Результат пошуку "IRFR9310" : 53

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRFR9310 Siliconix sihfr931.pdf P-MOSFET 1,8A 400V 50W IRFR9310 TIRFR9310
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+22.5 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFR9310 Siliconix sihfr931.pdf P-MOSFET 1,8A 400V 50W IRFR9310 TIRFR9310
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+22.5 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFR9310PBF IRFR9310PBF VISHAY IRFR9310PBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.75 грн
10+ 36.63 грн
25+ 32.94 грн
31+ 24.96 грн
85+ 23.62 грн
300+ 23.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFR9310PBF IRFR9310PBF VISHAY IRFR9310PBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+78.91 грн
6+ 45.65 грн
25+ 39.53 грн
31+ 29.95 грн
85+ 28.34 грн
300+ 28.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR9310PBF IRFR9310PBF VISHAY VISH-S-A0009497829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR9310PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 18577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.34 грн
10+ 79.48 грн
100+ 62.79 грн
500+ 51.4 грн
1000+ 40.38 грн
5000+ 39.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+75.28 грн
176+ 64.41 грн
500+ 55.83 грн
1000+ 45.34 грн
Мінімальне замовлення: 150
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+100.12 грн
10+ 73.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Vishay Semiconductors sihfr931.pdf MOSFET P-Chan 400V 1.8 Amp
на замовлення 11182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+102.2 грн
10+ 82.96 грн
100+ 55.97 грн
500+ 47.47 грн
1000+ 39.29 грн
24000+ 34.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+91.36 грн
134+ 84.83 грн
147+ 76.96 грн
200+ 70.05 грн
Мінімальне замовлення: 124
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+91.66 грн
10+ 69.9 грн
100+ 59.81 грн
500+ 49.99 грн
1000+ 38.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.43 грн
75+ 79.42 грн
150+ 62.93 грн
525+ 50.06 грн
1050+ 40.78 грн
2025+ 38.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 16
IRFR9310TRLPBF IRFR9310TRLPBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFR9310TRLPBF IRFR9310TRLPBF Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+96.85 грн
10+ 77.36 грн
100+ 61.59 грн
500+ 48.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR9310TRLPBF IRFR9310TRLPBF Vishay Semiconductors sihfr931.pdf MOSFET P-Chan 400V 1.8 Amp
на замовлення 14555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+76.65 грн
10+ 68.22 грн
100+ 52.3 грн
500+ 47.47 грн
1000+ 38.65 грн
3000+ 38.13 грн
9000+ 37.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR9310TRLPBF-BE3 IRFR9310TRLPBF-BE3 Vishay Siliconix doc?91284 Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 2939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+96.85 грн
10+ 77.43 грн
100+ 61.65 грн
500+ 48.96 грн
1000+ 41.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR9310TRLPBF-BE3 IRFR9310TRLPBF-BE3 Vishay / Siliconix doc?91284 MOSFET 400V P-CH HEXFET MOSFET D
на замовлення 28086 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+104.46 грн
10+ 84.45 грн
100+ 57.84 грн
500+ 49.02 грн
1000+ 42.45 грн
6000+ 41.29 грн
9000+ 40.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF VISHAY IRFR9310PBF.pdf IRFR9310TRPBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.14 грн
10+ 35.49 грн
25+ 31.4 грн
30+ 25.84 грн
82+ 24.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF VISHAY IRFR9310PBF.pdf IRFR9310TRPBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 768 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+74.57 грн
6+ 44.23 грн
25+ 37.68 грн
30+ 31.01 грн
82+ 29.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+42.48 грн
6000+ 38.96 грн
10000+ 37.16 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+102.64 грн
10+ 83.97 грн
25+ 83.01 грн
100+ 62.35 грн
250+ 57.16 грн
500+ 44.86 грн
1000+ 36.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF VISHAY VISH-S-A0013857047-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.06 грн
10+ 92.49 грн
100+ 69.22 грн
500+ 53.48 грн
1000+ 39.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 15110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.43 грн
10+ 80.92 грн
100+ 62.93 грн
500+ 50.06 грн
1000+ 40.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+49.95 грн
4000+ 47.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF VISHAY VISH-S-A0013857047-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.22 грн
500+ 53.48 грн
1000+ 39.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+79.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+90.43 грн
127+ 89.4 грн
163+ 69.63 грн
250+ 66.48 грн
500+ 50.32 грн
1000+ 38.93 грн
Мінімальне замовлення: 125
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+46.38 грн
4000+ 44.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF Vishay Semiconductors sihfr931.pdf MOSFET P-Chan 400V 1.8 Amp
на замовлення 31378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+102.2 грн
10+ 82.96 грн
100+ 55.97 грн
500+ 47.47 грн
1000+ 38.65 грн
2000+ 36.33 грн
4000+ 35.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR9310PBF sihfr931.pdf IRFR9310PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 945 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRFR9310TR sihfr931.pdf
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFR9310 IRFR9310
Код товару: 31820
IR irfr9310.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 400 V
Id,A: 1,8 A
Rds(on),Om: 7 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/13
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRFR9310 IRFR9310 Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR9310 IRFR9310 Vishay / Siliconix sihfr931.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFR9310PBF
товар відсутній
IRFR9310TR IRFR9310TR Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR9310TRL IRFR9310TRL Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR9310TRLPBF IRFR9310TRLPBF VISHAY IRFR9310PBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFR9310TRLPBF IRFR9310TRLPBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR9310TRLPBF IRFR9310TRLPBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR9310TRLPBF IRFR9310TRLPBF Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR9310TRLPBF-BE3 Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
IRFR9310TRLPBF-BE3 IRFR9310TRLPBF-BE3 Vishay Siliconix doc?91284 Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR9310TRR IRFR9310TRR Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR9310TRRPBF IRFR9310TRRPBF Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR9310TRRPBF IRFR9310TRRPBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR9310TRRPBF IRFR9310TRRPBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR9310TRRPBF IRFR9310TRRPBF Vishay / Siliconix sihfr931.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFR9310TRPBF
товар відсутній
IRFR9310TRLPBF IRFR9310TRLPBF VISHAY IRFR9310PBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR9310 sihfr931.pdf
Виробник: Siliconix
P-MOSFET 1,8A 400V 50W IRFR9310 TIRFR9310
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+22.5 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFR9310 sihfr931.pdf
Виробник: Siliconix
P-MOSFET 1,8A 400V 50W IRFR9310 TIRFR9310
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+22.5 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFR9310PBF IRFR9310PBF.pdf
IRFR9310PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+65.75 грн
10+ 36.63 грн
25+ 32.94 грн
31+ 24.96 грн
85+ 23.62 грн
300+ 23.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFR9310PBF IRFR9310PBF.pdf
IRFR9310PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+78.91 грн
6+ 45.65 грн
25+ 39.53 грн
31+ 29.95 грн
85+ 28.34 грн
300+ 28.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR9310PBF VISH-S-A0009497829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR9310PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR9310PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 18577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+116.34 грн
10+ 79.48 грн
100+ 62.79 грн
500+ 51.4 грн
1000+ 40.38 грн
5000+ 39.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFR9310PBF sihfr931.pdf
IRFR9310PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFR9310PBF sihfr931.pdf
IRFR9310PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
150+75.28 грн
176+ 64.41 грн
500+ 55.83 грн
1000+ 45.34 грн
Мінімальне замовлення: 150
IRFR9310PBF sihfr931.pdf
IRFR9310PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+100.12 грн
10+ 73.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFR9310PBF sihfr931.pdf
IRFR9310PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET P-Chan 400V 1.8 Amp
на замовлення 11182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+102.2 грн
10+ 82.96 грн
100+ 55.97 грн
500+ 47.47 грн
1000+ 39.29 грн
24000+ 34.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR9310PBF sihfr931.pdf
IRFR9310PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
124+91.36 грн
134+ 84.83 грн
147+ 76.96 грн
200+ 70.05 грн
Мінімальне замовлення: 124
IRFR9310PBF sihfr931.pdf
IRFR9310PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+91.66 грн
10+ 69.9 грн
100+ 59.81 грн
500+ 49.99 грн
1000+ 38.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFR9310PBF sihfr931.pdf
IRFR9310PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+102.43 грн
75+ 79.42 грн
150+ 62.93 грн
525+ 50.06 грн
1050+ 40.78 грн
2025+ 38.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR9310PBF sihfr931.pdf
IRFR9310PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 16
IRFR9310TRLPBF sihfr931.pdf
IRFR9310TRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFR9310TRLPBF sihfr931.pdf
IRFR9310TRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+96.85 грн
10+ 77.36 грн
100+ 61.59 грн
500+ 48.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR9310TRLPBF sihfr931.pdf
IRFR9310TRLPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET P-Chan 400V 1.8 Amp
на замовлення 14555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+76.65 грн
10+ 68.22 грн
100+ 52.3 грн
500+ 47.47 грн
1000+ 38.65 грн
3000+ 38.13 грн
9000+ 37.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR9310TRLPBF-BE3 doc?91284
IRFR9310TRLPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 2939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+96.85 грн
10+ 77.43 грн
100+ 61.65 грн
500+ 48.96 грн
1000+ 41.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR9310TRLPBF-BE3 doc?91284
IRFR9310TRLPBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 400V P-CH HEXFET MOSFET D
на замовлення 28086 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+104.46 грн
10+ 84.45 грн
100+ 57.84 грн
500+ 49.02 грн
1000+ 42.45 грн
6000+ 41.29 грн
9000+ 40.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR9310TRPBF IRFR9310PBF.pdf IRFR9310TRPBF.pdf
IRFR9310TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+62.14 грн
10+ 35.49 грн
25+ 31.4 грн
30+ 25.84 грн
82+ 24.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFR9310TRPBF IRFR9310PBF.pdf IRFR9310TRPBF.pdf
IRFR9310TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 768 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+74.57 грн
6+ 44.23 грн
25+ 37.68 грн
30+ 31.01 грн
82+ 29.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR9310TRPBF sihfr931.pdf
IRFR9310TRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+42.48 грн
6000+ 38.96 грн
10000+ 37.16 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR9310TRPBF sihfr931.pdf
IRFR9310TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+102.64 грн
10+ 83.97 грн
25+ 83.01 грн
100+ 62.35 грн
250+ 57.16 грн
500+ 44.86 грн
1000+ 36.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFR9310TRPBF VISH-S-A0013857047-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR9310TRPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+117.06 грн
10+ 92.49 грн
100+ 69.22 грн
500+ 53.48 грн
1000+ 39.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFR9310TRPBF sihfr931.pdf
IRFR9310TRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 15110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+102.43 грн
10+ 80.92 грн
100+ 62.93 грн
500+ 50.06 грн
1000+ 40.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR9310TRPBF sihfr931.pdf
IRFR9310TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+49.95 грн
4000+ 47.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR9310TRPBF VISH-S-A0013857047-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR9310TRPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+69.22 грн
500+ 53.48 грн
1000+ 39.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFR9310TRPBF sihfr931.pdf
IRFR9310TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR9310TRPBF sihfr931.pdf
IRFR9310TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+79.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR9310TRPBF sihfr931.pdf
IRFR9310TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
125+90.43 грн
127+ 89.4 грн
163+ 69.63 грн
250+ 66.48 грн
500+ 50.32 грн
1000+ 38.93 грн
Мінімальне замовлення: 125
IRFR9310TRPBF sihfr931.pdf
IRFR9310TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+46.38 грн
4000+ 44.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR9310TRPBF sihfr931.pdf
IRFR9310TRPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET P-Chan 400V 1.8 Amp
на замовлення 31378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+102.2 грн
10+ 82.96 грн
100+ 55.97 грн
500+ 47.47 грн
1000+ 38.65 грн
2000+ 36.33 грн
4000+ 35.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR9310PBF sihfr931.pdf
IRFR9310PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 945 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRFR9310TR sihfr931.pdf
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFR9310
Код товару: 31820
irfr9310.pdf
IRFR9310
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 400 V
Id,A: 1,8 A
Rds(on),Om: 7 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/13
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRFR9310 sihfr931.pdf
IRFR9310
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR9310 sihfr931.pdf
IRFR9310
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFR9310PBF
товар відсутній
IRFR9310TR sihfr931.pdf
IRFR9310TR
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR9310TRL sihfr931.pdf
IRFR9310TRL
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR9310TRLPBF IRFR9310PBF.pdf
IRFR9310TRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFR9310TRLPBF sihfr931.pdf
IRFR9310TRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR9310TRLPBF sihfr931.pdf
IRFR9310TRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR9310TRLPBF sihfr931.pdf
IRFR9310TRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR9310TRLPBF-BE3 sihfr931.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
IRFR9310TRLPBF-BE3 doc?91284
IRFR9310TRLPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR9310TRR sihfr931.pdf
IRFR9310TRR
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR9310TRRPBF sihfr931.pdf
IRFR9310TRRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR9310TRRPBF sihfr931.pdf
IRFR9310TRRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR9310TRRPBF sihfr931.pdf
IRFR9310TRRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR9310TRRPBF sihfr931.pdf
IRFR9310TRRPBF
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFR9310TRPBF
товар відсутній
IRFR9310TRLPBF IRFR9310PBF.pdf
IRFR9310TRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній