310PBF P-CH. 400V 1.8A DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFR9310T-E3 sihfr9310.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
SiHFR9310T-E3 IRFR9310TRPBF P-CH. 400V 1.8A DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.