Результат пошуку "IRFR9310" : 55

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRFR9310 Siliconix sihfr931.pdf P-MOSFET 1,8A 400V 50W IRFR9310 TIRFR9310
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRFR9310 Siliconix sihfr931.pdf P-MOSFET 1,8A 400V 50W IRFR9310 TIRFR9310
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRFR9310PBF IRFR9310PBF VISHAY IRFR9310PBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.89 грн
10+ 37.97 грн
25+ 34.23 грн
32+ 27.27 грн
87+ 25.8 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFR9310PBF IRFR9310PBF VISHAY IRFR9310PBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.47 грн
6+ 47.32 грн
25+ 41.08 грн
32+ 32.72 грн
87+ 30.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
196+62.4 грн
218+ 56.09 грн
500+ 52.22 грн
1000+ 45.85 грн
Мінімальне замовлення: 196
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 6002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+68.2 грн
12+ 53.63 грн
100+ 47.94 грн
500+ 42.85 грн
1000+ 36.02 грн
3000+ 33.54 грн
6000+ 33.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+82.97 грн
157+ 78.19 грн
180+ 67.92 грн
200+ 62.55 грн
Мінімальне замовлення: 148
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Vishay Semiconductors sihfr931.pdf MOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
на замовлення 10244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.62 грн
10+ 70.32 грн
100+ 52.21 грн
500+ 48.2 грн
1000+ 41.17 грн
3000+ 39.69 грн
6000+ 39.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 6002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 16
IRFR9310PBF IRFR9310PBF VISHAY 1866706.pdf Description: VISHAY - IRFR9310PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 18142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.94 грн
10+ 81.31 грн
100+ 63.63 грн
500+ 52.85 грн
1000+ 39.85 грн
5000+ 36.2 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+72.91 грн
11+ 57.94 грн
100+ 52.09 грн
500+ 46.76 грн
1000+ 39.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.18 грн
75+ 88.51 грн
150+ 70.14 грн
525+ 55.79 грн
1050+ 45.45 грн
2025+ 42.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+57.73 грн
237+ 51.6 грн
500+ 47.84 грн
1000+ 41.87 грн
3000+ 37.6 грн
6000+ 35.72 грн
Мінімальне замовлення: 212
IRFR9310TRLPBF IRFR9310TRLPBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFR9310TRLPBF IRFR9310TRLPBF Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.09 грн
10+ 86.28 грн
100+ 68.65 грн
500+ 54.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR9310TRLPBF IRFR9310TRLPBF Vishay Semiconductors sihfr931.pdf MOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
на замовлення 14151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.84 грн
10+ 73.64 грн
100+ 52.85 грн
500+ 46.58 грн
1000+ 41.73 грн
3000+ 41.66 грн
24000+ 40.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR9310TRLPBF-BE3 IRFR9310TRLPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 2754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.09 грн
10+ 86.28 грн
100+ 68.65 грн
500+ 54.52 грн
1000+ 46.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR9310TRLPBF-BE3 IRFR9310TRLPBF-BE3 Vishay / Siliconix sihfr931.pdf MOSFETs TO252 400V 1.8A P-CH MOSFET
на замовлення 24266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.65 грн
10+ 90.64 грн
100+ 61.15 грн
500+ 51.86 грн
1000+ 42.22 грн
3000+ 39.69 грн
6000+ 39.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF VISHAY IRFR9310PBF.pdf IRFR9310TRPBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+64.73 грн
10+ 36.94 грн
25+ 32.55 грн
31+ 28.25 грн
84+ 26.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF VISHAY IRFR9310PBF.pdf IRFR9310TRPBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+77.68 грн
6+ 46.04 грн
25+ 39.06 грн
31+ 33.9 грн
84+ 32.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF VISHAY VISH-S-A0013857047-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 3965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.78 грн
50+ 79.73 грн
100+ 68.84 грн
500+ 54.17 грн
1000+ 42.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF Vishay Semiconductors sihfr931.pdf MOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
на замовлення 27757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.44 грн
10+ 84.97 грн
100+ 59.18 грн
500+ 51.86 грн
1000+ 42.22 грн
2000+ 41.66 грн
4000+ 41.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+80.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.34 грн
6000+ 43.42 грн
10000+ 41.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF VISHAY VISH-S-A0013857047-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 3965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.84 грн
500+ 54.17 грн
1000+ 42.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+75.08 грн
10+ 67.46 грн
25+ 67 грн
100+ 56.33 грн
250+ 51.64 грн
500+ 45.34 грн
1000+ 36.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+43.65 грн
4000+ 40.1 грн
10000+ 39.69 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 11724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.18 грн
10+ 90.16 грн
100+ 70.14 грн
500+ 55.79 грн
1000+ 45.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+40.55 грн
4000+ 37.26 грн
10000+ 36.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+72.65 грн
170+ 72.15 грн
194+ 62.91 грн
250+ 60.06 грн
500+ 50.87 грн
1000+ 39.82 грн
Мінімальне замовлення: 168
IRFR9310PBF sihfr931.pdf IRFR9310PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 945 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRFR9310TR sihfr931.pdf
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFR9310 IRFR9310
Код товару: 31820 		IR irfr9310.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 400 V
Id,A: 1,8 A
Rds(on),Om: 7 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/13
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRFR9310 IRFR9310 Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR9310 IRFR9310 Vishay / Siliconix sihfr931.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR9310PBF
товар відсутній
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
IRFR9310TR IRFR9310TR Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR9310TRL IRFR9310TRL Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR9310TRLPBF IRFR9310TRLPBF VISHAY IRFR9310PBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFR9310TRLPBF IRFR9310TRLPBF Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR9310TRLPBF IRFR9310TRLPBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR9310TRLPBF IRFR9310TRLPBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR9310TRLPBF-BE3 IRFR9310TRLPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR9310TRLPBF-BE3 IRFR9310TRLPBF-BE3 Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR9310TRR IRFR9310TRR Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR9310TRRPBF IRFR9310TRRPBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR9310TRRPBF IRFR9310TRRPBF Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR9310TRRPBF IRFR9310TRRPBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR9310TRRPBF IRFR9310TRRPBF Vishay / Siliconix sihfr931.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR9310TRPBF
товар відсутній
IRFR9310TRLPBF IRFR9310TRLPBF VISHAY IRFR9310PBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR9310 sihfr931.pdf
Виробник: Siliconix
P-MOSFET 1,8A 400V 50W IRFR9310 TIRFR9310
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRFR9310 sihfr931.pdf
Виробник: Siliconix
P-MOSFET 1,8A 400V 50W IRFR9310 TIRFR9310
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRFR9310PBF IRFR9310PBF.pdf
IRFR9310PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+67.89 грн
10+ 37.97 грн
25+ 34.23 грн
32+ 27.27 грн
87+ 25.8 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFR9310PBF IRFR9310PBF.pdf
IRFR9310PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.47 грн
6+ 47.32 грн
25+ 41.08 грн
32+ 32.72 грн
87+ 30.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR9310PBF sihfr931.pdf
IRFR9310PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
196+62.4 грн
218+ 56.09 грн
500+ 52.22 грн
1000+ 45.85 грн
Мінімальне замовлення: 196
IRFR9310PBF sihfr931.pdf
IRFR9310PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 6002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+68.2 грн
12+ 53.63 грн
100+ 47.94 грн
500+ 42.85 грн
1000+ 36.02 грн
3000+ 33.54 грн
6000+ 33.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFR9310PBF sihfr931.pdf
IRFR9310PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
148+82.97 грн
157+ 78.19 грн
180+ 67.92 грн
200+ 62.55 грн
Мінімальне замовлення: 148
IRFR9310PBF sihfr931.pdf
IRFR9310PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
на замовлення 10244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+102.62 грн
10+ 70.32 грн
100+ 52.21 грн
500+ 48.2 грн
1000+ 41.17 грн
3000+ 39.69 грн
6000+ 39.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR9310PBF sihfr931.pdf
IRFR9310PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 6002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 16
IRFR9310PBF 1866706.pdf
IRFR9310PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR9310PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 18142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+123.94 грн
10+ 81.31 грн
100+ 63.63 грн
500+ 52.85 грн
1000+ 39.85 грн
5000+ 36.2 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFR9310PBF sihfr931.pdf
IRFR9310PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+72.91 грн
11+ 57.94 грн
100+ 52.09 грн
500+ 46.76 грн
1000+ 39.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFR9310PBF sihfr931.pdf
IRFR9310PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.18 грн
75+ 88.51 грн
150+ 70.14 грн
525+ 55.79 грн
1050+ 45.45 грн
2025+ 42.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR9310PBF sihfr931.pdf
IRFR9310PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
212+57.73 грн
237+ 51.6 грн
500+ 47.84 грн
1000+ 41.87 грн
3000+ 37.6 грн
6000+ 35.72 грн
Мінімальне замовлення: 212
IRFR9310TRLPBF sihfr931.pdf
IRFR9310TRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFR9310TRLPBF sihfr931.pdf
IRFR9310TRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.09 грн
10+ 86.28 грн
100+ 68.65 грн
500+ 54.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR9310TRLPBF sihfr931.pdf
IRFR9310TRLPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
на замовлення 14151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87.84 грн
10+ 73.64 грн
100+ 52.85 грн
500+ 46.58 грн
1000+ 41.73 грн
3000+ 41.66 грн
24000+ 40.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR9310TRLPBF-BE3 sihfr931.pdf
IRFR9310TRLPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 2754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.09 грн
10+ 86.28 грн
100+ 68.65 грн
500+ 54.52 грн
1000+ 46.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR9310TRLPBF-BE3 sihfr931.pdf
IRFR9310TRLPBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO252 400V 1.8A P-CH MOSFET
на замовлення 24266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.65 грн
10+ 90.64 грн
100+ 61.15 грн
500+ 51.86 грн
1000+ 42.22 грн
3000+ 39.69 грн
6000+ 39.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR9310TRPBF IRFR9310PBF.pdf IRFR9310TRPBF.pdf
IRFR9310TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+64.73 грн
10+ 36.94 грн
25+ 32.55 грн
31+ 28.25 грн
84+ 26.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFR9310TRPBF IRFR9310PBF.pdf IRFR9310TRPBF.pdf
IRFR9310TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+77.68 грн
6+ 46.04 грн
25+ 39.06 грн
31+ 33.9 грн
84+ 32.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR9310TRPBF VISH-S-A0013857047-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR9310TRPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 3965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+90.78 грн
50+ 79.73 грн
100+ 68.84 грн
500+ 54.17 грн
1000+ 42.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFR9310TRPBF sihfr931.pdf
IRFR9310TRPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
на замовлення 27757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+103.44 грн
10+ 84.97 грн
100+ 59.18 грн
500+ 51.86 грн
1000+ 42.22 грн
2000+ 41.66 грн
4000+ 41.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR9310TRPBF sihfr931.pdf
IRFR9310TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+80.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR9310TRPBF sihfr931.pdf
IRFR9310TRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+47.34 грн
6000+ 43.42 грн
10000+ 41.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR9310TRPBF VISH-S-A0013857047-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR9310TRPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 3965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+68.84 грн
500+ 54.17 грн
1000+ 42.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFR9310TRPBF sihfr931.pdf
IRFR9310TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+75.08 грн
10+ 67.46 грн
25+ 67 грн
100+ 56.33 грн
250+ 51.64 грн
500+ 45.34 грн
1000+ 36.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFR9310TRPBF sihfr931.pdf
IRFR9310TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR9310TRPBF sihfr931.pdf
IRFR9310TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+43.65 грн
4000+ 40.1 грн
10000+ 39.69 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR9310TRPBF sihfr931.pdf
IRFR9310TRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 11724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.18 грн
10+ 90.16 грн
100+ 70.14 грн
500+ 55.79 грн
1000+ 45.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR9310TRPBF sihfr931.pdf
IRFR9310TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+40.55 грн
4000+ 37.26 грн
10000+ 36.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR9310TRPBF sihfr931.pdf
IRFR9310TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
168+72.65 грн
170+ 72.15 грн
194+ 62.91 грн
250+ 60.06 грн
500+ 50.87 грн
1000+ 39.82 грн
Мінімальне замовлення: 168
IRFR9310PBF sihfr931.pdf
IRFR9310PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 945 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRFR9310TR sihfr931.pdf
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFR9310
Код товару: 31820		 irfr9310.pdf
IRFR9310
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 400 V
Id,A: 1,8 A
Rds(on),Om: 7 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/13
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRFR9310 sihfr931.pdf
IRFR9310
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR9310 sihfr931.pdf
IRFR9310
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR9310PBF
товар відсутній
IRFR9310PBF sihfr931.pdf
IRFR9310PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
IRFR9310TR sihfr931.pdf
IRFR9310TR
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR9310TRL sihfr931.pdf
IRFR9310TRL
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR9310TRLPBF IRFR9310PBF.pdf
IRFR9310TRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFR9310TRLPBF sihfr931.pdf
IRFR9310TRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR9310TRLPBF sihfr931.pdf
IRFR9310TRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR9310TRLPBF sihfr931.pdf
IRFR9310TRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR9310TRLPBF-BE3 sihfr931.pdf
IRFR9310TRLPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR9310TRLPBF-BE3 sihfr931.pdf
IRFR9310TRLPBF-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
IRFR9310TRPBF sihfr931.pdf
IRFR9310TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR9310TRR sihfr931.pdf
IRFR9310TRR
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR9310TRRPBF sihfr931.pdf
IRFR9310TRRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR9310TRRPBF sihfr931.pdf
IRFR9310TRRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR9310TRRPBF sihfr931.pdf
IRFR9310TRRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR9310TRRPBF sihfr931.pdf
IRFR9310TRRPBF
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR9310TRPBF
товар відсутній
IRFR9310TRLPBF IRFR9310PBF.pdf
IRFR9310TRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній