Результат пошуку "IRFR9310" : 10
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFR9310 | Siliconix |
P-MOSFET 1,8A 400V 50W IRFR9310 TIRFR9310кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 350 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFR9310 | Siliconix |
P-MOSFET 1,8A 400V 50W IRFR9310 TIRFR9310кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFR9310PBF | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -400V Drain current: -1.1A Pulsed drain current: -7.2A Power dissipation: 50W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 685 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR9310TRPBF | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -400V Drain current: -1.1A Pulsed drain current: -7.2A Power dissipation: 50W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2229 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFR9310PBF |
IRFR9310PBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 945 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR9310TR |
|
на замовлення 6800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRFR9310 Код товару: 31820
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові P-канальніКорпус: D-Pak Uds,V: 400 V Id,A: 1,8 A Rds(on),Om: 7 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 270/13 Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
| IRFR9310 |
![]() |
на замовлення 350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 24.49 грн |
| IRFR9310 |
![]() |
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 24.49 грн |
| IRFR9310PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 685 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 125.85 грн |
| 10+ | 64.79 грн |
| 75+ | 55.15 грн |
| 150+ | 51.00 грн |
| 525+ | 44.91 грн |
| 1050+ | 42.11 грн |
| 2025+ | 39.99 грн |
| IRFR9310TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 110.25 грн |
| 5+ | 86.05 грн |
| 10+ | 75.72 грн |
| 50+ | 61.23 грн |
| 100+ | 55.82 грн |
| 500+ | 44.81 грн |
| 1000+ | 40.76 грн |
| IRFR9310PBF |
![]() |
IRFR9310PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 945 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRFR9310 Код товару: 31820
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 400 V
Id,A: 1,8 A
Rds(on),Om: 7 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/13
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 400 V
Id,A: 1,8 A
Rds(on),Om: 7 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/13
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 40.00 грн |
| 10+ | 19.60 грн |


